CN104124292A - 硼镓共掺单晶硅片及其制备方法和太阳能电池 - Google Patents
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- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 88
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 29
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 83
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 70
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 69
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 32
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 72
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 41
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 39
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 39
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 18
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 16
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 14
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 10
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 claims description 10
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 claims description 6
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims description 5
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 5
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 abstract 1
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 4
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 4
- 235000008216 herbs Nutrition 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 4
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 description 4
- XGCTUKUCGUNZDN-UHFFFAOYSA-N [B].O=O Chemical compound [B].O=O XGCTUKUCGUNZDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VSSOFVGBLTZDEB-UHFFFAOYSA-N [B].[B].[O] Chemical compound [B].[B].[O] VSSOFVGBLTZDEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001638 boron Chemical class 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 235000019788 craving Nutrition 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- XCZLSTLZPIRTRY-UHFFFAOYSA-N oxogallium Chemical compound [Ga]=O XCZLSTLZPIRTRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 1
- 238000004857 zone melting Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/028—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L31/0288—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table characterised by the doping material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/02—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
- C30B15/04—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt adding doping materials, e.g. for n-p-junction
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种硼镓共掺单晶硅片，在硼镓共掺单晶硅片中含有硼元素和镓元素，其中硼元素的浓度为1014~16原子数/立方厘米，镓元素的浓度为1013~6×1016原子数/立方厘米，其降低了单独硼掺杂引起的硼氧复合体浓度，还公开了由上述硼镓共掺单晶硅片制成的硼镓共掺单晶硅太阳能电池，该电池具有与常规掺硼持平的转换效率，并且具有较低的LID水平，并进一步公开了上述硼镓共掺单晶硅片及电池的制备方法，该方法工艺简单，易操作，可规模化生产，不存在成本升高的问题。
Description
技术领域
本发明属于光伏产业，具体涉及硼镓共掺单晶硅片及其制备方法和太阳能电池。
背景技术
随着化石能源储量的日益减少，对于可再生能源的渴求成就了目前规模庞大的光伏行业，同时为了降低产品单瓦成本，提高产品的竞争能力，各公司的技术工作者都在不断的提出新的技术方案，不断提高产品性能。
目前，单晶硅主要采用直拉（柴氏）法或区熔法进行晶体生长，出于成本考虑光伏应用的单晶硅都是采用前者，单晶采用硼作为受主杂质掺杂成p型，在电池加工中通过高温扩散磷杂质形成n型层以制作p-n结，实现光电转换的最基本结构。
由于生长***和杂质在硅中分凝性质的影响，直拉单晶硅中普遍存在较高的氧含量，而已经有较多证据证明光诱导可形成硼氧复合体，这是一种能够引起电池性能衰退的深能级缺陷，表现为电池受光之后少子寿命降低、电池转换效率下降，称之为LID（Light induced degradation，光致衰退效应）。
为了解决电池LID的问题，有专利200710058315提出采用镓作为受主杂质代替硼，由于镓氧的结合所需能量高于硼氧，所以一定程度上抑制了光致缺陷的性能，大幅度降低了LID，但是由于镓原子半径大于硅，在硅晶格中主要以替位形式存在造成硅晶格畸变，通常掺镓单晶电池的平均转换效率比掺硼单晶电池偏低0.1%-0.2%，而且镓在硅中的分凝系数（0.008）远低于硼（0.9），晶体电阻率难于控制，这就阻碍了掺镓单晶在实际中的大规模应用。
发明内容
本发明的第一个所要解决的技术问题在于提供一种硼镓共掺的单晶硅片，该单晶硅片降低了单独硼掺杂引起的硼氧复合体浓度。
本发明第二个所要解决的技术问题在于提供一种硼镓共掺的单晶硅太阳能电池，该太阳能电池具有与常规掺硼持平的转换效率，并且具有较低的LID水平。
本发明最有一个所要解决的技术问题在于提供上述硼镓共掺的单晶硅片的制备方法，该制备方法工艺简单，成本低，易操作，可规模化生产。
本发明的第一个技术问题是通过如下技术方案来实现的：一种硼镓共掺的单晶硅太阳能电池，在硼镓共掺单晶硅片中含有硼元素和镓元素，其中硼元素的浓度为1014~1016个原子/立方厘米，镓元素的浓度为1013~6×1016个原子/立方厘米。
本发明的第二个技术问题是通过如下技术方案来实现的：一种硼镓共掺单晶硅太阳能电池，主要以上述硼镓共掺单晶硅片为原料制成，且在制成的硼镓共掺单晶硅太阳能电池的基体中，硼元素的浓度为1014~1016个原子/立方厘米，镓元素的浓度为1013~6×1016个原子/立方厘米。
本发明的最后一个技术问题是通过如下技术方案来实现的：上述硼镓共掺单晶硅太阳能电池的制备方法，含以下步骤：
（1）将多晶硅料、硼硅合金以及镓金属或镓硅合金原料置于石英坩埚中；
（2）将装有上述原料的石英坩埚置于直拉单晶炉中，抽真空处理；
（3）对直拉单晶炉炉体加热使上述原料全部融化，混匀后，调节炉体内部温度，缓慢放入籽晶；
（4）炉体内的籽晶经引晶、缩颈、放肩、等径生长、收尾阶段完成晶体生长过程，制成单晶晶棒；
（5）将步骤（4）中制成的单晶晶棒经过后续处理加工成硼镓共掺单晶硅片，用于制作硼镓共掺单晶硅电池能电池。
本发明步骤（1）中所述的硼硅合金优选占多晶硅、硼硅合金以及金属镓或镓硅合金总重量的0.0006~0.007%；镓金属或镓硅合金的用量占多晶硅、硼硅合金以及金属镓或镓硅合金总重量的0.0001~0.01%。
本发明步骤（3）中对直拉单晶炉炉体优选加热到1450~1480℃使上述原料全部融化，混匀后，调节炉体内部温度优选为1420~1450℃，缓慢放入籽晶。
本发明步骤（3）中采用的籽晶为单晶硅。
本发明步骤（4）中炉体内的籽晶经引晶、缩颈、放肩、等径生长、收尾阶段完成晶体生长过程，整个过程中控制晶体转速为5~15rpm，石英坩埚转速为5~15rpm，放肩、等径生长、收尾阶段晶体平均生长速度30~150mm/h。
本发明步骤（4）中优选采用直拉法将炉体内的籽晶经引晶、缩颈、放肩、等径生长、收尾阶段完成晶体生长过程，制成单晶晶棒；且步骤（4）中晶体生长过程中单晶生长方向为<100>方向。
本发明步骤（5）中所述硼镓共掺单晶硅太阳能电池的目标电阻率优选为0.5~6Ω/cm。
本发明步骤（5）中所述后续处理含切段、开方、磨圆、研磨、切片、清洗工序。
本发明步骤（5）中制成的硼镓共掺单晶硅太阳能电池的光致衰退幅度为0.5%~2.5%。
本发明中的硼镓共掺单晶硅太阳能电池的制备方法，具体可以含以下步骤：将多晶硅料、硼硅合金、镓金属或镓硅合金合理装入石英坩埚，将装有上述原料的石英坩埚置于直拉单晶炉中，***抽真空，对炉体进行加热使原料和合金全部融化，放入籽晶，调节炉内的温度梯度恒定，经过引晶、缩颈、放肩、等径生长、收尾阶段完成晶体生长过程，冷却后，硅晶体中硼的掺杂浓度为为1014~16个原子/立方厘米（atoms/cc），镓元素的浓度为1013~6×1016个原子/立方厘米（atoms/cc），将硅棒经过线切割为180±20μm单晶硅片，经过制绒、扩散、等离子刻蚀、等离子镀膜、丝网印刷和烧结过程制作为电池。
本发明具有如下优点：采用本发明中的技术方案，制成的硼镓共掺的单晶硅片，该单晶硅片能降低单独硼掺杂引起的硼氧复合体浓度；采用该硼镓共掺的单晶硅片制成的硼镓共掺的单晶硅太阳能电池具有与常规掺硼持平的转换效率，平均光致衰退幅度比常规掺硼单晶电池降低0.5~1.5%；且硼镓共掺的单晶硅片的制备方法简单，易操作，可规模化生产，不存在成本升高的问题。
具体实施方式
以下列举具体实施例对本发明进行说明。需要指出的是，以下实施例只用于对本发明作进一步说明，不代表本发明的保护范围，其他人根据本发明的提示做出的非本质的修改和调整，仍属于本发明的保护范围。
实施例1
将多晶硅料、5.6g硼硅合金、2.7g镓硅合金共计66kg合理装入石英坩埚，码放整齐，初始熔体中镓浓度预计1.85×1015个原子/立方厘米，硼浓度预计3.95×1015个原子/立方厘米，目标电阻率2~4.5Ω/cm，将装有上述原料置于直拉单晶炉中，***抽真空，对炉体进行加热，控制炉内温度逐步升高到1450℃，使原料和合金全部融化，充分混合后稳定熔体温度在1420℃，缓慢放入籽晶，调节炉内的温度梯度恒定，经过引晶、缩颈、放肩、等径生长、收尾阶段，在整个过程中保持过程中控制晶体转速为5rpm，石英坩埚转速为5rpm，缩颈后晶体生长速度由70mm/h程序降低至40mm/h，晶棒直径达到要求完成转肩，进而提高晶体生长速度至50mm/h连续等径生长，最后收尾阶段程序提高晶体生长速度至150mm/h完成晶体生长，整个过程中晶体沿<100>晶向生长。
冷却后，硅晶体中硼的掺杂浓度为3.2×1015~7.9×1015个原子/立方厘米，镓的掺杂浓度为1.5×1013~1.5×1014个原子/立方厘米，电阻率1.5~4.5Ω/cm。将硅棒经过切段、开方、磨圆、线切割为180±20μm硼镓共掺单晶硅片。
经过制绒、扩散、等离子刻蚀、等离子镀膜、丝网印刷和烧结过程制作为硼镓共掺单晶硅太阳能电池，取硼镓共掺单晶硅太阳能电池与常规硼掺杂基片的太阳能电池，测试电池各项性能，两者基本持平，在1000W/m2的条件下连续光照5h，再次测试电池性能，对比光照前后的电池最大输出功率，硼镓共掺单晶的LID为1.5%，常规掺硼单晶为2.3%。
实施例2
将多晶硅料、0.4g硼硅合金、6.6g镓硅合金共计66kg合理装入石英坩埚，码放整齐，初始熔体中镓浓度预计3.0×1015个原子/立方厘米，硼浓度预计3.0×1015个原子/立方厘米，目标电阻率1.1~2.9Ω/cm。将装有上述原料置于直拉单晶炉中，***抽真空，对炉体进行加热，控制炉内温度逐步升高到1460℃，使原料和合金全部融化，充分混合后稳定熔体温度在1430℃，缓慢放入籽晶，调节炉内的温度梯度恒定，经过引晶、缩颈、放肩、等径生长、收尾阶段，在整个过程中保持过程中控制晶体转速为10rpm，石英坩埚转速为10rpm，缩颈后晶体生长速度由60mm/h程序降低至38mm/h，晶棒直径达到要求完成转肩，进而提高晶体生长速度至47mm/h连续等径生长，最后收尾阶段程序提高晶体生长速度至120mm/h完成晶体生长，整个过程中晶体沿<100>晶向生长。
冷却后，硅晶体中硼的掺杂浓度为2.4×1015~6.0×1015个原子/立方厘米，镓的掺杂浓度为2.4×1013~2.3×1015个原子/立方厘米，电阻率1.2~2.8Ω/cm。将硅棒经过切段、开方、磨圆、线切割为180±20μm硅片。
经过制绒、扩散、等离子刻蚀、等离子镀膜、丝网印刷和烧结过程制作为电池，取电池片与常规硼掺杂基片的电池，取硼镓共掺单晶硅太阳能电池与常规硼掺杂基片的太阳能电池，测试电池各项性能，两者基本持平，在1000W/m2的条件下连续光照5h，再次测试电池性能，对比光照前后的电池最大输出功率，硼镓共掺单晶的LID为1.7%，常规掺硼单晶为2.3%。
实施例3
将多晶硅料、5.6g硼硅合金、0.09g金属镓共计80kg合理装入石英坩埚，码放整齐，初始熔体中镓浓度预计1.0×1016个原子/立方厘米，硼浓度预计5.0×1015个原子/立方厘米，目标电阻率0.9~3.5Ω/cm。将装有上述原料置于直拉单晶炉中，***抽真空，对炉体进行加热，控制炉内温度逐步升高到1480℃，使原料和合金全部融化，充分混合后稳定熔体温度在1450℃，缓慢放入籽晶，调节炉内的温度梯度恒定，经过引晶、缩颈、放肩、等径生长、收尾阶段完，在整个过程中保持过程中控制晶体转速为15rpm，石英坩埚转速为15rpm，缩颈后晶体生长速度由100mm/h程序降低至45mm/h，晶棒直径达到要求完成转肩，进而提高晶体生长速度至53mm/h连续等径生长，最后收尾阶段程序提高晶体生长速度至110mm/h完成晶体生长，整个过程中晶体沿<100>晶向生长。
冷却后，硅晶体中硼的掺杂浓度为4.0×1015~1.0×1016个原子/立方厘米，镓的掺杂浓度为8.0×1013~7.7×1015个原子/立方厘米，电阻率1.1~3.3Ω/cm。将硅棒经过切段、开方、磨圆、线切割为180±20μm硅片。
经过制绒、扩散、等离子刻蚀、等离子镀膜、丝网印刷和烧结过程制作为电池，取电池片与常规硼掺杂基片的电池，取硼镓共掺单晶硅太阳能电池与常规硼掺杂基片的太阳能电池，测试电池各项性能，两者基本持平，在1000W/m2的条件下连续光照5h，再次测试电池性能，对比光照前后的电池最大输出功率，硼镓共掺单晶的LID为1.25%，常规掺硼单晶为2.3%。
以上列举的具体实施例是对本发明进行的说明。需要指出的是，以上实施例只用于对本发明作进一步说明，不代表本发明的保护范围，其他人根据本发明的提示做出的非本质的修改和调整，仍属于本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种硼镓共掺单晶硅片，其特征是：在硼镓共掺单晶硅片中含有硼元素和镓元素，其中硼元素的浓度为1014~1016个原子/立方厘米，镓元素的浓度为1013~6×1016个原子/立方厘米。
2.一种硼镓共掺单晶硅太阳能电池，其特征是：主要以权利要求1中所述的硼镓共掺单晶硅片为原料制成，且在制成的硼镓共掺单晶硅太阳能电池的基体中，硼元素的浓度为1014~1016个原子/立方厘米，镓元素的浓度为1013~6×1016个原子/立方厘米。
3.权利要求1所述的硼镓共掺单晶硅太阳能电池的制备方法，其特征是含以下步骤：
（1）将多晶硅料、硼硅合金以及镓金属或镓硅合金原料置于石英坩埚中；
（2）将装有上述原料的石英坩埚置于直拉单晶炉中，抽真空处理；
（3）对直拉单晶炉炉体加热使上述原料全部融化，混匀后，调节炉体内部温度，缓慢放入籽晶；
（4）炉体内的籽晶经引晶、缩颈、放肩、等径生长、收尾阶段完成晶体生长过程，制成单晶晶棒；
（5）将步骤（4）中制成的单晶晶棒经过后续处理加工成硼镓共掺单晶硅片，用于制作硼镓共掺单晶硅电池能电池。
4.根据权利要求3所述的硼镓共掺单晶硅太阳能电池的制备方法，其特征是：步骤（1）中所述的硼硅合金占多晶硅、硼硅合金以及金属镓或镓硅合金总重量的0.0006~0.007%；镓金属或镓硅合金的用量占多晶硅、硼硅合金以及金属镓或镓硅合金总重量的0.0001~0.01%。
5.根据权利要求3所述的硼镓共掺单晶硅太阳能电池的制备方法，其特征是：步骤（3）中对直拉单晶炉炉体加热到1450~1480℃使上述原料全部融化，混匀后，调节炉体内部温度为1420~1450℃，缓慢放入籽晶。
6.根据权利要求3所述的硼镓共掺单晶硅太阳能电池的制备方法，其特征是：步骤（3）中采用的籽晶为单晶硅。
7.根据权利要求3所述的硼镓共掺单晶硅太阳能电池的制备方法，其特征是：步骤（4）中炉体内的籽晶经引晶、缩颈、放肩、等径生长、收尾阶段完成晶体生长过程，整个过程中控制晶体转速为5~15rpm，石英坩埚转速为5~15rpm，放肩、等径生长、收尾阶段晶体平均生长速度30~150mm/h。
8.根据权利要求3所述的硼镓共掺单晶硅太阳能电池的制备方法，其特征是： 步骤（4）中采用直拉法将炉体内的籽晶经引晶、缩颈、放肩、等径生长、收尾阶段完成晶体生长过程，制成单晶晶棒；且步骤（4）中晶体生长过程中单晶生长方向为<100>方向。
9.根据权利要求2所述的硼镓共掺单晶硅太阳能电池的制备方法，其特征是：步骤（5）中所述硼镓共掺单晶硅太阳能电池的目标电阻率为0.5~6Ω/cm。
10.根据权利要求2所述的硼镓共掺单晶硅太阳能电池的制备方法，其特征是：步骤（5）中制成的硼镓共掺单晶硅太阳能电池的光致衰退幅度为0.5%~2.5%。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201310140670.9A CN104124292B (zh) | 2013-04-23 | 2013-04-23 | 硼镓共掺单晶硅片及其制备方法和太阳能电池 |
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| CN201310140670.9A CN104124292B (zh) | 2013-04-23 | 2013-04-23 | 硼镓共掺单晶硅片及其制备方法和太阳能电池 |
Publications (2)
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|---|---|
| CN104124292A true CN104124292A (zh) | 2014-10-29 |
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ID=51769640
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| CN201310140670.9A Active CN104124292B (zh) | 2013-04-23 | 2013-04-23 | 硼镓共掺单晶硅片及其制备方法和太阳能电池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104124292B (zh) |
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