CN104052451B - MiM电容器 - Google Patents

Abstract

本发明提供了MiM电容器以及控制一个或多个电子设备的一个或多个***和技术。确定包括一个或多个电容器的一组电容器中的第一电容器具有缺陷。根据该确定，禁用第一电容器，并且启用第二电容器。

Description

MiM电容器

技术领域

本发明总的来说涉及电容器，更具体地，涉及一种MiM电容器。

背景技术

一些电路被配置为将一个或多个电气部件耦合至其它一个或多个电气部件。这种电路一般存在于诸如个人计算机和手机的各种设备的电路中。这种电路一般也存在于存储电路中。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供了一种控制一个或多个电容器的方法，包括：确定包括一个或多个电容器的一组电容器中的第一电容器具有缺陷；以及响应于确定，禁用第一电容器，并且启用第二电容器。

优选地，第一电容器和第二电容器中的至少一个包括HD MiM电容器。

优选地，第二电容器具有以下情况中的至少一种：在确定之前被禁用；和在确定之前通过电压源充电。

优选地，该方法包括：确定第二电容器具有第二缺陷；以及响应于第二电容器具有第二缺陷的确定，禁用第二电容器，并且启用第三电容器。

优选地，缺陷对应于短路。

优选地，禁用包括使晶体管截止。

优选地，该方法包括：使用温度计检测器对包括一个或多个电容器的一组电容器中的与一个或多个缺陷相关的电容器的个数进行计数。

根据本发明的另一方面，提供了一种***，包括：第一电容器，连接至与电压源连接的晶体管；第二电容器，被配置为响应于确定第一电容器具有缺陷而被启用；以及温度计检测器，被配置为对包括一个或多个电容器的一组电容器中的与一个或多个缺陷相关的电容器的个数进行计数，第 一电容器被计入其中。

优选地，第一电容器和第二电容器中的至少一个连接至温度计检测器。

优选地，温度计检测器被配置为提供第一输出或第二输出，第一输出与接通一个或多个备份电容器的请求相关，第二输出与关断一个或多个备份电容器的请求相关。

优选地，第一电容器被配置为响应于确定而被禁用。

优选地，禁用包括使晶体管截止。

优选地，截止包括使用包括门和反相器的逻辑电路。

优选地，第一电容器经由包括晶体管的开关连接至电压源。

优选地，该***包括第三电容器，第三电容器被配置为响应于确定第二电容器具有第二缺陷而被启用。

根据本发明的又一方面，提供了一种***，包括：第一电子设备；第二电子设备，被配置为响应于确定第一电子设备具有缺陷而被启用；以及温度计检测器，连接至第一电子设备，并且被配置为对具有一个或多个电子设备的一组电子设备中的与一个或多个缺陷相关的电子设备的个数进行计数，第一电子设备被计入其中。

优选地，第二电子设备连接至温度计检测器。

优选地，温度计检测器被配置为提供第一输出或第二输出，第一输出与接通一个或多个备份电容器的请求相关，第二输出与关断一个或多个备份电容器的请求相关。

优选地，第一电子设备包括连接至与第一电压源连接的第一晶体管的第一电容器。

优选地，第二电子设备包括连接至与第二电压源连接的第二晶体管的第二电容器。

附图说明

图1是示出了根据一些实施例的控制一个或多个电子设备的方法的流程图。

图2是示出了根据一些实施例的控制一个或多个电子设备的方法的流 程图。

图3是根据一些实施例的一个或多个电子设备的示图。

图4是根据一些实施例的一个或多个电子设备的示图。

图5是根据一些实施例的一个或多个电子设备的示图。

图6是根据一些实施例的一个或多个电子设备的示图。

图7是根据一些实施例的一个或多个电子设备的示图。

具体实施方式

现在参考附图描述所述主题，其中相似的参考数字通常用于指代说明书中相似的元件。在下面的描述中，为了说明，为了理解所述主题而描述许多具体细节。然而，显然，没有这些具体细节也可以实践所述主题。在其它情况下，为了便于描述所述主题而以框图的形式示出了结构和设备。

例如，本发明提供了一种或多种电路以及使用这种电路的一项或多项技术。

根据本发明的一个方面，提供了控制一个或多个电容器的方法。在一些实施例中，该方法包括确定包括一个或多个电容器的一组电容器中的第一电容器具有缺陷。根据一些实施例，缺陷与短路相关。在一些实施例中，该方法包括响应于该确定，禁用第一电容器而启用第二电容器。在一些实施例中，在确定第一电容器具有缺陷之前，禁用第二电容器。在一些实施例中，基于缺陷位置，选择待启用的第二电容器。在一些实施例中，在确定第一电容器具有缺陷之前，通过诸如VDD的电压源对第二电容器进行充电。在一些实施例中，禁用第一电容器包括隔离第一电容器。

在一些实施例中，禁用第一电容器包括使晶体管截止。在一些实施例中，晶体管包括n型金属氧化物半导体场效应晶体管（nMOSFET）。在一些实施例中，一个或多个晶体管包括p型金属氧化物半导体场效应晶体管（pMOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、双极结晶体管（BJT）或场效应晶体管（FET）中的至少一种。

在一些实施例中，第一电容器和第二电容器中的至少一个包括高密度（HD）金属-绝缘体-金属（MiM）电容器。

在一些实施例中，确定第二电容器有第二缺陷。在一些实施例中，第二缺陷是第二短路或不是短路。响应于确定第二电容器有第二缺陷，禁用第二电容器，并且启用第三电容器。在一些实施例中，第三电容器不同于第一电容器并且不同于第二电容器。

在一些实施例中，对与一个或多个缺陷相关的一个或多个电容器的个数进行计数。在一些实施例中，利用温度计检测器（thermometer detector）来执行计数。

根据本发明的一个方面，提供了一种***。该***包括第一电容器、第二电容器以及温度计检测器。第一电容器连接至晶体管，而晶体管连接至电压源。在一些实施例中，晶体管是开关的一部分，并且开关连接至电压源和第一电容器。第二电容器被配置为响应于确定第一电容器具有缺陷而被启用。温度计检测器被配置为对包括一个或多个电容器的电容器组中与一个或多个缺陷相关的数个电容器进行计数，其中第一电容器被计入其中。在一些实施例中，温度计检测器连接至第一电容器和第二电容器中的至少一个。在一些实施例中，温度计检测器被配置为提供第一输出和第二输出中的至少一个。在一些实施例中，第一输出为0，而第二输出为1。在一些实施例中，第一输出对应于打开一个或多个电容器（诸如，一个或多个冗余电容器）的请求。在一些实施例中，第二输出对应于关闭一个或多个电容器（诸如，一个或多个冗余电容器）的请求。应该理解的是，温度计检测器的输出基于一个或多个电容器是否被确定为具有缺陷和确定为有缺陷的一个或多个电容器的个数的两个条件中的至少一个。

在一些实施例中，响应于确定第一电容器具有缺陷而禁用第一电容器。在一些实施例中，禁用第一电容器包括使连接至第一电容器或电压源的至少一个晶体管截止或与这种情况相关。在一些实施例中，利用逻辑电路来使晶体管截止。在一些实施例中，逻辑电路包括门电路，诸如，与门、或门或反相器中的至少一种。在一些实施例中，响应于确定第二电容器有第二缺陷，启用至少一个第三电容器或禁用第二电容器。在一些实施例中，响应于确定第二电容器有第二缺陷，使连接至第二电容器和第二电压源或将第二电容器连接至第二电压源的第二晶体管截止。利用第二逻辑电路来 使第二晶体管截止。在一些实施例中，第二逻辑电路包括第二门电路，诸如，与门、或门或第二反相器中的至少一种。

图1中示出了根据一些实施例的控制一个或多个电子设备的方法100，并且图3A、图3B、图4、图5、图6和图7中示出了用于执行这种方法的一个或多个电路。在步骤102中，确定第一电容器有缺陷。在步骤104中，禁用第一电容器。在一些实施例中，响应于确定第一电容器具有缺陷而禁用第一电容器。在步骤106中，启用第二电容器。在一些实施例中，响应于确定第一电容器具有缺陷和禁用第一电容器中的至少一个来启用第二电容器。

图2中示出了根据一些实施例的控制一个或多个电子设备的方法200，并且图3A、图3B、图4、图5、图6和图7中示出了用于执行这种方法的一个或多个电路。在步骤202中，导通晶体管。在一些实施例中，晶体管包括pMOSFET。晶体管连接至第一电容器。在步骤204中，对一个或多个电容器进行充电。在一些实施例中，一个或多个电容器包括第一电容器、第二电容器和第三电容器。在步骤206中，确定第一电容器具有缺陷。在步骤208中，禁用第一电容器。在一些实施例中，响应于确定第一电容器具有缺陷而禁用第一电容器。在步骤210中，启用第二电容器。在一些实施例中，响应于确定第一电容器具有缺陷和禁用第一电容器中的至少一个来启用第二电容器。在步骤212中，确定第二电容器具有缺陷。在步骤214中，禁用第二电容器。在一些实施例中，响应于确定第二电容器具有缺陷而禁用第二电容器。在步骤216中，启用第三电容器。在一些实施例中，响应于确定第二电容器具有缺陷和禁用第二电容器中的至少一个来启用第三电容器。

图3A至少部分示出了根据一些实施例的包括电子设备的***300。***300包括开关304、电容器308和器件314，并且连接至电压源302。电压源302连接至开关304。在一些实施例中，开关304被配置为在运行良好时启用，而在缺陷发生时关断。开关304连接至电容器308。电容器308连接至地310。在一些实施例中，节点306位于开关304和电容器308之间。节点306连接至器件314。在一些实施例中，节点306向器件314提 供信号318。在一些实施例中，提供给器件314的信号318对应于与电容器308相关的检测。器件314连接至开关304。在一些实施例中，器件314向开关304提供信号312。在一些实施例中，提供给开关304的信号312对应于开关304是否启用或关断。在一些实施例中，器件314被配置为接收信号316。在一些实施例中，信号316对应于与启用或关断开关304相关的初始化设置。

图3B至少部分示出了根据一些实施例的包括电子设备的***350。图3B中示出的***350类似于图3A中示出的***300或与其基本相同。***350包括电容器328、晶体管332、第一逻辑门336和第二逻辑门342，并且连接至电压源322。在一些实施例中，晶体管332和第一逻辑门336中的至少一个对应于或类似于图3A中的开关304。在一些实施例中，第一逻辑门336和第二逻辑门342中的至少一个对应于或类似于图3A中的器件314。在一些实施例中，第一逻辑门336包括与逻辑门。在一些实施例中，第二逻辑门342包括非逻辑门。电压源322连接至晶体管332。在一些实施例中，晶体管332被配置为在运行良好时启动而在缺陷发生时关断。晶体管332连接至电容器328。电容器328连接至地330。在一些实施例中，节点326位于晶体管332和电容器328之间。节点326连接至第二逻辑门342。在一些实施例中，节点326向第二逻辑门342提供信号。在一些实施例中，提供给逻辑门342的信号对应于与电容器328相关的检测。第二逻辑门342经由通路340连接至第一逻辑门336。在一些实施例中，第一逻辑门336经由节点334向晶体管332提供信号。在一些实施例中，提供给晶体管332的信号对应于晶体管332是否启动或关断。在一些实施例中，第一逻辑门336被配置为经由通路338接收信号。在一些实施例中，经由通路338接收到的信号对应于与启动或关断晶体管332相关的初始化设置。

图4中至少部分示出了根据一些实施例的包括第一电子设备402和第二电子设备422的***400。

第一电子设备402包括开关406、电容器410和器件414，并且连接至电压源404。电压源404连接至开关406。在一些实施例中，开关406被配置为在运行良好时启用而在缺陷发生时关断。开关406连接至电容器410。 电容器410连接至地408。在一些实施例中，节点412位于开关406和电容器410之间。节点412连接至器件414。在一些实施例中，节点412向器件414提供信号418。在一些实施例中，提供给器件414的信号418对应于与电容器410相关的检测。器件414连接至开关406。在一些实施例中，器件414向开关406提供信号420。在一些实施例中，提供给开关406的信号420对应于开关406是否启用或关断。在一些实施例中，器件414被配置为接收信号416。在一些实施例中，信号416对应于与启用或关断开关406相关的初始化设置。

第二电子设备422包括开关426、电容器430和器件434，并且连接至电压源424。电压源424连接至开关426。在一些实施例中，开关426被配置为在运行良好时启用而在缺陷发生时关断。开关426连接至电容器430。电容器430连接至地428。在一些实施例中，节点432位于开关426和电容器430之间。节点432连接至器件434。在一些实施例中，节点432向器件434提供信号438。在一些实施例中，提供给器件434的信号438对应于与电容器430相关的检测。器件434连接至开关426。在一些实施例中，器件434向开关426提供信号440。在一些实施例中，提供给开关426的信号440对应于开关426是否启用或关断。在一些实施例中，器件434被配置为接收信号436。在一些实施例中，信号436对应于与启用或关断开关426相关的初始化设置。在一些实施例中，信号436被器件434从第一电子器件422的节点412处接收。在一些实施例中，基于确定第一电子设备402中的电容器410或其它的一个或多个部分有缺陷而从第一电子设备402的节点412处提供信号436。

图5中至少部分示出了根据一些实施例的包括第一电子设备524和温度计检测器526的***500。图5中示出的第一电子设备524类似于图3B中示出的***350或与其基本相同。

第一电子设备524包括电容器508、晶体管512、第一逻辑门516和第二逻辑门522，并且连接至电压源502。在一些实施例中，第一逻辑门516包括与逻辑门。在一些实施例中，第二逻辑门522包括非逻辑门。电压源502连接至晶体管512。在一些实施例中，晶体管512被配置为在运行良好 时启动而在缺陷发生时关断。晶体管512连接至电容器508。电容器508连接至地510。在一些实施例中，节点506位于晶体管512和电容器508之间。节点506连接至第二逻辑门522。在一些实施例中，节点506向第二逻辑门522提供信号。在一些实施例中，提供给逻辑门522的信号对应于与电容器508相关的检测。第二逻辑门522连接至第一逻辑门516。在一些实施例中，第一逻辑门516经由节点514向晶体管512提供信号。在一些实施例中，提供给晶体管512的信号对应于晶体管512是否启动或关断。在一些实施例中，第一逻辑门516被配置为经由通路518接收信号。在一些实施例中，经由通路518接收到的信号对应于与启动或关断晶体管512相关的初始化设置。

温度计检测器526连接至第一电子设备524，并且发送信号至第一电子设备524或从其接收信号520。在一些实施例中，温度计检测器526对具有缺陷和/或故障（即，具有缺陷和故障中的至少一种）的电容器的第一个数进行计数。在一些实施例中，温度计检测器526通过一个或多个或门打开一个或多个电容器。在一些实施例中，通过温度计检测器526打开的一个或多个电容器对应于被确定为具有缺陷和/或故障的电容器的第一个数。

图6至少部分示出了根据一些实施例的包括图5中示出的第一电子设备524、图5中示出的温度计检测器526以及第二电子设备624。

第二电子设备624包括电容器608、晶体管612、第一逻辑门616和第二逻辑门622，并且连接至电压源602。在一些实施例中，第一逻辑门616包括与逻辑门。在一些实施例中，第二逻辑门622包括非逻辑门。电压源602连接至晶体管612。在一些实施例中，晶体管612被配置为在运行良好时启动而在缺陷发生时关断。晶体管612连接至电容器608。电容器608连接至地610。在一些实施例中，节点606位于晶体管612和电容器608之间。节点606连接至第二逻辑门622。在一些实施例中，节点606向第二逻辑门622提供信号。在一些实施例中，提供给第二逻辑门622的信号对应于与电容器608相关的检测。第二逻辑门622连接至第一逻辑门616。在一些实施例中，第一逻辑门616经由节点614向晶体管612提供信号。 在一些实施例中，提供给晶体管612的信号对应于晶体管612是否启动或关断。在一些实施例中，第一逻辑门616被配置为经由通路618接收信号。在一些实施例中，经由通路618接收到的信号对应于与启动或关断晶体管612相关的初始化设置。

温度计检测器526连接至第二电子设备624，也连接至第一电子设备524。温度计检测器526至少发送信号至第一电子设备524或从其接收信号520，并且至少发送信号至第二电子设备624或从其接收信号620。在一些实施例中，温度计检测器526对确定具有缺陷的电容器的第一个数进行计数。温度计检测器526根据温度计检测器526从电容器接收到的输入来确定电容器具有缺陷。在一些实施例中，输入0表示电容器没有缺陷，而输入1表示电容器确实有缺陷。应该理解的是，在一些实施例中，如果作为电子设备一部分的电容器没有缺陷，那么确定该电子设备没有缺陷，而如果作为电子设备一部分的电容器确实有缺陷，那么确定该电子设备有缺陷。在一些实施例中，温度计检测器526从第一电子设备524接收第一输入，其中第一输入是0。根据第一输入，温度计检测器确定第一电子设备524和作为第一电子设备524一部分的电容器508没有缺陷。在一些实施例中，温度计检测器526从第二电子设备624接收第二输入，其中第二输入是1。根据第二输入，温度计检测器确定第二电子设备624和作为第二电子设备624一部分的电容器608确实有缺陷。

图7至少部分示出了根据一些实施例的包括图5和图6中示出的第一电子设备524、图5和图6中示出的温度计检测器526、图6中示出的第二电子设备624以及第三电子设备724的***700。

第三电子设备724包括电容器708、晶体管712、第一逻辑门716和第二逻辑门722，并且连接至电压源702。在一些实施例中，第一逻辑门716包括或逻辑门。在一些实施例中，第二逻辑门722包括非逻辑门。电压源702连接至晶体管712。在一些实施例中，晶体管712被配置为在运行良好时启动而在缺陷发生时关断。晶体管712连接至电容器708。电容器708连接至地710。在一些实施例中，节点706位于晶体管712和电容器708之间。节点706连接至第二逻辑门722。在一些实施例中，节点706向第 二逻辑门722提供信号。在一些实施例中，提供给逻辑门722的信号对应于与电容器708相关的检测。第二逻辑门722连接至第一逻辑门716。在一些实施例中，第一逻辑门716经由节点714向晶体管712提供信号。在一些实施例中，提供给晶体管712的信号对应于晶体管712是否启动或关断。在一些实施例中，第一逻辑门716被配置为经由通路718接收信号。在一些实施例中，经由通路718接收的信号对应于与启动或关断晶体管712相关的初始化设置。节点714连接至第二晶体管726。第二晶体管726连接至地730。在一些实施例中，第二晶体管726还连接至第三逻辑门728。在一些实施例中，第三逻辑门728包括非逻辑门。在一些实施例中，第三逻辑门728被配置为经由通路732接收信号。在一些实施例中，经由通路732接收的信号对应于与启动或关断晶体管726相关的设置。

温度计检测器526连接至第三电子设备724，也连接至第二电子设备624和第一电子设备524。温度计检测器526至少发送信号至第一电子设备524或从其接收信号520，并且至少发送信号至第二电子设备624或从其接收信号620。在一些实施例中，温度计检测器526对确定具有缺陷的电容器的第一个数进行计数。温度计检测器526根据温度计检测器526从电容器接收的输入来确定电容器具有缺陷。在一些实施例中，输入0表示电容器没有缺陷，而输入1表示电容器确实有缺陷。应该理解的是，在一些实施例中，如果作为电子设备一部分的电容器没有缺陷，那么确定该电子设备没有缺陷，而如果作为电子设备一部分的电容器确实有缺陷，那么确定该电子设备有缺陷。在一些实施例中，温度计检测器526从第一电子设备524接收第一输入，其中第一输入是0。根据第一输入，温度计检测器确定第一电子设备524和作为第一电子设备524一部分的电容器508没有缺陷。在一些实施例中，温度计检测器526从第二电子设备624接收第二输入，其中第二输入是1。根据第二输入，温度计检测器确定第二电子设备624和作为第二电子设备624一部分的电容器608确实有缺陷。

在一些实施例中，温度计检测器526根据确定具有缺陷的电容器的第一个数提供第一输出或第二输出。在一些实施例中，第一输出是0而第二输出是1。在一些实施例中，根据确定第二电子设备624和作为第二电子 设备624一部分的电容器608确实有缺陷，温度计检测器526经由通路718向第一逻辑门716提供第一输出。根据第一输出，启动晶体管712，并且接通电容器708。如果确定第二电子设备624和作为第二电子设备624一部分的电容器608没有缺陷，那么应该理解的是，温度计检测器526经由通路718向第一逻辑门716提供第二输出。根据第二输出，关断晶体管712，并且关闭电容器708。应该理解的是，在一些实施例中，在电容器708已经接通之后，响应于确定第三电子设备724或电容器708具有缺陷，温度计检测器526被配置为经由通路718向第一逻辑门716提供第二输出以关断晶体管712以及关闭电容器708。

应该理解的是，在一些实施例中，温度计检测器526对包含确定具有缺陷的两个或多个电容器的电容器的第二个数进行计数。温度计检测器526接通其它数个电容器，其中通过温度计检测器526接通的其它电容器的个数对应于确定具有缺陷的电容器的第二个数。在一些实施例中，如果温度计检测器526将第一电容器和第二电容器计为有缺陷的电容器，那么温度计检测器526接通第三电容器和第四电容器。温度计检测器通过向作为包括第三电容器的电子设备一部分的第一逻辑门提供第一输出而接通第三电容器，并且通过向作为包括第四电容器的第二电子设备一部分的第二逻辑门提供第一输出而接通第四电容器。在一些实施例中，第一输出是0，第一逻辑门是或门，以及第二逻辑门是或门。

根据本发明的一方面，提供了一种控制一个或多个电容器的方法。该方法包括确定包括一个或多个电容器的一组电容器中的第一电容器有缺陷。该方法还包括根据该确定，禁用第一电容器，并且启用第二电容器。

根据本发明的一方面，提供了一种***。该***包括第一电容器、第二电容器以及温度计检测器。第一电容器连接至晶体管，而晶体管连接至电压源。第二电容器被配置为响应于确定第一电容器具有缺陷而被启用。温度计检测器被配置为对具有一个或多个电容器的一组电容器中的与一个或多个缺陷相关的数个电容器进行计数，其中第一电容器被计入其中。

根据本发明的一方面，提供了一种***。该***包括第一电子设备、第二电子设备以及温度计检测器。第二电子设备被配置为响应于确定第一 电子设备有缺陷而被启用。温度计检测器被配置为连接至第一电子设备，并且被配置为对具有一个或多个电子设备的一组电子设备中与一个或多个缺陷相关的数个电子设备进行计数，其中第一电容器被计入其中。

尽管已经以专属于结构特征或方法步骤的语言描述了本主题，但是应该理解的是，所附权利要求的主题不必受限于上述特定的特征或步骤。相反地，以执行一些权利要求中的至少一些权利要求的实例形式来公开上述特定的特征和步骤。

本发明提供了实施例的各种操作。描述一些或全部操作的顺序不应被理解为这些操作必须是顺序关联的。本领域的技术人员可以想到具有本描述有益效果的可选的次序。此外，应该理解的是不是所有的操作都必须存在于本发明提供的每个实施例中。同样，应该理解的是在一些实施例中，不是所有的操作都是必须的。

应该理解的是，在一些实施例中，出于简化和易于理解的目的，本发明中描述的层、部件、元件等以相对于彼此的特定尺寸（诸如，结构尺寸或方位）示出，并且同一层、部件、元件等的实际尺寸基本不同于本发明所示出的尺寸。此外，本发明中存在形成层部件、元件等的多种技术，诸如，蚀刻工艺、注入工艺、掺杂工艺、旋涂工艺、诸如磁控管或离子束溅射的溅射工艺、诸如热生长的生长工艺、诸如化学汽相沉积（CVD）、物理汽相沉积（PVD）、等离子体增强化学汽相沉积（PECVD）或原子层沉积（ALD）的沉积工艺。

此外，除非另有说明，“第一”、“第二”等不是旨在暗示时间关系、空间关系和顺序等。相反地，这种术语仅用作部件、元件、物件等的标识符和名称等。例如，第一通道和第二通道通常对应于通道A和通道B、两个不同的或两个等同的通道或同一通道。

此外，本发明中的“示例性的”用于意指用作实例、例子、示图等，并且不必是有有益效果的。如在本申请中所使用的，“或”旨在意味着包含性的“或”而非排他性的“或”。此外，除非另有说明或从上下文明显看出指向单一形式，否则本申请中使用的“一”和“一个”通常解释为意指“一个或多个”。同样，A和B中的至少一个等通常意指A或B或A和B。此外，在一定程度上使用“包含”、“具有的”、“具有”、“带有”或其变体，这种术语都与“包括”的含义类似。

同样，尽管已经根据一个或多个实施例示出和描述了本发明，但是本领域的技术人员基于对本说明书和附图的阅读和理解将会想出等效的变型和修改。本发明包括所有这种修改和变型，并且仅受下列权利要求范围的限制。特别是关于上述部件（例如，元素、资源等）执行的各种功能，除非另有说明，用于描述这种部件的术语旨在对应于执行所述部件的具体功能的任何部件（例如，功能等效），尽管其在结构上没有等同于所公开的结构。此外，虽然仅根据几个实施例中的一个公开了本发明的具体特征，但是这种特征可与其它实施例的一个或多个其它特征结合，这对于任何指定或特定的应用可能是期望的并且是有益的。

Claims (20)

1.一种控制一个或多个电容器的方法，包括：

当连接至第一电容器的节点处的第一信号具有第一逻辑状态时，确定包括一个或多个电容器的一组电容器中的所述第一电容器具有第一缺陷；以及

响应于所述确定：

禁用所述第一电容器；并且

将具有第一逻辑状态的所述第一信号提供给第一逻辑门，以使通过所述第一逻辑门输出的第一门信号从第一非使能逻辑状态转换为第一使能逻辑状态，其中，所述第一使能逻辑状态使第一晶体管导通以启用第二电容器。

2.根据权利要求1所述的控制一个或多个电容器的方法，所述第一电容器和所述第二电容器中的至少一个包括高密度金属-绝缘体-金属电容器。

3.根据权利要求1所述的控制一个或多个电容器的方法，所述第二电容器具有以下情况中的至少一种：

在所述确定之前被禁用；和

在所述确定之前通过电压源充电。

4.根据权利要求1所述的控制一个或多个电容器的方法，包括：

确定所述第二电容器具有第二缺陷；以及

响应于所述第二电容器具有所述第二缺陷的确定：

禁用所述第二电容器；并且

启用第三电容器。

5.根据权利要求1所述的控制一个或多个电容器的方法，所述第一缺陷对应于短路。

6.根据权利要求1所述的控制一个或多个电容器的方法，所述禁用包括使具有连接至所述节点的源极/漏极区域的第二晶体管截止。

7.根据权利要求1所述的控制一个或多个电容器的方法，包括：

将具有所述第一逻辑状态的所述第一信号提供给反相器，

通过所述反相器将具有第二逻辑状态的第二信号施加给第二逻辑门，以使通过所述第二逻辑门输出的第二门信号从第二使能逻辑状态转换为第二非使能逻辑状态，其中，所述第二非使能逻辑状态使第二晶体管截止以禁用所述第一电容器，所述第二逻辑状态为反相的所述第一逻辑状态。

8.一种控制一个或多个电容器的***，包括：

第一电容器，连接至第一节点；

第一晶体管，具有连接至所述第一节点的第一源极/漏极区域和与电压源连接的第二源极/漏极区域；

第一逻辑门，具有连接至所述第一节点的第一输入；

第二晶体管，具有连接至所述第一逻辑门的输出的栅极和连接至第二节点的第三源极/漏极区；

第二电容器，连接至所述第二节点并且被配置为响应于确定所述第一电容器具有缺陷的所述第一逻辑门而被启用。

9.根据权利要求8所述的控制一个或多个电容器的***，包括：

反相器，连接至所述第一节点；以及

第二逻辑门，具有连接至所述反相器的第一输入。

10.根据权利要求9所述的控制一个或多个电容器的***，所述第二逻辑门的输出连接至所述第一晶体管的栅极。

11.根据权利要求10所述的控制一个或多个电容器的***，所述第二逻辑门被配置为响应于所述确定而输出具有非使能逻辑状态的门信号，以使所述第一晶体管截止。

12.根据权利要求8所述的控制一个或多个电容器的***，包括：反相器，连接至第二节点并且连接至所述第一逻辑门的第二输入。

13.根据权利要求12所述的控制一个或多个电容器的***，所述第一逻辑门为与门。

14.根据权利要求8所述的控制一个或多个电容器的***，所述第二晶体管具有连接至所述电压源的第四源极/漏极区域。

15.根据权利要求8所述的控制一个或多个电容器的***，包括第三电容器，所述第三电容器被配置为响应于确定所述第二电容器具有第二缺陷而被启用。

16.一种控制一个或多个电容器的***，包括：

第一电子设备，包括具有连接至第一电容器的第一输入的第一逻辑门；

第二电子设备，包括第二逻辑门并且被配置为响应于确定所述第一电子设备具有缺陷而被启用；以及

温度计检测器，连接至所述第一电子设备，并且被配置为对具有一个或多个电子设备的一组电子设备中的与一个或多个缺陷相关的电子设备的个数进行计数，所述第一电子设备被计入其中，

其中，所述第一逻辑门的第一输入连接至所述温度计检测器的输入；

所述第二逻辑门的第一输入连接至所述温度器检测器的输出。

17.根据权利要求16所述的控制一个或多个电容器的***，所述第一电子设备包括连接在所述第一电容器和所述第一逻辑门的第一输入之间的反相器。

18.根据权利要求16所述的控制一个或多个电容器的***，所述第一电子设备包括晶体管，所述晶体管具有连接至所述第一逻辑门的输出的栅极和具有与连接至所述第一电容器的节点连接的第一源极/漏极区域。

19.根据权利要求18所述的控制一个或多个电容器的***，所述第一电容器连接在所述节点和第一电压源之间。

20.根据权利要求19所述的控制一个或多个电容器的***，所述晶体管的第二源极/漏极区域连接至不同于所述第一电压源的第二电压源。