CN103797591A - 制造氮化物半导体发光器件的方法以及由此制造出的氮化物半导体发光器件 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 160
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims abstract description 131
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 181
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 181
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 89
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 57
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 42
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims description 15
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 7
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 claims description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 4
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000001017 electron-beam sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- -1 nitride compound Chemical class 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/405—Reflective materials
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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Abstract
根据本发明的一个方面，提供了用于制造氮化物半导体发光器件的方法和通过该方法制造的氮化物半导体发光器件。所述用于制造氮化物半导体发光器件的方法包括步骤：在衬底上形成第一和第二导电类型氮化物半导体层以形成在第一与第二导电类型氮化物半导体层之间包括有源层的发光结构；顺序地形成第一导电类型氮化物半导体层、有源层和第二导电类型氮化物半导体层；形成连接到第一导电类型氮化物半导体层的第一电极；在第二导电类型氮化物半导体层上形成光致抗蚀剂膜以暴露第二导电类型氮化物半导体层的一部分；以及在被光致抗蚀剂膜暴露的第二导电类型氮化物半导体层上顺序地形成用作第二电极的反射金属层和阻挡层之后去除光致抗蚀剂膜。
Description
技术领域
本发明涉及制造氮化物半导体发光器件的方法以及使用该方法制造出的氮化物半导体发光器件，具体地涉及这样的制造氮化物半导体发光器件的方法，该方法能够在通过简化用于形成电极的工序来减少光致抗蚀及光刻工序数量的同时增大有源层的发光区域。
背景技术
近年来，随着采用氮化镓（GaN）基化合物半导体的能够发射蓝光、绿光和紫外光的发光器件的发展，已经可以显示全色域的颜色。在诸如蓝宝石衬底之类的绝缘衬底上可以生长GaN基化合物半导体晶体，但由于这个原因，不能在衬底的背面上形成电极。因此，两个电极都应当形成于生长在衬底上的半导体层的一侧。为此，必须采用用于形成台面结构的工序，其中，部分地去除上部半导体层和有源层以暴露下部半导体层的一部分顶面。
另外，在半导体发光器件被倒装芯片式地接合到衬底的情况下，有源层中产生的光在穿过n型半导体层和衬底之后向外发射。在有源层中产生的光当中，以大于临界角（基于n型半导体层和衬底的折射率计算出该临界角）的角度发射的光在n型半导体层与衬底之间的界面处会发生反射，并且当在p型和n型电极与衬底之间重复反射时会通过器件的侧面射出。随着反射的重复进行，光的能量会被p型电极和n型电极吸收，从而会大大减小光的强度。
为了提高半导体发光器件的光提取效率，需要由以合金形式使用的诸如Ag、Au、Pt等具有高光反射率的材料来形成电极。然而，当在反射电极中使用这种金属（尤其是Ag）的情况下，在高温下对其进行处理时，由于热稳定性低，在分界面处会产生团聚和空隙（void）。为了避免这种状况，可以在反射金属层上形成阻挡金属层。随后，可以在阻挡金属层上形成接合电极。为此，会增大光致抗蚀剂形成、光致抗蚀剂去除和沉积工序的数量。
此外，当在反射金属层上形成阻挡金属层时，可以使用掩模层中的开口来实现选择性沉积。在电极形成工序中，可以在考虑了制造误差的情况下确定掩模中的开口，尤其是必须充分考虑阻挡金属层与电极之间的距离，以使得整个电极能够形成在阻挡金属层上。这里，在增大了阻挡金属层与电极之间的距离的情况下，阻挡金属层的面积会增大，从而导致发光面积减小。
发明内容
[技术问题]
本发明的一个方面提供了一种制造氮化物半导体发光器件的方法，其包括通过仅由一个光致抗蚀工艺在p型半导体层上同时沉积反射金属层和阻挡金属层来形成p型电极，并且提供了一种使用该方法制造的氮化物半导体发光器件。
[技术方案]
根据本发明的一个方面，提供了一种制造氮化物半导体发光器件的方法，所述方法包括步骤：在衬底上形成发光结构，所述发光结构包括第一导电类型氮化物半导体层和第二导电类型氮化物半导体层，在所述第一导电类型氮化物半导体层和所述第二导电类型氮化物半导体层之间***了有源层；形成在衬底上顺序堆叠的第一导电类型氮化物半导体层、有源层和第二导电类型氮化物半导体层；形成第一电极以连接到所述第一导电类型氮化物半导体层；在所述第二导电类型氮化物半导体层上形成光致抗蚀剂膜，以暴露所述第二导电类型氮化物半导体层的一部分；以及在所述第二导电类型氮化物半导体层的被所述光致抗蚀剂膜暴露的部分上连续地形成反射金属层和阻挡金属层作为第二电极，并去除所述光致抗蚀剂膜。
形成所述反射金属层和阻挡金属层的步骤可以包括：形成所述反射金属层；以及在保持所述光致抗蚀剂膜的状态下，连续地形成所述阻挡金属层以覆盖所述反射金属层的顶面和侧面。
形成所述反射金属层和阻挡金属层的步骤可以包括：通过电子束蒸发来形成所述反射金属层；以及通过溅射沉积来形成所述阻挡金属层。
形成所述反射金属层和阻挡金属层的步骤可以包括：使用具有第一堆叠覆盖范围的电子束蒸发来沉积所述反射金属层；以及使用具有比所述第一堆叠覆盖范围大的第二堆叠覆盖范围的溅射来沉积所述阻挡金属层。
形成所述反射金属层和阻挡金属层的步骤可以包括：使用具有第一堆叠覆盖范围的电子束蒸发来沉积所述反射金属层；以及使用具有比所述第一堆叠覆盖范围大的第二堆叠覆盖范围的电子束蒸发来沉积所述阻挡金属层。
可以将所述阻挡金属层形成为覆盖所述反射金属层的顶面和侧面，以使得所述阻挡金属层的覆盖所述顶面的部分比所述阻挡金属层的覆盖所述侧面的部分厚。
所述方法还可以包括在所述发光结构的整个顶面上形成钝化层的步骤。
可以由负性光致抗蚀剂来形成所述光致抗蚀剂膜。
所述方法还可以包括在所述阻挡金属层上形成接合金属层的步骤。
根据本发明的另一方面，提供了一种氮化物半导体发光器件，包括：第一导电类型氮化物半导体层和第二导电类型氮化物半导体层；介于所述第一导电类型氮化物半导体层与所述第二导电类型氮化物半导体层之间的有源层；电连接到所述第一导电类型氮化物半导体层的第一电极；以及第二电极，其包括反射金属层和阻挡金属层，所述反射金属层形成在所述第二导电类型氮化物半导体层上，所述阻挡金属层形成为覆盖所述反射金属层的顶面和侧面，所述阻挡金属层的覆盖所述顶面的部分比所述阻挡金属层的覆盖所述侧面的部分厚。
所述第一和第二导电类型氮化物半导体层以及所述有源层可以被形成在具有透光性和电绝缘性的衬底上。
所述氮化物半导体发光器件还可以包括形成在所述第二电极上的导电支撑衬底，并且可以在与所述第二导电类型氮化物半导体层相反的方向上将所述第一电极形成在所述第一导电类型氮化物半导体层的表面上。
所述氮化物半导体发光器件还可以包括穿透所述有源层和所述第二导电类型氮化物半导体层以连接到所述第一导电类型氮化物半导体层的至少一个导电通孔，并且所述第一电极可以连接到所述导电通孔并暴露于外部。
所述氮化物半导体发光器件还可以包括形成在所述阻挡金属层上的接合金属层。
[有益效果]
如上所述，根据本发明的一个示例性实施例，通过减少光致抗蚀剂形成及去除工序的数量可以简化制造工艺，并且可以减小阻挡金属层的面积以减少被阻挡金属层吸收的光量。另外，可以通过包覆（capping）将阻挡金属层包覆至反射金属层来将阻挡金属层附着到反射金属层上，以防止在对反射金属层进行热处理时在反射金属层与阻挡金属层之间的分界面处产生团聚和空隙，从而可以确保发光器件的可靠性。此外，根据本发明另一示例性实施例，可以增大发光面积以提高照明强度。
附图说明
图1是示意性示出根据本发明一个示例性实施例的氮化物半导体发光器件的横截面侧视图；
图2至图9是示出制造图1的氮化物半导体发光器件的方法的横截面侧视图；
图10是示出根据本发明一个示例性实施例的氮化物半导体发光器件的电极结构与根据相关技术的氮化物半导体发光器件的电极结构的比较的横截面图；
图11是通过比较图11的(a)中所示的使用负性光致抗蚀剂的情况与图11的(b)中所示的使用正性光致抗蚀剂的情况来示出沉积反射金属层和阻挡金属层的工序的示图；以及
图12和图13是示意性示出根据本发明另一示例性实施例的氮化物半导体发光器件的横截面图。
具体实施方式
现在将参照附图详细描述本发明的示例性实施例。
然而，本发明可以以许多不同形式来例示，而不应被认为局限于本文所述的具体实施例。提供这些实施例是为了使得本发明是透彻和完整的，并将本发明的范围充分传达给本领域技术人员。在附图中，为清楚起见可能夸大了元件的形状和尺寸，并且将始终使用相同附图标记来代表相同或相似的元件。
图1是示意性示出根据本发明一个示例性实施例的氮化物半导体发光器件的横截面侧视图。
参照图1，根据本发明一个示例性实施例的氮化物半导体发光器件100可以包括在衬底110的顶面上顺序堆叠的第一导电类型氮化物半导体层120、有源层130和第二导电类型氮化物半导体层140。另外，可以在通过台面蚀刻暴露的一部分第一导电类型氮化物半导体层120上形成第一电极170，并且可以在第二导电类型氮化物半导体层140上形成第二电极160。可以在半导体层120、130和140的表面（侧面和顶面）上形成钝化层180，并同时使得其中形成了第一电极170和第二电极160的区域保持敞开。钝化层180可以保护发光结构并在各个层和电极之间形成电绝缘。
衬底110可以用来生长氮化物半导体层。衬底110可以是高电阻衬底，并且主要采用蓝宝石衬底。蓝宝石是具有六菱形R3C对称性的晶体，并且具有沿C轴的晶格常数
和沿A轴的晶格常数
。蓝宝石的定向平面包括C（0001）平面、A（1120）平面、R（1102）平面等。C平面主要用作用于氮化物半导体生长的衬底，因为它有助于氮化物膜的生长并且在高温下稳定。然而，根据本实施例的衬底110不限于蓝宝石衬底，除了蓝宝石衬底外还可以使用由SiC、Si、GaN、AlN等形成的衬底。
第一导电类型氮化物半导体层120和第二导电类型氮化物半导体层140可以由具有以AlxInyGa(1-x-y)N（其中0≤x≤1，0≤y≤1，且0≤x+y≤1）表示的化合物的材料来形成，并且可以分别掺杂n型和p型杂质。可以通过与生长氮化物半导体层有关的已知方法来生长第一导电类型氮化物半导体层120和第二导电类型氮化物半导体层140，例如金属有机化学气相沉积（MOCVD）、分子束外延（MBE）、氢化物气相外延（HVPE）等。
尽管未示出，然而可以在衬底110上形成缓冲层（未示出）以缓解衬底110与第一导电类型氮化物半导体层120之间的晶格失配。缓冲层可以是由III-V族氮化合物半导体形成的n型材料层或未掺杂材料层。缓冲层可以是在低温下生长的AlN成核层或n-GaN成核层。
有源层130可以是通过电子-空穴载流子复合而发光的材料层，并且可以由以III-V族氮化合物半导体制成的具有多量子阱（MQW）结构（在该结构中交替堆叠了量子阱层和量子势垒层）的GaN基半导体层来形成有源层130。这里，量子势垒层可以具有以AlxInyGa(1-x-y)N（其中0≤x≤1，0≤y≤1，且0≤x+y≤1）表示的成分，量子阱层可以具有以InzGa(1-z)N（其中0≤z≤1）表示的成分。这里，量子势垒层可以具有超晶格结构，其厚度使得从第二导电类型氮化物半导体层140注入的空穴能够隧穿。
尽管未示出，然而还可以在第一导电类型氮化物半导体层140与第二电极160之间形成透明导电氧化物（TCO）膜。另外，当在第一导电类型氮化物半导体层140与第二电极160之间形成了TCO膜或由镍（Ni）、钛（Ti）、铬（Cr）、铝（Al）等制成的金属层的情况下，可以增大焊盘电极与透光电极之间的接合强度。尤其是在使用镍（Ni）的情况下，可以进一步增大接合强度。
在本实施例中，第二电极160中可以包括顺序堆叠的反射金属层161和阻挡金属层162，必要时还可以在其上形成接合金属层163。可以由具有高反射率并且与第二导电类型氮化物半导体层140形成欧姆接触的材料来形成反射金属层161，例如，对于该反射金属层161，可以使用从由Ag、Al、Au和它们的合金组成的组中选择的任一种金属。另外，阻挡金属层162可以形成为覆盖反射金属层161的顶面和侧面，并且可以由TiW等来制成。阻挡金属层162可以防止反射金属层161在接合金属层163的材料与反射金属层161的材料的分界面处熔融，从而避免反射金属层161的性质（特别是反射率和接触电阻）劣化。在本实施例中，如图1所示，阻挡金属层162可以形成为覆盖反射金属层161的顶面和侧面，并且阻挡金属层162的覆盖反射金属层161顶面的部分的厚度t1可以大于阻挡金属层162的覆盖反射金属层161侧面的部分的厚度t2。如下文所述，当实施了本发明构思所提出的沉积工艺时，可以得到这种结构。可以由例如Cr/Au来制造接合金属层163。同时，第一电极170可以由接合金属层形成，并且与第一导电类型氮化物半导体层120形成欧姆接触。
下面将描述制造图1的氮化物半导体发光器件的方法。图2至图7是示出制造图1的氮化物半导体发光器件的方法的每个工序的横截面侧视图。
首先，参照图2，可以在衬底110上顺序地外延生长第一导电类型氮化物半导体层120、有源层130和第二导电类型氮化物半导体层140，以形成发光结构。可以通过MOCVD等来生长这些氮化物半导体层120、130和140。
接下来参照图3和图4，可以形成台面结构以便在氮化物半导体层120和140上形成各个电极。如图3所示，可以通过在第二导电类型氮化物半导体层140的除待蚀刻部分以外的顶面上形成光致抗蚀剂膜145，来得到台面结构。此后，如图4所示，可以部分地蚀刻并去除第二导电类型氮化物半导体层140和有源层130以暴露第一导电类型氮化物半导体层120，从而可以形成台面结构。随后，可以从台面结构上去除用以形成该台面结构的光致抗蚀剂膜145。
接下来参照图5，可以形成光致抗蚀剂膜150，该光致抗蚀剂膜150在用于形成第二电极的区域中具有开口。这里，第二电极可以具有由上文所述的反射金属层和阻挡金属层形成的多层结构。第二导电类型氮化物半导体层140的被光致抗蚀剂膜150暴露的顶面部分可以小于其整个顶面，这是为了在金属沉积工序中备留余量。
随后，参照图6，可以在第二导电类型氮化物半导体层140的顶面上形成在用于形成第二电极160的区域中具有开口的光致抗蚀剂膜150，并且可以通过电子束蒸发或溅射沉积来形成由反射金属层161和阻挡金属层162形成的多层结构。这里，示出图5的光致抗蚀剂膜150作为图4的光致抗蚀剂膜150的放大示图。
这里，可以使用具有不同的堆叠覆盖范围的装置来分别沉积反射金属层161和阻挡金属层162。例如，在使用具有低堆叠覆盖范围的电子束蒸发①来形成反射金属层161之后，在保持光致抗蚀剂膜150的状态下，使用具有高堆叠覆盖范围的电子束蒸发②来沉积阻挡金属层162以覆盖反射金属层161的顶面和侧面。作为替代方式，可以通过电子束蒸发形成反射金属层161，并且通过溅射沉积形成阻挡金属层162。这是因为溅射比电子束蒸发具有更高的堆叠覆盖范围。即，可以使用电子束蒸发形成反射金属层161，并且可以使用堆叠覆盖范围比电子束蒸发高的溅射来形成阻挡金属层162。在这种情况下，由于可以使用单个光致抗蚀剂膜150来在形成反射金属层161之后形成阻挡金属层162，因此可以将阻挡金属层162形成为如图6所示，使得其覆盖了反射金属层顶面的部分比覆盖了反射金属层侧面的部分更厚。随后，可以执行热处理，并且可以去除用以形成反射金属层161和阻挡金属层162的光致抗蚀剂膜150，从而得到图7所示的结构。
如上所述，可以改进制造氮化物半导体发光器件的一般方法，以根据本发明构思来实现利用单个光致抗蚀剂膜形成反射金属层161和阻挡金属层162的工艺。由于仅形成了单个光致抗蚀剂膜，因此可以减少形成光致抗蚀剂膜之后执行的光致抗蚀剂膜去除及清洗工序的数量，从而可以简化制造工艺。另外，可以通过包覆将阻挡金属层162附着到反射金属层161，尤其是在反射金属层161由银（Ag）形成的情况下，这种方式可以防止由去除光致抗蚀剂膜所导致的银（Ag）的损失并且防止在分界面处形成空隙，从而可以稳固地确保发光器件的可靠性。此外，由于需要单个光致抗蚀剂工序，因此可以使得用于电极沉积的余量最小化。因此，可以增大第二电极的面积，即电流注入的有效面积，从而提高了发光效率。
同时，在本实施例中使用的光致抗蚀剂膜150可以是负性光致抗蚀剂。参照图11，将通过比较图11的(a)所示的使用负性光致抗蚀剂的情况与图11的(b)所示的使用正性光致抗蚀剂的情况来说明沉积反射金属层和阻挡金属层的工序。在如图11的(a)所示的使用负性光致抗蚀剂（允许被光照射的部分保留）的情况下，反射金属层161和阻挡金属层162被分隔成形成在第二导电类型氮化物半导体层140上的部分和形成在光致抗蚀剂膜150上的部分，因此，可以通过后续剥离工序容易地去除光致抗蚀剂膜150。另一方面，在如图11的(b)所示的使用正性光致抗蚀剂（允许未被光照射的部分保留）的情况下，连续地形成反射金属层161’和阻挡金属层162'，显得难以去除光致抗蚀剂膜150'。
接下来，参照图8，可以分别在阻挡金属层162和第一导电类型氮化物半导体层120的暴露部分上形成接合金属层和第一电极。可以通过如下方式来实现接合金属层的形成：形成在用于形成第一电极的区域中具有开口的光致抗蚀剂膜（未示出），以便暴露第一导电类型氮化物半导体层120的一部分；在第一导电类型氮化物半导体层120的暴露部分上形成第一电极170；并去除光致抗蚀剂膜。此后，可以形成在用于形成接合金属层163的区域中具有开口的光致抗蚀剂膜（未示出），以暴露阻挡金属层162的一部分。在形成了接合金属层163之后，去除光致抗蚀剂膜。结果，可以得到如图8所示的结构。
随后参照图9，可以在图8的结构上形成钝化层180。具体地说，可以通过在图8的结构的整个顶面上（即在第一导电类型氮化物半导体层120和第二导电类型氮化物半导体层140的暴露部分上）形成绝缘层来实现钝化层180的形成。绝缘层可以由SiO2或SiN形成。当在绝缘层上形成了具有暴露了第一电极170和第二电极160的接合金属层163的开口的光致抗蚀剂膜（未示出）之后，可以通过蚀刻选择性地去除绝缘层，从而形成钝化层180。结果，可以制造出如图9所示的最终的氮化物半导体发光器件100。
图10是示出根据本发明一个示例性实施例的氮化物半导体发光器件的电极结构与根据相关技术的氮化物半导体发光器件的电极结构的比较的横截面图。这里，图10中的(a)是通过执行两次光致抗蚀剂形成和去除工序以形成反射金属层和阻挡金属层而制造的一般氮化物半导体发光器件10的横截面侧视图，图10中的(b)是通过单次光致抗蚀工序形成反射金属层和阻挡金属层而制造的根据本发明示例实施例的氮化物半导体发光器件100的横截面侧视图。
参照图10中的(a)和(b)，由于相关技术的氮化物半导体发光器件10的反射金属层61和阻挡金属层62是通过两次光致抗蚀工序形成的，所以，当在各个掩模层中形成开口时除了考虑余量的误差以外还必须充分考虑开口的大小。因此用于形成阻挡金属层62的区域大于用于形成根据本发明示例实施例的氮化物半导体发光器件100的阻挡金属层162的区域。因此，根据本发明示例实施例的氮化物半导体发光器件100可以解决相关技术的氮化物半导体发光器件10的阻挡金属层62减小了发光面积这一问题。即，根据本发明示例实施例的氮化物半导体发光器件100可以减小阻挡金属层162的面积，并增大反射金属层161的面积，从而可以增大发光面积。
图12和图13是示意性示出根据本发明另一示例性实施例的氮化物半导体发光器件的横截面图。在前述实施例中，连接到器件的一对电极是朝向器件的顶部布置的，并且在最终器件中包括半导体生长衬底110。在图12的实施例中，氮化物半导体发光器件200可以包括第一导电类型半导体层220、有源层230和第二导电类型半导体层240，并且可以在第二导电类型半导体层240上形成包括反射金属层261、阻挡金属层262和导电支撑衬底263的第二电极260。另外，可以在第一导电类型半导体层220的表面上在与第二导电类型半导体层240相反的方向上形成第一电极270。在本实施例中，反射金属层261和阻挡金属层262的性能非常重要，原因在于，从有源层230发出的光会被反射金属层261反射，并且反射光会被引导向下（基于图12）。同时，导电支撑衬底263可以用作支撑体，用于在去除用于半导体生长的衬底110的激光剥离工艺中支撑发光结构，并且可以由包括Au、Ni、Al、Cu、W、Si、Se和GaAs中至少一种的材料形成导电支撑衬底263。例如，SiAl衬底可用于导电支撑层衬底263。
根据图13所示的示例性实施例的氮化物半导体发光器件300可以包括第一导电类型半导体层320、有源层330和第二导电类型半导体层340，并且可以在第二导电类型半导体层340上形成包括反射金属层361、阻挡金属层362和接合金属层363的第二电极360。在图12的前述实施例中，导电支撑衬底263电连接到第二导电类型半导体层240；然而在本实施例中，支撑衬底362电连接到第一导电类型半导体层320。为此，电连接到支撑衬底362的导电通孔v可以穿透有源层330和第二导电类型半导体层340以连接到第一导电类型半导体层320。在这种情况下，可以***绝缘层371以将导电通孔v与有源层330和第二导电类型半导体层340分隔开。介于第二导电类型半导体层340与支撑衬底370之间的反射金属层361的表面可以部分地暴露于外部，并且在其暴露的表面上可以形成要被施加外部电信号的接合金属层363。在本实施例中，可以形成阻挡金属层362以覆盖反射金属层361的顶面和侧面，使得阻挡金属层362的覆盖反射金属层361的顶面的部分比其覆盖反射金属层361的侧面的部分厚，这是因为使用了单个光致抗蚀剂膜来实现具有不同堆叠覆盖范围的沉积工艺。这里，反射金属层361的顶面可以理解为图13中的反射金属层361的底面，因为与前述实施例相比，其图示在相反的方向。
尽管上文已经示出并描述了示例性实施例，然而对本领域技术人员显然的是，可以在不脱离由所附权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下作出各种修改和变型。
Claims (14)
1.一种制造氮化物半导体发光器件的方法，所述方法包括步骤：
在衬底上形成发光结构，所述发光结构包括第一导电类型氮化物半导体层和第二导电类型氮化物半导体层，在所述第一导电类型氮化物半导体层和所述第二导电类型氮化物半导体层之间***了有源层；
形成在衬底上顺序堆叠的第一导电类型氮化物半导体层、有源层和第二导电类型氮化物半导体层；
形成第一电极以连接到所述第一导电类型氮化物半导体层；
在所述第二导电类型氮化物半导体层上形成光致抗蚀剂膜，以暴露所述第二导电类型氮化物半导体层的一部分；以及
在所述第二导电类型氮化物半导体层的被所述光致抗蚀剂膜暴露的部分上连续地形成反射金属层和阻挡金属层作为第二电极，并去除所述光致抗蚀剂膜。
2.如权利要求1所述的方法，其中形成所述反射金属层和阻挡金属层的步骤包括：
形成所述反射金属层；以及
在保持所述光致抗蚀剂膜的状态下，连续地形成所述阻挡金属层以覆盖所述反射金属层的顶面和侧面。
3.如权利要求1所述的方法，其中形成所述反射金属层和阻挡金属层的步骤包括：
通过电子束蒸发来形成所述反射金属层；以及
通过溅射沉积来形成所述阻挡金属层。
4.如权利要求1所述的方法，其中形成所述反射金属层和阻挡金属层的步骤包括：
使用具有第一堆叠覆盖范围的电子束蒸发来沉积所述反射金属层；以及
使用具有比所述第一堆叠覆盖范围大的第二堆叠覆盖范围的溅射来沉积所述阻挡金属层。
5.如权利要求1所述的方法，其中形成所述反射金属层和阻挡金属层的步骤包括：
使用具有第一堆叠覆盖范围的电子束蒸发来沉积所述反射金属层；以及
使用具有比所述第一堆叠覆盖范围大的第二堆叠覆盖范围的电子束蒸发来沉积所述阻挡金属层。
6.如权利要求1所述的方法，其中将所述阻挡金属层形成为覆盖所述反射金属层的顶面和侧面，以使得所述阻挡金属层的覆盖所述顶面的部分比所述阻挡金属层的覆盖所述侧面的部分厚。
7.如权利要求1所述的方法，还包括在所述发光结构的整个顶面上形成钝化层的步骤。
8.如权利要求1所述的方法，其中由负性光致抗蚀剂来形成所述光致抗蚀剂膜。
9.如权利要求1所述的方法，还包括在所述阻挡金属层上形成接合金属层的步骤。
10.一种氮化物半导体发光器件，包括：
第一导电类型氮化物半导体层和第二导电类型氮化物半导体层；
介于所述第一导电类型氮化物半导体层与所述第二导电类型氮化物半导体层之间的有源层；
电连接到所述第一导电类型氮化物半导体层的第一电极；以及
第二电极，其包括反射金属层和阻挡金属层，所述反射金属层形成在所述第二导电类型氮化物半导体层上，所述阻挡金属层形成为覆盖所述反射金属层的顶面和侧面，所述阻挡金属层的覆盖所述顶面的部分比所述阻挡金属层的覆盖所述侧面的部分厚。
11.如权利要求10所述的氮化物半导体发光器件，其中所述第一导电类型氮化物半导体层、所述第二导电类型氮化物半导体层和所述有源层被形成在具有透光性和电绝缘性的衬底上。
12.如权利要求10所述的氮化物半导体发光器件，还包括形成在所述第二电极上的导电支撑衬底，
其中在与所述第二导电类型氮化物半导体层相反的方向上将所述第一电极形成在所述第一导电类型氮化物半导体层的表面上。
13.如权利要求10所述的氮化物半导体发光器件，还包括穿透所述有源层和所述第二导电类型氮化物半导体层以连接到所述第一导电类型氮化物半导体层的至少一个导电通孔，
其中所述第一电极连接到所述导电通孔并暴露于外部。
14.如权利要求10所述的氮化物半导体发光器件，还包括形成在所述阻挡金属层上的接合金属层。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/KR2011/006013 WO2013024914A1 (ko) | 2011-08-17 | 2011-08-17 | 질화물 반도체 발광소자의 제조방법 및 이에 의해 제조된 질화물 반도체 발광소자 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103797591A true CN103797591A (zh) | 2014-05-14 |
Family
ID=47715227
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201180073488.5A Pending CN103797591A (zh) | 2011-08-17 | 2011-08-17 | 制造氮化物半导体发光器件的方法以及由此制造出的氮化物半导体发光器件 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20140197374A1 (zh) |
| CN (1) | CN103797591A (zh) |
| WO (1) | WO2013024914A1 (zh) |
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- 2011-08-17 US US14/239,231 patent/US20140197374A1/en not_active Abandoned
- 2011-08-17 CN CN201180073488.5A patent/CN103797591A/zh active Pending
- 2011-08-17 WO PCT/KR2011/006013 patent/WO2013024914A1/ko active Application Filing
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| WO2013024914A1 (ko) | 2013-02-21 |
| US20140197374A1 (en) | 2014-07-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20140514 |