CN103928469B - 一种tft阵列基板及其制造方法、显示面板 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种带G‑VIA过孔的TFT阵列基板、显示面板以及TFT阵列基板的制备方法，采用有机感光材料制备TFT阵列基板的刻蚀阻挡层，同时采用该刻蚀阻挡层作为掩膜刻蚀出用于连接与源漏极同层的第二导电图形和与栅极同层的第一导电图形的过孔（即G‑VIA过孔），简化了工艺步骤，降低了生产成本。
Description
技术领域
本发明涉及有源矩阵（Active Matrix）领域，尤其涉及一种TFT阵列基板，该TFT阵列基板的制造方法，以及包含该TFT阵列基板的显示面板。
背景技术
有源矩阵基板通常是在一基板上设置薄膜晶体管（Thin Film Transistor，TFT）阵列，通常也可以称之为TFT阵列基板。TFT阵列基板广泛运用于平板设备中，包括液晶显示面板（Liquid Crystal Display，LCD）、电子纸、有机发光二极管（Organic Light EmittingDiode，OLED）显示面板、X射线图像传感器（X Ray Image Sensor）等。
TFT阵列基板1的基本结构的俯视图如图1所示，主要包括基板100，以及设置于基板100上的如下部件：多条栅线（gate line）101；与栅线101绝缘交叉的多条源线（sourceline或data line）102；设置于栅线101和源线102交叉处的TFT103。
通常TFT阵列基板1还包括像素电极（图1中未示出）。相邻栅线101和相邻源线102所围成的区域为像素区域，像素区域包括TFT区域和像素电极区域。该像素电极设置于像素电极区域内，TFT设置于TFT区域内。TFT103与该交叉处的栅线101和源线102耦合，即TFT103的栅极与栅线101电连接，TFT103的源极与源线102电连接；另外，TFT103的漏极与像素电极电连接。
图2为现有技术的一种TFT阵列基板的工艺流程图。如图2所示，现有技术的TFT阵列基板的工艺步骤如下：
A、提供一基板100；
B、在基板100上沉积一第一导电层，刻蚀该第一导电层形成第一电极图案，包括栅线（图中未示出）、TFT的栅极1031、第一导电图形1011；
C、在步骤B的基础上沉积一覆盖整个基板范围的第一绝缘层（即栅极绝缘层）104，该第一绝缘层104覆盖该第一电极图案；
D、在步骤C的基础上沉积一半导体层，刻蚀该半导体层形成TFT的半导体图形1032；
E、在步骤D的基础上沉积一第二绝缘层（即刻蚀阻挡层）105，刻蚀该第二绝缘层105在TFT区域形成第一过孔1051和第二过孔1052；
F、在步骤E的基础上刻蚀该第一绝缘层104和第二绝缘层105，在过孔区域形成第三过孔1053；
G、在步骤F的基础上沉积一第二导电层，刻蚀该第二导电层形成第二电极图案，包括TFT的源极1033、漏极1034、第二导电图形1021，源极1033通过第一过孔1051与半导体图形1032连接，漏极1034通过第二过孔1052与半导体图形1032连接，第二导电图形1021通过第三过孔1053与第一导电图形1011连接；
H、在步骤G的基础上沉积一第三绝缘层（即钝化层）106，刻蚀该第三绝缘层106在TFT区域形成第四过孔1061、在过孔区域形成第五过孔1062；
I、在步骤H的基础上沉积一第三导电层，刻蚀该第三导电层形成第三电极图案，包括位于像素电极区域的像素电极1071和位于过孔区域的第三导电图形1072，像素电极1071通过第四过孔1061与漏极1034连接，第三导电图形1072通过第五过孔1062与第二导电图形1021连接。
从上述图2所示的现有技术的TFT阵列基板结构可以看出，该TFT阵列基板包括第三过孔1053，第三过孔1053贯穿刻蚀阻挡层105和栅极绝缘层104，第二导电图形1021通过第三过孔1053与第一导电图形1011连接。通常，该第三过孔1053可以称之为G-VIA过孔，用于将与源漏极同层的第二导电图形1021和与栅极同层的第一导电图形1011进行直接连接。这样就形成了第二导电图形1021就直接通过第三过孔1053与第一导电图形1011连接的结构。直接制备于TFT阵列基板、由TFT构成的栅极驱动电路（例如非晶氧化物栅驱动器，AOG）等中常常用到该结构，例如将某个TFT的栅极与另一个TFT的源极/漏极进行连接。而且栅极驱动电路中的该结构被钝化层106覆盖保护，降低了静电对栅极驱动电路等的影响。需要说明的是，图2中所示的过孔1053并未被钝化层106覆盖，而是与第三导电图形1072连接，因此不是栅极驱动电路中G-VIA过孔，而是IC或FPC等绑定区域的过孔。
从上述图2所示的现有技术的TFT阵列基板的工艺步骤中可以看出，要制备图2中最后一幅图所示的TFT阵列基板，需要经过步骤A-I，采用7道光刻工艺步骤，工艺步骤较为复杂。
发明内容
本发明的实施例所要解决的技术问题是，现有技术的带G-VIA过孔的TFT阵列基板的制备工艺步骤复杂。
为了解决上述技术问题，本发明的实施例提供了一种TFT阵列基板，包括：基板；位于所述基板上的栅极和第一导电图形；覆盖所述栅极、第一导电图形和基板的栅极绝缘层；位于所述栅极绝缘层上、所述栅极上方的第一半导体图形；覆盖所述第一半导体图形和栅极绝缘层的第二绝缘层，所述第二绝缘层为有机感光材料；贯穿所述第二绝缘层的第一过孔和第二过孔，贯穿所述第二绝缘层和栅极绝缘层的第三过孔；位于所述第二绝缘层上的源极、漏极以及第二导电图形；所述源极通过所述第一过孔与所述第一半导体图形电连接，所述漏极通过所述第二过孔与所述第一半导体图形电连接，所述第二导电图形通过所述第三过孔与所述第一导电图形电连接。
此时，所述TFT阵列基板还可以包括：覆盖所述源极、漏极、第二导电图形和第二绝缘层的第三绝缘层；贯穿所述第三绝缘层的第四过孔；像素电极，通过所述第四过孔与所述漏极/源极电连接。
优选的，所述TFT阵列基板还包括：与所述第一半导体图形位于同一层的第二半导体图形；贯穿所述第二绝缘层的第一开口，位于所述第二半导体图形上方。其中，所述第一开口整***于所述第二半导体图形的范围内并暴露出所述第二半导体图形。此时，所述TFT阵列基板还可以包括：覆盖所述源极、漏极、第二导电图形和第二绝缘层的第三绝缘层；贯穿所述第三绝缘层的第四过孔；像素电极，通过所述第四过孔与所述漏极/源极电连接；在所述第一开口处，所述第三绝缘层和像素电极依次设置于所述第二半导体图形上。
优选的，所述像素电极采用透明导电材料或金属材料。
优选的，所述TFT阵列基板还包括与所述像素电极位于同一层或不同层的公共电极。
优选的，所述TFT阵列基板还包括有机发光二极管。
优选的，上述实施例中，所述第二导电图形通过所述第三过孔与所述第一导电图形连接所形成的连接结构被所述第三绝缘层覆盖。
优选的，上述实施例中，所述TFT阵列基板还包括：与所述第一导电图形位于同一层的第三导电图形；贯穿所述第二绝缘层和栅极绝缘层的第五过孔；与所述第二导电图形位于同一层的第四导电图形；所述第四导电图形通过所述第五过孔与所述第三导电图形电连接。此时，所述TFT阵列基板还可以进一步包括与所述像素电极位于同一层的第六导电图形；贯穿所述第三绝缘层的第六过孔；所述第六导电图形通过所述第六过孔与所述第五导电图形电连接。
本发明的实施例还提供了一种显示面板，如上述的TFT阵列基板。
优选的，所述显示面板为液晶显示面板或电子纸或OLED显示面板。
本发明的实施例还提供了一种制备上述TFT阵列基板的方法，包括：
S1、提供一基板；S2、沉积一第一导电层，图案化所述第一导电层形成第一电极图案，所述第一电极图案包括栅极、第一导电图形；S3、沉积一第一绝缘层，覆盖所述第一电极图案；S4、沉积一半导体层，图案化所述半导体层形成第一半导体图形；S5、沉积一有机感光材料的第二绝缘层，图案化所述第二绝缘层形成贯穿所述第二绝缘层的第一过孔、第二过孔、第二开口；S6、以所述图案化的第二绝缘层为掩膜，刻蚀所述第二开口所露出的第一绝缘层，暴露出所述第一导电图形，以形成贯穿所述第一绝缘层和第二绝缘层的第三过孔；S7、沉积一第二导电层，图案化所述第二导电层形成第二电极图案，所述第二电极图案包括源极、漏极、第二导电图形，所述源极通过所述第一过孔与所述第一半导体图形连接，所述漏极通过所述第二过孔与所述第一半导体图形连接，所述第二导电图形通过所述第三过孔与所述第一导电图形连接。
优选的，所述TFT阵列基板的制造方法还包括如下步骤：S8、沉积一第三绝缘层，图案化所述第三绝缘层形成第四过孔；S9、沉积一第三导电层，图案化所述第三导电层形成第三电极图案，所述第三电极图案包括像素电极，所述像素电极通过所述第四过孔与所述源极/漏极连接。
优选的，所述TFT阵列基板的制造方法中，步骤S2中所述第一电极图案还包括第三导电图形；步骤S5中还形成有贯穿所述第二绝缘层的第三开口；步骤S6中还以所述图案化的第二绝缘层为掩膜，刻蚀所述第三开口所露出的第一绝缘层，暴露出所述第三导电图形，以形成贯穿所述第一绝缘层和第二绝缘层的第五过孔；步骤S7中所述第二电极图案还包括第四导电图形，通过所述第五过孔与所述第三导电图形连接。此时，所述TFT阵列基板的制造方法进一步包括如下步骤：S8、沉积一第三绝缘层，图案化所述第三绝缘层形成第四过孔和第六过孔；S9、沉积一第三导电层，图案化所述第三导电层形成第三电极图案，所述第三电极图案包括像素电极和第五导电图形，所述像素电极通过所述第四过孔与所述漏极连接，所述第五导电图形通过所述第六过孔与所述第四导电图形连接。
相对于现有技术而言，本发明的实施例所提供的TFT阵列基板，以及包含该TFT阵列基板的显示面板、TFT阵列基板的制备方法，由于采用有机感光材料制备TFT阵列基板的刻蚀阻挡层，同时采用该刻蚀阻挡层作为掩膜刻蚀出用于连接与源漏极同层的第二导电图形和与栅极同层的第一导电图形的过孔（即G-VIA过孔），简化了工艺步骤，降低了生产成本。
附图说明
图1为现有技术的TFT阵列基板的基本结构的俯视图；
图2为现有技术的一种TFT阵列基板的工艺流程图；
图3为本发明实施例一提供的TFT阵列基板的俯视结构示意图；
图4为本发明实施例一提供的包括连接结构G的TFT阵列基板的剖视结构示意图；
图5为本发明实施例一提供的包括连接结构B的TFT阵列基板的剖视结构示意图；
图6为本发明实施例二提供的TFT阵列基板的工艺流程图；
图7为本发明实施例三提供的包括连接结构G的TFT阵列基板的剖视结构示意图；
图8为本发明实施例三提供的包括连接结构B的TFT阵列基板的剖视结构示意图；
图9为本发明实施例四提供的TFT阵列基板的工艺流程图。
具体实施方式
本发明的核心思想是为了制备带G-VIA过孔的TFT阵列基板或者说制备带连接结构G的TFT阵列基板，采用有机感光材料制备TFT阵列基板的刻蚀阻挡层，同时采用该刻蚀阻挡层作为掩膜刻蚀出用于连接与源漏极同层的第二导电图形和与栅极同层的第一导电图形的过孔（即G-VIA过孔），简化了工艺步骤，降低了生产成本。
实施例一
本发明实施例一提供的TFT阵列基板的俯视结构示意图如图3所示。从图3中可以看出，本发明实施例一提供的TFT阵列基板在俯视结构上显示区域（Active Area）和包围该显示区域的***区域（Non-Active Area）（图3中未示出）。其主要包括基板300，以及设置于基板300上的显示区域的像素阵列，像素阵列包括如下部件：多条栅线（gate line）301；与栅线301绝缘交叉的多条源线（source line）302；设置于栅线301和源线302交叉处的TFT303。
通常TFT阵列基板3的像素阵列还包括像素电极（图3中未示出）。相邻栅线301和相邻源线302所围成的区域为像素区域，像素区域包括TFT区域和像素电极区域。该像素电极设置于像素电极区域内，TFT设置于TFT区域内，TFT可以只有一个（例如液晶显示面板、电子纸中）、也可以有多个（例如OLED显示面板中）。以一个像素区域内只有一个作为开关的TFT为例，如图3所示，TFT303与该交叉处的栅线301和源线302耦合，即TFT303的栅极与栅线301电连接，TFT303的源极与源线302电连接。
需要说明的是，图3仅仅示出了本发明提供的TFT阵列基板俯视结构，但本领域的技术人员可以根据本领域的公知常识可知，TFT阵列基板的俯视结构可以有多种不同的变形，在此不做过多阐述。
本发明实施例一提供的TFT阵列基板的剖视结构示意图如图4所示。从图4中可以看出，本发明实施例一提供的TFT阵列基板包括：
基板300；
位于基板300上的栅极3031和第一导电图形3011；
覆盖栅极3031、第一导电图形3011和基板300的第一绝缘层304；
位于第一绝缘层304上、栅极3031上方的第一半导体图形3032；
覆盖第一半导体图形3032和第一绝缘层304的第二绝缘层305，第二绝缘层305为有机感光材料；
贯穿第二绝缘层305的第一过孔3051和第二过孔3052，贯穿第二绝缘层305和第一绝缘层304的第三过孔3053；
位于第二绝缘层上的源极3033、漏极3034以及第二导电图形3021；
源极3033通过第一过孔3051与第一半导体图形3032电连接，漏极3034通过第二过孔3052与第一半导体图形3032电连接，第二导电图形3021通过第三过孔3053与第一导电图形3011电连接。
具体的说，基板300通常采用玻璃、石英等透明材料；基板300也可以由采用玻璃、石英等透明材料及其上的其他结构（如缓冲层等）构成。栅极3031和第一导电图形3011通常直接位于基板300的表面上。TFT的栅极3031和第一导电图形3011以及栅线301通常位于同一层，采用相同的材料，如铝等金属，因此可以在同一工艺步骤中制备。
第一绝缘层（即栅极绝缘层）304通常覆盖整个基板范围，材料可以为二氧化硅。
第一半导体图形3032通常为岛状，材料可以为非晶硅、多晶硅、氧化物半导体等。
第二绝缘层（即刻蚀阻挡层）305通常覆盖整个基板范围，材料为有机感光材料。第二绝缘层305覆盖第一半导体图形3032，这样在后续刻蚀制备TFT的源极3033、漏极3034时防止对第一半导体图形3032造成刻蚀，因此可以称之为刻蚀阻挡层。
源极3033、漏极3034、第二导电图形3021与源线302通常位于同一层，采用相同的材料，如钼等金属，因此可以在同一工艺步骤中制备。当然，也可以是3034为源极，3033为漏极。
第二绝缘层305采用有机感光材料，一方面由于其本身具有感光特性，在其中形成第一过孔3051和第二过孔3052，以及第三过孔3053位于第二绝缘层的部分（实施例二中的第二开口）时，只需要曝光、显影、坚膜等步骤即可，不需要刻蚀步骤，工艺可以简化；另一方面在形成第三过孔3053位于第二绝缘层的部分后以此为掩膜直接进行刻蚀，不需要额外的光刻工艺就可以形成第三过孔3053位于栅极绝缘层的部分，也就是形成完整的第三过孔3053，工艺可以进一步简化。具体工艺步骤可以参加实施例二。
图4中还示出了优选的部件，即TFT阵列基板3还包括在整个基板范围、覆盖所述源极、漏极、第二导电图形和第二绝缘层的第三绝缘层（即钝化层）306；贯穿钝化层306的第四过孔3061；像素电极3071，通过第四过孔3061与漏极3034电连接。钝化层306的材料可以为氧化硅或氮化硅。像素电极3071可以为透明导电材料，如ITO、IZO等；也可以为不透明的金属材料，如Ag等。当然TFT阵列基板还可以包括其他结构，例如IPS（in plane switching）液晶显示面板中的TFT阵列基板包括与像素电极3071位于同一层的公共电极；FFS（fringefiled switching）液晶显示面板中的TFT阵列基板包括与像素电极3071位于不同层的公共电极；OLED（organic light emitting diode）显示面板还包括有机发光二极管，TFT阵列基板的像素电极3071即为有机发光二极管的阳极或阴极。
另外，图4中第二导电图形3021直接通过第三过孔3053与第一导电图形3011连接所形成的连接结构G（图4中虚线框所示）被钝化层306覆盖。该连接结构G通常形成于直接制备于TFT阵列基板的栅极驱动电路或OLED显示面板中的像素驱动电路中，因为这些电路中常常需要将某个TFT的栅极与另一个TFT的源极/漏极进行电连接。栅极驱动电路中的该连接结构G被钝化层106覆盖保护，降低了静电对栅极驱动电路等的不利影响。
作为一种优选的实施方式，本发明实施例一提供的TFT阵列基板在过孔区域除了图4所示的连接结构G（图5中未示出）之外，还可以包括如图5所示的另一种连接结构B。从图5中可以看出，本发明实施例一提供的TFT阵列基板在过孔区域还包括与第一导电图形3011位于同一层的第三导电图形3012；贯穿第二绝缘层305和第一绝缘层304的第五过孔3054；与第二导电图形3021位于同一层的第四导电图形3022；第四导电图形3022通过第五过孔3054与第三导电图形3012电连接。
另外，TFT阵列基板还包括贯穿钝化层306的第六过孔3063；第五导电图形3072，通常与像素电极3071位于同一层，采用相同的材料，可以在同一工艺步骤中制备。第五导电图形3072通过第六过孔3063与第四导电图形3022连接。图5所示的连接结构B包括两个过孔3054和3063，以及顺次连接的第三导电图形3012、第四到电图形3022和第五导电图形3072。第五过孔3054与第六过孔3063可以位于同一位置处（如图5所示），也可以位于不同位置处。连接结构B通常位于绑定（bonding）区域，用于与外界电路（如FPC、IC）连接。当然，连接结构B所包含的两个过孔3054和3063可以不如图5所示位于同一位置处（即二者在垂向上重叠），第五过孔3054与第六过孔3063可以位于不同位置（即二者在垂向上不重叠，甚至完全错开）。
实施例二
本发明实施例二提供的TFT阵列基板的工艺流程图如图6所示。从图6中可以看出，本发明实施例二提供的TFT阵列基板的制备工艺步骤如下：
S1、提供一基板300；其中，基板300通常采用玻璃、石英等透明材料，或者由采用玻璃、石英等透明材料及其上的其他结构（如缓冲层等）构成。
S2、在基板300上沉积一第一导电层（图中未示出），图案化该第一导电层形成第一电极图案，第一电极图案包括TFT的栅极3031、第一导电图形3011；其中，该第一导电层可以采用铝、铝钼合金等金属。第一电极图案还可以包括栅线（图中未示出）。优选的，第一电极图案还包括第三导电图形3012。
S3、在步骤S2的基础上沉积一覆盖整个基板范围的第一绝缘层（即栅极绝缘层）304，该第一绝缘层304覆盖该第一电极图案；其中，第一绝缘层（即栅极绝缘层）304可以为二氧化硅。
S4、在步骤S3的基础上沉积一半导体层，图案化该半导体层在TFT区域形成第一半导体图形3032；其中，第一半导体图形3032通常为岛状，材料可以为非晶硅、多晶硅、氧化物半导体等。
S5、在步骤S4的基础上沉积一有机感光材料的第二绝缘层（即刻蚀阻挡层）305，对该第二绝缘层（即刻蚀阻挡层）305进行曝光，图案化（如显影）该第二绝缘层305在TFT区域形成贯穿该第二绝缘层305的第一过孔3051和第二过孔3052、在过孔区域形成贯穿该第二绝缘层305的第二开口3053a。
优选的，在步骤S5中还同时在过孔区域形成贯穿该第二绝缘层305的第三开口3054a。通常，第二开口3053a形成于TFT阵列基板的栅极驱动电路区域或OLED的像素驱动电路区域，因为这些电路中常常需要将某个TFT的栅极与另一个TFT的源极/漏极进行电连接。步骤S5中，由于第二绝缘层305采用有机感光材料，在其中形成第一过孔3051和第二过孔3052，以及第二开口3053a、第三开口3054a时，只需要曝光、显影、坚膜等步骤即可，不需要刻蚀步骤，工艺可以简化。
S6、在步骤S5的基础上以该第二绝缘层305为掩膜，刻蚀（如干刻）第二开口3053a所露出的第一绝缘层304，以暴露出该第一导电图形3011。这样就形成了贯穿第一绝缘层304和第二绝缘层305的第三过孔3053。
优选的，在步骤S6中还同时以该第二绝缘层305为掩膜，刻蚀（如干刻）第三开口3054a所露出的第一绝缘层304，以暴露出该第三导电图形3012。这样就形成了贯穿第一绝缘层304和第二绝缘层305的第五过孔3054。
S7、在步骤S6的基础上沉积一第二导电层，图案化该第二导电层形成第二电极图案，该第二电极图案包括TFT的源极3033、漏极3034、第二导电图形3021，源极3033通过第一过孔3051与第一半导体图形3032连接，漏极3034通过第二过孔3052与第一半导体图形3032连接，第二导电图形3021通过第三过孔3053与第一导电图形3011连接。当然，也可以是3034为源极，3033为漏极。这样，第二导电图形3021直接通过第三过孔3053与第一导电图形3011连接所形成的连接结构G。该连接结构G通常形成于TFT阵列基板中的栅极驱动电路区域或OLED面板的像素驱动电路区域。该第二电极图案还可以包括源线。
优选的，该第二电极图案还包括第四导电图形3022，通过第五过孔3054与第三导电图形3012连接。
除了上述步骤S1-S7之外，本发明实施例二提供的TFT阵列基板的制造方法还包括如下步骤：
S8、在步骤S7的基础上沉积一第三绝缘层（即钝化层）306，图案化该第三绝缘层306在TFT区域形成第四过孔3061；其中，第二导电图形3021直接通过第三过孔3053与第一导电图形3011连接所形成的连接结构G被钝化层306覆盖，不易遭受静电损伤。
优选的，步骤S8还同时形成贯穿钝化层306的第六过孔3062，第六过孔3062通常位于外界电路（如FPC、IC）等的绑定（bonding）区域。其中，第六过孔3062与第五过孔3054可以如图6所示位于同一位置处（即二者在垂向上重叠），也可以位于不同位置（即二者在垂向上不重叠，甚至完全错开）。
S9、在步骤S8的基础上沉积一第三导电层，图案化该第三导电层形成第三电极图案，第三电极图案包括位于像素电极区域的像素电极3071。其中，像素电极3071通过第四过孔3061与TFT的漏极3034连接。
优选的，第三电极图案还包括位于过孔区域（具体为绑定区域）的第五导电图形3072，第五导电图形3072通过第六过孔3062与第四导电图形3022连接。第五导电图形3072、第四导电图形3022、第三导电图形3021分别通过第六过孔3062和第五过孔3054串联形成连接结构B（实际上连接结构B的其中一部分与连接结构G相同）。此步骤中，第三导电层的材料可以为透明导电材料，如ITO，IZO等，此时像素电极3071可以作为透射式液晶显示面板的像素电极，也可以为OLED面板的阳极/阴极。第三导电层的材料可以为金属材料，如Al，Ag等，反射式液晶显示面板、电子纸的像素电极，也可以为OLED面板的阳极/阴极。
对于液晶显示面板而言，步骤S9之后包括制备取向层、成盒等传统工艺，在此不再赘述。对于FFS型液晶显示面板而言，还包括制备公共电极的传统步骤，，在此不再赘述。
对于电子纸而言，步骤S9之后包括粘贴微胶囊层等传统工艺，在此不再赘述。
对于OLED面板而言，步骤S9之后包括制备像素定义层、有机发光层等传统工艺，在此不再赘述。
从上述图6所示的TFT阵列基板的工艺步骤中可以看出，要制备图6中最后一幅图所示的包括连接结构G的TFT阵列基板，需要经过步骤S1-S9，采用6道光刻工艺步骤，工艺步骤得到简化。
实施例三
本发明实施例三提供的TFT阵列基板在实施例一提供的TFT阵列基板做出了改进，与实施例一相同的部分不再重述，其区别之处阐述如下：
本发明实施例三提供的包括连接结构G的TFT阵列基板的剖视结构示意图如图7所示，本发明实施例三提供的包括连接结构B的TFT阵列基板的剖视结构示意图如图8所示。从图7和图8中可以看出，本发明实施例三提供的TFT阵列基板实施例一的基础上，在像素的透光区域设置一第二半导体图形3036，与第一半导体图形3032位于同一层、采用相同的材料，因此可以在同一工艺步骤中制备。位于该第二半导体图形3036上方的第二绝缘层305具有第一开口3055。第一开口3055大小通常略小于该第二半导体图形3036并暴露出第二半导体图形3036，第三绝缘层306覆盖整个第一开口3055以及暴露出来的第二半导体图形3036。
需要说明的是，如图4、5、6所示，由于有机感光材料构成的第二绝缘层（即刻蚀阻挡层）305经过曝光之后通常透过率较差，如果像素区域被第二绝缘层305覆盖的话，光的透过率就会很差，包括实施例一所提供的TFT阵列基板的显示面板的透光率就会很差。因此实施例三提供的TFT阵列基板去除了像素透光区域（具体为第一开口3055处）的第二绝缘层305，这样就大大提高了透光率。但同时由于在第一开口3055下方设置有第二半导体图形3036，第一开口3055整***于第二半导体图形3036的范围内，第一开口3055处没有将下方的第一绝缘层304暴露出来，这样就避免了在以第二绝缘层305为掩膜，刻蚀（如干刻）第二开口3053a和/或第三开口3054a所露出的第一绝缘层304时将像素透光区域的第一绝缘层304也刻蚀掉。具体的工艺步骤见实施例四。
优选的，如同实施例三，实施例四也可以包括钝化层306和像素电极3071，不同之处在于，实施例四中在第一开口3055处钝化层306和像素电极3071依次设置于第二半导体图形3036上。
实施例四
本发明实施例四提供的TFT阵列基板的工艺流程（如图9所示）在实施例二提供的TFT阵列基板的工艺流程的基础上做出了改进，与实施例二相同的部分不再重述，其区别之处阐述如下：
S1、提供一基板300；
S2、在基板300上沉积一第一导电层，图案化该第一导电层形成第一电极图案，第一电极图案包括栅线（图中未示出）、TFT的栅极3031、第一导电图形3011；优选的，第一电极图案还包括第三导电图形3012。
S3、在步骤S2的基础上沉积一覆盖整个基板范围的第一绝缘层（即栅极绝缘层）304，该第一绝缘层304覆盖该第一电极图案；
S4、在步骤S3的基础上沉积一半导体层，图案化该半导体层在TFT区域形成第一半导体图形3032、在像素电极区域（或像素透光区域）形成第二半导体图形3036；
S5、在步骤S4的基础上沉积一有机感光材料的第二绝缘层（即刻蚀阻挡层）305，对该第二绝缘层（即刻蚀阻挡层）305进行曝光，图案化（如显影）该第二绝缘层305在TFT区域形成贯穿该第二绝缘层305的第一过孔3051和第二过孔3052、在像素电极区域形成贯穿该第二绝缘层305的第一开口3055、在过孔区域形成贯穿该第二绝缘层305的第二开口3053a。
优选的，在步骤S5中还同时在过孔区域形成贯穿该第二绝缘层305的第二开口3054a。
S6、在步骤S5的基础上以该第二绝缘层305为掩膜，刻蚀（如干刻）第二开口3053a所露出的第一绝缘层304，以暴露出该第一导电图形3011。这样就形成了贯穿第一绝缘层304和第二绝缘层305的第三过孔3053。此时，由于第一开口3055下方设置有第二半导体图形3036，而第二半导体图形3036与第一绝缘层304的刻蚀选择比较大，可作为刻蚀阻挡层，其下方的第一绝缘层304不会被刻蚀。
优选的，在步骤S6中还同时以该第二绝缘层305为掩膜，刻蚀（如干刻）第二开口3054a所露出的第一绝缘层304，以暴露出该第三导电图形3012。这样就形成了贯穿第一绝缘层304和第二绝缘层305的第五过孔3054。
S7、在步骤S6的基础上沉积一第二导电层，图案化该第二导电层形成第二电极图案，该第二电极图案包括TFT的源极3033、漏极3034、第二导电图形3021，源极3033通过第一过孔3051与第一半导体图形3032连接，漏极3034通过第二过孔3052与第一半导体图形3032连接，第二导电图形3021通过第三过孔3053与第一导电图形3011连接。这样，第二导电图形3021直接通过第三过孔3053与第一导电图形3011连接所形成的连接结构G。
优选的，步骤S7还同时形成第四导电图形3022，通过第五过孔3054与第三导电图形3012连接。
除了上述步骤S1-S7之外，本发明实施例四提供的TFT阵列基板的制造方法还包括如下步骤：
S8、在步骤S7的基础上沉积一第三绝缘层（即钝化层）306，图案化该第三绝缘层306在TFT区域形成第四过孔3061；
优选的，步骤S8还同时形成贯穿钝化层306的第六过孔3062，第六过孔3062通常位于外界电路（如FPC、IC）等的绑定（bonding）区域。
S9、在步骤S8的基础上沉积一第三导电层，图案化该第三导电层形成第三电极图案，第三电极图案包括位于像素电极区域的像素电极3071。
优选的，第三电极图案还包括位于过孔区域（具体为绑定区域）的第五导电图形3072，第五导电图形3072通过第六过孔3062与第四导电图形3021连接。第五导电图形3072、第四导电图形3022、第三导电图形3021分别通过第六过孔3062和第五过孔3054串联形成连接结构B（实际上连接结构B的其中一部分与连接结构G相同）。
从上述图9所示的TFT阵列基板的工艺步骤中可以看出，要制备图9中最后一幅图所示的包括连接结构G的TFT阵列基板，需要经过步骤S1-S9，也只采用6道光刻工艺步骤，工艺步骤得到简化。
实施例五
本发明实施例五提供的显示面板，包括实施例一或实施例三所述的TFT阵列基板。该显示面板可以为液晶显示面板、电子纸或OLED显示面板。
需要说明的是，本申请文件中“...上”的含义是可以直接接触、也可以不直接接触。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (17)
1.一种TFT阵列基板，包括：
基板；
位于所述基板上的栅极和第一导电图形；
覆盖所述栅极、第一导电图形和基板的第一绝缘层；
位于所述第一绝缘层上、所述栅极上方的第一半导体图形；
覆盖所述第一半导体图形和第一绝缘层的第二绝缘层，所述第二绝缘层为有机感光材料；
贯穿所述第二绝缘层的第一过孔和第二过孔，贯穿所述第二绝缘层和第一绝缘层的第三过孔；
位于所述第二绝缘层上的源极、漏极以及第二导电图形；
所述源极通过所述第一过孔与所述第一半导体图形电连接，所述漏极通过所述第二过孔与所述第一半导体图形电连接，所述第二导电图形通过所述第三过孔与所述第一导电图形电连接。
2.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述TFT阵列基板还包括：
覆盖所述源极、漏极、第二导电图形和第二绝缘层的第三绝缘层；
贯穿所述第三绝缘层的第四过孔；
像素电极，通过所述第四过孔与所述漏极/源极电连接。
3.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述TFT阵列基板还包括：
与所述第一半导体图形位于同一层的第二半导体图形；
贯穿所述第二绝缘层的第一开口，位于所述第二半导体图形上方。
4.根据权利要求3所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第一开口整***于所述第二半导体图形的范围内并暴露出所述第二半导体图形。
5.根据权利要求3所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述TFT阵列基板还包括：
覆盖所述源极、漏极、第二导电图形和第二绝缘层的第三绝缘层；
贯穿所述第三绝缘层的第四过孔；
像素电极，通过所述第四过孔与所述漏极/源极电连接；
在所述第一开口处，所述第三绝缘层和像素电极依次设置于所述第二半导体图形上。
6.根据权利要求2或5所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述像素电极采用透明导电材料或金属材料。
7.根据权利要求2或5所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述TFT阵列基板还包括与所述像素电极位于同一层或不同层的公共电极。
8.根据权利要求2或5所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述TFT阵列基板还包括有机发光二极管。
9.根据权利要求2或5所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第二导电图形通过所述第三过孔与所述第一导电图形连接所形成的连接结构被所述第三绝缘层覆盖。
10.根据权利要求2或5所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述TFT阵列基板还包括：
与所述第一导电图形位于同一层的第三导电图形；
贯穿所述第二绝缘层和第一绝缘层的第五过孔；
与所述第二导电图形位于同一层的第四导电图形；
所述第四导电图形通过所述第五过孔与所述第三导电图形电连接。
11.根据权利要求10所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述TFT阵列基板还包括与所述像素电极位于同一层的第五导电图形；贯穿所述第三绝缘层的第六过孔；所述第五导电图形通过所述第六过孔与所述第四导电图形电连接。
12.一种显示面板，包括如权利要求1-11任一项所述的TFT阵列基板。
13.根据权利要求12所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板为液晶显示面板或电子纸或OLED显示面板。
14.一种TFT阵列基板的制造方法，包括：
S1、提供一基板；
S2、沉积一第一导电层，图案化所述第一导电层形成第一电极图案，所述第一电极图案包括栅极、第一导电图形；
S3、沉积一第一绝缘层，覆盖所述第一电极图案；
S4、沉积一半导体层，图案化所述半导体层形成第一半导体图形；
S5、沉积一有机感光材料的第二绝缘层，图案化所述第二绝缘层形成贯穿所述第二绝缘层的第一过孔、第二过孔、第二开口；
S6、以所述图案化的第二绝缘层为掩膜，刻蚀所述第二开口所露出的第一绝缘层，暴露出所述第一导电图形，以形成贯穿所述第一绝缘层和第二绝缘层的第三过孔；
S7、沉积一第二导电层，图案化所述第二导电层形成第二电极图案，所述第二电极图案包括源极、漏极、第二导电图形，所述源极通过所述第一过孔与所述第一半导体图形连接，所述漏极通过所述第二过孔与所述第一半导体图形连接，所述第二导电图形通过所述第三过孔与所述第一导电图形连接。
15.根据权利要求14所述的TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，所述TFT阵列基板的制造方法还包括如下步骤：
S8、沉积一第三绝缘层，图案化所述第三绝缘层形成第四过孔；
S9、沉积一第三导电层，图案化所述第三导电层形成第三电极图案，所述第三电极图案包括像素电极，所述像素电极通过所述第四过孔与所述源极/漏极连接。
16.根据权利要求14所述的TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，
步骤S2中所述第一电极图案还包括第三导电图形；
步骤S5中还形成有贯穿所述第二绝缘层的第三开口；
步骤S6中还以所述图案化的第二绝缘层为掩膜，刻蚀所述第三开口所露出的第一绝缘层，暴露出所述第三导电图形，以形成贯穿所述第一绝缘层和第二绝缘层的第五过孔；
步骤S7中所述第二电极图案还包括第四导电图形，通过所述第五过孔与所述第三导电图形连接。
17.根据权利要求16所述的TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，所述TFT阵列基板的制造方法还包括如下步骤：
S8、沉积一第三绝缘层，图案化所述第三绝缘层形成第四过孔和第六过孔；
S9、沉积一第三导电层，图案化所述第三导电层形成第三电极图案，所述第三电极图案包括像素电极和第五导电图形，所述像素电极通过所述第四过孔与所述漏极连接，所述第五导电图形通过所述第六过孔与所述第四导电图形连接。
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| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |