CN103855279A - 一种led封装方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title abstract description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 49
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 49
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 64
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 53
- 238000012856 packing Methods 0.000 claims description 24
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 16
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 11
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 7
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 claims description 3
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 9
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract 7
- 229910015363 Au—Sn Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 241000218202 Coptis Species 0.000 description 6
- 235000002991 Coptis groenlandica Nutrition 0.000 description 6
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N gold tin Chemical compound [Sn].[Au] JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000006071 cream Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
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Abstract
本发明适用于LED领域，提供了一种LED封装方法，包括：于硅基片上蒸镀金属薄片，金属薄片的间距与覆晶晶片的正负极的间距相等，宽度大于正负极的宽度；将覆晶晶片固定在金属薄片上，使正、负极与金属薄片一一对应；向硅基片上涂覆荧光胶；将相邻覆晶晶片间的荧光胶部分去除；涂覆透明封装胶，获得阵列式LED胶片；将阵列式LED胶片取下并分割成多个LED封装单体。本发明在硅基片上对覆晶晶片进行封装，封装体仅由覆晶晶片、荧光胶、透明封装胶及金属薄片组成，可靠性高、节省物料、成本低；无支架形状限制，利于大规模集成封装；可减少光子在荧光粉间的内部散射等损耗，利于提升产品亮度；晶片底部无需镀金锡合金层，节约成本。
Description
技术领域
本发明涉及LED产品制造技术领域，尤其涉及一种LED封装方法。
背景技术
传统白光LED产品的封装方式是将LED晶片通过固晶胶粘接或共晶焊接的方式固定在支架上的碗杯中，采用金线将晶片的正极连接于支架的正极，将晶片的负极连接于支架的负极，再向碗杯中填充符合目标色区的荧光胶。由于支架、荧光胶、用于粘接晶片的胶体的热膨胀系数不同，容易在支架、荧光胶、金线、胶体等方面出现可靠性问题；且LED支架种类繁多，粘接晶片和支架正负极的材质多为ＰＰＡ，ＰＣＴ及ＥＭＣ材质，其耐高温性，气密性均有较大缺陷，进而影响ＬＥＤ产品的可靠性。虽然陶瓷支架具有较好的耐高温性和较好的气密性，但支架成本接近晶片成本，且陶瓷支架封装ＬＥＤ制费昂贵，设备投入大，导致陶瓷支架的LED产品产能小，价格高。因此，支架封装结构的ＬＥＤ产品在可靠性，使用寿命，制造成本及价格方面的缺陷均是ＬＥＤ产品替代传统照明产品的较大阻碍。
发明内容
本发明的目的在于提供一种LED封装方法，旨在提高LED产品的可靠性，保证其较长的使用寿命，同时降低成本，提高产能。
本发明是这样实现的，一种LED封装方法，包括下述步骤：
于一硅基片上蒸镀若干对金属薄片，每对金属薄片的间距大于待封装的覆晶晶片的正电极和负电极的间距，所述金属薄片的宽度大于所述覆晶晶片的正电极或负电极的宽度；
将待封装的覆晶晶片固定在所述金属薄片上，并使所述覆晶晶片的正电极、负电极与所述金属薄片一一对应贴合；
向所述硅基片上涂覆荧光胶，将所述覆晶晶片覆盖；
将相邻覆晶晶片之间的荧光胶部分去除，保留预定厚度的荧光胶；
向所述荧光胶表面涂覆透明封装胶，使所述透明封装胶填充相邻覆晶晶片间的空缺区域，并在所述荧光胶之上形成透明封装层，获得带有所述金属薄片的阵列式LED胶片；
将所述阵列式LED胶片从硅基片上取下；
将所述阵列式LED胶片分割成多个LED封装单体。
本发明与传统采用支架封装的方法相比，具有如下优点：
第一、直接在硅基片上对覆晶晶片进行封装，整个封装体仅由覆晶晶片、荧光胶、透明封装胶及金属薄片组成，省去支架、金线等物料，且覆晶晶片、荧光胶和透明封装胶性能均极稳定，可靠性远高于支架和金线的封装模式，进而避免由于支架和胶体的热膨胀系数不同而导致的产品可靠性问题，保证其超长的使用寿命，并可节约大量成本，提高产能；
第二、在硅基片上设置金属薄片制程简单，成本低，将覆晶晶片固定在金属薄片上工艺制程稳定方便；
第三、荧光胶和透明封装胶的涂覆过程在硅基片上进行，与采用点胶机向碗杯内一一点胶的方法相比，物料利用率高，降低了封装成本；
第四、仅对覆晶晶片进行荧光胶和透明封装胶的涂覆，无支架形状的限制，封装过程更加简单，利于LED产品的大规模集成封装，利于封装器件的成本降低；
第五、荧光胶直接涂覆于覆晶晶片表面，不同于支架碗杯承载荧光胶的方式，大量减少光子在荧光粉间的内部散射等损耗，利于提升产品的亮度；
第六、由于不采用支架承载晶片，覆晶晶片底部无需镀昂贵的一定厚度（3μm左右）的金锡合金层（传统方法需要在晶片底部设置金锡合金层焊接于支架上），仅通过金属薄片即可与应用端锡膏等焊料焊接，大幅节约了成本。
附图说明
图1是本发明第一实施例提供的LED封装方法流程图；
图2a是与LED封装方法中硅基片的结构示意图；
图2a’是图2a中A区域的放大图；
图2b是与LED封装方法相对应的封装结构示意图（一）；
图2b’是图2b中B区域的放大图；
图2c是与LED封装方法相对应的封装结构示意图（二）；
图2d是与LED封装方法相对应的封装结构示意图（三）；
图2e是图2d中C区域的放大图；
图2f是与LED封装方法相对应的封装结构示意图（四）；
图2g是与LED封装方法相对应的封装结构示意图（五）；
图2h是与LED封装方法相对应的封装结构示意图（六）；
图2i是由LED封装方法获得的LED封装单体的结构示意图（一）；
图2j是由LED封装方法获得的LED封装单体的结构示意图（二）。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
图1示出了本发明实施例提供的LED封装方法的流程图，图2b～2h示出了与该方法对应的产品封装结构图，为了便于说明，仅示出了与本实施例相关的部分。
结合图1，本发明实施例提供的LED封装方法包括下述步骤：
步骤S101，于一硅基片1上蒸镀若干对金属薄片2，每对金属薄片2的间距略大于待封装的覆晶晶片3的正电极31和负电极32的间距，其中，金属薄片2的宽度大于覆晶晶片3的正电极31或负电极32的宽度；如图2a和图2a’；
在本实施例中，每对金属薄片2的两个金属薄片之间的距离大于覆晶晶片3的正电极31和负电极32的间距，使后续覆晶晶片3固定于金属薄片2上时，金属薄片2和正、负电极贴合的同时保持两金属薄片之间具有更宽的空间，金属薄片与正负电极形成一下宽上窄的阶梯型的空槽，如图2b’，这样有助于后续与应用端焊接时避免电极短路，增强其可操作性。并且，金属薄片2的宽度大于正电极31或负电极32的宽度，使金属薄片2的另一端较相应正电极31或负电极32延长一段距离，相当于通过金属薄片2扩大了正电极31和负电极32的面积，更便于应用端的焊接。
其中，金属薄片2的厚度可以为0.05～3μm。由于不采用支架封装，不必镀较厚（3μm）的且昂贵的金锡合金，节省了成本。
步骤S102，将待封装的覆晶晶片3固定在金属薄片2上，并使覆晶晶片3的正电极31、负电极32与金属薄片2一一对应贴合；如图2b和图2b’；
待封装的覆晶晶片3可以通过焊接或热压的方式固定在金属薄片2上。
步骤S103，向硅基片1上涂覆荧光胶4，将覆晶晶片3覆盖；如图2c；
在本实施例中，涂覆的荧光胶4形成具有一定厚度的层状结构，将覆晶晶片3完全包裹在内，不需单独对每个覆晶晶片3涂覆荧光胶。覆晶晶片3正上方的荧光胶4的厚度为30～500μm。
步骤S104，将相邻覆晶晶片3之间的荧光胶4部分去除，保留预定厚度的荧光胶41；如图2d和图2e；
在本实施例中，可以采用物理或化学方法去除相邻覆晶晶片3之间的荧光胶，保留一定厚度（10～100μm，优选20μm）的荧光胶41，用于保护硅基片1，防止硅基片1被损伤；若要先将涂覆好荧光胶4的整体完全分割，为了避免损伤硅基片1，通常将封装产品取下，在硅基片外将晶片间的荧光胶全部去除，然后再放到硅基片1上进行透明封装胶的涂覆工作，这样需要将大量单个的LED封装件一一放置于硅基片1并按照预设间距放置，是极其复杂的过程；若在硅基片1上进行完全分割，硅基片1就会被损伤，需要采用其他物料将其修复，必然造成硅基片表面凸凹不平，影响后续操作。因此，将相邻覆晶晶片3间的荧光胶保留一定厚度，就可以避免上述问题，且不会增加成本或增加工艺难度，易操作，效果好。
步骤S105，向荧光胶4表面涂覆透明封装胶5，使透明封装胶5填充相邻覆晶晶片3间的空缺区域，并在荧光胶4之上形成透明封装层，获得带有金属薄片2的阵列式LED胶片；如图2f；
在本实施例中，透明封装层可以是平面结构，如图2f，也可以是透镜阵列结构，透镜阵列结构的每个透镜与覆晶晶片3一一对应。
步骤S106，将阵列式LED胶片从硅基片1上取下；如图2g；
取下的阵列式LED胶片是由覆晶晶片3、荧光胶4、透明封装胶5连同金属薄片2构成的整体。
步骤S107，将阵列式LED胶片分割成多个LED封装单体。如图2h。
经过步骤S101～S107，可获得图2i或图2j所示的LED封装单体，每个LED封装单体包括一个覆晶晶片3，于该覆晶晶片3的***包覆有荧光胶4，于荧光胶4之外设有透明封装胶5，覆晶晶片3底部的金属薄片2外露，且金属薄片2的两端延伸至底部的边缘处，便于与应用端的电极焊接。荧光胶4的正面与侧面以不小于90°的夹角相交。
进一步地，还可以在覆晶晶片3底部的正电极31和负电极32之间以及两金属薄片2之间填充防焊胶，以防止后续焊接时电极短路。
本发明与传统采用支架封装的方法相比，具有如下优点：
第一、直接在硅基片上对覆晶晶片进行封装，整个封装体仅由覆晶晶片、荧光胶、透明封装胶及金属薄片组成，省去支架、金线等物料，且覆晶晶片、荧光胶和透明封装胶性能均极稳定，可靠性远高于支架和金线的封装模式，进而避免由于支架和胶体的热膨胀系数不同而导致的产品可靠性问题，保证其超长的使用寿命，并可节约大量成本，提高产能；
第二、在硅基片上设置金属薄片制程简单，成本低，将覆晶晶片通过焊接或热压方式固定在金属薄片上工艺制程稳定方便；
第三、荧光胶和透明封装胶的涂覆过程在硅基片上进行，与采用点胶机向碗杯内一一点胶的方法相比，物料利用率高，降低了封装成本；
第四、仅对覆晶晶片进行荧光胶和透明封装胶的涂覆，无支架形状的限制，封装过程更加简单，利于LED产品的大规模集成封装，利于封装器件的成本降低；
第五、荧光胶直接涂覆于覆晶晶片表面，不同于支架碗杯承载荧光胶的方式，大量减少光子在荧光粉间的内部散射等损耗，利于提升产品的亮度；
第六、由于不采用支架承载晶片，覆晶晶片底部无需镀昂贵的一定厚度（3μm左右）的金锡合金层（传统方法需要在晶片底部设置金锡合金层焊接于支架上），仅通过金属薄片即可与应用端锡膏等焊料焊接，大幅节约了成本。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种LED封装方法，其特征在于，包括下述步骤：
于一硅基片上蒸镀若干对金属薄片，每对金属薄片的间距大于待封装的覆晶晶片的正电极和负电极的间距，所述金属薄片的宽度大于所述覆晶晶片的正电极或负电极的宽度；
将待封装的覆晶晶片固定在所述金属薄片上，并使所述覆晶晶片的正电极、负电极与所述金属薄片一一对应贴合；
向所述硅基片上涂覆荧光胶，将所述覆晶晶片覆盖；
将相邻覆晶晶片之间的荧光胶部分去除，保留预定厚度的荧光胶；
向所述荧光胶表面涂覆透明封装胶，使所述透明封装胶填充相邻覆晶晶片间的空缺区域，并在所述荧光胶之上形成透明封装层，获得带有所述金属薄片的阵列式LED胶片；
将所述阵列式LED胶片从硅基片上取下；
将所述阵列式LED胶片分割成多个LED封装单体。
2.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述待封装的覆晶晶片通过焊接或热压的方式固定在所述金属薄片上。
3.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述金属薄片的厚度为0.05～3μm。
4.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，于相邻覆晶晶片之间祛除一定宽度的荧光胶后，所保留的荧光胶的厚度为10～100μm。
5.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述覆晶晶片正上方的荧光胶的厚度为30～500μm。
6.如权利要求1至5任一项所述的封装方法，其特征在于，所述透明封装层为平面结构。
7.如权利要求1至5任一项所述的封装方法，其特征在于，所述透明封装层为透镜阵列结构，所述透镜阵列结构的每个透镜与所述覆晶晶片一一对应。
8.如权利要求1至5任一项所述的封装方法，其特征在于，所述荧光胶的正面与侧面以不小于90°的夹角相交。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201410038399.2A CN103855279A (zh) | 2014-01-26 | 2014-01-26 | 一种led封装方法 |
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|---|---|
| CN103855279A true CN103855279A (zh) | 2014-06-11 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410038399.2A Pending CN103855279A (zh) | 2014-01-26 | 2014-01-26 | 一种led封装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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