CN104040691A - 基板热处理装置 - Google Patents

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Abstract

一种基板热处理装置，其在真空处理室内加热处理基板，具有：C字形的基座，设置有能够载置基板的第一基板载置部和开口部；基板平台，设置有载置基板的第二基板载置部和支承基座的基座支承部；加热构件，在基板平台的上方且在与第二基板载置部相向的位置具有散热面，利用来自散热面的热量加热被载置在第二基板载置部上的基板；移动构件，以使第二基板载置部相对于散热面成为规定的分离位置的方式使基板平台移动；提升部，在基板接受位置与基座的下表面抵接并在从基座支承部分离的状态下支承该基座；补足部，与基座支承部分体地形成，并且被卡合于该基座支承部，在基座被所述基座支承部支承的状态下，以基座成为环状的方式补足基座的开口部。基板被载置在第二基板载置部，当第二基板载置部相对于散热面位于规定的分离位置时，基座与补足部一起形成环状，并包围基板。

Description

基板热处理装置
技术领域
本发明涉及基板热处理装置。尤其是关于例如能够在真空中均匀且急速地加热碳化硅(SiC)基板的基板热处理装置。
背景技术
作为基板热处理装置公知有将基板载置在马蹄形基座上加热的基板热处理装置。专利文献1记载了在基板载置用的第一基座(基座主体)上载置有载置基板的一部分的马蹄形的第二基座。另外，专利文献1记载了在第二基座的下方设置能够支承第二基座的支承销，通过使支承销升降而使第二基座升降。在专利文献1的结构中，第一基座和第二马蹄形基座是在组合两者时成为圆盘状，第一基座在其外周部上具有刚好能够嵌合马蹄形基座的切口部。
另一方面，作为急速地加热基板的装置，公知有如专利文献2那样地，利用来自加热单元的散热面的辐射热将基板急速加热到1500度以上的高温的基板热处理装置。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2001-210597号公报(图6)
专利文献2:日本专利第4288309号公报
发明内容
发明要解决的课题
但是，在将专利文献1这样的基座用于如专利文献2那样地利用来自加热单元的散热面的辐射热急速地将基板加热到高温的装置的情况下，被加热的基板的面内温度分布有时变得不均匀。
本发明是鉴于上述现有技术的课题而做出的，其目的是提供在高速加热基板的情况下也能够提高基板的面内温度分布的均匀性的基板热处理技术。
解决课题的技术方案
实现上述目的的本发明的一个方面的基板热处理装置是在真空处理室内对基板进行加热处理的基板热处理装置，具有：
C字形的基座，其设置有能够载置基板的第一基板载置部和开口部；
基板平台，其设置有载置基板的第二基板载置部和支承所述基座的基座支承部；
加热构件，其在所述基板平台的上方且在与所述第二基板载置部相向的位置具有散热面，利用来自所述散热面的热量加热被载置在所述第二基板载置部上的基板；
移动构件，以使所述第二基板载置部相对于所述散热面成为规定的分离位置的方式使所述基板平台移动；
提升部，其在基板接受位置与所述基座的下表面抵接并在从所述基座支承部分离的状态下支承该基座；
补足部，其与所述基座支承部分体地形成，并且被卡合于该基座支承部，在所述基座被所述基座支承部支承的状态下，以所述基座成为环状的方式补足所述基座的开口部，
当基板被载置在所述第二基板载置部，所述第二基板载置部相对于所述散热面位于规定的分离位置时，所述基座与所述补足部一起形成环状，并包围所述基板。
发明的效果
根据本发明，即使在高速加热的情况下，也能够实现基板的面内温度分布的均匀性的提高。
本发明的其他特征及优点通过参照附图的以下说明明确。此外，在附图中，对相同或相似的结构标注相同的附图标记。
附图说明
附图包含于说明书并构成了其一部分，示出了本发明的实施方式，与其描述一起用于说明本发明的原理。
图1是本发明的实施方式的基板热处理装置，是表示基板的送入或送出时的状态的截面示意图。
图2是表示基板的加热时的状态的截面示意图。
图3是表示基板的冷却时的状态的截面示意图。
图4是图1中的基板支架单元周围的放大剖视图。
图5是图2中的基板支架单元周围的放大剖视图。
图6是表示在图4中基板被基座支承的状态的立体图。
图7是表示在图5中基板被移载在基板平台上的状态的立体图。
图8是用于说明基板保持部的示意图。
图9是用于说明基板保持部底座的示意图。
图10是用于说明基座的立体图。
图11A是用于说明补足块的示意图。
图11B是补足块的剖视图。
图12是表示补足块、基板基座的其他例的示意图。
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的实施方式。但是，实施方式记载的构成要素只不过是例示性的，本发明的范围不仅限于这些构成要素。
图1、图2、图3是本发明的实施方式的基板热处理装置的整体简图，所述基板热处理装置在真空处理室内对基板进行加热处理。图1是表示基板的送入或送出时的状态的截面示意图，图2是表示基板的加热时的状态的截面示意图，图3是表示基板的冷却时的状态的截面示意图。图4是图1中的基板支架单元周围的放大剖视图，图5是图2中的基板支架单元周围的放大剖视图。
图6是表示在图4中基板3被载置在基座32的载置部上的状态的立体图。图10是用于说明基座32的立体图。如图10所示，基座32具有在环状的圆周方向上设有开口部的C字形的形状。在其内侧设置有多个能够载置基板3的爪部101(第一基板载置部)。
图7是表示在图5中基板3被移载到基板保持部31的载置部的状态的立体图。图8是用于说明基板保持部31的示意图。在基板保持部31上设置有能够载置基板的载置部62(第二基板载置部)和支承基座的基座支承部(凹部63)。
如图1～图3分别所示，本实施方式的基板热处理装置是将基板支架单元A、加热单元B和挡板装置C设置在真空腔D内。
在基板支架单元A的最上段具有基板平台1。加热单元B被配置在基板平台1的上方，在与能够载置基板的载置部62(第二基板载置部)相向的位置具有散热面2。加热单元B利用来自散热面2的热量加热载置在载置部62(第二基板载置部)上的基板3。
基板支架单元A能够通过升降装置E升降，基板平台1和加热单元B的散热面2之间的接近和分离能够通过升降装置E的动作进行控制。升降装置E(移动部)为使载置部62(第二基板载置部)相对于散热面2成为规定的分离位置，而使基板平台1移动。在基板3被载置在载置部62上的情况下，考虑基板3的厚度，基板3的表面和散热面2之间的分离位置通过升降装置E的动作被控制。加热单元B是在基板支架单元A如图2所示地上升、且基板平台1上的基板3和散热面2接近时，在与基板3非接触的状态下，利用来自散热面2的辐射热加热基板3。
在基板平台1上设置有保持基板3的基板保持部31。在基板保持部31的上表面中央部设置有能够载置基板3的载置部62。如图4所示，后述的基座32是在载置了基板3的状态下，成为被提升销8(提升部)抬起的状态。在该状态下，在与外部的转移室(未图示)之间，进行基板3的交接。与外部的转移室(未图示)之间的基板3的交接使用未图示的基板输送用的机器人。在机械臂的前端，作为末端执行器设置有叉部。装载基板3时，基板输送用的机器人使叉部从基座32的开口部的上方向下方下降，将载置在叉部上的基板3载置在基座32的爪部101(第一基板载置部)。卸载时，基板输送用的机器人使叉部从基座32的开口部的下方向上方上升，将载置在基座32的爪部101上的基板3向叉部上移载。像这样，基板输送用的机器人将实施了加热处理的基板3从基座32的爪部101(第一基板载置部)重装到叉部，并在外部的转移室中回收基板3。
如图2、图5所示，通过基板支架单元A的上升，基板平台1由提升销8向上方移动时，基座32与基板3一起被移载到设置在基板平台1上的基板保持部31(图5)。
图8是基板保持部31的立体图。基板保持部31是补足块33卡合于基板保持部底座61的基座支承部(凹部63)而构成的。补足块33与基座支承部分体地形成，并且被卡合于基座支承部，在基座32被基座支承部支承的状态下，以基座32成为环状的方式补足基座32的开口部。开口部被补足块33补足而成的C字形形状的基座32通过与补足块33的组合而成为环状形状。补足块33通过具有相对于基座支承部(凹部63)的间隙的嵌合(卡合)被配置在基座支承部(凹部63)，能够在基座支承部(凹部63)上移动。例如，即使在因在基座32发生的热膨胀或由冷却引起的收缩、或者由提升销8进行的升降动作，基座32的支承位置发生偏移的情况下，也能够通过补足块33的移动，吸收基座32的支承位置的偏移。补足块33能够移动，由此能够通过基座32的支承位置的偏移，避免基座32跨过补足块33这样的部件干涉。
当在基板保持部31的载置部62(第二基板载置部)上载置基板3，第二基板载置部相对于散热面位于规定的分离位置时，基座32与补足块33(补足部)一起形成环状，包围基板3。基座32的内周及补足块33(补足部)的内周包围基板3的外周。在这样的状态下，通过将基板3载置在载置部62上，能够防止热量从被加热的基板3的外周放出。
图9是拆下补足块33的状态下的基板保持部底座61的立体图。图11A是用于说明补足块33的立体图，图11B是从长边横向(侧面)的方向观察补足块33的剖视图。如图9所示，在基板保持部底座61的中央部，设置有能够载置基板3的载置部62(第二基板载置部)。另外，在基板保持部底座61上，设置有保持基座32及补足块33的环状的凹部63。凹部63作为基座支承部发挥功能。在凹部63的底部，设置有用于供提升销8贯穿的多个提升销用通孔64及多个补足块用通孔65。此外，补足块用通孔65不限于通孔，也可以是槽。在补足块33的下表面(背面)形成有突起部165，该突起部165通过相对于补足块用通孔65具有间隙的嵌合(卡合)被嵌入。
补足块用通孔65的内径被设计成比突起部165的直径大。由此，通过补足块用通孔65的内径和突起部165的直径之间的尺寸的差量(间隙)，补足块33能够沿凹部63的周向或凹部63的宽度方向(半径方向)移动。例如，补足块用通孔65的内径被设定得比突起部165的直径大0.5mm～1.0mm。
在基板3的加热时，由于热量从基座32和补足块33的间隙逃出，所以在基座32被配置在环状的凹部63时，补足块33和基座32优选沿凹部63的周向尽可能地无间隙地配置。载置部62的上表面比基板保持部底座61的外周部上表面低地构成。为使热量不从基板3的周边逃出，提高加热效率，外周部上表面及基座32的上表面优选在基板3被载置在载置部62上时，基板3被设定成比外周部上表面及基座32的上表面低的高度。
补足块33及基座32优选都由辐射率高、能够高效地辐射所吸收的热量的同一材料形成。例如能够使用热解碳(PG)、高纯度碳等。此外，基座32和补足块33还能够如图12所示地做成啮合构造。通过做成啮合构造，由于能够防止热量从基座32和补足块的间隙逃出，所以是优选的。
如图5所示，若基板3被加热单元B加热，则通过来自加热单元B的辐射热，基座32和补足块33也被加热。在本实施方式中，补足块33相对于基板保持部底座61分体地构成。另外，基座32也相对于基板保持部底座61分体地构成。从基座32和补足块33向基板保持部底座61传递的热量在补足块33和基板保持部底座61之间的边界减少。另外，同样地，在基座32和基板保持部底座61之间的边界也减少。补足块33和基座32分别由同一材料形成的情况下，从补足块33向基板保持部底座61的热传导率与从基座32向基板保持部底座61的热传导率相同。
根据该结构，能够消除包围基板3的外周的基座32及补足块33中的局部温度变低的部分。另外，能够防止被载置在载置部62上并被加热的基板3被局部冷却，即使在高速加热的情况下，也能够实现基板的面内温度分布的均匀性的提高。
另一方面，如引用文献1那样，在外周部上使马蹄形基座嵌合的切口部采用基座主体所具有的形状，在此情况下，补足马蹄形基座的部分(立起缘、切口部等)与基座主体一体地形成。在补足的部分中，热量不会减少地被传递到基座主体。另一方面，从马蹄形基座向基座主体传递的热量与一体形成的补足的部分相比减少。马蹄形基座的温度与补足的部分的温度相比变高，在马蹄形基座和补足的部分之间产生温度差。由此，载置在基座主体上的基板的部分和载置在马蹄形基座上的基板的部分产生温度差，基板不能被均匀地加热。
基板3被移载到基板保持部31的载置部62(第二基板载置部)时，基板3的上表面被载置在比基座32的上表面更低的位置。另外，在基板3的加热时，如图7所示，成为基板3的外周(端部)被基座32及补足块33的内周部包围的状态。在这样的状态下，通过将基板3保持在基板保持部31，能够防止热量从被加热的基板3的外周(端部)放出。
如图7所示，由于基座32及补足块33的外周部被基板保持部31的外周部包围，所以能够进一步防止热量从基板3的外周(端部)放出。此外，即使基板没有被完全地移载到载置部62，也可以通过爪部101(第一基板载置部)，在基板3被保持在爪部101(第一基板载置部)上的状态下进行加热。
基板平台1由辐射率高的、能够高效地吸收辐射热的、能够高效地辐射所吸收的热量的、耐高热的材料构成。具体来说，呈由碳或碳涂覆材料构成的板状。作为构成基板平台1的碳，可以列举出玻璃状碳、石墨、热解碳(PG)。另外，作为碳涂覆材料，可以列举在陶瓷上实施了这些碳的1种或2种以上的涂覆的材料。
基板支架单元A在最上部具有基板平台1，在基板平台1的下方具有辐射板4，在辐射板4的下方具有反射板5，而且在最下部具有冷却面板6。
辐射板4与基板平台1同样地呈由碳或碳涂覆材料构成的板状，并隔开间隔地被配置在基板平台1的下侧。该辐射板4与基板平台1的下表面相向地设置，在基板3的加热时，捕获从基板平台1的下表面辐射的热量，将被捕获的热量向基板平台1辐射。由此，能够抑制由基板平台1的热辐射导致的温度降低，从而能够容易地进行急速加热。
在辐射板4的下侧(辐射板4为1张的情况下的该辐射板4或辐射板4为多张的情况下的最下部的辐射板4的下侧)，分别隔开间隔地设置有2张反射板5。反射板5由钼、钨等的高熔点金属，镍合金、镍基超合金等的合金，或者金属碳化物，金属氮化物构成，至少在辐射板4侧(上表面)实施镜面精加工。反射板5反射从基板平台1、辐射板4辐射的热量。
冷却面板6是例如被水冷机构等冷却的面板体，通过与基板平台1、辐射板4及反射板5的下表面相向地设置，在基板3的冷却时，能够均匀且迅速地冷却位于上方的这些部件。
基板平台1、辐射板4、反射板5分别将氧化铝陶瓷、氧化锆陶瓷等的耐热、隔热性材料夹设在中间，并且通过连结螺钉11被支承在冷却面板6上。另外，冷却面板6被连接在升降装置E(参照图1)的升降轴12的前端部。如下所述，升降装置E使冷却面板6沿升降轴12的轴向上下升降，伴随冷却面板6的上下移动，在冷却面板6的上方构成的基板支架单元A进行升降。
在基板支架单元A中，在多个位置形成有贯穿构成基板支架单元A的基板平台1、辐射板4、反射板5及冷却面板6的提升销用通孔。与提升销用通孔的位置对应地，在真空腔D的底部直立设置多根提升销8。提升销8优选由多个不同的部件(构成部件)构成。例如，在提升销8由3个部件构成的情况下，具有相对于基座32的下表面在一个端部抵接的第一部件、与第一部件的另一端部连接的第二部件、和与第二部件的另一端部连接的第三部件。该情况下，各个构成部件的辐射率的关系是第一部件的辐射率＞第二部件的辐射率＞第三部件的辐射率。像这样，通过使基板平台1侧的提升销8的辐射率更高，能够减少从与提升销8的前端接触的基座32的散热。此外，提升销8的结构只不过是例示性的，本发明的主旨不限于提升销8由3个部件构成的情况。
作为最接近基座32的提升销8的部件(第一部件)，优选使用辐射率高的、与基板平台1同样地能够通过辐射加热到高温的热解碳(PG)。另外，第一部件的下端侧的第二部件优选采用辐射率、热传导率比第一部件低的碳化钽(TaC)、碳化钛(TiC)、碳化钨(WC)等的碳化物。被配置在第二部件的下端侧并与水冷面板连接的第三部件优选采用钼(Mo)、钽(Ta)、钨(W)等的高熔点金属或者碳化钽(TaC)等的碳化物。这里，优选为第三部件比第二部件辐射率、热传导率更低。
提升销8如上所述地由不同的多个部件构成，由此，在基座32如图4、6所示地被提升销8支承的情况下，也能够抑制热量通过提升销8从基座32向冷却面板6流出。由此，能够抑制基板送出时的基板的局部急冷导致的基板的结晶变形。
在图4中，立设在真空腔D的底部上的多根提升销8通过提升销用通孔13向基板平台1上突出。提升销8被配置在能够利用前端抬起并支承基座32的位置，设置了为支承基座32所需的根数。基板支架单元A从图4的状态开始上升，基板平台1从提升销8向上方移动时，基座32被基板保持部31的基座支承部支承，基板3被载置在基板保持部31的载置部62(第二基板载置部)。
另外，在基座32被基座支承部支承并且基板3被载置在载置部62上的状态下，基板支架单元A下降时，提升销8通过提升销用通孔13向基板平台1上突出。然后，基座32被提升销8的前端抬起并支承，成为图4的状态。
在基板平台1的基板保持部31的中央部正下方，贯穿辐射板4、反射板5及冷却面板6地形成有测定孔14。该测定孔14与形成在升降轴12的中心的测定孔15呈一串地连续。该测定孔14、15通过图1所示的温度测定器16经由石英制的热红外线透射窗测定来自基板平台1的辐射热。作为温度测定器可以使用辐射温度计。
加热单元B具有散热面2和用于加热该散热面2的加热器28，因此作为加热器能够使用电子冲击加热方式的加热器、高频感应加热方式的加热器、电阻加热方式的加热器等。散热面2是耐热性黑色表面，能够通过例如玻璃状碳、热解碳、无定形碳等的碳涂层得到。散热面2采用这样的碳涂层面时，还能够抑制真空中的脱气和颗粒的产生。
如图1～图3所示，挡板装置C是在基板支架单元A下降、基板平台1和加热单元B的散热面2分离时，能够使遮板17在基板平台1和散热面2之间进退的装置。挡板装置C具有用于使遮板17进退的遮板驱动装置18。
遮板17作为热隔壁发挥功能。如图1及图3所示，遮板17在基板支架单元A下降、基板平台1和散热面2分离时，进入基板平台1和散热面2之间，遮挡热量从散热面2向基板平台1这一侧照射。另外，在基板支架单元A的上升时，遮板17通过遮板驱动装置18被旋转移动，从基板平台1和散热面2之间向图2所示的位置(如图1的虚线所示)后退。遮板17在基板支架单元A上升之后，再下降到遮板17不成为阻碍的位置期间，被维持在后退位置。
挡板装置C为能够在遮板17的前进时，促进基板平台1及基板平台1上的基板3的冷却，优选具有例如水冷机构等的遮板17的冷却部。在被冷却部冷却的情况下，遮板17能够由不锈钢或铝合金构成。另外，在前进时，加热单元B的与散热面2相向这一侧的面(上表面)采用实施了镜面精加工的反射面，优选容易阻断来自散热面2的热量。在前进时，基板支架单元A的与基板平台1相向的这一侧的面(下表面)优选采用耐热性黑色表面即吸热面，能够迅速地进行基板平台1及基板平台1上的基板3的冷却。吸热面除了由黑色防蚀铝等的黑色材料构成壁面以外，还可以通过玻璃状碳、热解碳、无定形碳等的碳涂层得到。
在利用遮板17积极地冷却基板平台1及基板平台1上的基板3的情况下，优选预先将基板支架单元A的下降位置设定成两个阶段。也就是说，优选为如下两个阶段：基板平台1及基板3与遮板17的下表面接近的冷却位置；以及能够得到在基板平台1、基板3和遮板17的下表面之间放入与取出基板3所需的充分的间隔的送入送出位置(基板接受位置)。冷却位置是图3所示的基板支架单元A的位置。另外，送入送出位置(基板接受位置)是图1所示的基板支架单元A的位置。
根据基板3的加热温度区域，还可以省略遮板17的冷却部。在该情况下，遮板17优选由钼、钨等的高熔点金属构成。另外，即使在不设置冷却部的情况下，为实现热量从散热面2的阻断、以及基板平台1和基板平台1上的基板3的冷却促进，与散热面2的相向面优选采用反射面，与基板平台1的相向面优选采用吸热面。
真空腔D是由铝合金等构成的壳体，在壁内设置有水冷机构的水冷用流路19。另外，具有基板3的送入、送出时被开闭的狭缝阀20、和为将内部排气成真空环境而与排气***连接的排气口21。通过使冷却水向水冷用流路19流动，能够防止真空腔D的壳体的温度过度地上升。
真空腔D具有下侧的第一室22和与第一室22的上方相连的第二室23。加热单元B是将散热面2朝下地设置在位于上方的第二室23。基板支架单元A能够在第一室22和第二室23之间升降，在上升时，如图2所示，在第一室22和第二室23之间被冷却面板6部分封闭的状态下，使基板平台1和加热单元B的散热面2接近。像这样进行基板3的加热时，由第二室23产生的热量难以向其下方的第一室22泄漏，在加热后，能够更迅速地进行使基板支架单元A向第一室22下降而进行的冷却。另外，真空腔D的内表面，尤其第二室23的内表面为了能够提高加热效率，优选预先实施镜面精加工。
升降装置E具有：升降轴12，其上端被连接在基板支架单元A的冷却面板6；升降臂24，其被安装在升降轴12的下端部分；滚珠丝杠25，其供升降臂24螺接。另外，还具有：旋转驱动装置26，能够使滚珠丝杠25向正反两方向旋转；波纹管状盖27，其覆盖升降轴12和真空腔D之间的滑动部，提高真空腔D内的气密性，并且伴随升降轴12的上下移动而伸缩。该升降装置E通过旋转驱动装置26使滚珠丝杠25正或反旋转，由此，使与该滚珠丝杠25螺接的升降臂24上升或下降，随之使升降轴12上下滑动，而使基板支架单元A升降。
此外，在上述说明中说明了真空腔，但在没有使用真空腔的情况下，需要预先利用氩气等的惰性气体填充腔内。
以下，关于上述基板热处理装置的驱动状态进行说明。
首先，如图1所示，打开狭缝阀20，将基板3送入真空腔D内。基板3的送入例如以如下方式进行，利用机器人将基板3带入真空腔D内，如图1及图4所示，能够将基板3载置并支承在基座32上。
真空腔D的狭缝阀20部分通常经由收容了机器人的转移室(未图示)被连结在加载/卸载闸室(未图示)。基板3首先被设定于加载/卸载闸室。在室内的粗排气之后，与转移室之间被开放，进一步进行排气，之后狭缝阀20被开放，通过转移室的机器人，从加载/卸载闸室将基板3通过拾取和放置而载置在基座32上。在机械臂的前端，作为末端执行器设置有叉部。送入基板3时，机械臂的叉部从基座32的开口部的上方向下方移动。通过这样的叉部的移动，载置在叉部上的基板3被载置在基座32的爪部101。另一方面，送出基板3时，机械臂的叉部从基座32的开口部的下方向上方移动。通过这样的叉部的移动，载置在基座32的爪部101上的基板3被载置在叉部上。通过使载置有基板3的叉部从基座32的开口部后退，能够排出基板3。
将基板3载置在基座32的爪部101之后，使机械臂后退来关闭狭缝阀20。使真空腔D内成为独立的真空室之后，使遮板17后退而使基板支架单元A上升。将载置在基座32的爪部101上的基板3利用基板保持部31取上来之后，再使基板支架单元A上升，如图2及图5所示，使基板平台1和加热单元B的散热面2接近。此时，至少需要基板3成为与散热面2非接触的状态。尽管散热面2和基板3的间隔取决于散热面2及基板3的大小、加热温度、加热单元B的加热力等，但散热面2和基板3的间隔优选为1～25mm。
接着，使加热单元B的加热器28成为打开，利用来自散热面2的辐射热加热基板3。例如加热温度为1900℃的情况下，继续加热直到由温度测定器16测定的基板平台1的温度成为1900℃，达到1900℃之后，保持该温度直到经过规定的退火时间(例如1分钟左右)。
经过上述退火时间之后，使加热单元B的加热器28关闭，开始自然冷却。与此同时，使基板支架单元A下降到所述冷却位置(基板平台1及基板3与遮板17的下表面接近的位置)。然后，使遮板17向基板支架单元A的基板平台1和加热单元B的散热面2之间进入，以促进冷却。而且，基板3冷却到没有取出阻碍的温度(例如200℃)。冷却后，基板使支架单元A下降到所述送入送出位置(在基板平台1、基板3和遮板17的下表面之间，能够获得放入与取出基板3所需的充分的间隔的位置)。在从冷却位置到送入送出位置的下降期间，基座32被移动到提升销8上，被载置在基座32的爪部101上的基板3成为容易取出的状态。基板支架单元A下降到送入送出位置之后，打开狭缝阀20，利用转移室(未图示)的机械臂的前端的叉部从基座32取出基板3。
基座32在基板3的加热时在高温下被加热，在基板3的取出时，被冷却到对基板3的取出没有阻碍的温度。由此，基座32在由加热产生的热膨胀之后，通过冷却收缩。另外，基座32通过提升销8而升降，从而根据热膨胀、收缩和升降动作的影响，提升销8上的基座32的支承位置也会发生偏移。但是，补足块33通过相对于基座支承部(凹部63)具有间隙的嵌合(卡合)被配置在凹部63，从而基座32在被移载到凹部63时，不跨过补足块地被移载。由此，加热单元B的散热面2和基板3之间的间隔变得均匀，能够均匀地加热基板3。
本发明不限于上述实施方式，能够不脱离本发明的精神及范围地进行各种变更及变形。因此，为公开本发明的范围，添加了以下的权利要求书。
本申请以2011年12月27日提出的日本专利申请特愿2011-286544为基础主张优先权，将其全部内容援引于此。

Claims (6)

1.一种基板热处理装置，是在真空处理室内对基板进行加热处理的基板热处理装置，其特征在于，具有：
C字形的基座，其设置有能够载置基板的第一基板载置部和开口部；
基板平台，其设置有载置基板的第二基板载置部和支承所述基座的基座支承部；
加热构件，其在所述基板平台的上方且在与所述第二基板载置部相向的位置具有散热面，利用来自所述散热面的热量加热被载置在所述第二基板载置部上的基板；
移动构件，其以使所述第二基板载置部相对于所述散热面成为规定的分离位置的方式使所述基板平台移动；
提升部，其在基板接受位置与所述基座的下表面抵接并以从所述基座支承部分离的状态支承该基座；
补足部，其与所述基座支承部分体地形成，并且被卡合于该基座支承部，在所述基座被所述基座支承部支承的状态下，以所述基座成为环状的方式补足所述基座的开口部，
当所述基板被载置在所述第二基板载置部，所述第二基板载置部相对于所述散热面位于规定的分离位置时，所述基座与所述补足部一起形成环状，并包围所述基板。
2.如权利要求1所述的基板热处理装置，其特征在于，通过所述移动构件使所述基板平台向相对于所述散热面接近的方向移动时，所述基座从所述提升部分离并被所述基座支承部支承。
3.如权利要求1或2所述的基板热处理装置，其特征在于，当所述基座被保持在所述基座支承部时，载置于所述第一基板载置部的所述基板被所述第二基板载置部支承。
4.如权利要求1～3中任一项所述的基板热处理装置，其特征在于，所述移动构件使所述基板平台向从所述散热面分离的方向移动时，所述提升部与所述基座的下表面抵接，将所述基座支承在相对于所述基板平台上方的位置。
5.如权利要求1～4中任一项所述的基板热处理装置，其特征在于，当所述基板被载置在所述第一基板载置部上时，以将所述基板的上表面配置在比所述基座的上表面更低的位置的方式形成所述基座的上表面。
6.如权利要求1～5中任一项所述的基板热处理装置，其特征在于，所述基座和所述补足部分别由同一材料形成。
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