CN103797582B - 太阳能电池用集电片以及使用其的太阳能电池模块 - Google Patents

太阳能电池用集电片以及使用其的太阳能电池模块 Download PDF

Info

Publication number
CN103797582B
CN103797582B CN201280044426.6A CN201280044426A CN103797582B CN 103797582 B CN103797582 B CN 103797582B CN 201280044426 A CN201280044426 A CN 201280044426A CN 103797582 B CN103797582 B CN 103797582B
Authority
CN
China
Prior art keywords
collector plate
solar
sealing material
solar batteries
plate used
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201280044426.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103797582A (zh
Inventor
驹井贵之
江本智史
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dai Nippon Printing Co Ltd filed Critical Dai Nippon Printing Co Ltd
Publication of CN103797582A publication Critical patent/CN103797582A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103797582B publication Critical patent/CN103797582B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • H01L31/0516Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module specially adapted for interconnection of back-contact solar cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/02002Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
    • H01L31/02005Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02008Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02SGENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
    • H02S20/00Supporting structures for PV modules
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0224Electrodes
    • H01L31/022408Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022441Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
    • H01L31/02245Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells for metallisation wrap-through [MWT] type solar cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0203Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/048Encapsulation of modules
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/048Encapsulation of modules
    • H01L31/0481Encapsulation of modules characterised by the composition of the encapsulation material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/048Encapsulation of modules
    • H01L31/049Protective back sheets
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明提供太阳能电池模块中的内部布线用的太阳能电池用集电片,其例如能够防止作为P极的非受光面侧元件与对应于N电极的布线部之间的短路,且能缓和冲击。该太阳能电池用集电片(2)配置于背接触式太阳能电池元件(1)的背面侧作为太阳能电池模块中的内部布线用,在树脂基材(21)的表面上形成有由金属的布线部(221)和非布线部(222)所构成的电路(22),在电路(22)上层叠有密封材料层(23),在布线部(221)上的密封材料层(23)中形成有为了隔着密封材料层(23)导通太阳能电池元件(1)的非受光面侧的电极(4)和与其对应的布线部(221)而让布线部(221)露出的导通凹部(24)。

Description

太阳能电池用集电片以及使用其的太阳能电池模块
技术领域
本发明涉及用于从背接触式太阳能电池元件取电的太阳能电池用集电片以及使用其的太阳能电池模块。
背景技术
近年来,随着对环境问题的意识的提高,作为清洁能源的太阳能电池备受瞩目。一般地,构成太阳能电池的太阳能电池模块是从受光面侧开始依次层叠透明正面基板、表面侧密封材料片、太阳能电池元件、背面侧密封材料片、以及背面保护片而构成,具有通过太阳光射入到上述太阳能电池元件来发电的功能。
在太阳能电池模块的内部进行发电的太阳能电池元件通常构成为在太阳能电池模块的内部设置有多张,它们被串并联连接而能获得需要的电压以及电流。为了在太阳能电池模块的内部对多个太阳能电池元件进行布线,例如使用了将作为电路的金属箔层叠在作为基材的树脂片的表面而成的太阳能电池用集电片(参照专利文献1)。
但是,在太阳能电池元件中,公知一种以下所述的背接触式太阳能电池元件,其包括用于接收太阳光的受光面、以及位于其背侧的非受光面,但是,为了提高受光面上的太阳光线的受光效率,在受光面上不配置电极,而是在非受光面上配置具有不同极性的多个电极。
背接触式太阳能电池元件有各种方式。除了有包括具有贯通受光面和非受光面的多个通孔的半导体基板并在非受光面上设置有极性不同的多个电极的金属贯穿(MWT)方式或发射极贯穿(EWT)方式的太阳能电池元件之外,还有不具有通孔的结构的太阳能电池元件。
这里,特别是在从具有通孔的结构的太阳能电池元件的电极直接取电的情况下,存在作为P极的非受光面侧元件与对应于N电极的布线部之间发生短路的危险。
这样的短路可以通过在太阳能电池用集电片的电路上形成绝缘层来防止。在专利文献2中,揭示了在太阳能电池用集电片的电路上形成有由绝缘性粘结剂形成的绝缘层的太阳能电池模块。
另一方面,近年来随着太阳能电池元件薄型化的推进,存在由于来自外部的微小的冲击而导致太阳能电池元件破裂、或在太阳能电池元件与太阳能电池用集电片上的电路的接合部产生接触不良的情况,但是,上述的绝缘性粘结剂通常是基于热或UV等而固化的固化性树脂,因此,固化后的绝缘层没有耐冲击性,仅通过绝缘层无法获得缓和来自于外部的冲击的效果。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利特开2007-081237号公报
专利文献2:日本专利特开2010-157553号公报
发明内容
发明要解决的课题
因此,寻求一种可以不会短路地从背接触式太阳能电池元件安全取电、且可以充分缓和来自于外部的冲击的太阳能电池用集电片。
本发明鉴于以上状况而作出,以提供一种下述的太阳能电池用集电片及其制造方法为课题,即、该太阳能电池用集电片是接合于背接触式太阳能电池元件的太阳能电池用集电片,其能够可靠地防止作为P极的非受光面侧元件与对应于N电极的布线部之间的短路,同时能够充分缓和来自于外部的对于太阳能电池元件以及太阳能电池元件和电路的接合部的冲击。
解决课题的手段
本发明的发明人们为了解决上述课题而反复进行了深入研究,结果发现:在太阳能电池用集电片的电路上形成除了具有缓和冲击的原本的效果之外还具有绝缘效果的密封材料层,从而可以防止上述短路,且还能充分缓和来自于外部的冲击,从而完成了本发明。具体地说,本发明提供以下技术:
(1)一种太阳能电池用集电片,其特征在于,所述太阳能电池用集电片配置在背接触式的太阳能电池元件的背面侧作为太阳能电池模块中的内部布线用,并且,包括:电路,形成于树脂基材的表面,通过含有金属的布线部和非布线部构成;以及层叠在所述电路上的密封材料层,其中,在所述布线部上的密封材料层中形成有为了隔着所述密封材料层导通所述太阳能电池元件的非受光面侧的电极和与其对应的所述布线部而让所述布线部露出的导通凹部。
(2)根据(1)所述的太阳能电池用集电片,其中,所述太阳能电池用集电片包括第一导通凹部和第二导通凹部作为所述导通凹部,所述第一导通凹部与从所述太阳能电池元件的受光面侧元件经由通孔形成到非受光面侧的正负一方的第一电极位置相对应,所述第二导通凹部与所述太阳能电池元件的非受光面侧元件的正负另一方的第二电极位置相对应。
(3)一种太阳能电池用集电片,其特征在于,所述太阳能电池用集电片配置在背接触式的太阳能电池元件的背面侧作为太阳能电池模块中的内部布线用,并且,包括:电路,形成于树脂基材的表面,通过含有金属的布线部和非布线部构成;形成在所述电路上的绝缘层;以及形成在所述绝缘层上的密封材料层,其中,在所述布线部上的绝缘层以及密封材料层中形成有为了隔着所述绝缘层以及密封材料层导通所述太阳能电池元件的非受光面侧的电极和与其对应的所述布线部而让所述布线部露出的导通凹部。
(4)根据(3)所述的太阳能电池用集电片,其中,所述太阳能电池用集电片包括第一导通凹部和第二导通凹部作为所述导通凹部,所述第一导通凹部与从所述太阳能电池元件的受光面侧元件经由通孔形成到非受光面侧的正负一方的第一电极位置相对应,所述第二导通凹部与所述太阳能电池元件的非受光面侧元件的正负另一方的第二电极位置相对应。
(5)根据(1)或(2)所述的太阳能电池用集电片,其中,所述密封材料层按JISC6481测定的体积电阻值为107Ω以上。
(6)根据(1)、(2)或(5)中任一项所述的太阳能电池用集电片,其中,所述密封材料层是聚乙烯类树脂或离聚物。
(7)根据(3)或(4)所述的太阳能电池用集电片,其中,所述绝缘层是紫外线固化型绝缘层。
(8)根据(1)至(7)中任一项所述的背面保护片一体化太阳能电池用集电片,其中,在所述树脂基材的背面侧一体化有背面保护片。
(9)一种太阳能电池用集电片的制造方法,是(1)、(2)、(5)或(6)中任一项所述的太阳能电池用集电片的制造方法,包括:在树脂基材的表面层叠了金属箔之后、对所述金属箔进行蚀刻以形成电路的工序;以及在所述密封材料层中形成构成所述导通凹部的贯通孔并将所述密封材料层层叠在所述电路上的工序。
(10)一种太阳能电池用集电片的制造方法,是(3)、(4)或(7)中任一项所述的太阳能电池用集电片的制造方法,包括:在树脂基材的表面层叠了金属箔之后、对所述金属箔进行蚀刻以形成电路的工序;在所述布线部以及非布线部的除所述导通凹部之外的部分、图案形成所述绝缘层的工序;以及在所述密封材料层中形成构成所述导通凹部的贯通孔并将所述密封材料层层叠在所述绝缘层上的工序。
(11)一种太阳能电池模块,包括将(2)或(4)所述的太阳能电池用集电片层叠在背接触式的太阳能电池元件的非受光面侧而成的接合部件,其中,所述太阳能电池元件具有受光面侧元件和非受光面侧元件,并包括从所述受光面侧元件经由通孔形成到非受光面侧的正负一方的第一电极、以及形成于所述非受光面侧元件上的正负另一方的第二电极,在所述太阳能电池用集电片的所述导通凹部中填充有导电性材料,所述第一电极和所述第一导通凹部内的导电性材料导通接合,所述第二电极和所述第二导通凹部内的导电性材料导通接合。
(12)一种太阳能电池模块,包括:电路,形成于树脂基材的表面,由金属的布线部和非布线部构成;密封材料层,被层叠在所述电路上或形成于所述电路上的绝缘层上;以及层叠在所述密封材料层上的背接触式的太阳能电池元件。
发明的效果
根据本发明,可以提供一种下述的太阳能电池用集电片及其制造方法,即、该太阳能电池用集电片是接合于背接触式太阳能电池元件的太阳能电池用集电片,其能够可靠地防止作为P极的非受光面侧元件与对应于N极的布线部之间的短路,同时还能充分缓和来自于外部的对于太阳能电池元件等的冲击。
附图说明
图1是示意性示出具有通孔的背接触式太阳能电池元件的立体图。
图2是沿图1的X-X线的截面图。
图3是示意性示出太阳能电池元件和本发明的太阳能电池用集电片的接合部件的立体图。
图4是图3的接合部件3在太阳能电池元件1和太阳能电池用集电片2接合前的状态下的沿Y-Y线的截面图(第一实施方式)。
图5是图3的接合部件3在太阳能电池元件1和太阳能电池用集电片2接合后的状态下的沿Y-Y线的截面图(第一实施方式)。
图6是图3的接合部件3在太阳能电池元件1和太阳能电池用集电片2接合后的状态下的沿Y-Y线的截面图(第二实施方式)。
具体实施方式
下面,对本发明的第一实施方式的太阳能电池用集电片及其制造方法进行说明。
首先,参照图1、图2,对将具有通孔的背接触式太阳能电池元件1作为本发明的太阳能电池用集电片的第一实施方式中所使用的太阳能电池元件的一个例子进行说明。图1是示意性示出太阳能电池元件1的立体图。图2是沿图1的X-X线的截面图。
本实施方式中所使用的太阳能电池元件1包括上下层叠的N极的受光面侧元件11和P极的非受光面侧元件12,并具有:贯通受光面侧元件11和非受光面侧元件的多个通孔13、以及由第一电极41和第二电极42构成的电极4,第一电极41是从受光面侧元件11经由通孔13形成到非受光面侧的负电极,第二电极42是形成在非受光面侧元件上的正电极。
此外,在本说明书中,将受光面侧元件为N极、非受光面侧元件为P极的太阳能电池元件1、即第一电极41为负电极、第二电极42为正电极的太阳能电池元件1作为实施例进行了例示。但是,太阳能电池元件的构成并不限定于此。例如,和图1不同地在受光面侧为P极的太阳能电池元件的情况下,第一电极41和第二电极42的正负极性反转。本发明的太阳能电池用集电片也可以用于那样构成的太阳能电池元件。并且,在该情况下,也可以实现和本实施例完全相同的效果。
作为具有通孔13的背接触式太阳能电池元件的具体例,可以列举出金属贯穿(MWT)方式、发射极贯穿(EWT)方式的太阳能电池元件。MWT方式的太阳能电池元件是指以下结构的太阳能电池元件:即、在太阳能电池元件1的通孔13内填充银浆料14等金属,通过金属将在受光面集中的电从非受光面侧的第一电极41(负电极)取出。EWT方式的太阳能电池元件是指以下结构的太阳能电池元件:即、在太阳能电池元件1的通孔13的内壁设置扩散层,通过扩散层将在受光面集中的电从非受光面侧的第一电极(负电极)取出。
此外,可以使用本发明的太阳能电池用集电片的太阳能电池元件并不限于上述的具有通孔13的太阳能电池元件。只要是在非受光面上配置有具有不同极性的多个电极的背接触式太阳能电池元件,本发明的太阳能电池用集电片在用于没有通孔13的构成的太阳能电池元件的情况下,也可以作为能够防止上述短路的同时缓和外部冲击的集电片而优选使用。作为一个例子,“interdigitated back-contact(指叉背接触)(IBC)方式”的太阳能电池元件也可以优选使用本发明的太阳能电池用集电片。这里,IBC方式的太阳能电池元件是指在太阳能电池元件的背面形成梳型形状的p型、n型扩散层并从该p、n区域取电的结构的太阳能电池元件。
参照图3至图5对本发明的太阳能电池用集电片2的实施方式进行说明。图3是示意性示出具有通孔13的背接触式太阳能电池元件1和本发明的太阳能电池用集电片2的接合部件3的立体图。图4是图3的接合部件3在太阳能电池元件1和太阳能电池用集电片2接合前的状态下的沿Y-Y线的截面图。图5是图3的接合部件3在太阳能电池元件1和太阳能电池用集电片2接合后的状态下的沿Y-Y线的截面图。
〈太阳能电池用集电片(第一实施方式)〉
本实施方式的太阳能电池用集电片2具有树脂基材21、电路22、密封材料层23、及形成于密封材料层23的一部分中的导通凹部24。在树脂基材21的表面上形成有由布线部221和非布线部222构成的电路22,布线部221含有例如铜等金属。并且,覆盖电路22地形成有密封材料层23。此外,形成有从密封材料层23的上部表面贯通至电路22的上部表面的导通凹部24。
树脂基材21是成型为片状的树脂。这里,片状是包括膜状的概念,在本发明中两者没有区别。作为构成树脂基材21的树脂,例如可以例示出聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、环状聚烯烃类树脂、聚苯乙烯类树脂、丙烯腈-苯乙烯共聚物、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物、聚氯乙烯类树脂、氟类树脂、聚甲基丙烯酸类树脂、聚碳酸酯类树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等聚酯类树脂、各种尼龙等聚酰胺类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺酰亚胺类树脂、聚芳基邻苯二甲酸酯(ポリアリールフタレート)类树脂、有机硅类树脂、聚砜类树脂、聚苯硫醚类树脂、聚醚砜类树脂、聚氨酯类树脂、乙缩醛类树脂、纤维素类等。
树脂基材21的厚度根据太阳能电池用集电片2所要求的强度、薄度等进行适当设定即可。树脂基材21的厚度没有特别限定,但是,作为一个例子,可以列举出20μm~250μm。
电路22是以期望的布线形状形成于太阳能电池用集电片2的表面的电气布线。电路22的布线部221是含有例如铜等金属的层。为了使电路22形成于树脂基材21的表面,可以例示出使铜箔接合于树脂基材21的表面之后、通过蚀刻处理等对该铜箔进行图案化的方法。
电路22的厚度根据太阳能电池用集电片2所要求的耐电流的大小等进行适当设定即可。电路22的厚度没有特别限定,但是,作为一个例子,可以列举出10μm~50μm。
如图5所示,密封材料层23在电路22上形成在除导通凹部24所占位置之外的位置上。此外,本发明中的密封材料层也被称为填充材料,是指在太阳能电池模块中用于固定太阳能电池元件的位置、并缓和来自于外部的冲击而配置的例如由烯烃类树脂基材等填充材料所构成的层。
作为密封材料,有现有公知的乙烯-醋酸乙烯共聚物树脂(EVA)、离聚物、聚乙烯醇缩丁醛(PVB)、聚乙烯等烯烃类树脂等,这些中任一种都在冲击缓和特性这一点上具有可以充分缓和来自于外部的冲击的特性。
这里,例如在不是在电路上层叠密封材料而是在电路上形成由热固化型绝缘油墨等构成的绝缘层的现有太阳能电池用集电片中,为了防止非受光面侧元件与具有和该元件相反的极性的电极所对应的布线部之间的短路,要求该绝缘层按JIS C6481测定的体积电阻值为107Ω以上,优选为1011Ω以上。本实施例所涉及的太阳能电池用集电片也使密封材料层23发挥上述绝缘层的功能,通过使密封材料层23的电阻值满足上述体积电阻值的条件,从而可以防止上述短路。
针对用作密封材料层23的EVA以及烯烃类树脂,分别准备样品,按以下方式进行关于绝缘性的试验。
关于绝缘性的试验是通过按JIS C6481测定下述样品的体积电阻值来进行的。作为测定设备,使用了超绝缘计(日置电机株式会社制:型号SM-8215)。关于样品,使用了日本专利特开2003-46105中记载的烯烃类树脂和VA含量28%的EVA树脂,样品的厚度均为400μm。结果如表1所示。
[表1]
EVA 烯烃类树脂
体积电阻值 1.4×1012Ω 1.5×1012Ω
根据表1可知,使用了EVA以及烯烃类树脂的密封材料层23均为了防止太阳能电池用集电片中的上述短路而具有充分的绝缘性。
密封材料层23除了具有上述的冲击缓和特性、绝缘性之外,还优选具有优异的与形成电路22上的布线部221的铜箔等的金属密着性。基于该观点,可优选将金属密着性优的离聚物用作密封材料层23。此外,烯烃类树脂也通过混合增粘剂(tackifier)、或使聚乙烯树脂的一部分硅烷改性、或混合硅烷偶联剂而能够提高金属密着性,因此,可以优选用作密封材料层23。根据以上记载,特别优选使用聚乙烯类树脂或离聚物作为密封材料层23。
密封材料层23的厚度优选为100μm以上600μm以下,如果是小于100μm,则无法充分地缓和冲击,此外,绝缘性也不充分,因此并不优选。此外,超过600μm也不会取得更好的效果,反倒会导致导通凹部24的图案形成变得困难,此外,也不经济,因此并不优选。
关于密封材料层23的颜色没有特别的限定。可以不对材料树脂进行特别的着色而是保持无色透明或半透明即可,此外,也可以是着色为任意的颜色。例如,通过着色为白色等光线反射率高的颜色,可以反射入射光,有助于太阳能电池模块的发电效率提高,此外,通过着色为白色或黑色等,还可以提高太阳能电池模块的外观设计性。
如图4以及图5所示,导通凹部24由在太阳能电池元件1和太阳能电池用集电片2接合时形成在太阳能电池元件1的第一电极(负电极)41的正下方的第一导通凹部241和形成在太阳能电池元件1的第二电极(正电极)42的正下方的第二导通凹部242组成。在从太阳能电池元件的上表面侧观察的俯视观察中,第一导通凹部241的形状以及面积和通孔13大致相同,是从密封材料层23的上表面部贯通至布线部221的上表面的孔。另一方面,第二导通凹部242也同样是从密封材料层23的上表面部贯通至布线部221的上表面的孔,但是,其形状以及面积与第二电极42接合即可,可以根据第二电极42的形状位置进行适当设计。
在太阳能电池元件1和太阳能电池用集电片2接合时,第一导通凹部241形成在将第一电极41夹在中间而与所对应的通孔13上下重叠的位置上,此外,第二导通凹部242形成在与第二电极42上下重叠的位置上。在第一导通凹部241和第二导通凹部242的空间部分填充有焊料等导电性材料25。
这样,作为本发明的第一实施方式的太阳能电池用集电片2中的密封材料层3因其以往公知的特性、即冲击缓和特性而可以充分地缓和来自于外部的冲击。此外,除了作为以往的密封材料层的公知效果的冲击缓和效果之外,本发明中的密封材料层23还可以具有用于防止上述短路的充分的绝缘性,发挥这样的以往没有考虑到的新效果。因此,根据太阳能电池用集电片2,例如无需首先在电路上形成绝缘层、然后再在其上重叠形成密封材料层的多层结构,仅以单层的密封材料层即可实现缓和冲击和绝缘的效果,因此,生产工序中的材料、工序能够减少,可以有助于生产效率的提高。
〈太阳能电池用集电片的制造方法〉
在太阳能电池用集电片2的制造中,首先,使用在树脂基材21的表面层叠了含有铜等金属的导电层的层叠片。通过对该层叠片实施蚀刻工序以及剥离工序,在太阳能电池用集电片2上形成电路22。而且,通过对形成有电路22的层叠片实施密封材料层叠工序,在电路22上形成密封材料层23。下面,对蚀刻工序、剥离工序、以及密封材料层叠工序进行说明。
[蚀刻工序]
首先,对蚀刻工序进行说明。该工序是在上述的层叠片的表面上制作被图案化为期望的电路22的形状的蚀刻掩模(未图示)之后进行蚀刻处理来去除未被蚀刻掩模覆盖的部位的导电层的工序。
如已经说明的那样,在该工序中所使用的层叠片是在树脂基材21的表面上形成有含有铜等金属的导电层的层叠片。关于在树脂基材21的表面形成含有铜等金属的导电层的方法,可以例示出通过粘结剂将铜箔粘结在树脂基材21的表面的方法、将铜箔蒸镀于树脂基材21的表面的方法等,但是,基于成本方面的考虑,通过粘结剂将铜箔粘结在树脂基材21的表面的方法更加有利。其中,优选通过使用了聚氨酯类、聚碳酸酯类、环氧树脂类等粘结剂的干式叠层法将铜箔粘结在树脂基材21的表面的方法。
在本工序中,首先,在上述层叠片的表面(即、上述导电层的表面)上制作被图案化为期望的布线部221的形状的蚀刻掩模(未图示)。设置蚀刻掩模是为了将来在蚀刻工序中使作为布线部221的导电层免受浸渍液的腐蚀。用于形成这样的蚀刻掩模的方法并没有特别的限定,例如,可以是通过光掩模使光致抗蚀剂或干膜曝光之后显影,从而在层叠片的表面形成蚀刻掩模,也可以是通过喷墨印刷机等印刷技术在层叠片的表面上形成蚀刻掩模。蚀刻掩模在后述说明的剥离工序中,需要能够通过碱性的剥离液进行剥离。从这样的观点,优选使用光致抗蚀剂或干膜来制作蚀刻掩模。
下面,对蚀刻工序中的蚀刻处理进行说明。该处理是通过浸渍液去除未被蚀刻掩模覆盖的部位的导电层的处理。经过该处理,可以去除导电层中作为布线部221的部位之外的部分,因此,在树脂基材21的表面上按期望的布线部221的形状留下导电层。
[剥离工序]
接着,在剥离工序中使用碱性剥离液去除蚀刻掩模。经过该工序,从布线部221的表面去除蚀刻掩模。作为剥离工序中所使用的碱性剥离液,例如可以列举出规定浓度的苛性钠水溶液。
[密封材料层叠工序]
密封材料层23的形成方法并没有特别的限定,例如在使密封材料形成为片状之后,在形成导通凹部24的位置预先通过冲孔等形成贯通孔,然后层叠,从而可以形成贯通至电路22上的导通凹部24。
此外,根据上述制造方法,在将片状的密封材料层叠在了电路上的阶段,如图4所示,严格说来也有在非布线部222中未形成有密封材料层23的情况。但是,在后述的太阳能电池模块制造工序中的真空热层压加工过程中,由于加工中的热,软化后的密封材料也流入非布线部222,如图5所示,在非布线部222中也形成有密封材料层23。
[太阳能电池模块的制造方法]
下面,对具有接合部件3的太阳能电池模块的制造方法进行说明,该接合部件3接合有作为本发明一实施方式的太阳能电池用集电片2和太阳能电池元件1。
如图5所示,在太阳能电池用集电片2、太阳能电池元件1以及其它部件的一体化工序之前,首先,在太阳能电池用集电片2的导通凹部24中填充导电性材料25。该导电性材料25例如可以例示出焊料等。由此,因导通凹部24以布线部221在底面露出的方式形成,所以导电性材料25和布线部221导通。更加具体地说,在图5中,与布线部221和第一电极41(负电极)连接的第一导通凹部241、以及与布线部221和第二电极42(正电极)连接的第二导通凹部242因密封材料层23而分别单独导通。
一方的太阳能电池元件1侧使用的是图5所示的MWT方式的太阳能电池元件、或者EWT方式的太阳能电池元件等背接触式的太阳能电池元件。在MWT方式的太阳能电池元件的情况下,如图5所示,在通孔13中填充有银浆料14。
接着,将太阳能电池用集电片2、太阳能电池元件1以及未图示的背面保护片等其它部件层叠并一体化。作为该一体化的方法,可以列举出通过真空热层压加工进行一体化的方法。使用上述方法时的层压温度优选在130℃~190℃的范围内。此外,层压时间优选在5~60分钟的范围内,特别优选在8~40分钟的范围内。
在该一体化过程中,太阳能电池用集电片2的密封材料层23因加热而软化并流入到非布线部222中,如图5所示,在非布线部222中也形成有密封材料层23。由此,密封材料层23可以作为防止电极间的短路的绝缘层来发挥功能。
此外,在该一体化过程中,太阳能电池用集电片2的树脂基材21与其它部件牢固地一体化来形成太阳能电池模块,因此,即使在太阳能电池用集电片2的基材树脂的Tg以上进行加热,也不会产生因热导致的收缩、变形的问题。
此外,本发明的太阳能电池用集电片2是指在电路22上层叠有密封材料层23的太阳能电池用集电片,但是,本发明的太阳能电池模块并不限定于预先在电路22上层叠有密封材料层23的太阳能电池模块。包括形成于树脂基材的表面并通过含有金属的布线部和非布线部构成的电路、层叠在所述电路上的密封材料层、以及层叠在所述密封材料层上的背接触式太阳能电池元件的太阳能电池模块在本发明的范围内。
通过上述的一体化,如图4所示,从第一电极41取出的电经由通孔13内的银浆料14,进而,通过第一导通凹部241内的导电性材料25而传导至对应的布线部221。此外,从第二电极42取出的电可以通过第二导通凹部242内的导电性材料25而传导至对应的布线部221。
[背面保护片一体化集电片]
此外,如上所述,太阳能电池用集电片2除与太阳能电池元件1之外,还经过与其它部件一体化的工序来形成太阳能电池模块,但是,也可以在那工序之前,预先使另外的ETFE、耐加水分解PET等背面保护片(未图示)一体化于树脂基材21的背面侧来使其成为用于太阳能电池模块制造的背面保护片一体化集电片。
为了制作上述的背面保护片一体化集电片,在树脂基材21的背面侧通过干式叠层法等层叠背面保护片。
〈太阳能电池用集电片(第二实施方式)〉
接着,对本发明第二实施方式的太阳能电池用集电片及其制造方法进行说明。关于和第一实施方式共同的构成要件,省略其一部分的说明,参照图6,围绕构成要件的不同部分进行说明。
如图6所示,在第二实施方式的太阳能电池用集电片2A中,在电路22上形成有绝缘层26,在该绝缘层26上形成有密封材料层23,在这一点上与第一实施方式的太阳能电池用集电片2不同。根据具备这样构成的太阳能电池用集电片2A,可以提供能够比太阳能电池用集电片2更加可靠地防止非受光面侧元件和布线部之间的短路、且能够缓和来自于外部的冲击的太阳能电池用集电片。
太阳能电池用集电片2A具有树脂基材21、电路22、绝缘层26和密封材料层23(以下,也将两层合在一起称为“绝缘密封材料层”)、以及形成在绝缘密封材料层的一部分中的导通凹部24。覆盖电路22地形成绝缘层26,在绝缘层26的上表面上形成有密封材料层23。此外,形成有从密封材料层23的上部表面通过绝缘层26贯通至电路22的上部表面的导通凹部24。
绝缘层26在电路22上形成于导通凹部24所占部位之外的位置。在太阳能电池用集电片2A中,只要使作为绝缘层26和密封材料层23为一体的绝缘密封材料层计量电阻值时的电阻值满足上述体积电阻值的条件即可防止上述短路。
在太阳能电池用集电片2A中,作为用于形成绝缘层26的绝缘剂,可以替代以往广泛使用的绝缘性极高的环氧酚醛类油墨等热固化性绝缘油墨,而适当使用紫外线固化型绝缘剂作为涂层剂。紫外线固化型绝缘涂层剂单独形成绝缘层时的绝缘性劣于热固化性绝缘油墨。但是,即使是使用紫外线固化型绝缘涂层剂的绝缘层,通过在其上层叠密封材料层23而成为图6所示的多层的绝缘密封材料层,从而能够获得充分的绝缘性。
此外,通过使用紫外线固化型绝缘涂层剂来替代热固化性绝缘油墨,从而可以将后述的绝缘层形成时的油墨的固化温度控制为低温。由此,可以将玻璃化转变温度为100℃以下的经济性优越的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)用作树脂基材21。此外,作为工序,紫外线固化比热固化更加经济性优越。因此,通过将紫外线固化型绝缘涂层剂用作用于形成绝缘层26的绝缘剂,从而可以提高太阳能电池用集电片或太阳能电池模块的生产率。
优选绝缘层26的厚度为5μm以上~25μm以下。如果小于5μm,即便是层叠了密封材料层,绝缘性也不充分,因此不优选,如果超过25μm,也不会取得更好的效果,反倒会导致导通凹部24的图案形成变得困难,而且也不经济,因此不优选。
如图6所示,太阳能电池用集电片2A的密封材料层23在绝缘层26上形成于导通凹部24所占部位之外的位置。即、在太阳能电池用集电片2A中,由绝缘层26的未形成部形成的凹部与形成于其上的密封材料层23中的孔部连通,从而形成导通凹部24。
太阳能电池用集电片2A的密封材料层23与绝缘层26层叠而形成绝缘密封材料层,从而与单独配置绝缘层26的情况相比,作为绝缘密封材料层整体,可以带来发挥更高绝缘性这样的对现有太阳能电池用集电片中的密封材料所没有要求的新效果。
优选太阳能电池用集电片2A的密封材料层23的厚度为100μm以上~600μm以下。如果小于100μm,则无法充分缓和冲击,此外,提高绝缘性的效果也不充分,因此不优选,如果超过600μm,也不会取得更好的效果,反倒会导致导通凹部24的图案形成变得困难,而且也不经济,因此不优选。
〈太阳能电池用集电片(第二实施方式)的制造方法〉
在太阳能电池用集电片2A的制造中,接着与制造第一实施方式的太阳能电池用集电片2时相同的蚀刻工序以及剥离工序,进行用于形成绝缘层26的绝缘涂布工序。并且,之后,按照在所形成的绝缘层26上层叠密封材料层23的形式进行密封材料层叠工序,这一点与第一实施方式所涉及的上述制造方法不同。关于第二实施方式所涉及的制造方法,下面,对该绝缘涂布工序和密封材料层叠工序进行说明。
[绝缘涂布工序]
绝缘涂布可以通过使用光及/或热固化型绝缘涂层剂的方法来进行。
具体而言,在以覆盖电路22的布线部221以及非布线部222上除了导通凹部24之外的部分的方式涂布了紫外线固化型绝缘涂层剂之后,通过紫外线的照射使其固化,从而来进行绝缘涂布。在这种情况下,可以适合使用丙烯酸类的紫外线固化型绝缘涂层剂。
此外,绝缘涂布也可以通过使用环氧酚醛类油墨等热固化性绝缘油墨等其它的以往公知的绝缘剂的方法来进行。
[密封材料层叠工序]
太阳能电池用集电片2A的密封材料层23的形成方法并没有特别的限定,例如,可以在使密封材料形成为片状之后,在形成导通凹部24的位置预先通过冲孔等形成贯通孔,之后进行层叠,使由绝缘层26形成的凹部与贯通孔重叠,从而形成贯通至电路22上的导通凹部24。
如上所述,本发明的太阳能电池用集电片2、2A具备在与太阳能电池元件1接合时、例如可以对非受光面侧元件12和布线部221之间进行绝缘、且可以缓和来自于外部的对太阳能电池元件1等的冲击的密封材料层23、或由绝缘层26和密封材料层23构成的绝缘密封材料层,通过将该太阳能电池用集电片2用于来自于太阳能电池元件1的电的取出,从而可以防止作为P极的非受光面侧元件12和对应于N电极的布线部之间的短路,并且同时还可以缓和来自于外部的冲击,对太阳能电池元件1等进行适当的保护。
[附图标记说明]
1 太阳能电池元件 13 通孔
2、2A 太阳能电池用集电片 21 树脂基材
22 电路 23 密封材料层
24 导通凹部 25 导电性材料
26 绝缘层
3 太阳能电池元件和太阳能电池用集电片的接合部件
4 电极 41 第一电极
42 第二电极

Claims (6)

1.一种太阳能电池用集电片,其特征在于,
所述太阳能电池用集电片配置在背接触式的太阳能电池元件的背面侧作为太阳能电池模块中的内部布线用,并且,包括:
电路,形成于树脂基材的表面,通过含有金属的布线部和非布线部构成;以及
未隔着绝缘层地直接层叠在所述电路上的、厚度为100μm以上且600μm以下的密封材料层,
所述密封材料层是聚乙烯类树脂或离聚物,并且,按JIS C6481测定的体积电阻值为107Ω以上,
其中,在所述布线部上的密封材料层中形成有为了隔着所述密封材料层导通所述太阳能电池元件的非受光面侧的电极和与其对应的所述布线部而让所述布线部露出的导通凹部。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池用集电片,其中,
所述太阳能电池用集电片包括第一导通凹部和第二导通凹部作为所述导通凹部,
所述第一导通凹部与从所述太阳能电池元件的受光面侧元件经由通孔形成到非受光面侧的正负一方的第一电极位置相对应,
所述第二导通凹部与所述太阳能电池元件的非受光面侧元件的正负另一方的第二电极位置相对应。
3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池用集电片,其中,
在所述树脂基材的背面侧一体化有背面保护片。
4.一种太阳能电池用集电片的制造方法,是权利要求1或2所述的太阳能电池用集电片的制造方法,包括:
在树脂基材的表面层叠了金属箔之后、对所述金属箔进行蚀刻以形成电路的工序;以及
在所述密封材料层中形成构成所述导通凹部的贯通孔并将所述密封材料层层叠在所述电路上的工序。
5.一种太阳能电池模块,包括将权利要求2所述的太阳能电池用集电片层叠在背接触式的太阳能电池元件的非受光面侧而成的接合部件,其中,
所述太阳能电池元件具有受光面侧元件和非受光面侧元件,并包括从所述受光面侧元件经由通孔形成到非受光面侧的正负一方的第一电极、以及形成于所述非受光面侧元件上的正负另一方的第二电极,
在所述太阳能电池用集电片的所述导通凹部中填充有导电性材料,
所述第一电极和所述第一导通凹部内的导电性材料导通接合,
所述第二电极和所述第二导通凹部内的导电性材料导通接合。
6.一种太阳能电池模块,包括:
权利要求1至3中任一项所述的太阳能电池用集电片;以及
层叠在该太阳能电池用集电片的所述密封材料层上的背接触式的太阳能电池元件。
CN201280044426.6A 2012-02-29 2012-02-29 太阳能电池用集电片以及使用其的太阳能电池模块 Expired - Fee Related CN103797582B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2012/055058 WO2013128591A1 (ja) 2012-02-29 2012-02-29 太陽電池用集電シート及びそれを用いた太陽電池モジュール

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103797582A CN103797582A (zh) 2014-05-14
CN103797582B true CN103797582B (zh) 2018-04-27

Family

ID=49081841

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201280044426.6A Expired - Fee Related CN103797582B (zh) 2012-02-29 2012-02-29 太阳能电池用集电片以及使用其的太阳能电池模块

Country Status (5)

Country Link
US (2) US9293607B2 (zh)
EP (1) EP2713405B1 (zh)
KR (1) KR101589803B1 (zh)
CN (1) CN103797582B (zh)
WO (1) WO2013128591A1 (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015159240A (ja) * 2014-02-25 2015-09-03 矢崎総業株式会社 フレキシブルフラット回路体
CN104253166B (zh) * 2014-10-17 2017-02-15 天威新能源控股有限公司 一种背接触太阳电池及其制备方法
US20170054045A1 (en) * 2015-08-21 2017-02-23 Institute of Nuclear Energy Research, Atomic Energy Council, Executive Yuan, R.O.C. Method for packaging solar cell device and structure thereof
TWI602310B (zh) * 2015-09-11 2017-10-11 財團法人工業技術研究院 太陽能電池用封裝膜及其製造方法、與太陽光電模組封裝結構

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6476314B2 (en) * 2001-03-20 2002-11-05 The Boeing Company Solar tile and associated method for fabricating the same
CN100546052C (zh) 2003-06-03 2009-09-30 大日本印刷株式会社 太阳能电池模块用填充材料层及使用它的太阳能电池模块
JP2005019975A (ja) * 2003-06-03 2005-01-20 Dainippon Printing Co Ltd 太陽電池モジュール用充填材層およびこれを用いた太陽電池モジュール
FR2877144B1 (fr) * 2004-10-22 2006-12-08 Solarforce Soc Par Actions Sim Structure multicouche monolithique pour la connexion de cellules a semi-conducteur
JP4699149B2 (ja) 2005-09-15 2011-06-08 ジャパンゴアテックス株式会社 回路基板、および薄膜太陽電池とその製造方法
US20090032087A1 (en) 2007-02-06 2009-02-05 Kalejs Juris P Manufacturing processes for light concentrating solar module
ATE471574T1 (de) 2007-02-06 2010-07-15 American Solar Technologies In Solarstrommodul
JP5252472B2 (ja) 2007-09-28 2013-07-31 シャープ株式会社 太陽電池、太陽電池の製造方法、太陽電池モジュールの製造方法および太陽電池モジュール
EP2216827A1 (en) * 2007-11-09 2010-08-11 Sharp Kabushiki Kaisha Solar battery module and method for manufacturing solar battery module
WO2009067526A2 (en) * 2007-11-19 2009-05-28 Sheats James R High-efficiency, high current solar cell and solar module
EP2289110A2 (en) * 2008-04-29 2011-03-02 Applied Materials, Inc. Photovoltaic modules manufactured using monolithic module assembly techniques
JP5424235B2 (ja) 2008-12-26 2014-02-26 シャープ株式会社 太陽電池モジュールおよび太陽電池モジュールの製造方法
EP2413380A1 (en) * 2009-03-25 2012-02-01 Sharp Kabushiki Kaisha Back electrode type solar cell, wiring sheet, solar cell provided with wiring sheet, solar cell module, method for manufacturing solar cell provided with wiring sheet, and method for manufacturing solar cell module
JPWO2010150749A1 (ja) * 2009-06-22 2012-12-10 シャープ株式会社 太陽電池セル、配線シート付き太陽電池セルおよび太陽電池モジュール
US20110036390A1 (en) * 2009-08-11 2011-02-17 Miasole Composite encapsulants containing fillers for photovoltaic modules
US8119901B2 (en) * 2009-11-03 2012-02-21 Lg Electronics Inc. Solar cell module having a conductive pattern part
JP2011110083A (ja) * 2009-11-24 2011-06-09 Panasonic Electric Works Co Ltd 皮膚組織測定用プローブ
JP2011114205A (ja) 2009-11-27 2011-06-09 Sharp Corp 太陽電池モジュールの製造方法および太陽電池モジュール
KR101627377B1 (ko) * 2009-12-09 2016-06-03 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈
JP2011199020A (ja) * 2010-03-19 2011-10-06 Toppan Printing Co Ltd 太陽電池裏面回路シート及びその製造方法
JP5569139B2 (ja) * 2010-05-12 2014-08-13 凸版印刷株式会社 太陽電池モジュール
JP5876226B2 (ja) * 2010-07-09 2016-03-02 大日本印刷株式会社 太陽電池用集電シート及びそれを用いた太陽電池モジュール
EP2416385A1 (de) * 2010-08-02 2012-02-08 Scheuten S.à.r.l. Mehrlagige Rückkontaktfolie
WO2012158215A1 (en) * 2011-03-18 2012-11-22 Applied Materials, Inc. Process for forming flexible substrates having patterned contact areas
US20120266943A1 (en) * 2011-04-20 2012-10-25 Bo Li Solar cell module structure and fabrication method for preventing polarization

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140031342A (ko) 2014-03-12
EP2713405B1 (en) 2018-05-16
EP2713405A1 (en) 2014-04-02
WO2013128591A1 (ja) 2013-09-06
US9293607B2 (en) 2016-03-22
KR101589803B1 (ko) 2016-01-28
US9991400B2 (en) 2018-06-05
US20140360568A1 (en) 2014-12-11
US20160163885A1 (en) 2016-06-09
EP2713405A4 (en) 2015-08-12
CN103797582A (zh) 2014-05-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103797587B (zh) 太阳能电池用集电片及使用其的太阳能电池模块
US10383207B2 (en) Interdigitated foil interconnect for rear-contact solar cells
JP2011519182A5 (zh)
CN103797582B (zh) 太阳能电池用集电片以及使用其的太阳能电池模块
CN103730529B (zh) 包括太阳能电池的光伏模块用背接触式背板及其制造方法
CN106463561A (zh) 晶体硅系太阳能电池、晶体硅系太阳能电池模块及它们的制造方法
CN211350671U (zh) 一种具有触控功能的太阳能电池
JP5876226B2 (ja) 太陽電池用集電シート及びそれを用いた太陽電池モジュール
JP2012094846A (ja) 太陽電池用集電シート及びそれを用いた太陽電池モジュール
JP5998442B2 (ja) 太陽電池用集電シート及びそれを用いた太陽電池モジュール
JP2007287480A (ja) 色素増感型太陽電池
WO2021189841A1 (zh) 一种具有触控功能的太阳能电池制造方法
CN110168744A (zh) 太阳能电池模块及太阳能电池模块的制造方法
JP2014013838A (ja) 太陽電池用集電シート及び太陽電池モジュール
CN110047961A (zh) 背接触太阳电池组件、导电背板及其制造方法
CN107210317A (zh) 制作用于太阳能电池的电流收集格栅的方法
TWI574428B (zh) A solar cell concentrator and a solar cell module using the current collector
CN208923167U (zh) 太阳能电池前板
JP6131655B2 (ja) 太陽電池用集電シート及びそれを用いた太陽電池モジュール
JP2010041009A (ja) 素子形成基板配線ストリング、太陽電池モジュールおよびその製造方法
JP5728939B2 (ja) 太陽電池用集電シート及びそれを用いた太陽電池モジュール
JP2015070005A (ja) 太陽電池用集電シート
JP6040649B2 (ja) 発電素子間接合シート及びその製造方法
JP2015050295A (ja) 太陽電池モジュール用の集電シートの製造方法
JP6182842B2 (ja) 太陽電池用集電シートの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20180427

Termination date: 20210228