CN103943719A - 一种采用预氧结合低温-高温-低温的变温扩散方式对磷掺杂浓度进行控制的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种采用预氧结合低温-高温-低温的变温扩散方式对磷掺杂浓度进行控制的方法，该方法包含预氧化与低温-高温-低温三步变温扩散过程，该工艺通过对温度梯度进行优化，能精确控制磷掺杂浓度梯度，获得良好的PN结以及方阻均匀性，提高太阳能电池的转换效率。

Description

一种采用预氧结合低温-高温-低温的变温扩散方式对磷掺杂浓度进行控制的方法
技术领域
本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及一种采用预氧结合低温-高温-低温的变温扩散方式对磷掺杂浓度进行控制的方法。 
背景技术
目前传统太阳能电池制造中通常采用磷扩散工艺制备PN结，PN结的性能直接影响到电池的转换效率，而扩散工艺的优劣起到了关键作用。随着多晶硅电池转换效率的不断提升，浅结高方阻成为主要发展方向，扩散工艺也从单一步骤的恒温扩散发展为三步变温扩散。高的扩散方阻可以降低表面复合速率，提高有效少子寿命和电池的短波响应，但同时也会导致方阻均匀性较差，局部出现PN结烧穿漏电现象，对设备的控制精度要求较高，而三步变温扩散工艺可以有效的改善方阻的均匀性，提高工艺的稳定性。 
然而，常见的三步变温扩散工艺仅仅是对单步扩散工艺进行简单的拆分，温度梯度设置方式为单一的升温，具体如图1-2中所示，虽然方阻均匀性起到一定的改善作用，但PN结的特性没有得到本质上的优化，无法获得明显的电池转换效率提升。 
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种变温扩散工艺，该工艺通过对温度梯度进行优化，能精确控制磷掺杂浓度梯度，获得良好的PN结以及方阻均匀性，提高太阳能电池的转换效率。 
本发明所要解决的技术问题通过以下技术方案来实现：一种采用预氧结合低温-高温-低温的变温扩散方式对磷掺杂浓度进行控制的方法，含以下步骤： 
（1）进舟，将制绒后的硅片在700~800℃条件下，通入氧气和大氮进行预氧化，氧化时间为3~10min；
（2）调节温度为700~800℃，通入携带磷源的小氮、大氮和氧气进行沉积、扩散推结，时间为10~30min；
（3）升温至800~860℃，通入携带磷源的小氮、大氮和氧气进行沉积、扩散推结，时间为10~20min；
（4）降温至700~800℃，通入携带磷源的小氮、大氮和氧气进行沉积、扩散推结，时间为5~15min；
（5）进行降温出舟。
在上述各步骤中： 
本发明步骤（1）中氧气的流量为1800~2200sccm/min，大氮的流量为13000~20000sccm/min。
本发明步骤（2）中小氮的流量为600~1000sccm/min，大氮的流量为13000~20000sccm/min，氧气的流量为200~500 sccm/min。 
本发明步骤（3）中小氮的流量为700~1200sccm/min，大氮的流量为13000~20000sccm/min，氧气的流量为200~500 sccm/min。 
本发明步骤（4）中小氮的流量为700~1200sccm/min，大氮的流量为13000~20000sccm/min，氧气的流量为200~500 sccm/min。 
本发明预氧化处理主要是在硅片表面形成一层氧化层，可以改善磷杂质扩散均匀性，同时作为一层掩膜层可以有效的控制表面扩散浓度。 
由于多晶硅在铸造过程中会产生较高密度的晶界、位错、微缺陷等结构缺陷和大量的金属杂质，这些金属杂质都会成为深的能级形成复合中心，从而影响电池转换效率。而本发明通过变温设置可以实现良好的吸杂效果，即在高温快速有效的溶解金属沉淀或金属复合体，而接下来进行的降温过程，极大地增加杂质原子在吸杂区域的分凝，使杂质原子有充分时间运动到硅片表面，从而显著改善硅材料性能。同时，降温设置可以减少长时间高温过程对硅片的损伤，形成新的复合中心。 
与现有技术相比，本发明具有以下优点：本发明通过预氧结合三步变温扩散工艺，能精确控制磷掺杂浓度梯度，获得良好的PN结特性以及方阻均匀性，提高太阳能电池转换效率。 
附图说明
图1为常规太阳电池单步恒温扩散工艺温度梯度示意图； 
图2为常规太阳电池三步变温扩散工艺温度梯度示意图； 
图3为本发明太阳电池三步变温扩散工艺温度梯度示意图； 
图中①②③所指示温度平台表示扩散工艺中磷源沉积推结步骤，不包含其他升温、降温等辅助工艺步骤；
图4为本发明扩散工艺及常规三步扩散工艺ECV曲线对比示意图，其中虚线为本发明扩散工艺ECV曲线，实线为常规三步扩散工艺ECV曲线。
具体实施方式
以下结合实例对本发明进行说明，需要指出的是，实施例只用于对本发明作进一步说明，不代表本发明的保护范围，其他人根据本发明的提示做出的非本质的修改和调整，仍属于本发明的保护范围。 
实施例1
如图3所示，以多晶硅片为例： 
（1）将制绒后硅片进舟，在低温750℃条件下，通入2000sccm/min氧气和15000sccm/min大氮进行预氧化，氧化时间为7min； 
（2）温度控制在750℃条件下，通入800sccm/min携带磷源的小氮、 15000sccm/min大氮和200sccm/min氧气进行沉积、扩散推结，时间为20min；
（3）升温至825℃，通入900sccm/min携带磷源的小氮、 15000sccm/min大氮和300sccm/min氧气进行沉积、扩散推结，时间为15min； 
（4）降温至765 ℃，通入900sccm/min携带磷源的小氮、 15000sccm/min大氮和300sccm/min氧气进行沉积、扩散推结，时间为7min； 
（5）进行降温出舟。
采用本实施例中的变温工艺，能够通过精确控制磷掺杂浓度梯度实现ECV曲线变化（如图4中所示），本实施例所获得的ECV曲线具有低表面浓度、浅结、高有效掺杂浓度的特点，从而具有良好的PN结特性。同时，采用本实施例中的技术方案，还可以获得良好的方阻均匀性，通过四探针测试25点方阻值发现，采用常规三步扩散工艺（见图2）std在4-5左右，而采用本实施例中的变温技术可以实现std在3-4左右。PN结特性及方阻均匀性得到本质上的改善，太阳能电池的转换效率也会相应得到提高，电性能对比数据及工艺方阻测试值见表1、表2。 
表1 采用本实施例工艺与常规三步扩散工艺制备的太阳能电池电性能指标对比 
表2采用本实施例工艺与常规三步扩散工艺制备的太阳能电池各项性能指标对比
实施例2
如图3所示，以多晶硅片为例： 
（1）将制绒后硅片进舟，在低温750℃条件下，通入2000sccm/min氧气和15000sccm/min大氮进行预氧化，氧化时间为7min； 
（2）温度控制在770℃条件下，通入750sccm/min携带磷源的小氮、 15000sccm/min大氮和200sccm/min氧气进行沉积、扩散推结，时间为20min； 
（3）升温至830℃，通入800sccm/min携带磷源的小氮、 15000sccm/min大氮和300sccm/min氧气进行沉积、扩散推结，时间为15min； 
（4）降温至790 ℃，通入800sccm/min携带磷源的小氮、 15000sccm/min大氮和300sccm/min氧气进行沉积、扩散推结，时间为7min； 
（5）进行降温出舟。
实施例3
如图3所示，以多晶硅片为例： 
（1）将制绒后硅片进舟，在低温750℃条件下，通入2000sccm/min氧气和15000sccm/min大氮进行预氧化，氧化时间为7min； 
（2）温度控制在750℃条件下，通入700sccm/min携带磷源的小氮、 16000sccm/min大氮和200sccm/min氧气进行沉积、扩散推结，时间为25min； 
（3）升温至825℃，通入800sccm/min携带磷源的小氮、 16000sccm/min大氮和300sccm/min氧气进行沉积、扩散推结，时间为17min； 
（4）降温至765 ℃，通入800sccm/min携带磷源的小氮、 16000sccm/min大氮和300sccm/min氧气进行沉积、扩散推结，时间为9min；
（5）进行降温出舟。

Claims (5)

1.一种采用预氧结合低温-高温-低温的变温扩散方式对磷掺杂浓度进行控制的方法，其特征是含以下步骤：
（1）进舟，将制绒后的硅片在700~800℃条件下，通入氧气和大氮进行预氧化，氧化时间为3~10min；
（2）调节温度为700~800℃，通入携带磷源的小氮、大氮和氧气进行沉积、扩散推结，时间为10~30min；
（3）升温至800~860℃，通入携带磷源的小氮、大氮和氧气进行沉积、扩散推结，时间为10~20min；
（4）降温至700~800℃，通入携带磷源的小氮、大氮和氧气进行沉积、扩散推结，时间为5~15min；
（5）进行降温出舟。
2.根据权利要求1所述的采用预氧结合低温-高温-低温的变温扩散方式对磷掺杂浓度进行控制的方法，其特征是：步骤（1）中氧气的流量为1800~2200sccm/min，大氮的流量为13000~20000sccm/min。
3.根据权利要求1所述的采用预氧结合低温-高温-低温的变温扩散方式对磷掺杂浓度进行控制的方法，其特征是：步骤（2）中小氮的流量为600~1000sccm/min，大氮的流量为13000~20000 sccm/min，氧气的流量为200~500 sccm/min。
4.根据权利要求1所述的采用预氧结合低温-高温-低温的变温扩散方式对磷掺杂浓度进行控制的方法，其特征是：步骤（3）中小氮的流量为700~1200sccm/min，大氮的流量为13000~20000 sccm/min，氧气的流量为200~500 sccm/min。
5.根据权利要求1所述的采用预氧结合低温-高温-低温的变温扩散方式对磷掺杂浓度进行控制的方法，其特征是：步骤（4）中小氮的流量为700~1200sccm/min，大氮的流量为13000~20000 sccm/min，氧气的流量为200~500 sccm/min。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104143502A (zh) * 2014-07-31 2014-11-12 无锡赛晶太阳能有限公司 一种低浓度磷掺杂工艺
CN104409339A (zh) * 2014-11-12 2015-03-11 浙江晶科能源有限公司 一种硅片的p扩散方法和太阳能电池的制备方法
CN105280484A (zh) * 2015-06-05 2016-01-27 常州天合光能有限公司 一种晶硅高效高方阻电池片的扩散工艺
CN106159034A (zh) * 2015-04-08 2016-11-23 司红康 一种硅太阳能电池制结工艺
CN109616543A (zh) * 2017-09-04 2019-04-12 通威太阳能（成都）有限公司 太阳能电池片扩散工艺
CN109935645A (zh) * 2019-02-27 2019-06-25 镇江仁德新能源科技有限公司 一种干法黑硅片的高效量产制备方法
CN111883421A (zh) * 2020-07-21 2020-11-03 湖南红太阳新能源科技有限公司 一种基于源瓶控压可调实现低压高方阻的扩散方法
CN112582499A (zh) * 2020-11-30 2021-03-30 中建材浚鑫科技有限公司 一种适用于多主栅搭配大尺寸硅片的扩散工艺
CN114695598A (zh) * 2022-03-24 2022-07-01 横店集团东磁股份有限公司 一种浅结扩散发射极的晶硅太阳能电池的制备方法及其应用

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000036467A (ja) * 1998-07-17 2000-02-02 Kokusai Electric Co Ltd リン拡散方法
CN102509748A (zh) * 2011-11-30 2012-06-20 合肥晶澳太阳能科技有限公司 一种降低冶金级硅太阳能电池暗电流的扩散工艺
CN102719894A (zh) * 2012-05-22 2012-10-10 江苏顺风光电科技有限公司 太阳能电池硅片的磷扩散工艺
CN102810598A (zh) * 2012-07-31 2012-12-05 江苏顺风光电科技有限公司 太阳能电池扩散退火工艺
CN102820383A (zh) * 2012-09-11 2012-12-12 江阴鑫辉太阳能有限公司 多晶硅太阳能电池扩散方法
CN103151421A (zh) * 2013-01-31 2013-06-12 青海聚能电力有限公司 晶体硅太阳能电池的浅浓度扩散工艺

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000036467A (ja) * 1998-07-17 2000-02-02 Kokusai Electric Co Ltd リン拡散方法
CN102509748A (zh) * 2011-11-30 2012-06-20 合肥晶澳太阳能科技有限公司 一种降低冶金级硅太阳能电池暗电流的扩散工艺
CN102719894A (zh) * 2012-05-22 2012-10-10 江苏顺风光电科技有限公司 太阳能电池硅片的磷扩散工艺
CN102810598A (zh) * 2012-07-31 2012-12-05 江苏顺风光电科技有限公司 太阳能电池扩散退火工艺
CN102820383A (zh) * 2012-09-11 2012-12-12 江阴鑫辉太阳能有限公司 多晶硅太阳能电池扩散方法
CN103151421A (zh) * 2013-01-31 2013-06-12 青海聚能电力有限公司 晶体硅太阳能电池的浅浓度扩散工艺

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104143502A (zh) * 2014-07-31 2014-11-12 无锡赛晶太阳能有限公司 一种低浓度磷掺杂工艺
CN104409339A (zh) * 2014-11-12 2015-03-11 浙江晶科能源有限公司 一种硅片的p扩散方法和太阳能电池的制备方法
CN104409339B (zh) * 2014-11-12 2017-03-15 浙江晶科能源有限公司 一种硅片的p扩散方法和太阳能电池的制备方法
CN106159034A (zh) * 2015-04-08 2016-11-23 司红康 一种硅太阳能电池制结工艺
CN106159034B (zh) * 2015-04-08 2017-07-14 安徽康力节能电器科技有限公司 一种硅太阳能电池制结工艺
CN105280484A (zh) * 2015-06-05 2016-01-27 常州天合光能有限公司 一种晶硅高效高方阻电池片的扩散工艺
CN105280484B (zh) * 2015-06-05 2018-11-30 天合光能股份有限公司 一种晶硅高效高方阻电池片的扩散工艺
CN109616543A (zh) * 2017-09-04 2019-04-12 通威太阳能（成都）有限公司 太阳能电池片扩散工艺
CN109935645A (zh) * 2019-02-27 2019-06-25 镇江仁德新能源科技有限公司 一种干法黑硅片的高效量产制备方法
CN111883421A (zh) * 2020-07-21 2020-11-03 湖南红太阳新能源科技有限公司 一种基于源瓶控压可调实现低压高方阻的扩散方法
CN111883421B (zh) * 2020-07-21 2024-04-02 湖南红太阳新能源科技有限公司 一种基于源瓶控压可调实现低压高方阻的扩散方法
CN112582499A (zh) * 2020-11-30 2021-03-30 中建材浚鑫科技有限公司 一种适用于多主栅搭配大尺寸硅片的扩散工艺
CN112582499B (zh) * 2020-11-30 2022-09-23 中建材浚鑫科技有限公司 一种适用于多主栅搭配大尺寸硅片的扩散工艺
CN114695598A (zh) * 2022-03-24 2022-07-01 横店集团东磁股份有限公司 一种浅结扩散发射极的晶硅太阳能电池的制备方法及其应用
CN114695598B (zh) * 2022-03-24 2023-07-25 横店集团东磁股份有限公司 一种浅结扩散发射极的晶硅太阳能电池的制备方法及其应用
WO2023179021A1 (zh) 2022-03-24 2023-09-28 横店集团东磁股份有限公司 一种浅结扩散发射极的晶硅太阳能电池的制备方法及其应用

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