CN104078327A - 离子注入后的清洗方法 - Google Patents
离子注入后的清洗方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104078327A CN104078327A CN201410163488.XA CN201410163488A CN104078327A CN 104078327 A CN104078327 A CN 104078327A CN 201410163488 A CN201410163488 A CN 201410163488A CN 104078327 A CN104078327 A CN 104078327A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- cleaning method
- solution
- implantation
- cleaning
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 title abstract description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 63
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 54
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 26
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims description 20
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 6
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000002000 scavenging effect Effects 0.000 claims description 5
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 claims description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 11
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000005389 semiconductor device fabrication Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
- H01L21/26506—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors
- H01L21/26513—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors of electrically active species
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明提供一种离子注入后的清洗方法，用于对离子注入后的半导体衬底进行清洗，所述清洗包括：利用SC-1溶液对半导体衬底进行清洗的步骤，以去除所述半导体衬底上由于电荷吸附造成的表面缺陷。利用本发明本的清洗方法，能够在离子注入后对半导体衬底进行清洗，去除半导体衬底表面的缺陷，提高半导体器件的良率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及离子注入后的清洗方法。
背景技术
离子注入是半导体器件制作工艺过程中的重要工艺步骤，通过离子注入对半导体衬底进行掺杂，从而达到改变半导体衬底性能参数的目的。比如对半导体衬底进行锗注入，改变半导体衬底原有的性能参数。而对于现有技术而言，锗注入之后的一个较大的问题，就是无法在锗注入之后对半导体衬底进行有效的清洗，从而在半导体衬底上形成较大的缺陷，影响了最终形成的半导体器件的良率。
因此，需要一种清洗方法，能够在离子注入后对半导体衬底进行清洗，去除半导体衬底表面的缺陷，提高半导体器件的良率。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种离子注入后的清洗方法，能够在离子注入后对半导体衬底进行清洗，去除半导体衬底表面的缺陷，提高半导体器件的良率。
为解决上述问题，本发明提供一种离子注入后的清洗方法，用于对离子注入后的半导体衬底进行清洗，所述清洗包括：利用SC-1溶液对半导体衬底进行清洗的步骤，以去除所述半导体衬底上由于电荷吸附造成的表面缺陷。
可选地，所述SC-1溶液为氨水、双氧水和去离子水的混合溶液。
可选地，利用所述SC-1溶液对所述半导体衬底进行清洗的时间范围为1-10分钟。
可选地，所述清洗时间范围为3-7分钟。
可选地，在执行所述SC-1清洗步骤之前，还包括利用SPM溶液对半导体衬底进行清洗的步骤。
可选地，所述SPM溶液为硫酸、双氧水和去离子水的混合溶液。
可选地，所述离子注入的离子为锗离子。
与现有技术相比，本发明具有以下优点：
本发明在离子注入后增加SC-1溶液对半导体衬底进行清洗，SC-1溶液能够有效去除半导体衬底表面由于电荷吸附造成的表面缺陷，将半导体衬底表面缺陷去除，有利于提高最终形成的半导体器件的良率。
附图说明
图1是本发明一个实施例的离子注入后的半导体衬底的清洗方法流程示意图。
具体实施方式
现有的锗注入之后半导体衬底上会由于电荷吸附形成微粒，由于缺少一种有效的清洗工艺对半导体衬底进行清洗以去除所述微粒，因而会在半导体衬底上形成缺陷，这些缺陷不仅会直接影响最终形成的半导体器件的良率，也会造成半导体工艺步骤之间的交叉污染，对半导体设备的性能产生影响。
为了解决上述问题，本发明提出一种离子注入后的清洗方法，用于对离子注入后的半导体衬底进行清洗，所述清洗包括：利用SC-1溶液对半导体衬底进行清洗的步骤，以去除所述半导体衬底上由于电荷吸附造成的表面缺陷。
下面结合具体实施例对本发明的技术方案进行详细地说明。为了更好滴说明本发明的技术方案，请参考图1所示的现有技术的离子注入后的半导体衬底的清洗方法流程示意图。
首先，提供待清洗的半导体衬底，所述半导体衬底为经过了离子注入工 艺的半导体衬底。本实施例中，所述离子注入工艺为锗离子注入。当然，本发明的清洗方法还适用于种类离子注入工艺后的半导体衬底，适用于可能引起电荷吸附而形成微粒污染的离子注入工艺后的半导体衬底清洗。比如，所述清洗方法可以适用于硅离子的注入。
然后，参考图1，执行步骤S2，利用SPM溶液对半导体衬底进行清洗。作为一个实施例，所述SPM溶液为硫酸、双氧水和去离子水的混合溶液。利用SPM溶液能够去除半导体衬底表面的有机污染物和部分金属，但是无法有效去除由于电荷吸附引起的微粒。
接着，请参考图1，执行步骤S3，利用SC-1溶液对半导体衬底进行清洗。所述SC-1溶液为氨水、双氧水和去离子水的混合溶液。利用SC-1溶液可有效去除半导体衬底表面由于静电吸附引起的微粒缺陷。为了保证清洗的质量，所述SC-1溶液清洗的时间不应小于1分钟。但是SC-1溶液长时间浸泡衬底，也会造成半导体衬底表面粗糙、损伤半导体衬底表面。因此，利用所述SC-1溶液对所述半导体衬底进行清洗不应过长，本实施例中，利用所述SC-1溶液对半导体衬底的清洗时间不应超过10分钟。作为优选的实施例，所述利用所述SC-1溶液进行清洗的时间范围为3-7分钟，比如所述清洗时间可以为3分钟、5分钟或者7分钟，具体可以根据工艺进行调整。在上述清洗时间范围内，可以对半导体衬底进行有效清洗，去除其表面由于电荷吸附引起的缺陷。
综上，本发明在离子注入后增加SC-1溶液对半导体衬底进行清洗，SC-1溶液能够有效去除半导体衬底表面由于电荷吸附造成的表面缺陷，将半导体衬底表面缺陷去除，有利于提高最终形成的半导体器件的良率。
因此，上述较佳实施例仅为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施，并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵 盖在本发明的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种离子注入后的清洗方法，用于对离子注入后的半导体衬底进行清洗，其特征在于，所述清洗包括：利用SC-1溶液对半导体衬底进行清洗的步骤，以去除所述半导体衬底上由于电荷吸附造成的表面缺陷。
2.如权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述SC-1溶液为氨水、双氧水和去离子水的混合溶液。
3.如权利要求1或2所述的清洗方法，其特征在于，利用所述SC-1溶液对所述半导体衬底进行清洗的时间范围为1-10分钟。
4.如权利要求3所述的清洗方法，其特征在于，所述清洗时间范围为3-7分钟。
5.如权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，在执行所述SC-1清洗步骤之前，还包括利用SPM溶液对半导体衬底进行清洗的步骤。
6.如权利要求5所述的清洗方法，其特征在于，所述SPM溶液为硫酸、双氧水和去离子水的混合溶液。
7.如权利所述1所述的清洗方法，所述离子注入的离子为锗离子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410163488.XA CN104078327A (zh) | 2014-04-22 | 2014-04-22 | 离子注入后的清洗方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410163488.XA CN104078327A (zh) | 2014-04-22 | 2014-04-22 | 离子注入后的清洗方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104078327A true CN104078327A (zh) | 2014-10-01 |
Family
ID=51599518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410163488.XA Pending CN104078327A (zh) | 2014-04-22 | 2014-04-22 | 离子注入后的清洗方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104078327A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105609408A (zh) * | 2015-12-23 | 2016-05-25 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 半导体器件的形成方法 |
| CN111403268A (zh) * | 2020-04-27 | 2020-07-10 | 上海华力微电子有限公司 | 降低栅极氧化层损失的清洗方法 |
-
2014
- 2014-04-22 CN CN201410163488.XA patent/CN104078327A/zh active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105609408A (zh) * | 2015-12-23 | 2016-05-25 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 半导体器件的形成方法 |
| CN105609408B (zh) * | 2015-12-23 | 2018-11-16 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 半导体器件的形成方法 |
| CN111403268A (zh) * | 2020-04-27 | 2020-07-10 | 上海华力微电子有限公司 | 降低栅极氧化层损失的清洗方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| MX2018014328A (es) | Metodo para preparar estructura texturizada de celda solar de silicio cristalino. | |
| WO2010091025A3 (en) | Metrology and inspection suite for a solar production line | |
| CN104377119B (zh) | 一种锗单晶抛光片的清洗方法 | |
| WO2010135321A3 (en) | Method and apparatus for solar cell production line control and process analysis | |
| MY191131A (en) | Photovoltaic devices and method of manufacturing | |
| CN103013711A (zh) | 一种去除晶体硅片金属离子污染的清洗液及其清洗工艺 | |
| WO2012148827A3 (en) | Pre and post cleaning of mask, wafer, optical surfaces for prevention of contamination prior to and after inspection | |
| CN104078327A (zh) | 离子注入后的清洗方法 | |
| CN102140037B (zh) | 实现氧化锌纳米线自组装的方法 | |
| CN105280480A (zh) | 光刻返工过程中的表面处理方法 | |
| CN105655237A (zh) | 碲镉汞材料的表面清洗方法 | |
| CN102759815A (zh) | 液晶面板的制作方法及装置 | |
| CN102039288A (zh) | 晶圆的清洗方法 | |
| MY172318A (en) | Cleaning fluid for semiconductor, and cleaning method using the same | |
| CN103361734B (zh) | 一种提高多晶硅产出效率的方法 | |
| CN103242985B (zh) | 一种有机发光微型显示器抗反射层清洗工艺 | |
| CN103433233B (zh) | 晶硅腐蚀浆料的清洗方法、晶硅太阳能电池及其制作方法 | |
| CN103646871A (zh) | 一种提高非晶硅表面氧化层均匀性的方法 | |
| US20170018424A1 (en) | Method for cleaning lanthanum gallium silicate wafer | |
| CN103681241A (zh) | 可改善氧化层质量的清洗方法 | |
| CN103996617A (zh) | 离子注入工艺后的光刻胶层的去除方法 | |
| CN103035479B (zh) | 一种半导体结构形成方法 | |
| WO2016032856A3 (en) | Sequential etching treatment for solar cell fabrication | |
| KR101296797B1 (ko) | 폐태양전지로부터 고순도 폴리 실리콘을 회수하는 방법 | |
| Wang et al. | Removal of fine particle using SAPS technology and functional water |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20141001 |
|
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |