CN104035853A - 温度监控***及温度监控方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种温度监控***及温度监控方法。所述温度监控***用于对至少一个温控对象进行温度监控，所述温度监控***包括：光源，用于发出入射光；至少一个热光片，由热光材料形成，分别紧靠于各所述温控对象设置，每一个热光片用于接收所述入射光并形成光信号；至少一个探测器，分别与所述热光片对应设置，用于探测由对应的热光片形成的光信号，并对所探测到的光信号进行光电转换以获得电信号；控制器，用于根据所述电信号分别计算各所述温控对象的温度，其中所述温控对象为采用光互连技术的中央处理器中的内核。本发明的温度监控***及温度监控方法能够精确地、及时有效地检测并控制温度。

Description

温度监控***及温度监控方法

技术领域

本发明涉及一种温度监控***及方法，特别是涉及利用光热变化关系进行温度检测的温度监控***及方法。

背景技术

随着计算机性能越来越强大，中央处理器（CPU）的集成度和运行速度不断提高、功耗不断增大，及时有效地检测并控制CPU的运行温度成为技术发展的瓶颈。

目前已存在通过在CPU外部贴附热敏电阻来检测CPU运行温度的方法（现有技术一）。然而，该方法存在如下缺点：

1、热敏电阻是接触式测温元件，采用该方法检测到的温度是CPU表面温度而不是CPU核心温度。然而，由于CPU核心（die）所发出的热量会由芯片封装向外部散出，因此，CPU表面温度与CPU核心温度之间约有15℃至30℃的温差，且该温差因芯片封装形式不同及环境温度不同而难以确定。并且，采用该方法检测到的温度是由监控芯片根据热敏电阻的阻值变化计算得出，如果热敏电阻与CPU之间的接触不够紧密，那么CPU的热量就不能有效地传递至热敏电阻，使得所检测出的温度会有很大的误差。

2、由于CPU核心温度变化后，需经过一段时间才能传递到CPU表面，使得CPU表面温度变化十分迟钝，升温速度远不及CPU核心温度，因此，CPU表面温度的变化不能及时地反映出CPU核心温度的变化而形成了时间滞后的问题，导致反应不灵敏，有时无法起到及时有效的保护作用。

3、由于该方法的反应不灵敏、又要及时保护CPU，因此，可能经常出现因强行关闭CPU而导致重要数据丢失的现象。

此外，还存在通过在CPU内植入热敏二极管来检测CPU运行温度的方法（现有技术二）。然而，该方法与现有技术一相比，检测及时性有所改善，但仍存在如下缺点：

1、温度检测精度还有待提高。

2、无法应用于多核CPU。理由是，在多核和光互连的三维堆叠结构中，光互连上的很多光器件也会发热，温度分布可能极为不均、且温变复杂，该方法可能因反应灵敏性不够而存在误差，无法保障***的稳定运行。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种温度监控***及方法，能够准确地、及时有效地检测并控制温度。

第一方面，本发明实施例提供了一种温度监控***，用于对至少一个温控对象进行温度监控，所述温度监控***包括：光源，用于发出入射光；至少一个热光片，由热光材料形成，分别紧靠于各所述温控对象设置，每一个热光片用于接收所述入射光并形成光信号；至少一个探测器，分别与所述热光片对应设置，用于探测由对应的热光片形成的光信号，并对所探测到的光信号进行光电转换以获得电信号；控制器，用于根据所述电信号分别计算各所述温控对象的温度，其中所述温控对象为采用光互连技术的中央处理器中的内核。

结合第一方面，在第一种可能的实施方式中，所述光信号为所述入射光经由所述热光片透射出的透射光。

结合第一方面，在第二种可能的实施方式中，所述光信号为所述入射光经由所述热光片反射回的反射光。

结合第一方面，在第三种可能的实施方式中，所述温度监控***还包括：检测用热光片，由热光材料形成，与所述温控对象分开设置，用于接收所述入射光并形成光信号；检测用探测器，与所述检测用热光片对应设置，用于探测由所述检测用热光片形成的光信号，并对所探测到的光信号进行光电转换以获得电信号，其中，所述控制器通过将所述检测用探测器获得的电信号与所述探测器获得的电信号进行对比，以确定由所述入射光变化引起的温度变化。

结合第一方面的第三种可能的实施方式，在第四种可能的实施方式中，所述检测用热光片由与所述热光片相同的热光材料形成，所述控制器还用于利用所述检测用探测器的探测结果对所述探测器的探测结果进行校正。

结合第一方面以及第一方面的第一至四种可能的实施方式中的任一种，在第五种可能的实施方式中，所述温度监控***还包括分束器，所述分束器用于将所述入射光分为多束，以分别对应各所述热光片以及所述检测用热光片。

结合第一方面以及第一方面的第一至五种可能的实施方式中的任一种，在第六种可能的实施方式中，所述温度监控***还包括微透镜，所述微透镜设置于所述光源和所述热光片之间，用于汇聚所述入射光。

结合第一方面以及第一方面的第一至六种可能的实施方式中的任一种，在第七种可能的实施方式中，所述温度监控***还包括至少一个波导，所述波导设置于所述光源与所述热光片之间，用于将所述入射光引导至各所述热光片。

结合第一方面以及第一方面的第一至七种可能的实施方式中的任一种，在第八种可能的实施方式中，所述温度监控***还包括：显示器，用于显示所述温控对象的温度；报警器，用于在所述温控对象的温度高于预定阈值时，发出警报。

结合第一方面以及第一方面的第一至八种可能的实施方式中的任一种，在第九种可能的实施方式中，所述热光片分别贴附于各所述温控对象。

结合第一方面以及第一方面的第一至八种可能的实施方式中的任一种，在第十种可能的实施方式中，所述热光片为硅片，通过在各所述内核的表面用沉淀法生长一层厚度为10um至20um的硅片来形成所述热光片。

第二方面，本发明实施例提供了一种温度监控方法，用于对温控对象进行温度监控，所述温度监控方法包括如下步骤：通过热光片接收由光源发出的入射光并形成光信号，其中，所述热光片由热光材料形成，并紧靠于所述温控对象设置；对所述光信号进行光电转换以获得电信号；根据所述电信号计算所述温控对象的温度，其中所述温控对象为采用光互连技术的中央处理器中的内核。

结合第二方面，在第一种可能的实施方式中，所述光信号为由所述热光片透射出的透射光或由所述热光片反射回的反射光。

结合第二方面或第二方面的第一种可能的实施方式，在第二种可能的实施方式中，对所述电信号进行滤波和锁相放大处理。

结合第二方面，在第三种可能的实施方式中，还包括如下步骤：根据所述温度对所述温控对象进行散热冷却处理。

由于本发明中用于传递热量的热光片紧靠于温控对象设置，且本发明利用光热变化关系来计算温控对象的温度，因此，所检测出的温度更为精确。并且，由于本发明利用光信号而非电信号来传输温度信息，因此，能更及时有效地进行温度检测。

附图说明

图1示出根据本发明实施例的温度监控***100的结构示意图。

图2A、图2B分别示出根据本发明实施例的吸收式和反射式的示意图。

图3示出根据本发明另一实施例的温度监控***300的结构示意图。

图4示出根据本发明又一实施例的温度监控***400的结构示意图。

图5示出根据本发明再一实施例的温度监控***500的结构示意图。

图6示出将根据本发明实施例的温度监控***集成到计算机的CPU中的架构图。

图7示出将根据本发明实施例的温度监控***集成到多核CPU中的结构示意图。

图8示出根据本发明实施例的温度监控方法800的流程图。

具体实施方式

以下将对本发明的实施例给出详细的参考。尽管本发明通过这些实施方式进行阐述和说明，但需要注意的是本发明并不仅仅只局限于这些实施方式。相反，本发明涵盖权利要求所定义的发明精神和发明范围内的所有替代物、变体和等同物。

另外，为了更好的说明本发明，在下文的具体实施方式中给出了众多的具体细节。本领域技术人员将理解，没有这些具体细节，本发明同样可以实施。在另外一些实例中，对于大家熟知的方法、手续、元件和电路未作详细描述，以便于凸显本发明的主旨。

如上所述，CPU温升不仅影响CPU技术的进一步发展，还直接影响CPU的稳定性和使用寿命。然而迄今为止，还没有一种CPU散热***能保证永不失效。失去了散热***这个保护伞的“芯”，往往会在几秒钟内永远停止“跳动”，导致***无法正常运行。及时有效地进行温度监控变得尤为重要。而根据本发明的温度监控***及方法利用热光材料对光的吸收会随温度的变化而变化的属性，基于热光材料的光热变化关系来检测温度，从而能更及时有效地进行温度检测。以下将结合具体实施例详细说明本发明的温度监控***的结构。

图1示出根据本发明实施例的温度监控***100的结构示意图。如图1所示，温度监控***100可用于对温控对象1进行温度监控。温度监控***100包括：光源101、热光片102、探测器103以及控制器104。其中，光源101、热光片102及探测器103之间为光耦合，探测器103和控制器104之间通过电信号连接。

光源101可为激光源或发光二极管等发光器件，用于发出入射光。

热光片102由热光材料形成，并紧靠于温控对象1设置，用于接收光源101发出的入射光并形成光信号。其中，热光片102所形成的光信号可以为：入射光经由热光片102透射出的透射光（以下称为吸收式），或入射光经由热光片102反射回的反射光（以下称为反射式）。形成热光片102的热光材料可为GaAs、CdTe、单晶硅或其他热光系数比较大的聚合物。

原理上，反射式和吸收式的效果是一样的，但由于吸收式只需光一次通过热光片，而反射式需要光两次通过热光片（即，进入热光片并由热光片返回），因此，吸收式的结构相对简单，而反射式的工艺相对复杂，反射式中的热光片需要更薄。图2A、图2B分别示出根据本发明实施例的吸收式和反射式的示意图。

由于热光片102的透射率会随其温度变化而变化，且热光片102紧靠于温控对象1设置，能传递温控对象1的热量，因此，从热光片102透射出的透射光的强度与温控对象1的温度之间存在对应的变化关系。该变化关系将在之后详细说明。

探测器103探测由热光片102形成的光信号，例如，从热光片102透射出的透射光，并对所述光信号进行光电转换以获得电信号。由此，所述电信号与温控对象1的温度之间也存在对应的变化关系。

控制器104利用热光片102的透射率与温度之间的对应关系，根据由探测器103获得的电信号计算热光片102的温度。并且，控制器104还可以根据所述温度对温控对象1进行散热冷却处理。例如，若所述温度超过预定的阈值，则进行散热冷却处理。所述预定的阈值可基于温控对象1需要进行散热冷却处理时的温度来确定。由于形成热光片102的热光材料种类以及热光片102与温控对象1之间的距离均可能影响温控对象1与热光片102之间的温度关系，因此，在确定所述阈值时需要考虑上述因素。所述散热冷却处理包括但不限于：加快风扇转速、降低所述中央处理器的工作电压和工作频率或关闭中央处理器等。以下详细说明控制器104根据所述电信号计算温度的原理。

由于本发明中的热光材料为半导体材料，因此，可基于半导体材料的光热变化关系来计算热光片的温度变化。考虑到硅的热光效应明显，因此下面以硅片作为热光片为例，说明根据探测器测量到的透射光强、利用以下的4个表达式来计算硅片温度的过程：

$t=\frac{{(1-R)}^2{e}^{-\mathrm{ax}}}{1-R^2{e}^{-2\mathrm{ax}}}---\left(1\right)$

其中，t为热光片的透射系数，R为热光片的反射系数，x为热光片的厚度，α为热光片的吸收系数。并且，透射系数t与反射系数R之间存在如下的关系：t=1-R。

$E=E_0-\frac{{\mathrm{TA}}^2}{B+T}---\left(2\right)$

其中，E₀=1.17eV，即硅的禁带宽度，A=4.73×10^-4eV/K，B=636K。

α(E,T₂)=α[E+k(T₂-T₁),T₁]（3）

其中，k=1.2e^-3eV/K E>1.7eV

$I\left(\mathrm{\λ}\right)={\∫}_0^{\∞}{I}_0\left(\mathrm{\λ}\right)\·\exp (-\mathrm{\α}\{\mathrm{\λ},T\}\·x)\mathrm{d\λ}---\left(4\right)$

其中，I₀(λ)为光源光强，I(λ)为透射光强。

根据上述表达式（1）至（4）可知，测出对应的透射光强就可实现对应温度的测量。

如上所述，透射式为光一次通过热光片，而反射式为光两次通过热光片，因此，虽然上述计算原理是以吸收式作为例子进行描述，但本领域技术人员在此基础上，应能够理解采用反射式时应如何进行计算。

图3示出根据本发明另一实施例的温度监控***300的结构示意图。如图3所示，温度监控***300除了包括光源101、热光片102、探测器103以及控制器104之外，还可以包括：检测用热光片301和检测用探测器302。

检测用热光片301由热光材料形成，且与温控对象1分开设置，用于接收光源101发出的入射光并形成光信号，其中所述光信号为所述入射光经由检测用热光片301透射出的透射光或所述入射光经由检测用热光片301反射回的反射光。检测用探测器302与检测用热光片301对应设置，用于探测由检测用热光片301形成的光信号，并对所探测到的光信号进行光电转换以获得电信号。其中，控制器104通过将检测用探测器302获得的电信号与探测器103获得的电信号进行对比，以确定由入射光变化引起的温度变化，从而避免测量误差。

更具体地说，由于激光源或发光二极管可能会因功率抖动而造成入射光变化，而入射光变化可能会导致从热光片102透射出的透射光的强度发生变化，因此，控制器104计算出的温度可能存在误差，而无法准确地反映温控对象1的温度。在另外增加与温控对象1分开设置的检测用热光片301后，控制器104可基于检测用热光片301透射出的透射光的变化监测入射光的变化，并在入射光发生变化的情况下，无效所计算出的温度并及时地对光源101作出调整，从而防止测量误差。

根据本发明的另一个实施例，检测用热光片301可由与热光片102相同的热光材料形成。在这种情况下，可利用检测用探测器302的检测结果对探测器302的检测结果进行校正，从而消除因入射光变化而导致的温度变化，防止测量误差。

此外，如图3所示，温度监控***300还可以包括设置在光源101和热光片102之间的波导303和/或微透镜304。波导303用于将入射光传输至热光片102。微透镜304用于汇聚入射光。光源101发出的入射光可以经过波导303或者自由空间由微透镜304汇聚后到达热光片102。由此，能够增加到达热光片102的光量、降低光源的功耗。

其中，温控对象1可以为计算机的CPU中的计算引擎（内核），且温度监控***100可与所述内核一并集成于所述中央处理器中。在这种情况下，控制器104进行的散热冷却处理包括但不限于：加快风扇转速、降低所述中央处理器的工作电压和工作频率或关闭中央处理器等。

根据本发明上述实施例的温度监控***100、300能够精确及时地对温控对象1的温度进行检测和监控，并基于检测结果对温控对象1进行散热处理。

图4示出根据本发明实施例的温度监控***400的结构示意图。温度监控***400可用于对多个温控对象4同时进行温度监控。温度监控***400包括：光源401、多个热光片402、与多个热光片402分别对应设置的多个探测器403以及控制器404。其中，光源401、热光片402、探测器403以及控制器404与图1中的光源101、热光片102、探测器103以及控制器104的设置和作用是基本相同的。温度监控***400与温度监控***100的区别主要在于，温度监控***400包括多个热光片402以及与多个热光片402分别对应设置的多个探测器403，且多个热光片402分别紧靠于多个温控对象4设置。控制器404可以根据由多个探测器403探测到的、从多个热光片402分别透射出的透射光的强度，来计算每个温控对象4的温度。

光源401用于发出入射光。根据本发明的一个实施例，光源401可以为多个，且多个光源401与多个热光片402对应设置以增加入射光的强度。多个热光片402由热光材料形成，并分别紧靠于多个温控对象4设置，每一个热光片402用于接收光源401发出的入射光并形成光信号。所述光信号为所述入射光经由所述热光片透射出的透射光。多个探测器403分别与多个热光片402对应设置，用于探测由对应的热光片402形成的光信号，并对所探测到的光信号进行光电转换以获得电信号。控制器404用于根据多个探测器403获得电信号分别计算多个温控对象4的温度。控制器404用于还可根据所述温度对多个温控对象4分别进行散热冷却处理。针对多个温控对象4的散热冷却处理可以是相同的或是不同的。根据电信号计算温度的原理在前面已进行了详细说明，在此不再赘述。

此外，图5示出根据本发明另一实施例的温度监控***500的结构示意图。如图5所示，温度监控***500除了包括光源401、多个热光片402、多个探测器403以及控制器404之外，还可以包括检测用热光片501、检测用探测器502、分束器503以及显示器504和报警器505。

检测用热光片501和检测用探测器502与图3中的检测用热光片301和检测用探测器302的设置和作用是基本相同的，在此不再赘述。分束器503用于将光源401发出的入射光分为多束，以分别入射至多个热光片402以及检测用热光片501，从而在不增加光源401的情况下，保证入射光的强度，节省光源。显示器504和报警器505与控制器404相连接。显示器504用于显示温控对象4的温度。报警器505用于在温控对象4的温度高于预定的阈值时，发出警报。由此，温控对象4的使用者也可以及时了解温控对象4的温度，并作出相应的处理。

根据本发明上述实施例的温度监控***400、500能够精确地、及时地对多个温控对象1的温度同时进行检测和监控，并基于检测结果对多个温控对象4分别进行散热处理。

根据本发明实施例的温度监控***能应用于采用光互连技术的计算机的CPU，并对该CPU中的内核进行温度控制。

随着CPU芯片半导体工艺的发展，CPU芯片集成度不断提高，而仅提高单核芯片的速度会产生过多热量，且无法带来相应的性能改善，于是工程师们开发出了多核处理器。多核处理器是指在一枚处理器中集成两个或更多个完整的计算引擎(内核)。在高性能的计算机中，CPU中核的数目会越来越多，多核CPU的核间的数据移动效率会成为制约处理器芯片整体性能的关键因素。光互连技术采用波导方式传输数据，信号传输的损耗低、速度快、延迟小，它通过采用波分复用(WDM)技术可以达到很高的带宽密度，有助于解决片上通信的瓶颈问题。采用多核和光互连技术的CPU温度变化区域的广度和复杂度上比现有CPU增强，对其温度进行精密及时地监控变得更加重要。根据本发明实施例的温度监控***能对采用光互连技术的计算机的多核CPU进行精确和及时地温度控制以及散热处理。

采用光互连技术的CPU通常包括内存、处理器（内核）以及位于内存和处理器之间的光带等，其中光带用于为例如外部光互连元件等的光纤连接元件提供接口、以及为例如内存等的内部元件提供低功率的互连，具体可以参考美国专利申请US2009/0103854A1。

图6示出将根据本发明实施例的温度监控***集成到采用光互连技术的计算机的CPU中的架构图。如图6所示，该架构包括内存601、温度监控***602、处理器（内核）603以及散热器604。其中，温度监控***602中的热光片紧靠于处理器（内核）603并位于CPU中的光带上。温度监控***602用于检测处理器603的温度，并控制散热器604对处理器603进行散热处理。散热器604可以为风扇等散热装置。

图7示出将根据本发明实施例的温度监控***集成到采用光互连技术的多核CPU中，以对多核CPU中的多个内核7进行散热处理的结构示意图，即，将采用光互连技术的多核CPU中的多个内核7作为多个温控对象的温度监控***700。虽然根据本实施例的多核CPU中具有3个内核，但本领域技术人员可以理解，内核的数目可以不限于3个。

如图7所示，每个内核7下方有一个紧靠其设置的热光片702，例如热光片702可贴附于内核7的表面。其中，考虑到硅的热光效应明显，且在CPU中的兼容性高，因此，热光片702可以通过在相对应的内核的表面用沉淀法生长一层厚度为10um至20um的硅片来形成。

由光源701发出的入射光由分束器705分束后，（可经过波导或者自由空间，并经微透镜汇聚后，图未示）入射至热光片702。随着内核7温度的升高，对应的热光片702的温度也升高，其透射率发生变化并导致透射出热光片702的透射光的光强发生变化。探测器703探测所述透射光，并将光信号进行光电转换而获得电信号。探测器703对所述电信号进行滤波、锁相放大等处理，以去除噪音等干扰，并将处理后的信号传送到控制器704。控制器704根据所接收的信号计算热光片702的温度，并将所计算出的温度与预定的阈值进行比较以判断是否进行散热冷却处理。在所计算出的温度大于或等于预定的阈值的情况下，控制器704控制进行加快风扇转速、降低CPU的工作电压和/或工作频率等处理来降低CPU的功耗，以达到降温的效果。如果温度依然高于阈值，则将任务交由其它内核来处理或关闭CPU。由此，利用光波传感对内核7的温度实现分布式实时监控，从而使温度检测更为精确和及时。检测用热光片706、检测用探测器707与检测用热光片501、检测用探测器502的设置和作用是相同的。

需要说明的是，在根据本发明实施例的温度监控***700中，光源701、热光片702、探测器703之间通过光相互耦合而形成光互连的光带，光源701可以位于光带上或者光带外。由于在采用光互连技术的CPU中，已形成有在该CPU中的元件之间进行光互连的光带，因此，可以利用该CPU中现有的光带来形成根据本发明实施例的温度监控***，例如，热光片702接收CPU中现有的光带上的光或位于现有的光带上以进行光热转换、并且以CPU中的处理器作为控制器704等。这样，通过基于这些已有元件及光带等来形成根据本实施例的温度监控***，可以简化制程并节省成本。

图8示出根据本发明实施例的散热冷却方法800的流程图。散热冷却方法800通过下面的步骤S801至S804来检测温控对象的温度并进行散热冷却处理。所述温控对象可以为采用光互连技术的CPU中的内核。

在步骤S801中，通过热光片接收由光源发出的入射光并形成光信号。其中，所述热光片由热光材料形成，并紧靠于温控对象设置，能够传递温控对象的温度。所述光信号为由所述热光片透射出的透射光。

在步骤S802中，对所形成的光信号进行光电转换以获得电信号。步骤S802还可以对所述电信号进行滤波和锁相放大等处理，以去除所述电信号中的干扰信号。

在步骤S803中，根据所获得的电信号计算温控对象的温度。

在步骤S804中，根据计算出的温度对温控对象进行散热冷却处理。

根据本发明实施例的温度监控***及方法至少能带来下面的有益效果：

1、紧靠于温控对象设置，检测出的温度更为准确。例如，将CPU的内核作为温控对象时，本发明的温度监控***直接集成到CPU内部并紧靠于内核设置，使所检测出的温度更接近内核本身的温度。

2、本发明的温度监控***中的热光片的尺寸为微米级别，采用热光效应较明显的硅或者聚合物的响应时间能达到微秒级别，能更及时地检测出温度变化。

3、能更好地实现多核的处理任务的调配，实现资源的优化，使CPU运行高效，可靠。

4、随着新型高性能CPU中的多核化和光互连的引入，使得此方案的实现成本大为降低，效益能体现得更加明显。

Claims (15)

1.一种温度监控***，其特征在于，用于对至少一个温控对象进行温度监控，所述温度监控***包括：

光源，用于发出入射光；

至少一个热光片，由热光材料形成，分别紧靠于各所述温控对象设置，每一个热光片用于接收所述入射光并形成光信号；

至少一个探测器，分别与所述热光片对应设置，用于探测由对应的热光片形成的光信号，并对所探测到的光信号进行光电转换以获得电信号；

控制器，用于根据所述电信号分别计算各所述温控对象的温度，

其中所述温控对象为采用光互连技术的中央处理器中的内核。

2.根据权利要求1所述的温度监控***，其特征在于，所述光信号为所述入射光经由所述热光片透射出的透射光。

3.根据权利要求1所述的温度监控***，其特征在于，所述光信号为所述入射光经由所述热光片反射回的反射光。

4.根据权利要求1所述的温度监控***，其特征在于，所述温度监控***还包括：

检测用热光片，由热光材料形成，与所述温控对象分开设置，用于接收所述入射光并形成光信号；

检测用探测器，与所述检测用热光片对应设置，用于探测由所述检测用热光片形成的光信号，并对所探测到的光信号进行光电转换以获得电信号，

其中，所述控制器通过将所述检测用探测器获得的电信号与所述探测器获得的电信号进行对比，以确定由所述入射光变化引起的温度变化。

5.根据权利要求4所述的温度监控***，其特征在于，所述检测用热光片由与所述热光片相同的热光材料形成，所述控制器还用于利用所述检测用探测器的探测结果对所述探测器的探测结果进行校正。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的温度监控***，其特征在于，所述温度监控***还包括分束器，所述分束器用于将所述入射光分为多束，以分别对应各所述热光片以及所述检测用热光片。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的温度监控***，其特征在于，所述温度监控***还包括微透镜，所述微透镜设置于所述光源和所述热光片之间，用于汇聚所述入射光。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的温度监控***，其特征在于，所述温度监控***还包括至少一个波导，所述波导设置于所述光源与所述热光片之间，用于将所述入射光引导至各所述热光片。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的温度监控***，其特征在于，所述温度监控***还包括：

显示器，用于显示所述温控对象的温度；

报警器，用于在所述温控对象的温度高于预定阈值时，发出警报。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的温度监控***，其特征在于，所述热光片分别贴附于各所述温控对象。

11.根据权利要求1至9中任一项所述的温度监控***，其特征在于，所述热光片为硅片，通过在各所述内核的表面用沉淀法生长一层厚度为10um至20um的硅片来形成所述热光片。

12.一种温度监控方法，其特征在于，用于对温控对象进行温度监控，所述温度监控方法包括如下步骤：

通过热光片接收由光源发出的入射光并形成光信号，其中，所述热光片由热光材料形成，并紧靠于所述温控对象设置；

对所述光信号进行光电转换以获得电信号；

根据所述电信号计算所述温控对象的温度，

其中所述温控对象为采用光互连技术的中央处理器中的内核。

13.根据权利要求12所述的温度监控方法，其特征在于，所述光信号为由所述热光片透射出的透射光或由所述热光片反射回的反射光。

14.根据权利要求12所述的温度监控方法，其特征在于，还包括如下步骤：对所述电信号进行滤波和锁相放大处理。

15.根据权利要求12所述的温度监控方法，其特征在于，还包括如下步骤：根据所述温度对所述温控对象进行散热冷却处理。