CN103958394B - 制造封装装置的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种元件(2、4、44、64)，该元件布置成与另一零件(4、2)配合以形成用于部件(5)的封装装置(3)，所述元件包括至少部分地涂覆有金属化部分(11、9、49、69)的元件(2、4)。根据本发明，所述金属化部分包括由金属间化合物(19、59、79)保护的至少一个金属层(15)，所述金属间化合物由熔点低于250℃的材料的未扩散部分(12’、52’、72’)所涂覆。本发明还涉及一种用于制造封装装置(3)的方法(21)。

Description

制造封装装置的方法
技术领域
本发明涉及一种制造用于微机械电子***或“MEMS”并且特别地用于MEMS石英谐振器的封装装置的方法。
背景技术
具有MEMS的电子元件一般由气密封闭的壳体形成，在壳体内部安装MEMS。该MEMS可例如为压电谐振器，例如旨在连接至振荡器电路的石英谐振器。用在例如电子或机电手表中的大多数小尺寸的石英谐振器为音叉式谐振器。
这些石英谐振器通常在真空密封的壳体内—在此情况下由振荡器电路产生、递送低频信号，或者这些石英谐振器处在惰性气体气氛中。此外，盖的一部分对于确定波长的光束而言可以是透明的，从而允许了石英谐振器的光学调整。
一般地，这些谐振器安装在壳体内，壳体例如由陶瓷制成，所述壳体是比较平的。这些壳体包括平行六面体形状的主要中空部分，在主要中空部分中安装谐振器，并且矩形的盖固定至主要部分。
为了确保在盖和主要部分之间的密封，当前采用由共晶金锡基金属制成的合金密封垫圈，该密封垫圈装配在所述两个部分之间并且然后该组件被加热以便在受控气氛中永久地密封壳体。
这些金锡基合金的缺点是采用本质上昂贵的材料以及具有比较低的熔点、即约为278℃。后一种特征限制了在采用例如印刷电路板将壳体连接至其媒介物期间或之后所采用的可能的方法。的确，很清楚，所述连接之后不可执行高于280℃的热处理，否则壳体易于启封，这甚至会部分地导致装置失去气密性，从而使谐振器性能受损。
发明内容
本发明的一个目的是，通过提供一种新型气密的封装装置以及用于制造该封装装置的方法来克服前文提到的所有或部分缺点。
本发明因此涉及一种元件(零件)，该元件布置成与另一零件协同配合以用于形成用于一部件的封装装置，该元件包括至少部分地涂覆(覆盖)有金属化部分的元件，其特征在于，所述金属化部分包括由金属间化合物保护的至少一个金属层，该金属间化合物由熔点低于250℃的材料的未扩散部分所涂覆。
优选地根据本发明，所述至少一个金属层由金属间化合物保护，该金属间化合物形成保护屏障。此外，存留有熔点低于250℃的材料，以用于将来形成密封装置。
根据本发明的其他有利的特征：
-该元件为意在封闭所述封装装置的盖；
-该元件为意在形成封装装置的腔的主要部分；
-该元件由陶瓷或金属形成；
-所述至少一个金属层包括镍和/或铜和/或金；
-所述至少一个金属层由该元件的体部形成；
-所述至少一个金属层还包括用于粘合(附着)到元件的所述体部的粘合层(附着层)；
-该粘合层包括钼和/或钨和/或钛和/或铬；
-该金属间化合物包括金；
-熔点低于250℃的所述材料为铟或锡。
此外，本发明涉及制造元件的方法，该元件布置成与另一零件协同配合以形成用于部件的封装装置，该方法包括以下步骤：
a)形成该元件；
b)沉积金属化部分，该金属化部分包括由涂层保护的至少一个金属层；
其特征在于，所述方法还包括以下步骤：
c)在涂层上沉积熔点低于250℃的材料的层；
d)使熔点低于250℃的该材料部分地扩散到该涂层中，以便完全地将该涂层转变成金属间化合物并且留下该熔点低于250℃的材料的未扩散部分。
优选地根据本发明，所沉积的熔点低于250℃的材料为用于将来形成密封装置的纯材料而不是共晶金基合金。
根据本发明的其他有利的特征：
-该元件由陶瓷或金属形成；
-所述至少一个金属层包括镍和/或铜和/或金；
-所述至少一个金属层由该元件的体部形成；
-该方法包括在步骤(a)和步骤(b)之间的这样一步骤：该步骤包括沉积用于所述至少一个金属层的粘合层；
-该粘合层包括钼和/或钨和/或钛和/或铬；
-该涂层包括金。
此外，本发明涉及一种封装装置，其布置成接纳一部件，该封装装置包括壳体，该壳体包括形成了腔的主要部分，该腔由盖借助于密封装置气密地封闭，其特征在于，该密封装置包括由至少一种金属与一材料形成的金属间化合物，该材料的熔点低于250℃，从而允许该材料以液相与所述至少一种金属相互扩散。
根据本发明的其他有利的特征：
-密封装置包括与所述第一金属间化合物相邻的第二金属间化合物，该第二金属间化合物由至少一种第二金属与熔点低于250℃的该材料形成。
-所述至少一种第二金属包括金；
-密封装置包括基本与第一金属间化合物性质相同的第三金属间化合物，第一和第三金属间化合物位于第二金属间化合物的任一侧；
-密封装置包括粘合至壳体的至少一个层；
-密封装置包括在盖和所述金属间化合物之间以及在主要部分和所述金属间化合物之间的所述至少一种金属的层；
-密封装置包括在主要部分和所述金属间化合物之间以及在盖内侧的所述至少一种金属的层；
-熔点低于250℃的所述材料为铟或锡；
-所述至少一种金属层包括镍和/或铜和/或金；
-壳体由陶瓷和/或金属形成；
-腔处于真空中或受控气氛中。
最后，本发明涉及一种制造用于部件的封装装置的方法，其特征在于该方法包括以下步骤：
e)形成所述部件；
f)形成包括第一金属化部分并且形成腔的主要部分，以及包括第二金属化部分的盖，该主要部分或该盖依照根据前述任何实施例所述的方法制成；
g)在该腔中安装该部件；
h)分别地靠着该盖或该主要部分的金属化部分装配未在步骤d)中扩散的主要部分或盖的熔点低于250℃的材料的部分；
i)使熔点低于250℃的材料的未扩散部分完全地扩散到所述相邻的金属化部分中，以便完全地将熔点低于250℃的材料转变成能够将所述部件气密地密封在所述封装装置中的第二金属间化合物。
因此，在当前采用的壳体中，壳体的金属化部分已经包括镍，很清楚，所必须的只是添加具有低熔点的材料以便气密地封闭该壳体。此外，镍基比金成本低很多并且还使得获得至少一个金属间化合物成为可能，该金属间化合物的熔点温度高于当前采用的密封装置，并因此与用于安装所述装置的标准方法中使用的温度相匹配，而不会有损失气密性的风险。
此外，与当前采用的密封装置相比，发现由镍形成的第二金属间化合物具有更缓慢的生长动力(动力学)，这有利地允许了化合物形成的改进的控制。最后，第二金属间化合物仅仅由来自主要部分的所述至少一个镍层形成，这是由于第一金属间化合物阻碍了其他扩散。
根据本发明的其他有利的特征：
-该方法包括在步骤(f)和步骤(g)之间的这样一步骤：该步骤包括沉积保护层以便保护所述金属化部分，该金属化部分不被未扩散的部分所涂覆；
-主要部分和盖由陶瓷和/或金属形成；
-在真空或在受控气氛中执行步骤i)；
-所述部件为石英音叉式谐振器；
-熔点低于250℃的材料为铟或锡。
附图说明
结合附图，从以非限制性说明给出的下文的描述中会得知其他特征和优点，在附图中：
-图1为根据本发明的电子元件的俯视图；
-图2为根据本发明的电子元件沿着图1的截面A-A截开的视图；
-图3和4为根据本发明在第一扩散之前和之后盖的局部放大视图；
-图5为根据本发明在第二扩散之前的主要部分的局部放大视图；
-图6为根据本发明在第二扩散之后的主要部分和盖之间的界面的局部放大视图；
-图7为根据本发明的制造方法的流程图；
-图8为根据本发明获得的密封装置的示例的截面图；
-图9为图8的局部放大视图；
-图10和11为根据本发明的第一扩散之前和之后的第一盖实施例的局部放大视图；
-图12和13为根据本发明的第一扩散之前和之后的第二盖实施例的局部放大视图。
具体实施方式
在下文的描述中，不会详细地描述所有那些为所属技术领域的技术人员所熟知的元件部分。
在图1和2中以简化的方式示出了电子部件1。该电子部件主要包括意在以气密的方式接纳MEMS5的封装装置3。封装装置3包括由中空的主要部分2和盖4形成的壳体7，该盖意在采用密封装置6封闭该中空部分2。
在图1和2中所示出的示例中，示出的MEMS5为石英音叉式谐振器，然而，需要封装在真空或者受控气氛中的其他类型的MEMS5也是可应用的。
中空部分2整体为平行六面体的形状并且包括在内部腔10中的肩部8，该肩部8意在以悬臂布置固定MEMS5。环绕腔10的壁的自由端意在借助于密封装置6接纳大体矩形的盖4，以便在封装装置3的内部气密地封闭MEMS5。
举例来说，壳体7—即中空部分2和封盖4—可为5mm长、3.2mm宽以及1.08mm高。此外，壳体7优选采用普通工艺由陶瓷制成。
密封装置6由一系列层形成，这些层意在粘合至陶瓷并且形成允许气密性的层。优选地根据本发明，密封装置6包括与低熔点的材料相关联的镍基合金，即该材料的熔点远低于镍的熔点，例如最大约250℃。优选地，所采用的材料可为铟或锡。
这些In-Ni或Ni-Sn合金—可包括几种金属间化合物—是通过涉及固-液相互扩散的焊接获得的，所述固-液相互扩散就是铟或锡与镍之间的熔点差异允许这些第一材料中的一个熔化并且扩散到固体镍层中以便形成金属间化合物。
因此，这些焊接可在“低”温度下制成，即低于250℃，还由于所获得的金属间化合物的熔点，即在400℃和800℃之间，而允许了较高温度下的较后的热处理。
优选地根据本发明，目前市场可获得上的陶瓷壳体7包括金属部分9、11，这些金属部分已经包括如图3和5中所见的至少一个镍层。
通常地，如图3中可见，盖4的金属化部分9包括多个层：由例如钼或钨形成的第一可选粘合层13以及至少一个金属层15例如镍层。金属化部分9还可包括抗氧化的保护涂层17，它例如由金制成。粘合层13以及金属层15各自具有10μm和5μm的厚度，而保护涂层17的厚度约为0.75μm。
类似地，如图5中所示，主要部分2的金属化部分11也包括多个层：由例如钼或钨形成的第一可选粘合层14以及至少一个金属层16例如镍层。金属化部分11还可包括抗氧化的保护层18，它例如由金制成。粘合层14以及金属层16各自具有10μm和5μm的厚度，而保护涂层18的厚度约为0.75μm。
因此应当理解的是，为了以铟-镍或镍-锡金属间化合物形成密封装置6，纯铟或纯锡的单一层12是必需的以用于由固-液相互扩散形成焊缝。
因此，借助于密封装置6，MEMS5可被包含在采用较便宜材料的封装装置3的腔10内部的真空或受控气氛中，并且同时获得至少一个金属间化合物，该金属间化合物的熔点高于当前采用的密封装置的温度。
在图1和图2中所示的示例中，MEMS5为常规石英音叉，其由两个平行的分支14、16形成以用于在弯曲的模式下振动，这些分支的共同基部13固定至肩部8。压电激活所必需的MEMS5的金属化层和具有例如振荡级的集成电路15的连接衬垫并未详细地示出，因为这些元件不是本发明的应用所必不可少的。
现在将会参照图3或7说明用于制造封装装置3的方法21。方法21包括用于独立生产的第一步骤23，该第一步骤分成MEMS5、盖4和中空部分2各自的阶段22、24以及26。
因此，如果MEMS5为石英音叉式谐振器，阶段22可包括蚀刻由单晶石英制成的晶片，然后在晶片的厚度上蚀刻音叉体部并且最终装备音叉，即，沉积其运行所必需的导电层。
盖4优选在阶段24中采用陶瓷形成。为实现此目的，以通常的方式，将一个或多个陶瓷薄片加工(精工制作)、堆叠并且一个在另一个之上地固定。然后，部分地金属化该盖4以允许将来与主要部分2配合。根据本发明，在盖4形成后，沉积由涂层17保护的至少一个金属层15。因此，盖4包括多个金属层：由例如钼和/或钨和/或钛和/或铬形成的第一可选粘合层13，以及例如由镍形成的至少一个金属层15。
粘合层13以及金属层15各自可具有10μm和5μm的厚度，而保护涂层17的厚度约为0.75μm。
主要部分2优选在阶段26中采用陶瓷形成。为实现此目的，以通常的方式，将多个陶瓷薄片加工、堆叠并且一个在另一个之上地固定。然后，部分地金属化该主要部分2以允许将来与盖4配合。
根据本发明，在主要部分2形成后，沉积至少一层金属层16，该金属层例如为镍并且可能由涂层18保护，该涂层18可例如由金制成。此外，在沉积例如由镍制成的层16之前，可执行沉积用于层16的粘合层14的中间步骤。
如上文所说明的，主要部分2因此包括多个金属层：由例如钼和/或钨和/或钛和/或铬形成的第一可选粘合层14，以及至少一个金属层16。层16可包括抗氧化的保护涂层18，该保护涂层18例如如图5中所示的由金制成。
粘合层14以及金属层16各自可具有10μm和5μm的厚度，而可选的保护涂层18的厚度约为0.75μm。例如可通过丝网印刷、电镀或物理气相沉积执行这些沉积。
优选地根据本发明，方法21的阶段24或阶段26以在盖4或主要部分2的例如由金形成的涂层17、18上沉积层12的步骤继续，该层12由熔点低于250℃的材料制成。如上文所说明的，熔点低于250℃的材料可为铟或锡。图3中示出其中层12沉积在盖4上的示意图。
层12的厚度是重要的，因为该层在第一阶段中用于与保护层17、18之一形成第一金属间化合物，并且在第二阶段中用于与主要部分2或盖4的至少一个金属化层11、9形成第二金属间化合物，如下文所述。
因此，阶段24或26以这样的步骤结束，即，该步骤意在使熔点低于250℃的材料部分地扩散到涂层17、18中，以便完全地将涂层17、18转变成金属间化合物，该金属间化合物能够形成用于所述至少一个金属层15的保护层19。图4中示出其中在盖4上形成层19的示意图。
因此可以理解，层12的一部分被使用，并且在阶段24或26结束时，层12变为层12’，该层12’更薄但仍具有相同的性质。优选地根据本发明，可在环境温度下执行扩散步骤，然而能够通过加热该组件来加速该步骤。
用于最终扩散的所述至少一个金属层15、16的厚度也是重要的，因为它用于通过形成意在气密地封闭壳体7的第二金属间化合物来完全地“消耗”层12’。在第一扩散期间所呈现的至少一个金属层16、15的其它部分的性质不是很重要，因为其不会反应或仅有很少反应。
在步骤24或26结束时，应当理解，所述至少一个层15、16包括抗氧化的保护涂层19以及层12’，该保护涂层19例如由金-铟或金-锡合金制成，该层12’为铟或锡层12的不扩散的剩余物，如图4中所示出的。层12可具有在15至60μm之间的厚度。
在扩散后，层13、14和15、16保持不变。然而，获得有约为5μm的保护层19和在13.5和58.5μm之间的层12’。可通过例如丝网印刷、电镀或物理气相沉积实现这些沉积。
在第二步骤25中，将MEMS5安装在中空部分2的腔10中，然后在第三步骤27中，通过将金属层彼此面对并且相互接触放置来装配壳体7。最后，方法21包括最终步骤29，该最终步骤包括焊接金属层以形成密封装置并且因此永久地密封封装装置3。如上文所说明的，取决于待封装的MEMS5，步骤29以及可能地步骤27处于真空或受控气氛中。
步骤29意在使熔点低于250℃的材料的剩余物12’完全扩散在所述至少一个层15、16中，所述至少一个层15、16面向所述材料以使该熔点低于250℃的材料完全地转化为第二金属间化合物20，所述第二金属间化合物20甚至能够在温度处在400至800℃之间时在封装装置3内部气密地封闭所述部件。步骤29可包括将盖4压靠中空部分2，同时通过加热使层12’液化。
由此可见，层12’由层16和/或15完全地“消耗”以形成第二金属间化合物、例如铟-镍或镍-锡基化合物的层20。然而，如图6中所示，仍然有为层16和/或层15的不扩散剩余物的层16’和/或15’。
因此，在扩散之后，仍然有金属的例如镍的层15’和16’，以及—可能地—保持不变的层13和14。在采用保护层18的情况下，它会移动，以使层19增厚而变为19’，如图6中所示的。
在图8和9中呈现了根据本发明获得的密封装置的另一示例。在此变型中，熔点低于250℃的材料为铟，保护层为金并且所述金属层为镍-钴。如图8和9中可见的，从顶部向下得到粘合层33(W)、第一金属层35(NiCo)、金属间化合物的第一层40(InNiAu)、金属间化合物的层39’(AuIn2)、金属间化合物的第二层40(InNiAu)、层36’(NiCo)以及粘合层34(W)。优选地根据本发明，盖4可在层33上方或层34下方。
在与图6的示例相比的图9的示例中还可理解，两种至少一个金属层可相互接触以在阶段24或26中形成围绕金属间化合物39’的两个金属间化合物40而不脱离本发明的范围。
优选地根据本发明，与当前采用的密封装置相比发现，除了它们的低成本以外，由镍形成的金属间化合物具有更缓慢的生长动力，这有利地允许了对化合物形成的改进的控制。
可选地，如果MEMS5为石英音叉式谐振器，则可能需要调整或设置。该调整可在步骤25前或步骤29后执行。在后一种情况中，即，当盖4已经在真空中气密地封闭了壳体7的中空部分2时，盖4必须包括对确定的波长的光束、例如激光光束透明的至少一个部分，以用于执行所述调整。
采用本方法21，形成的电子元件1因此构造成表面安装装置或SMD。因此，可也通过钎焊将它安装和连接在例如印刷电路板上。
当然，本发明的不限于所示出的示例，而是能够具有多种变型和修改，这对本领域的技术人员而言是显然的。特别地，电子元件1可仅包括谐振器元件5，或者，方法21可适用于晶片级封装工艺，即，采用相互置靠在一起的两个晶片串联封装，随后切割以形成电子元件1。
此外，盖和/或主要部分可由金属而不是陶瓷制成。举例来说，图10至13提出具有金属盖44、64的两种变型。通常，在盖和/或主要部分由金属制成时，金属化部分49、69完全地涂覆盖和/或主要部分。然而，应当理解的是，涂层还可以是局部的，该涂层对密封装置6不具有负面影响。
在图10和11中可见的第一变型中，例如基于科瓦合金的金属盖44包括具有多个层的金属化部分49。金属化部分49还可包括抗氧化的保护涂层57，该保护涂层例如由金制成。金属层55具有基本为5μm的厚度，而保护层57具有约0.1μm的厚度。
优选地根据本发明，在例如由金形成的涂层57上沉积由熔点低于250℃的材料形成的层52。如上文所描述的，熔点低于250℃的材料可为铟或锡。图10中示出其中层52沉积在盖44上的示意图。
层52的厚度是重要的，因为在第一阶段中，该层用于与保护层之一形成第一金属间化合物，并且在第二阶段中，该层用于与主要部分或盖的至少一个金属化层形成第二金属间化合物，如下文所述。
因此，在用于使熔点低于250℃的材料部分地扩散到涂层57中的扩散步骤之后，涂层57完全地转变成金属间化合物，该金属间化合物能够形成用于所述至少一个金属层55的保护层59。图11中示出其中在盖44上形成层59的示意图。
因此理解的是，层52的一部分被使用，并且在阶段24或26结束时，层52变为层52’，该层52’厚度小但仍具有相同的性质。在步骤24或26结束时，应当理解，所述至少一个层55包括抗氧化的保护层59和层52’，该保护层59例如由金-铟或金-锡合金制成，该层52’为铟或锡层52的不扩散的剩余物，如图11中所示出的。层52可具有在15μm至60μm之间的厚度，并且在所有或部分盖44和/或所有或部分金属化部分49上延伸。
在扩散后，层55保持不变。然而，获得有约为5μm的保护层59和在13.5和58.5μm之间的层52’。可通过例如丝网印刷、电镀或物理气相沉积实现这些沉积。
在图12和13中可见的第二变型中，例如为镍或铜基的金属盖64包括具有单个层的金属化部分69。因此应当理解，盖64形成与上文所提出的说明相关的金属化部分的一部分。金属化部分69因此包括例如金的至少一个金属层75。金属化部分69因此仍为盖64形成抗氧化的保护层。金属层75具有约0.1μm的厚度。
优选地根据本发明，在例如由金形成的层75上沉积其熔点低于250℃的材料的层72。如上文所描述的，熔点低于250℃的材料可为铟或锡。图12中示出其中层72沉积在盖64上的示意图。
层72的厚度是重要的，因为在第一阶段中，该层用于与盖64形成第一金属间化合物，并且在第二阶段中，该层用于与主要部分的至少一个金属化层形成第二金属间化合物，如下文所述。
因此，在用于使熔点低于250℃的材料部分地扩散到涂层75中的扩散步骤之后，涂层75完全地转变成金属间化合物，该金属间化合物能够形成用于所述至少一个金属层64的保护层79。图13中示出其中在盖64上形成层79的示意图。
因此理解的是，层72的一部分被使用，并且在阶段24或26结束时，层72变为厚度较小但仍具有相同的性质的层72’。在步骤24或26结束时，应当理解的是，所述盖64包括抗氧化的保护层79和层72’，该保护层79例如由金-铟或金-锡合金制成，该层72’为铟或锡层72的不扩散的剩余物，如图13中所示出的。层72可具有在15μm至60μm之间的厚度，并且在整个或部分盖64和/或整个或部分金属化部分69上延伸。
在扩散后，盖64的体部保持不变。然而，获得有约为5μm的保护层79和在13.5μm和58.5μm之间的层72’。可通过例如丝网印刷、电镀或物理气相沉积实现这些沉积。
还可能设想在相同的腔10中安装作为石英谐振器5的振荡器电路。此振荡器电路还可具有实时时钟功能(RTC)或其他功能。
还可设想在每个壳体7中安装一个或更多MEMS5或者为壳体7采用例如金属或玻璃的替代材料，而不会背离本发明的范围。同样地，金属化部分9、11的形式绝不限于图1和2的形式。
根据所采用的MEMS技术，阶段22、24和26不完全地独立也是可能的。因此可能设想在形成MEMS5的阶段22—在此情况下MEMS5直接地蚀刻在部分2中—之前执行阶段26，其包括形成中空部分2。
最后，“吸气(吸气剂)”类型的材料可布置在封装装置3中以充当真空泵，即，在例如借助于激光或在加热密封/扩散工艺期间简单地通过温度和时间的使用激活此类型的材料时，提高预制的装置3中的真空度。

Claims (24)

1.用于制造用于微机械电子***(5)的封装装置(3)的方法(21)，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
a)形成所述微机械电子***(5)、一主要部分(2)和一盖(4、44)，该主要部分形成腔(10)；
b)分别在该主要部分(2)和该盖(4、44)上沉积第一和第二金属化部分(9、11、49)，该第一和第二金属化部分分别包括由第一抗氧化材料部(18、19、57)保护的至少一个第一金属部(13、14、15、16、35、55)以及由第二抗氧化材料部(18、19、57)保护的至少一个第二金属部(13、14、15、16、35、55)；
c)仅在第一和第二金属化部分(9、11、49)的一个上沉积熔点低于250℃的材料(12、52)的层(12、52、72)；
d)使该熔点低于250℃的材料(12、52)部分地扩散到仅该第一和第二抗氧化材料部(18、19、57)的一个中，以便完全地将所述第一和第二抗氧化材料部(18、19、57)的一个转变成由所述第一和第二抗氧化材料部(18、19、57)的一个以及所述熔点低于250℃的材料形成的金属间化合物(19)，由此保护该至少一个第一金属部和该至少一个第二金属部(13、14、15、16、35、55)之一，并且留下该熔点低于250℃的材料的未扩散部分(12’、52’)；
e)在所述主要部分(2)的腔(10)中安装(25)所述微机械电子***(5)；
f)靠着所述第一和第二金属化部分(9、11、49)的另一个装配(27)所述熔点低于250℃的材料的未在步骤d)中扩散的部分(12’、52’)；
g)使该熔点低于250℃的材料的未在步骤d)中扩散的部分(12’、52’)完全地扩散(29)到所述第一和第二金属化部分(9、11、49)的另一个中，以便完全地将该熔点低于250℃的材料的未在步骤d)中扩散的部分(12’、52’)转变成由所述第一和第二抗氧化材料部(18、19、57)的另一个、所述熔点低于250℃的材料(12、52)以及所述至少一个第一金属部和至少一个第二金属部(13、14、15、16、35、55)的另一个形成的第二金属间化合物(20)，由此在所述封装装置(3)中气密地封闭所述微机械电子***(5)。
2.根据权利要求1所述的方法(21)，其特征在于，所述第一抗氧化材料部(18、19、57)或所述第二抗氧化材料部(18、19、57)由金制成。
3.根据权利要求2所述的方法(21)，其特征在于，所述第一抗氧化材料部(18、19、57)和所述第二抗氧化材料部(18、19、57)由相同的材料制成。
4.根据权利要求1所述的方法(21)，其特征在于，所述至少一个第一金属部(13、14、15、16、35、55)和所述至少一个第二金属部(15、16、13、14、35、55)各自包括镍、铜或镍-钴。
5.根据权利要求4所述的方法(21)，其特征在于，所述至少一个第一金属部(13、14、15、16、35、55)和所述至少一个第二金属部(15、16、13、14、35、55)由相同的材料制成。
6.根据权利要求1所述的方法(21)，其特征在于，所述方法包括在步骤a)和步骤b)之间的一步骤，该步骤包括沉积用于所述第一和第二金属化部分(9、11、49)中至少一个的粘合层(13、14、33、34)。
7.根据权利要求6所述的方法(21)，其特征在于，所述粘合层(13、14、33、34)包括钼和/或钨和/或钛和/或铬。
8.根据权利要求1所述的方法(21)，其特征在于，所述主要部分(2)和所述盖(4、44、64)由陶瓷和/或金属形成。
9.根据权利要求1所述的方法(21)，其特征在于，在真空或受控气氛中执行所述步骤g)。
10.根据权利要求1所述的方法(21)，其特征在于，所述微机械电子***(5)为石英音叉式谐振器。
11.根据权利要求1所述的方法(21)，其特征在于，所述熔点低于250℃的材料为铟。
12.根据权利要求1所述的方法(21)，其特征在于，所述熔点低于250℃的材料为锡。
13.根据权利要求1所述的方法(21)，其特征在于，在步骤g)之前，该方法包括这样一步骤，即，该步骤包括在封装装置(3)中布置吸气材料以便提高该封装装置中的真空度。
14.电子部件(1)，包括从根据权利要求1至13中任一项所述的方法(21)获得的封装装置(3)，所述封装装置包括壳体(7)，所述壳体(7)包括形成腔(10)的主要部分(2)，该腔接纳微机械电子***(5)，该主要部分(2)由盖(4、44)借助于密封装置(6)气密地封闭，其特征在于，该密封装置(6)包括由第一金属间化合物(19’、39’、59)和邻近所述第一金属间化合物(19’、39’、59)的第二金属间化合物(20、40)保护的至少一个第一金属部(13、14、15、16、35、55)，该第一金属间化合物由第一抗氧化材料部(18、19、57)与一熔点低于250℃的材料(12、52)形成，该第二金属间化合物由第二抗氧化材料部(18、19、57)、所述熔点低于250℃的材料以及至少一个第二金属部(15、16、13、14、35、55)形成，以便在该封装装置(3)内气密地密封该微机械电子***(5)。
15.根据权利要求14所述的电子部件(1)，其特征在于，所述第一抗氧化材料部(18、19、57)或者所述第二抗氧化材料部(18、19、57)由金制成。
16.根据权利要求15所述的电子部件(1)，其特征在于，所述第一抗氧化材料部(18、19、57)和所述第二抗氧化材料部(18、19、57)由相同的材料制成。
17.根据权利要求14所述的电子部件(1)，其特征在于，所述至少一个第一金属部(13、14、15、16、35、55)和所述至少一个第二金属部(15、16、13、14、35、55)各自包括镍、铜或镍-钴。
18.根据权利要求17所述的电子部件(1)，其特征在于，所述至少一个第一金属部(13、14、15、16、35、55)和所述至少一个第二金属部(15、16、13、14、35、55)由相同的材料形成。
19.根据权利要求14所述的电子部件(1)，其特征在于，该密封装置(6)包括用于粘合至该壳体(7)至少一个粘合层(13、14、33、34)。
20.根据权利要求14所述的电子部件(1)，其特征在于，所述熔点低于250℃的所述材料为铟。
21.根据权利要求14所述的电子部件(1)，其特征在于，所述熔点低于250℃的材料为锡。
22.根据权利要求14所述的电子部件(1)，其特征在于，所述壳体(7)由陶瓷和/或金属形成。
23.根据权利要求14所述的电子部件(1)，其特征在于，所述腔(10)处于真空或受控气氛中。
24.根据权利要求14所述的电子部件(1)，其特征在于，在该封装装置(3)中布置有吸气材料以便提高该封装装置中的真空度。
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