CN103956981B - 一种消除直流失调电压的运算放大器电路 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种消除直流失调电压的运算放大器电路，包括两个跨导增益单元、一个阻抗单元、四个开关、三个电容，其中第一跨导增益单元包括4个P型MOS管，第二跨导增益单元包含3个N型MOS管，它们采用尾电流偏置的差分对输入结构，将差分输入转化为电流；阻抗单元包含4个P型MOS管和4个N型MOS管，采用单端输出的套筒式共源共栅结构，将电流转化为电压并获得足够的增益；电容存储因工艺偏差等因素引起的失调信号，在开关控制闭环下实现直流失调的负反馈，本发明提出的差分输入单端输出运算放大器，通过电容采样失调信号，能有有效解决工艺偏差等因素导致的直流失调问题，电路结构简单，能和标准CMOS工艺兼容，易于应用。
Description
技术领域
本发明涉及一种运算放大器电路，尤其涉及一种消除直流失调电压的运算放大器电路。
背景技术
如果运放输入端电压为0V，则输出端电压也应该为0V，但事实上，输入端为0V时输出端总有一定电压，该电压称为失调电压。近年来消费电子市场膨胀，集成电路电源领域也飞速发展，伴随产品性能要求越来越高，对作为电源核心的基准电压要求越来越苛刻。应用于带隙基准电路中的运算放大器，其失调电压往往被放大并且体现在基准输出上，对基准精度影响很大，因此需要采取措施消除运放的直流失调。
发明内容
有鉴于现有技术的缺陷，本发明提供一种消除直流失调电压的运算放大器电路，包括第一跨导增益单元、第二跨导增益单元、阻抗单元、开关和电容；
所述第一跨导增益单元(1)包括4个P型MOS管，分别为P型MOS管(MP1)、P型MOS管(MP2)、P型MOS管(MP3)和P型MOS管(MP4)，所述第一跨导增益单元(1)是共源共栅偏置做尾电流源式的差分输入结构，将差分输入电压转化为电流，所述P型MOS管(MP1)的漏极接所述P型MOS管(MP2)的源极，所述P型MOS管(MP1)的栅极接偏置电压(Vpb1)，所述P型MOS管(MP2)的栅极接偏置电压(Vpb2)，所述P型MOS管(MP3)的源级、所述P型MOS管(MP4)的源级和所述P型MOS管(MP2)的漏级相连，所述P型MOS管(MP3)的栅极和所述P型MOS管(MP4)的栅极分别接放大器电路的差分输入端Vin和Vip；
所述第二跨导增益单元(2)包括3个N型MOS管，分别为N型MOS管(MN1)、N型MOS管(MN2)和N型MOS管(MN3)，所述第二跨导增益单元是尾电流偏置的差分对结构，所述N型MOS管(MN1)的源极、所述N型MOS管(MN2)的源极和所述N型MOS管(MN3)的漏级接在一起，所述N型MOS管(MN3)的栅极接偏置电压(Vnb1)；
所述阻抗单元包含4个P型MOS管，分别为P型MOS管(MP5)、P型MOS管(MP6)、P型MOS管(MP7)和P型MOS管(MP8)，和4个N型MOS管，分别为N型MOS管(MN4)、N型MOS管(MN5)、N型MOS管(MN6)和N型MOS管(MN7)，所述阻抗单元是单端输出的套筒式共源共栅结构，将电流信号转化为电压信号，并产生足够的增益，所述P型MOS管(MP5)的漏级接所述P型MOS管(MP6)的源极，所述P型MOS管(MP7)的漏级接所述P型MOS管(MP8)的源极，所述P型MOS管(MP5)的栅极、所述P型MOS管(MP7)的栅极与所述偏置电压(Vpb1)连接，所述P型MOS管(MP6)的栅极、所述P型MOS管(MP8)的栅极与偏置电压(Vpb2)连接，所述P型MOS管(MP6)的漏级、所述N型MOS管(MN4)的栅极、所述N型MOS管(MN4)的漏级以及所述N型MOS管(MN5)的栅极接在一起，所述N型MOS管(MN4)的源极、所述N型MOS管(MN6)的栅极、所述N型MOS管(MN6)的漏级以及所述N型MOS管(MN7)的栅极接在一起，所述N型MOS管(MN5)的源极和所述N型MOS管(MN7)的漏级接在一起。
所述开关控制运算放大器电路的工作模式，在采样阶段，运算放大器电路对失调信号进行采样并将失调信号存储在电容上，在失调消除阶段，运算放大器电路形成直流失调的负反馈，减小运算放大信号的的失调。
进一步地，所述第一跨导增益单元中所述P型MOS管(MP3)的漏极与所述N型MOS管(MN4)的源极、N型MOS管(MN6)的栅极、N型MOS管(MN6)的漏级相连，P型MOS管(MP4)的漏极与N型MOS管(MN5)的源极和N型MOS管(MN7)的漏级相连。
进一步地，所述第二跨导增益单元中所述N型MOS管(MN1)的漏极与所述阻抗单元中所述P型MOS管(MP5)的漏极和所述P型MOS管(MP6)的源极相连，所述N型MOS管(MN2)的漏极与所述P型MOS管(MP7)的漏极和所述P型MOS管(MP8)的源极相连。
进一步地，所述开关为时钟控制开关，数量为4个，分别为开关(S1)、开关(S2)、开关(S3)和开关(S4)，为匹配开关，所述开关(S1)、所述开关(S3)和所述开关(S4)是同向时钟控制开关，所述开关(S2)是与S1、S3、S4反向且不交叠的时钟控制开关。
进一步地，所述电容的数量为3个，分别为电容(C1)、电容(C2)和电容(C3)，为匹配电容，电容(C3)的电容量大于所述电容(C1)和所述电容(C2)的电容量，电容(C3)为大电容。
进一步地，所述开关(S1)的两端分别与所述第一跨导增益单元中的所述P型MOS管(MP4)的栅极和所述P型MOS管(MP3)的栅极相连，所述开关(S2)的两端分别与所述P型MOS管(MP8)的漏极和输出端(Vout)相连，所述开关(S3)的两端分别与所述P型MOS管(MP8)的漏极和所述电容(C1)的正极相连，所述开关(S4)分别与所述输出端(Vout)和所述电容(C2)的正极相连，所述电容(C3)的正极与所述输出端(Vout)相连，和地(GND)相连。
本发明提供的一种消除直流失调电压的运算放大器电路，包括两个跨导增益单元、一个阻抗单元、四个开关、三个电容，其中第一跨导增益单元包括4个P型MOS管，第二跨导增益单元包含3个N型MOS管，它们采用尾电流偏置的差分对输入结构，将差分输入转化为电流；阻抗单元包含4个P型MOS管和4个N型MOS管，采用单端输出的套筒式共源共栅结构，将电流转化为电压并获得足够的增益；电容存储因工艺偏差等因素引起的失调信号，在开关控制闭环下实现直流失调的负反馈，从而实现放大器低的直流失调。本发明实现了一种差分输入单端输出运算放大器，通过电容采样失调信号，能够有效解决工艺偏差等因素导致的直流失调问题，电路结构简单，能和标准CMOS工艺兼容，易于应用。
以下将结合附图对本发明的构思、具体结构及产生的技术效果作进一步说明，以充分地了解本发明的目的、特征和效果。
附图说明
图1是本发明的一个较佳具体实施例的电路图；
图2是本发明的一个较佳具体实施例在工作过程中开关的状态。
具体实施方式
图1为本发明的一个较佳具体实施例的电路图，即一种消除直流失调电压的运算放大器电路的电路图，包括第一跨导增益单元1、第二跨导增益单元2、阻抗单元3、开关和电容；第一跨导增益单元包括4个P型MOS管，分别为P型MOS管MP1、P型MOS管MP2、P型MOS管MP3和P型MOS管MP4，第一跨导增益单元是共源共栅偏置做尾电流源式的差分输入结构，将差分输入电压转化为电流，P型MOS管MP1的漏极接P型MOS管MP2的源极，P型MOS管MP1的栅极接偏置电压Vpb1，P型MOS管MP2的栅极接偏置电压Vpb2，P型MOS管MP3的源级、P型MOS管MP4的源级和P型MOS管MP2的漏级相连，P型MOS管MP3的栅极和P型MOS管MP4的栅极分别接放大器电路的差分输入端Vin和Vip；第二跨导增益单元包括3个N型MOS管，分别为N型MOS管MN1、N型MOS管MN2和N型MOS管MN3，第二跨导增益单元是尾电流偏置的差分对结构，N型MOS管MN1的源极、N型MOS管MN2的源极和N型MOS管MN3的漏级接在一起，N型MOS管MN3的栅极接偏置电压Vnb1；阻抗单元包含4个P型MOS管，分别为P型MOS管MP5、P型MOS管MP6、P型MOS管MP7和P型MOS管MP8，和4个N型MOS管，分别为N型MOS管MN4、N型MOS管MN5、N型MOS管(MN6)和N型MOS管(MN7)，阻抗单元是单端输出的套筒式共源共栅结构，将电流信号转化为电压信号，并产生足够的增益，P型MOS管MP5的漏级接P型MOS管MP6的源极，P型MOS管MP7的漏级接P型MOS管MP8的源极，P型MOS管MP5的栅极、P型MOS管MP7的栅极与偏置电压Vpb1连接，P型MOS管MP6的栅极、P型MOS管MP8的栅极与偏置电压Vpb2连接，P型MOS管MP6的漏级、N型MOS管MN4的栅极、N型MOS管MN4的漏级以及N型MOS管MN5的栅极接在一起，N型MOS管(MN4)的源极、N型MOS管MN6的栅极、N型MOS管MN6的漏级以及N型MOS管MN7的栅极接在一起，N型MOS管MN5的源极和N型MOS管MN7的漏级接在一起。开关控制运算放大器电路的工作模式，在采样阶段，运算放大器电路对失调信号进行采样并将失调信号存储在电容上，在失调消除阶段，运算放大器电路形成直流失调的负反馈，减小运算放大信号的的失调。第一跨导增益单元中P型MOS管MP3的漏极与MN4源极、MN6栅极、MN6漏级相连，MP4漏极与MN5源极、MN7漏级相连；第二跨导增益单元中N型MOS管MN1的漏极与阻抗单元中P型MOS管MP5的漏极和P型MOS管MP6的源极相连，N型MOS管MN2的漏极与P型MOS管(MP7)的漏极和P型MOS管(MP8)的源极相连。开关为时钟控制开关，数量为4个，分别为开关S1、开关S2、开关S3和开关S4，为匹配开关，开关S1、开关S3和开关S4是同向时钟控制开关，开关S2是与S1、S3、S4反向且不交叠的时钟控制开关。电容的数量为3个，分别为电容C1、电容C2和电容C3，为匹配电容，电容C3的电容量大于电容C1和电容C2的电容量，电容C3为大电容。开关S1的两端分别与第一跨导增益单元中的P型MOS管MP4的栅极和P型MOS管MP3的栅极相连，开关S2的两端分别与P型MOS管MP8的漏极和输出端Vout相连，开关S3的两端分别与P型MOS管MP8的漏极和电容C1的正极相连，开关S4分别与输出端Vout和电容C2的正极相连，电容C3的正极与输出端Vout相连，和地GND相连。
如图2所示为消除直流失调电压的运算放大器电路工作过程中开关的状态，其中开关断开时电平高，开关闭合电平低。在T1时间段，开关S1、开关S3、开关S4闭合，开关S2断开，这一阶段为失调采样阶段，运算放大器的输入电压为0，可认为由于工艺误差等因素导致的失调电压是运放的输入，电容C3是大电容，从而电容C2上的电压也是固定的，运算放大器的失调电压被电容C1和电容C2采样；在T2时间段，开关S1、开关S3和开关S4断开，开关S2闭合，运算放大器在正常放大模式下，第一跨导增益单元中P型MOS管MP3的栅极和P型MOS管MP4的栅极分别接运算放大器的差分输入端Vin和Vip，存储在电容C1和电容C2上的直流失调电压形成了直流失调的负反馈，从而减小直流失调对运算放大器的影响。T3时间段电路工作和T1时间段相同，T4时间段电路工作和T2时间段相同，经过多个周期的迭代能逐渐消除运算放大器的直流失调。
以上详细描述了本发明的较佳具体实施例，实现了一种差分输入单端输出的运算放大器，通过电容采样失调信号，能够有效解决工艺偏差等因素导致的直流失调问题，电路结构简单，能和标准CMOS工艺兼容，易于应用。
应当理解，本领域的普通技术无需创造性劳动就可以根据本发明的构思作出诸多修改和变化。因此，凡本技术领域中技术人员依本发明的构思在现有技术的基础上通过逻辑分析、推理或者有限的实验可以得到的技术方案，皆应在由权利要求书所确定的保护范围内。
Claims (6)
1.一种消除直流失调电压的运算放大器电路，其特征在于：包括第一跨导增益单元(1)、第二跨导增益单元(2)、阻抗单元(3)、开关和电容；所述第一跨导增益单元(1)和所述第二跨导增益单元(2)均分别与所述阻抗单元(3)电连接；
所述第一跨导增益单元(1)包括4个P型MOS管，分别为P型MOS管(MP1)、P型MOS管(MP2)、P型MOS管(MP3)和P型MOS管(MP4)，所述第一跨导增益单元(1)是共源共栅偏置做尾电流源式的差分输入结构，将差分输入电压转化为电流，所述P型MOS管(MP1)的漏极接所述P型MOS管(MP2)的源极，所述P型MOS管(MP1)的栅极接偏置电压(Vpb1)，所述P型MOS管(MP2)的栅极接偏置电压(Vpb2)，所述P型MOS管(MP3)的源级、所述P型MOS管(MP4)的源级和所述P型MOS管(MP2)的漏级相连，所述P型MOS管(MP3)的栅极和所述P型MOS管(MP4)的栅极分别接放大器电路的差分输入端(Vin)和(Vip)；
所述第二跨导增益单元(2)包括3个N型MOS管，分别为N型MOS管(MN1)、N型MOS管(MN2)和N型MOS管(MN3)，所述第二跨导增益单元(2)是尾电流偏置的差分对结构，所述N型MOS管(MN1)的源极、所述N型MOS管(MN2)的源极和所述N型MOS管(MN3)的漏级接在一起，所述N型MOS管(MN3)的栅极接偏置电压(Vnb1)；
所述阻抗单元(3)包含4个P型MOS管，分别为P型MOS管(MP5)、P型MOS管(MP6)、P型MOS管(MP7)和P型MOS管(MP8)，和4个N型MOS管，分别为N型MOS管(MN4)、N型MOS管(MN5)、N型MOS管(MN6)和N型MOS管(MN7)，所述阻抗单元(3)是单端输出的套筒式共源共栅结构，将电流信号转化为电压信号，并产生足够的增益，所述P型MOS管(MP5)的漏级接所述P型MOS管(MP6)的源极，所述P型MOS管(MP7)的漏级接所述P型MOS管(MP8)的源极，所述P型MOS管(MP5)的栅极、所述P型MOS管(MP7)的栅极与所述偏置电压(Vpb1)连接，所述P型MOS管(MP6)的栅极、所述P型MOS管(MP8)的栅极与偏置电压(Vpb2)连接，所述P型MOS管(MP6)的漏级、所述N型MOS管(MN4)的栅极、所述N型MOS管(MN4)的漏级以及所述N型MOS管(MN5)的栅极接在一起，所述N型MOS管(MN4)的源极、所述N型MOS管(MN6)的栅极、所述N型MOS管(MN6)的漏级以及所述N型MOS管(MN7)的栅极接在一起，所述N型MOS管(MN5)的源极和所述N型MOS管(MN7)的漏级接在一起。
2.如权利要求1所述的一种消除直流失调电压的运算放大器电路，其特征在于，所述第一跨导增益单元(1)中所述P型MOS管(MP3)的漏极与所述N型MOS管(MN4)的源极、N型MOS管(MN6)的栅极、N型MOS管(MN6)的漏级相连，P型MOS管(MP4)的漏极与N型MOS管(MN5)的源极和N型MOS管(MN7)的漏级相连。
3.如权利要求1所述的一种消除直流失调电压的运算放大器电路，其特征在于，所述第二跨导增益单元(2)中所述N型MOS管(MN1)的漏极与所述阻抗单元(3)中所述P型MOS管(MP5)的漏极和所述P型MOS管(MP6)的源极相连，所述N型MOS管(MN2)的漏极与所述P型MOS管(MP7)的漏极和所述P型MOS管(MP8)的源极相连。
4.如权利要求1所述的一种消除直流失调电压的运算放大器电路，其特征在于，所述开关为时钟控制开关，数量为4个，分别为开关(S1)、开关(S2)、开关(S3)和开关(S4)，为匹配开关，所述开关(S1)、所述开关(S3)和所述开关(S4)是同向时钟控制开关，所述开关(S2)是与开关(S1)、开关(S3)、开关(S4)反向且不交叠的时钟控制开关。
5.如权利要求4所述的一种消除直流失调电压的运算放大器电路，其特征在于，所述电容的数量为3个，分别为电容(C1)、电容(C2)和电容(C3)，为匹配电容，电容(C3)的电容量大于所述电容(C1)和所述电容(C2)的电容量。
6.如权利要求5所述的一种消除直流失调电压的运算放大器电路，其特征在于，所述开关(S1)的两端分别与所述第一跨导增益单元(1)中的所述P型MOS管(MP4)的栅极和所述P型MOS管(MP3)的栅极相连，所述开关(S2)的两端分别与所述P型MOS管(MP8)的漏极和输出端(Vout)相连，所述开关(S3)的两端分别与所述P型MOS管(MP8)的漏极和所述电容(C1)的正极相连，所述开关(S4)分别与所述输出端(Vout)和所述电容(C2)的正极相连，所述电容(C3)的正极与所述输出端(Vout)相连，和地(GND)相连。
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Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101217263A (zh) * | 2008-01-17 | 2008-07-09 | 埃派克森微电子有限公司 | 放大器直流失调电压的补偿方法与装置 |
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101217263A (zh) * | 2008-01-17 | 2008-07-09 | 埃派克森微电子有限公司 | 放大器直流失调电压的补偿方法与装置 |
| CN101976095A (zh) * | 2010-11-19 | 2011-02-16 | 长沙景嘉微电子有限公司 | 一种基于发射极电流补偿的高精度带隙基准源电路 |
| CN103066934A (zh) * | 2012-12-20 | 2013-04-24 | 西安电子科技大学 | 用于红外接收器中的可变增益运算放大器 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| 一种低功耗混合信号直流失调消除电路;杨利君 等;《微电子学》;20111031;第41卷(第5期);第649-653页 * |
| 直接变频接收机直流失调消除技术;雷倩倩 等;《微电子学》;20120630;第42卷(第3期);第347-351页 * |
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| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |