CN103871543A

CN103871543A - 一种极细同轴电缆中绝缘体的制备方法

Info

Publication number: CN103871543A
Application number: CN201410090310.7A
Authority: CN
Inventors: 邹黎清
Original assignee: SUZHOU KEMAO ELECTRONIC MATERIAL TECHNOLOGY Co Ltd
Current assignee: SUZHOU KEMAO ELECTRONIC MATERIAL TECHNOLOGY Co Ltd
Priority date: 2014-03-13
Filing date: 2014-03-13
Publication date: 2014-06-18

Abstract

本发明公开了一种极细同轴电缆中绝缘体的制备方法，该制备方法包括如下步骤：a）原料选备，b）配制糊状绝缘体，c）挤出包覆，d）热固烧结。本发明揭示了一种极细同轴电缆中绝缘体的制备方法，该制备方法工序安排合理，实施简便，成本适中，制得绝缘体在使用过程中表现出良好的综合力学性能，使极细同轴电缆的使用寿命更为持久，性能更为稳定，应用范围更为宽广。

Description

一种极细同轴电缆中绝缘体的制备方法

技术领域

本发明涉及一种极细同轴电缆绝缘体的制备方法，尤其涉及一种综合力学性能优良、绝缘性能突出的极细同轴电缆中绝缘体的制备方法，属于极细同轴电缆技术领域。

背景技术

近年来，随着手机、笔记本电脑为代表的消费类电子产品以及通信、医疗、军事类电子产品微型化发展趋势的不断加快，性能要求不断提高，这些产品内传输各种频率信号的带状电缆、柔性电路板等传统布线元件迅速被传输速率更高、频带更宽且抗电磁干扰强的极细同轴电缆所取代。特别是上世纪九十年代中期移动通信的普及，更是促进了极细同轴电缆的研发和规模生产。

在现行技术中，极细同轴电缆中的绝缘体大多采用氟塑料，如可熔性全氟烷氧基共聚物(PFA)、聚全氟乙丙烯(FEP)等。上述绝缘体由于采用单一材质，因此在一些力学性能方面存在缺陷，譬如：抗压性能、耐磨性能以及抗拉强度等，一定程度上限制了极细同轴电缆的应用范围，使其不能适用于一些对环境敏感的精密的电子产品。

发明内容

针对上述需求，本发明提供了一种极细同轴电缆中绝缘体的制备方法，该制备方法工序安排合理，实施简便，制得的绝缘体在使用过程中表现出良好的综合力学性能，提升了极细同轴电缆的应用范围。

本发明是一种极细同轴电缆中绝缘体的制备方法，该制备方法包括如下步骤：a）原料选备，b）配制糊状绝缘体，c）挤出包覆，d）热固烧结。

在本发明一较佳实施例中，所述的步骤a）中，绝缘体的主要成分为：聚四氟乙烯、玻璃纤维、石墨粉和相关助剂；助剂中的增塑剂选用DOP或DBP、相容剂选用环状酸酐型或恶唑啉型相容剂、交联剂选用2-乙基-4甲基咪唑或二甲胺基丙胺、粘度调节剂选用石蜡或微晶蜡，四种助剂的含量配比约为4:2:1:3。

在本发明一较佳实施例中，所述的步骤b）中，制备过程如下：首先，将原料加入反应釜，均匀搅拌30-40分钟，反应釜温度控制在60℃-80℃；然后，向反应釜中添加助剂中的增塑剂和相容剂，反应釜温度升至100℃-120℃，均匀搅拌1-1.2小时；最后，将反应釜温度降至80℃-90℃，继续添加助剂中的交联剂和粘度调节剂，搅拌50-60分钟。

在本发明一较佳实施例中，所述的步骤c）中，挤出包覆过程如下：首先，将糊状绝缘体导入挤出机，挤出机温度控制在70℃-80℃；然后，将糊状绝缘体均匀挤出，包覆在导体外表面形成包覆层，挤出机的挤出速度控制在0.3-0.35m/min，包覆层厚度控制在0.09-0.1mm；最后，将包覆成型的绝缘体置于室温中冷却。

在本发明一较佳实施例中，所述的步骤d）中，制备过程如下：首先，进行干燥处理，温度控制在130℃-140℃，时间控制在30-35分钟；然后，进行烧结处理，烧结炉温度划分为两个阶段：第一阶段的温度从0℃提升至180℃，升温速度控制在6℃/min，烧结时间约为28-30分钟；第二阶段的温度从180℃提升至360℃，升温速度控制在4℃/min，烧结时间约为38-40分钟；最后，将烧结成品在烧结炉中缓冷至室温。

本发明揭示了一种极细同轴电缆中绝缘体的制备方法，该制备方法工序安排合理，实施简便，成本适中，制得绝缘体在使用过程中表现出良好的综合力学性能，使极细同轴电缆的使用寿命更为持久，性能更为稳定，应用范围更为宽广。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：

图1是本发明实施例极细同轴电缆中绝缘体的制备方法的工序步骤图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明的较佳实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。

图1是本发明实施例极细同轴电缆中绝缘体的制备方法的工序步骤图；该制备方法包括如下步骤：a）原料选备，b）配制糊状绝缘体，c）挤出包覆，d）热固烧结。

实施例1

本发明提及的极细同轴电缆中绝缘体的具体制备过程如下：

a）原料选备，绝缘体的主要成分及其百分含量配比为：聚四氟乙烯65%、玻璃纤维18%、石墨粉8%，其余为相关助剂；聚四氟乙烯为微粉状颗粒，其平均粒径约为0.3um；玻璃纤维为短切无碱玻璃纤维，其单丝直径约为10um，长度约为4mm；石墨粉的平均粒径约为16um；助剂中的增塑剂选用DOP、相容剂选用环状酸酐型相容剂、交联剂选用2-乙基-4甲基咪唑、粘度调节剂选用石蜡，四种助剂的含量配比约为4:2:1:3；

b）配制糊状绝缘体，糊状绝缘体制备过程如下：首先，将原料加入反应釜，均匀搅拌30-35分钟，反应釜温度控制在65℃-70℃；然后，向反应釜中添加助剂中的增塑剂和相容剂，反应釜温度升至100℃-110℃，均匀搅拌1.2小时；最后，将反应釜温度降至80℃-85℃，继续添加助剂中的交联剂和粘度调节剂，搅拌50-55分钟后制得糊状绝缘体；

c）挤出包覆，挤出包覆过程如下：首先，将糊状绝缘体导入挤出机，挤出机温度控制在70℃-75℃；然后，将糊状绝缘体均匀挤出，包覆在导体外表面形成包覆层，挤出机的挤出速度控制在0.3m/min，包覆层厚度控制在0.09-0.1mm；最后，将包覆成型的绝缘体置于室温中冷却；

d）热固烧结，热固烧结过程如下：首先，对包覆成型的绝缘体进行干燥处理，干燥温度控制在130℃-135℃，时间控制在32-34分钟，目的是除去绝缘体中的多余助剂，以避免烧结时有毒气体的产生；然后，进行烧结处理，烧结炉温度划分为两个阶段：第一阶段的温度从0℃提升至180℃，升温速度控制在6℃/min，烧结时间约为28-30分钟；第二阶段的温度从180℃提升至360℃，升温速度控制在4℃/min，烧结时间约为38-40分钟；最后，将烧结成品在烧结炉中缓冷至室温。

实施例2

本发明提及的极细同轴电缆中绝缘体的具体制备过程如下：

a）原料选备，绝缘体的主要成分及其百分含量配比为：聚四氟乙烯62%、玻璃纤维2%、石墨粉7%，其余为相关助剂；聚四氟乙烯为微粉状颗粒，其平均粒径约为0.35um；玻璃纤维为短切无碱玻璃纤维，其单丝直径约为12um，长度约为4.5mm；石墨粉的平均粒径约为18um；助剂中的增塑剂选用DBP、相容剂选用恶唑啉型相容剂、交联剂选用二甲胺基丙胺、粘度调节剂选用微晶蜡，四种助剂的含量配比约为4:2:1:3；

b）配制糊状绝缘体，糊状绝缘体制备过程如下：首先，将原料加入反应釜，均匀搅拌35分钟，反应釜温度控制在70℃-75℃；然后，向反应釜中添加助剂中的增塑剂和相容剂，反应釜温度升至110℃-120℃，均匀搅拌1小时；最后，将反应釜温度降至85℃-90℃，继续添加助剂中的交联剂和粘度调节剂，搅拌55-60分钟后制得糊状绝缘体；

c）挤出包覆，挤出包覆过程如下：首先，将糊状绝缘体导入挤出机，挤出机温度控制在75℃-80℃；然后，将糊状绝缘体均匀挤出，包覆在导体外表面形成包覆层，挤出机的挤出速度控制在0.35m/min，包覆层厚度控制在0.09-0.1mm；最后，将包覆成型的绝缘体置于室温中冷却；

d）热固烧结，热固烧结过程如下：首先，对包覆成型的绝缘体进行干燥处理，干燥温度控制在135℃-140℃，时间控制在30-32分钟，目的是除去绝缘体中的多余助剂，以避免烧结时有毒气体的产生；然后，进行烧结处理，烧结炉温度划分为两个阶段：第一阶段的温度从0℃提升至180℃，升温速度控制在6℃/min，烧结时间约为28-30分钟；第二阶段的温度从180℃提升至360℃，升温速度控制在4℃/min，烧结时间约为38-40分钟；最后，将烧结成品在烧结炉中缓冷至室温。

本发明揭示了一种极细同轴电缆中绝缘体的制备方法，其特点是：该制备方法工序安排合理，实施简便，成本适中，制得绝缘体在使用过程中表现出良好的综合力学性能，使极细同轴电缆的使用寿命更为持久，性能更为稳定，应用范围更为宽广。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本领域的技术人员在本发明所揭露的技术范围内，可不经过创造性劳动想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求书所限定的保护范围为准。

Claims

1.一种极细同轴电缆中绝缘体的制备方法，其特征在于，该制备方法包括如下步骤：a）原料选备，b）配制糊状绝缘体，c）挤出包覆，d）热固烧结。

2.根据权利要求1所述的极细同轴电缆中绝缘体的制备方法，其特征在于，所述的步骤a）中，绝缘体的主要成分为：聚四氟乙烯、玻璃纤维、石墨粉和相关助剂；助剂中的增塑剂选用DOP或DBP、相容剂选用环状酸酐型或恶唑啉型相容剂、交联剂选用2-乙基-4甲基咪唑或二甲胺基丙胺、粘度调节剂选用石蜡或微晶蜡，四种助剂的含量配比约为4:2:1:3。

3.根据权利要求1所述的极细同轴电缆中绝缘体的制备方法，其特征在于，所述的步骤b）中，制备过程如下：首先，将原料加入反应釜，均匀搅拌30-40分钟，反应釜温度控制在60℃-80℃；然后，向反应釜中添加助剂中的增塑剂和相容剂，反应釜温度升至100℃-120℃，均匀搅拌1-1.2小时；最后，将反应釜温度降至80℃-90℃，继续添加助剂中的交联剂和粘度调节剂，搅拌50-60分钟。

4.根据权利要求1所述的极细同轴电缆中绝缘体的制备方法，其特征在于，所述的步骤c）中，挤出包覆过程如下：首先，将糊状绝缘体导入挤出机，挤出机温度控制在70℃-80℃；然后，将糊状绝缘体均匀挤出，包覆在导体外表面形成包覆层，挤出机的挤出速度控制在0.3-0.35m/min，包覆层厚度控制在0.09-0.1mm；最后，将包覆成型的绝缘体置于室温中冷却。

5.根据权利要求1所述的极细同轴电缆中绝缘体的制备方法，其特征在于，所述的步骤d）中，制备过程如下：首先，进行干燥处理，温度控制在130℃-140℃，时间控制在30-35分钟；然后，进行烧结处理，烧结炉温度划分为两个阶段：第一阶段的温度从0℃提升至180℃，升温速度控制在6℃/min，烧结时间约为28-30分钟；第二阶段的温度从180℃提升至360℃，升温速度控制在4℃/min，烧结时间约为38-40分钟；最后，将烧结成品在烧结炉中缓冷至室温。