CN103941908B - 一种触摸屏显示面板以及触摸屏显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种触摸屏显示面板以及触摸屏显示装置,其中,触摸屏显示面板包括:多条驱动电极、与驱动电极绝缘的多条感应电极、多条驱动电极引线、多条感应电极引线、多个第一外部端子和多个第二外部端子,设置于彩膜基板上,其中,驱动电极通过驱动电极引线与第一外部端子连接,感应电极通过感应电极引线与第二外部端子连接;多个与第一外部端子对应设置且与其电连接的第三外部端子、多个与第二外部端子对应设置且与其电连接的第四外部端子、公共电极线以及静电防护单元,设置于TFT阵列基板上,并且第三外部端子和第四外部端子通过静电防护单元与公共电极线连接。本发明能够实现对驱动电极和感应电极的静电保护。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种触摸屏显示面板以及触摸屏显示装置。
背景技术
静电放电(Electrostatic Discharge,简称ESD)会以极高的强度迅速发生,击穿半导体器件,或者产生足够的热量融化半导体器件,这种危害通常在不易察觉的情况下引起部分元器件的降级或者报废,带来极大的经济损失。因此,静电放电会给电子产品带来致命的危害,它不仅降低了产品的可靠性,还增加了维修成本。每年静电放电引起的损害给世界的电子制造工业带来每年数十亿美元的代价。
发明内容
本发明实施例提供一种触摸屏显示面板以及触摸屏显示装置,解决了现有技术中由于静电引发驱动电极或感应电极的破坏情况并造成良品率降低的技术问题。
第一方面,本发明实施例提供了一种触摸屏显示面板,包括:
彩膜基板;
与所述彩膜基板相对设置的TFT阵列基板;
多条驱动电极以及与所述驱动电极绝缘的多条感应电极,设置于所述彩膜基板上;
多条驱动电极引线、多条感应电极引线、多个第一外部端子和多个第二外部端子,设置于所述彩膜基板上,其中,所述驱动电极通过所述驱动电极引线与所述第一外部端子连接,所述感应电极通过所述感应电极引线与所述第二外部端子连接;
多个第三外部端子和多个第四外部端子,设置于所述TFT阵列基板上,其中,所述第三外部端子与所述第一外部端子对应设置并且与其电连接,所述第四外部端子与所述第二外部端子对应设置并且与其电连接;
公共电极线,设置于所述TFT阵列基板上;
静电防护单元,设置于所述TFT阵列基板上,并且所述第三外部端子和所述第四外部端子通过所述静电防护单元与所述公共电极线连接。
第二方面,本发明实施例还提供了一种触摸屏显示装置,包括上述第一方面的触摸屏显示面板。
本发明实施例提出的触摸屏显示面板以及触摸屏显示装置,通过在TFT阵列基板上设置有源的静电防护单元,并且将该静电防护单元的输入端与位于彩膜基板上的驱动电极和感应电极连接以及将静电防护单元的输出端与位于TFT阵列基板上的公共电极线连接,能够实现对驱动电极和感应电极的静电保护,从而提高了触摸屏显示装置的良品率。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述,本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
图1a是根据本发明实施例的触摸屏显示面板的一种结构示意图;
图1b是根据本发明实施例的触摸屏显示面板的另一种结构示意图;
图2a是根据本发明实施例的触摸屏显示面板的静电防护单元的第一种电路图;
图2b是图2a中静电防护单元的一个TFT晶体管对的电路图;
图3是图2a中的静电防护单元的第一个具体的实施方式的电路图;
图4是图2a中的静电防护单元的第二个具体的实施方式的电路图;
图5是图2a中的静电防护单元的第三个具体的实施方式的电路图;
图6a是根据本发明实施例的触摸屏显示面板的静电防护单元的第二种电路图;
图6b是图6a中静电防护单元的一个TFT晶体管的电路图;
图7是图6a中的静电防护单元的一个具体的实施方式的电路图;
图8是根据本发明实施例的触摸屏显示面板的静电防护单元的第三种电路图;
图9是图8中的静电防护单元的一个具体的实施方式的电路图;
图10根据本发明实施例的触摸屏显示面板的静电防护单元中的TFT晶体管的示意图;
图11是根据本发明实施例的触摸屏显示装置的一种结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明,而非对本发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部内容。
现有的内嵌触摸屏(In-Cell Touch Panel,简称In-Cell TP)技术,通过触摸图形设计,将具有触控功能的驱动电极和感应电极集成在彩膜基板侧,以便形成触摸屏。在实际制作时,可以将驱动电极和感应电极设置在彩膜基板的同一导电层上或两个不同的导电层上。与不具有触摸功能的彩膜基板相比,为实现触控功能而增加的导电层容易受到静电放电的影响甚至破坏。由于彩膜基板的结构特点,无法像TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶体管)阵列基板那样可以制作有源器件对驱动电极或感应电极进行静电保护。因此,在实际生产触摸屏显示装置的过程中,对于容易产生静电的环节,例如,取向膜的制作和液晶的注入等环节,会很容易引发驱动电极和感应电极间的静电放电并使驱动电极或感应电极产生短路或遭到破坏,从而造成触摸屏显示装置的良品率降低。
本发明实施例提供一种触摸屏显示面板。图1a是根据本发明实施例的触摸屏显示面板的一种结构示意图。如图1a所示,触摸屏显示面板包括:彩膜基板11;与彩膜基板11相对设置的TFT阵列基板12;多条驱动电极111以及与驱动电极111位于同一层且绝缘的多条感应电极112,设置于彩膜基板11上;多条驱动电极引线113、多条感应电极引线114、多个第一外部端子115和多个第二外部端子116,设置于彩膜基板11上,其中,驱动电极111通过驱动电极引线113与第一外部端子115连接,感应电极112通过感应电极引线114与第二外部端子116连接;多个第三外部端子121和多个第四外部端子122,设置于TFT阵列基板12上,其中,第三外部端子121与第一外部端子115对应设置并且与其电连接(在图1a中用第一外部端子115与第三外部端子121之间的虚线表示),第四外部端子122与第二外部端子116对应设置并且与其电连接(在图1a中用第二外部端子116与第四外部端子122之间的虚线表示);公共电极线123,设置于TFT阵列基板上12;静电防护单元13,设置于TFT阵列基板12上,并且第三外部端子121和第四外部端子122通过静电防护单元13与公共电极线123连接(其中,静电防护单元13与公共电极线123之间的连接在图1a中未示出)。
图1b是根据本发明实施例的触摸屏显示面板的另一种结构示意图。参见图1b,与图1a不同的是,多条驱动电极111位于第一导电层101,多条感应电极112位于第二导电层102,其中,第一导电层101和第二导电层102均位于彩膜基板上(在图1b中未示出)并且在第一导电层101和第二导电层102之间设有绝缘层(在图1b中未示出);相应地,多条驱动电极引线113和多个第一外部端子115均位于第一导电层101上,多个感应电极引线114和多个第二外部端子116均位于第二导电层102上,其中,驱动电极111通过驱动电极引线113与第一外部端子115连接,感应电极112通过感应电极引线114与第二外部端子116连接。关于第一外部端子115和第二外部端子116分别与TFT阵列基板12上相应的外部端子连接并且再连接到静电防护单元13的原理,与图1a中相同,在此不再赘述。
需要说明的是,第一导电层101和第二导电层102之间设有的绝缘层可以为色阻层,这是因为色阻层是电性绝缘的,并且通常设置在第一导电层和第二导电层之间。
进一步地,公共电极线123的材料可以为透明导电材料,例如氧化铟锌、氧化铟锡中的任意一种或者它们的组合。这样公共电极线可以铺满TFT阵列基板的整层,其表面积较大,可以很方便地与静电防护单元进行连接,并且在相同电荷量的情况下,其表面电荷的面密度较小,因此公共电极线具有很强的电荷承受能力。另外,公共电极线的电位为低电位,有利于静电防护单元释放静电电荷。
在本发明的一个具体示例中,可选的,第一外部端子115与第三外部端子121由异方导电膜(Anisotropic Conductive Film,简称ACF)电连接,第二外部端子116与第四外部端子122由异方导电膜ACF电连接。由于异方导电膜ACF不仅具有良好的导电性,还具有各向异性导电的功能,因此,通过异方导电膜ACF能够很好地使第一外部端子115和第二外部端子116分别与第三外部端子121和第四外部端子122在垂直于彩膜基板11和TFT阵列基板12的方向上实现电连接,而在平行于彩膜基板11和TFT阵列基板12的方向上绝缘。
图2a是根据本发明实施例的触摸屏显示面板的静电防护单元的第一种电路图。图2b是图2a中静电防护单元的一个TFT晶体管对的电路图。在本发明的一个具体示例中,参见图2a,静电防护单元包括:n行并联的n×2m个TFT晶体管,其中,每行包括m个串联的TFT晶体管对,n和m均为正整数。
参见图2b,每个TFT晶体管对包括第一TFT晶体管21和第二TFT晶体管22,其中,第一TFT晶体管21的栅极211与其漏极212以及第二TFT晶体管22的源极223连接,作为TFT晶体管对的输入端IP1,第二TFT晶体管22的栅极221与其漏极222以及第一TFT晶体管21的源极213连接,作为TFT晶体管对的输出端OP1。
参见图2a,每行第一个TFT晶体管对的输入端IP1作为相应行的TFT晶体管的输入端IP2,每个TFT晶体管对的输入端IP1与其前一个TFT晶体管对的输出端OP1连接,第m个TFT晶体管对的输出端OP1作为相应行的TFT晶体管的输出端OP2。
所有行的TFT晶体管的输入端IP2连接并作为静电防护单元的输入端IP3,所有行的TFT晶体管的输出端OP2连接并作为静电防护单元的输出端OP3。
静电防护单元的输入端IP3与第三外部端子121和第四外部端子122连接,静电防护单元的输出端OP3与公共电极线123连接。
上述,由于每行包括m个TFT晶体管对,因此对于静电防护单元的输入端IP3存在正的静电电荷时,只有当施加在静电防护单元的输入端IP3和输出端OP3之间的静电电压达到TFT晶体管的开启电压的m倍时,才能使每行中正向连接的m个TFT晶体管(即第一个TFT晶体管的栅极和漏极与静电防护单元的输入端连接,每个TFT晶体管的栅极和漏极与其前一个TFT晶体管的源极连接,第m个TFT晶体管的源极与静电防护单元的输出端连接,以下皆同)都处于导通状态,使静电防护单元的输入端IP3和输出端OP3之间存在释放正的静电电荷的电流通路,从而起到静电保护的作用;对于静电防护单元的输入端IP3存在负的静电电荷时,只有当施加在静电防护单元的输出端OP3和输入端IP3之间的静电电压达到TFT晶体管的开启电压的m倍时,才能使每行中反向连接的m个TFT晶体管(即第一个TFT晶体管的源极与静电防护单元的输入端连接,每个TFT晶体管的源极与其前一个TFT晶体管的栅极和漏极连接,第m个TFT晶体管的栅极和漏极与静电防护单元的输出端连接,以下皆同)都处于导通状态,使静电防护单元的输入端IP3和输出端OP3之间存在释放负的静电电荷的电流通路,从而对驱动电极和感应电极起到静电保护的作用。以上由于静电电压为m倍的TFT晶体管的开启电压才能使静电防护单元处于导通状态,因此,上述的静电防护单元能够承受较高的静电电压;又由于静电防护单元每次导通时,都是由n行(每行有m个TFT晶体管导通)的TFT晶体管并联,因此,根据并联电路分流的特点,上述的静电防护单元能够在导通时承受较高的导通电流。
进一步地,下面结合图3-图5给出图2a中的静电防护单元的几个具体的实施方式。图3是图2a中的静电防护单元的第一个具体的实施方式的电路图。参见图3,静电防护单元包括:一个TFT晶体管对,其中,TFT晶体管对包括第一TFT晶体管21和第二TFT晶体管22,第一TFT晶体管21的栅极211与其漏极212以及第二TFT晶体管22的源极223连接,作为静电防护单元的输入端IP3,第二TFT晶体管22的栅极221与其漏极222以及第一TFT晶体管21的源极213连接,作为静电防护单元的输出端OP3。静电防护单元的输入端IP3与第三外部端子121和第四外部端子122连接,静电防护单元的输出端OP3与公共电极线123连接。
上述图3中的静电防护单元由图2a中所示的静电防护单元的基本单元即一个TFT晶体对形成,这是一种简单易用的结构。这是由于所产生的静电电荷可能是正电荷也可能是负电荷,正电荷需要通过正向连接的TFT晶体管进行释放,而负电荷需要通过反向连接的TFT晶体管进行释放,所以对于一个起静电防护功能的结构,至少要由一个正向连接的TFT晶体管和一个反向连接的TFT晶体管并联组成。图3中的静电防护单元在输入端IP3和输出端OP3之间的静电电压达到TFT晶体管的开启电压就可以使正向连接的TFT晶体管处于导通状态或者在输出端OP3和输入端IP3之间的静电电压达到TFT晶体管的开启电压就可以使反向连接的TFT晶体管处于导通状态,使静电防护单元的输入端IP3和输出端OP3之间形成释放静电电荷的电流通路,从而对驱动电极和感应电极起到静电保护的作用。
图4是图2a中的静电防护单元的第二个具体的实施方式的电路图。参见图4,静电防护单元包括:两个并联连接的TFT晶体管对。两个TFT晶体管对的输入端IP1连接并作为静电防护单元的输入端IP3,两个TFT晶体管对的输出端OP1连接并作为静电防护单元的输出端OP3。静电防护单元的输入端IP3与第三外部端子121和第四外部端子122连接,静电防护单元的输出端OP3与公共电极线123连接。
上述图4中的静电防护单元在静电电压达到TFT晶体管的开启电压的时候,同时有两行并联的TFT晶体管导通,其中,每行只有一个TFT晶体管,此静电防护单元在形成释放静电电荷的电流通路时,与图3的静电防护单元相比,能够承受两倍的电流,从而能够较好地对驱动电极和感应电极起到静电保护的作用。
图5是图2a中的静电防护单元的第三个具体的实施方式的电路图。参见图5,作为图2a中的静电防护单元的第三个具体的实施方式,静电防护单元包括:两个串联连接的TFT晶体管对。第一个TFT晶体管对的输入端IP1作为静电防护单元的输入端IP3,第一个TFT晶体管对的输出端OP1与第二个TFT晶体管对的输入端IP1连接,第二个TFT晶体管对的输出端OP1作为静电防护单元的输出端OP3。静电防护单元的输入端IP3与第三外部端子121和第四外部端子122连接,静电防护单元的输出端OP3与公共电极线123连接。
上述图5中的静电防护单元在静电电压达到TFT晶体管的开启电压的两倍时,会有一行的两个TFT晶体管导通,与图3的静电防护单元相比,能够承受两倍的静电电压,并且使静电防护单元形成释放静电电荷的电流通路,从而能够较好地对驱动电极和感应电极起到静电保护的作用。
图6a是根据本发明实施例的触摸屏显示面板的静电防护单元的第二种电路图。图6b是图6a中静电防护单元的一个TFT晶体管的电路图。在本发明的一个具体示例中,参见图6a,静电防护单元包括:n行并联的n×m个TFT晶体管,其中,每行包括m个串联的TFT晶体管,n为大于1的奇数,m为正整数。
参见图6b,每个TFT晶体管的栅极231与其漏极232连接并作为其输入端IP1,每个TFT晶体管的源极233作为其输出端OP1。
参见图6a,每行第一个TFT晶体管的输入端IP1作为相应行的TFT晶体管的输入端IP2,每个TFT晶体管的输入端IP1与其前一个TFT晶体管的输出端OP1连接,第m个TFT晶体管的输出端OP1作为相应行的TFT晶体管的输出端OP2。
前(n+1)/2行的TFT晶体管的输入端IP2与剩余(n-1)/2行的TFT晶体管的输出端OP2连接并作为静电防护单元的输入端IP3,前(n+1)/2行的TFT晶体管的输出端OP2与剩余(n-1)/2行的TFT晶体管的输入端IP2连接并作为静电防护单元的输出端OP3。
静电防护单元的输入端IP3与第三外部端子121和第四外部端子122连接,静电防护单元的输出端OP3与公共电极线123连接。
上述图6a中的静电防护单元实现静电保护作用的原理与图2a中的静电防护单元实现静电保护作用的原理相似,在此不再赘述。
进一步地,下面结合图7给出图6a中的静电防护单元的一个具体的实施方式。图7是图6a中的静电防护单元的一个具体的实施方式的电路图。参见图7,静电防护单元包括:三行并联的3×2个TFT晶体管,其中,每行包括两个串联的TFT晶体管。每行第一个TFT晶体管的输入端IP1作为相应行的TFT晶体管的输入端IP2,第一个TFT晶体管的输出端OP1与第二个TFT晶体管的输入端IP1连接,第二个TFT晶体管的输出端OP1作为相应行的TFT晶体管的输出端OP2。
前两行的TFT晶体管的输入端IP2与最后一行的TFT晶体管的输出端OP2连接并作为静电防护单元的输入端IP3,前两行的TFT晶体管的输出端OP2与最后一行的TFT晶体管的输入端IP2连接并作为静电防护单元的输出端OP3。静电防护单元的输入端IP3与第三外部端子121和第四外部端子122连接,静电防护单元的输出端OP3与公共电极线123连接。
图8是根据本发明实施例的触摸屏显示面板的静电防护单元的第三种电路图。在本发明的一个具体示例中,参见图8,静电防护单元的正向连接的TFT晶体管的行数与反向连接的TFT晶体管的行数分别为图6a中静电防护单元的反向连接的TFT晶体管的行数与正向连接的TFT晶体管的行数,即静电防护单元包括:前(n-1)/2行的TFT晶体管的输入端IP2与剩余(n+1)/2行的TFT晶体管的输出端OP2连接并作为静电防护单元的输入端IP3,前(n-1)/2行的TFT晶体管的输出端OP2与剩余(n+1)/2行的TFT晶体管的输入端IP2连接并作为静电防护单元的输出端OP3,其中,n为大于1的奇数,m为正整数。静电防护单元的输入端IP3与第三外部端子121和第四外部端子122连接,静电防护单元的输出端OP3与公共电极线123连接。
图8中的静电防护单元与图6a中的静电防护单元在正向连接的TFT晶体管的行数与反向连接的TFT晶体管的行数不同,从而使相应的静电防护单元承受导通电流上有差异,但是图8中静电防护单元实现静电保护作用的原理与图6a中静电防护单元实现静电保护作用的原理一样,在此不再赘述。
进一步地,下面结合图9给出图8中的静电防护单元的一个具体的实施方式。图9是图8中的静电防护单元的一个具体的实施方式的电路图。参见图8,静电防护单元包括:三行并联的3×2个TFT晶体管,其中,每行包括两个串联的TFT晶体管。
第一行的TFT晶体管的输入端IP2与剩余两行的TFT晶体管的输出端OP2连接并作为静电防护单元的输入端IP3,第一行的TFT晶体管的输出端OP2与剩余两行的TFT晶体管的输入端IP2连接并作为静电防护单元的输出端OP3。静电防护单元的输入端IP3与第三外部端子121和第四外部端子122连接,静电防护单元的输出端OP3与公共电极线123连接。
上述,图6a以及图7到图9所示的静电防护单元,在正向连接的TFT晶体管的行数和反向连接的TFT晶体管的行数不变的情况下,也可以任意设置正向连接的TFT晶体管所在的行或反向连接的TFT晶体管所在的行,所得到的静电防护单元与上述图6a以及图7到图9中所得到的静电防护单元在静电保护的原理和功能上是一样的。
进一步地,TFT阵列基板还包括TFT晶体管阵列,其中,TFT晶体管阵列与静电防护单元的TFT晶体管的主体结构相同。由于TFT晶体管阵列具有一定的膜层结构,因此,在形成静电防护单元的TFT晶体管时,该TFT晶体管的膜层结构与TFT晶体管阵列的膜层结构一致,这就是所述的“主体结构相同”。这样可以使静电防护单元的TFT晶体管与TFT晶体管阵列的制程相容,甚至可以与TFT晶体管阵列在制程步骤上一并形成,从而不会增加额外的制作步骤以及制作成本。
需要说明的是,虽然静电防护单元的TFT晶体管与TFT晶体管阵列可以在制程步骤上可以一并形成,且静电防护单元的TFT晶体管与TFT晶体管阵列具有相同的主体结构,其中静电防护单元的TFT晶体管通过将其栅极和源/漏极连接形成二极管结构。但是静电防护单元的TFT晶体管需要设置在TFT阵列基板的非显示区域。
进一步地,下面结合图10给出静电防护单元中TFT晶体管的一个具体的实施方式。图10根据本发明实施例的触摸屏显示面板的静电防护单元中的TFT晶体管的示意图。参见图10,静电防护单元包括一个TFT晶体管对,其中TFT晶体管对包括第一TFT晶体管和第二TFT晶体管,第一TFT晶体管的栅极311和第二TFT晶体管的栅极321与TFT阵列基板上的TFT晶体管阵列的所有栅极均位于TFT晶体管阵列的膜层结构的栅极层,第一TFT晶体管的漏极312以及源极313和第二TFT晶体管的漏极322以及源极323与TFT晶体管阵列的所有漏极和源极均位于TFT晶体管阵列的膜层结构的源漏极层。
第一TFT晶体管的栅极311依次通过栅极层金属线33、位于栅极层和源极层间的过孔34以及源极层金属线35与第一TFT晶体管的漏极312连接,第一TFT晶体管的漏极312经源极层金属线35与第二TFT晶体管的源极323连接,并且第一晶体管的漏极312经源极层金属线35穿过位于栅极层和源极层间的过孔34与栅极层金属线33连接,该栅极层金属线33作为静电防护单元引出的输入端IP3,通过该栅极层金属线可以与第三外部端子和第四外部端子连接;第一TFT晶体管的源极313经源极层金属线35与第二TFT晶体管的漏极322连接,第二TFT晶体管的漏极322依次通过源极层金属线35、位于栅极层和源极层间的过孔34以及栅极层金属线33与第二TFT晶体管的栅极321连接,并且第二TFT晶体管的栅极321经栅极层金属线33穿过位于栅极层和源极层间的过孔34与源极层金属线35连接,该源极层金属线35作为静电防护单元引出的输出端OP3,通过该源极层金属线可以与公共电极线连接。
上述为静电防护单元与TFT晶体管阵列在制程步骤上一并形成的一个具体的实施方式,可以看出,这样不会增加额外的制作步骤以及制作成本。此外,该静电防护单元在静电电压下导通时,能够对驱动电极和感应电极起到静电保护的作用。
本发明实施例还提供了一种触摸屏显示装置。图11是根据本发明实施例的触摸屏显示装置的一种结构示意图。如图11所示,触摸屏显示装置1中包含了触摸屏显示面板10。其中,触摸屏显示面板10为上述的触摸屏显示面板。
本发明实施例提出的触摸屏显示面板以及触摸屏显示装置,通过在TFT阵列基板上设置有源的静电防护单元,并且将该静电防护单元的输入端与位于彩膜基板上的驱动电极和感应电极连接以及将静电防护单元的输出端与位于TFT阵列基板上的公共电极线连接,能够实现对驱动电极和感应电极的静电保护,从而提高了触摸屏显示装置的良品率。
注意,上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解,本发明不限于这里所述的特定实施例,对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此,虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明,但是本发明不仅仅限于以上实施例,在不脱离本发明构思的情况下,还可以包括更多其他等效实施例,而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (10)
1.一种触摸屏显示面板,其特征在于,包括:
彩膜基板;
与所述彩膜基板相对设置的TFT阵列基板;
多条驱动电极以及与所述驱动电极绝缘的多条感应电极,设置于所述彩膜基板上;
多条驱动电极引线、多条感应电极引线、多个第一外部端子和多个第二外部端子,设置于所述彩膜基板上,其中,所述驱动电极通过所述驱动电极引线与所述第一外部端子连接,所述感应电极通过所述感应电极引线与所述第二外部端子连接;
多个第三外部端子和多个第四外部端子,设置于所述TFT阵列基板上,其中,所述第三外部端子与所述第一外部端子对应设置并且与其电连接,所述第四外部端子与所述第二外部端子对应设置并且与其电连接;
公共电极线,设置于所述TFT阵列基板上;
静电防护单元,设置于所述TFT阵列基板上,并且所述第三外部端子和所述第四外部端子通过所述静电防护单元与所述公共电极线连接;
所述静电防护单元包括n行并联的n×m个TFT晶体管,其中,每行包括m个串联的TFT晶体管,n为大于1的奇数,m为正整数。
2.根据权利要求1所述的触摸屏显示面板,其特征在于,所述多条驱动电极和所述多条感应电极位于第一导电层。
3.根据权利要求1所述的触摸屏显示面板,其特征在于,所述多条驱动电极位于第一导电层,所述多条感应电极位于第二导电层,所述第一导电层与所述第二导电层之间设有绝缘层。
4.根据权利要求1所述的触摸屏显示面板,其特征在于,每个TFT晶体管的栅极与其漏极连接并作为其输入端,每个TFT晶体管的源极作为其输出端;
每行第一个TFT晶体管的输入端作为相应行的TFT晶体管的输入端,每个TFT晶体管的输入端与其前一个TFT晶体管的输出端连接,第m个TFT晶体管的输出端作为相应行的TFT晶体管的输出端;
任意(n+1)/2行的TFT晶体管的输入端与剩余(n-1)/2行的TFT晶体管的输出端连接并作为所述静电防护单元的输入端,所述任意(n+1)/2行的TFT晶体管的输出端与所述剩余(n-1)/2行的TFT晶体管的输入端连接并作为所述静电防护单元的输出端;
所述静电防护单元的输入端与所述第三外部端子和所述第四外部端子连接,所述静电防护单元的输出端与所述公共电极线连接。
5.根据权利要求4所述的触摸屏显示面板,其特征在于,所述静电防护单元包括:三行并联的3×2个TFT晶体管,其中,每行包括两个串联的TFT晶体管;
每个TFT晶体管的栅极与其漏极连接并作为其输入端,每个TFT晶体管的源极作为其输出端;
每行第一个TFT晶体管的输入端作为相应行的TFT晶体管的输入端,所述第一个TFT晶体管的输出端与第二个TFT晶体管的输入端连接,第二个TFT晶体管的输出端作为相应行的TFT晶体管的输出端;
任意两行的TFT晶体管的输入端与剩余一行的TFT晶体管的输出端连接并作为所述静电防护单元的输入端,所述任意两行的TFT晶体管的输出端与所述剩余一行的TFT晶体管的输入端连接并作为所述静电防护单元的输出端;
所述静电防护单元的输入端与所述第三外部端子和所述第四外部端子连接,所述静电防护单元的输出端与所述公共电极线连接。
6.根据权利要求1所述的触摸屏显示面板,其特征在于,每个TFT晶体管的栅极与其漏极连接并作为其输入端,每个TFT晶体管的源极作为其输出端;
每行第一个TFT晶体管的输入端作为相应行的TFT晶体管的输入端,每个TFT晶体管的输入端与其前一个TFT晶体管的输出端连接,第m个TFT晶体管的输出端作为相应行的TFT晶体管的输出端;
任意(n-1)/2行的TFT晶体管的输入端与剩余(n+1)/2行的TFT晶体管的输出端连接并作为所述静电防护单元的输入端,所述任意(n-1)/2行的TFT晶体管的输出端与所述剩余(n+1)/2行的TFT晶体管的输入端连接并作为所述静电防护单元的输出端;
所述静电防护单元的输入端与所述第三外部端子和所述第四外部端子连接,所述静电防护单元的输出端与所述公共电极线连接。
7.根据权利要求6所述的触摸屏显示面板,其特征在于,所述静电防护单元包括:三行并联的3×2个TFT晶体管,其中,每行包括两个串联的TFT晶体管;
每个TFT晶体管的栅极与其漏极连接并作为其输入端,每个TFT晶体管的源极作为其输出端;
每行第一个TFT晶体管的输入端作为相应行的TFT晶体管的输入端,所述第一个TFT晶体管的输出端与第二个TFT晶体管的输入端连接,第二个TFT晶体管的输出端作为相应行的TFT晶体管的输出端;
任意一行的TFT晶体管的输入端与剩余两行的TFT晶体管的输出端连接并作为所述静电防护单元的输入端,所述任意一行的TFT晶体管的输出端与所述剩余两行的TFT晶体管的输入端连接并作为所述静电防护单元的输出端;
所述静电防护单元的输入端与所述第三外部端子和所述第四外部端子连接,所述静电防护单元的输出端与所述公共电极线连接。
8.根据权利要求4或6所述的触摸屏显示面板,其特征在于,所述TFT阵列基板还包括TFT晶体管阵列,其中,所述TFT晶体管阵列与所述静电防护单元的TFT晶体管的主体结构相同。
9.根据权利要求1所述的触摸屏显示面板,其特征在于,所述第一外部端子与所述第三外部端子由异方导电膜电连接,所述第二外部端子与所述第四外部端子由异方导电膜电连接。
10.一种触摸屏显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-9中任一项所述的触摸屏显示面板。
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