CN103794492A - 一种湿法去除多晶硅的方法 - Google Patents

一种湿法去除多晶硅的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103794492A
CN103794492A CN201410051081.8A CN201410051081A CN103794492A CN 103794492 A CN103794492 A CN 103794492A CN 201410051081 A CN201410051081 A CN 201410051081A CN 103794492 A CN103794492 A CN 103794492A
Authority
CN
China
Prior art keywords
polysilicon
quartz substrate
wafer
potassium hydroxide
polycrystalline silicon
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201410051081.8A
Other languages
English (en)
Inventor
冯春蓉
李朝阳
丁新松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sichuan Feiyang Science And Technology Co Ltd
Original Assignee
Sichuan Feiyang Science And Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sichuan Feiyang Science And Technology Co Ltd filed Critical Sichuan Feiyang Science And Technology Co Ltd
Priority to CN201410051081.8A priority Critical patent/CN103794492A/zh
Publication of CN103794492A publication Critical patent/CN103794492A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B33/08—Etching
    • C30B33/10—Etching in solutions or melts

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

本发明提供了一种湿法去除多晶硅的方法，包括：将第一晶圆置于氢氧化钾溶液中，反应后得到第二晶圆；所述第一晶圆包括依次叠加设置的第一多晶硅、二氧化硅、石英基材与第二多晶硅，所述第二晶圆包括依次叠加设置的二氧化硅与石英基材。本申请采用氢氧化钾溶液去除石英基材表面的多晶硅，氢氧化钾溶液并不会对石英基材以及石英基材表面的二氧化硅造成腐蚀，并且氢氧化钾溶液能够与多晶硅反应，将石英基材两个表面的多晶硅去除，因此本申请湿法去除多晶硅的方法能够有效去除石英基材表面的多晶硅，并且不会对石英基材造成损伤。

Description

一种湿法去除多晶硅的方法
技术领域
本发明涉及多晶硅清洗技术领域，尤其涉及一种湿法去除多晶硅的方法。
背景技术
在制备分光路器器件中，多晶硅作为阻挡层的制备过程如图1所示。根据图1，多晶硅作为石英基材的阻挡层制备过程具体为：首先在石英基材的一个表面进行二氧化硅的生长，另一个表面沉积多晶硅，在二氧化硅表面进行多晶硅沉积，在多晶硅表面进行光刻胶；再在光刻胶未定义的区域干法刻蚀多晶硅；然后去除光刻胶，并刻蚀石英基材表面的二氧化硅，最后去除二氧化硅表面的多晶硅以及石英基材另一面的多晶硅。
多晶硅作为刻蚀二氧化硅的阻挡层，当刻蚀完二氧化硅后需要去除石英片正反两面的多晶硅。由于多晶硅是由LPCVD氧化而成，晶圆的正反面都存在多晶硅，如果使用干法刻蚀只能刻蚀掉正面的多晶硅，无法将反面的多晶硅刻蚀掉，如果使用干法刻蚀反面的多晶硅需要将晶圆的正面朝向放入干法刻蚀机中，这样将会对晶圆的正面造成损伤，从而降低产品的成品率，但是如果不将背面的多晶硅去除，将会影响晶圆的应力，从而影响产品的PDL参数等，因此干法去除正反面的多晶硅方法是不可取的，需要采用湿法的方式去除正反两面的多晶硅。
目前湿法去除多晶硅一般采用酸性试剂，行业中采用硝酸和氢氟酸的混合液去除硅片上面的多晶硅，此方法相当成熟。但是分路器的基材是石英，石英的成分为二氧化硅，使用硝酸和氢氟酸的混合液将对基材造成损伤，同时也会腐蚀产品表面的二氧化硅，故此酸性的方法不可取。由此，本申请提供了一种湿法去除多晶硅的方法。
发明内容
本发明解决的技术问题在于提供一种湿法去除多晶硅的方法，采用本申请的方法能够有效去除石英基材表面的多晶硅，并且不会对基材造成损伤。
本申请提供了一种湿法去除多晶硅的方法，包括：
将第一晶圆置于氢氧化钾溶液中，反应后得到第二晶圆；所述第一晶圆包括依次叠加设置的第一多晶硅、二氧化硅、石英基材与第二多晶硅，所述第二晶圆包括依次叠加设置的二氧化硅与石英基材。
优选的，所述氢氧化钠溶液的温度为60℃～80℃。
优选的，所述氢氧化钾溶液的浓度为30wt%～35wt%。
优选的，得到第二晶圆后还包括：
将所述第二晶圆进行清洗，将清洗后的第二晶圆进行烘干。
优选的，所述反应的时间为30～40min。
本申请提供了一种湿法去除多晶硅的方法，包括：将含有多晶硅的石英基材置于氢氧化钾溶液中，反应后，即将石英基材表面的多晶硅去除。本申请采用氢氧化钾溶液去除石英基材表面的多晶硅，由于石英基材表面还生长着二氧化硅，并且石英基材的主要成分是二氧化硅，而氢氧化钾溶液并不会对石英基材以及石英基材表面的二氧化硅造成腐蚀，并且氢氧化钾溶液能够与多晶硅反应，将石英基材两个表面的多晶硅去除，因此本申请湿法去除多晶硅的方法能够有效去除石英基材表面的多晶硅，并且不会对石英基材造成损伤。
附图说明
图1为本发明多晶硅作为阻挡层的流程图；
图2为本发明多晶硅清洗前的SEM照片；
图3为本发明多晶硅清洗后的SEM照片。
具体实施方式
为了进一步理解本发明，下面结合实施例对本发明优选实施方案进行描述，但是应当理解，这些描述只是为进一步说明本发明的特征和优点，而不是对本发明权利要求的限制。
本发明实施例公开了一种湿法去除多晶硅的方法，包括：
将第一晶圆置于氢氧化钾溶液中，反应后得到第二晶圆；所述第一晶圆包括依次叠加设置的第一多晶硅、二氧化硅、石英基材与第二多晶硅，所述第二晶圆包括依次叠加设置的二氧化硅与石英基材。
如图1所示，图1为多晶硅作为石英基材阻挡层的步骤流程图。根据图1可知，在图1的步骤④中，在石英基材的一个表面生长有二氧化硅，在二氧化硅表面沉积有多晶硅，在石英基材的另一个表面设有多晶硅阻挡层，本申请通过湿法去除石英基材表面沉积的多晶硅，但同时不能对石英基材进行损伤。
按照本发明，为了有效刻蚀石英基材表面的多晶硅，并且避免对石英基材造成损伤，本申请采用氢氧化钾溶液对晶圆进行清洗，即将第一晶圆置于氢氧化钾溶液中，所述第一晶圆包括依次叠加设置的第一多晶硅、二氧化硅、石英基材与第二多晶硅。将所述第一晶圆置于氢氧化钾溶液中后，观察第一晶圆，其表面会出现气泡，此时氢氧化钾与多晶硅接触，发生化学反应，产生氢气。为了提高反应速度，作为优选方案，抖动所述第一晶圆，使氢氧化钾与多晶硅反应产生的氢气快速挥发。为了使提高多晶硅的清洗速度与效果，所述氢氧化钾溶液优选加热至60℃～80℃后，再将所述第一晶圆置于所述氢氧化钾溶液中。所述氢氧化钾溶液的浓度优选为30wt%～35wt%。
本发明中，所述第一晶圆与所述氢氧化钾溶液反应一段时间后，晶圆表面无气泡产生，晶圆此时已经变为透明状，则表明第一晶圆表面的多晶硅已经完全去除，得到第二晶圆。所述反应的时间优选为30～40min。
按照本发明，在得到第二晶圆后还包括：
将所述第二晶圆进行清洗，以冲洗干净第二晶圆表面的多晶硅；
将清洗后的第二晶圆进行烘干，以烘干晶圆表面的水痕。
本申请提供了一种湿法去除多晶硅的方法，包括：将含有多晶硅的石英基材置于氢氧化钾溶液中，反应后，即将石英基材表面的多晶硅去除。本申请采用氢氧化钾溶液去除石英基材表面的多晶硅，由于石英基材表面还生长着二氧化硅，并且石英基材的主要成分是二氧化硅，而氢氧化钾溶液并不会对石英基材以及石英基材表面的二氧化硅造成腐蚀，并且氢氧化钾溶液能够与多晶硅反应，将石英基材两个表面的多晶硅去除，因此本申请提供的方法能够有效去除石英基材表面的多晶硅，并且不会对石英基材造成损伤。另外，氢氧化钾去除多晶硅成本较低，30wt%氢氧化钾每升的***为12元，一次清洗需要20升，合计240元，一槽酸可以使用三天，故成本就降低了很多。实验结果表明，使用氢氧化钾在温度超过75℃和清洗时间超长的前提下，均不会对二氧化硅和石英基材造成损伤；使用氢氧化钾在80℃的时候清洗石英片上的多晶硅30分钟，检查发现石英基材和二氧化硅均未受到损伤。
为了进一步理解本发明，下面结合实施例对本发明提供的湿法去除多晶的方法进行详细说明，本发明的保护范围不受以下实施例的限制。
实施例
将浓度为30wt%的氢氧化钾溶液加热到60～70℃；在氢氧化钾溶液中放入含有多晶硅的晶圆；观察晶圆上面的反应，此时晶圆表面会出现气泡，表明氢氧化钾与多晶硅接触产生了氢气，为了提高反应速度手动搅拌片盒，且达到抖动功能，将氢气尽快挥发，当晶圆表面无气泡产生时，晶圆变为透明状，说明晶圆表面的多晶硅已经全部去除干净；然后再将晶圆放入常温水槽中冲洗晶圆表面的多晶硅，再将晶圆放入旋转甩干机中烘干晶圆表面的水痕。
由于石英片为透明状，而多晶硅是有颜色的，故可以根据色差来判断多晶硅是否是清洗干净，同时由于是石英片是透明的，可通过SEM照片确定多晶硅是否清洗干净，如图2与图3所示，图2为多晶硅清洗前的SEM照片，图3为多晶硅清洗后的SEM照片。根据图2与图3可知，多晶硅和二氧化硅是有分界的，当多晶硅去除后很明显看不到多晶硅层，因此多晶硅全部去除干净。
以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (5)

1.一种湿法去除多晶硅的方法，包括：
将第一晶圆置于氢氧化钾溶液中，反应后得到第二晶圆；所述第一晶圆包括依次叠加设置的第一多晶硅、二氧化硅、石英基材与第二多晶硅，所述第二晶圆包括依次叠加设置的二氧化硅与石英基材。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氢氧化钠溶液的温度为60℃～80℃。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氢氧化钾溶液的浓度为30wt%～35wt%。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，得到第二晶圆后还包括：
将所述第二晶圆进行清洗，将清洗后的第二晶圆进行烘干。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述反应的时间为30～40min。
CN201410051081.8A 2014-02-14 2014-02-14 一种湿法去除多晶硅的方法 Pending CN103794492A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410051081.8A CN103794492A (zh) 2014-02-14 2014-02-14 一种湿法去除多晶硅的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410051081.8A CN103794492A (zh) 2014-02-14 2014-02-14 一种湿法去除多晶硅的方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103794492A true CN103794492A (zh) 2014-05-14

Family

ID=50670041

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410051081.8A Pending CN103794492A (zh) 2014-02-14 2014-02-14 一种湿法去除多晶硅的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103794492A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107946179A (zh) * 2017-11-27 2018-04-20 上海超硅半导体有限公司 一种形成有集成电路和多晶层的图形化晶圆的回收方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1816765A (zh) * 2003-07-03 2006-08-09 反射公司 具有用于增强微镜与静电场耦合的机构的微镜
CN101122026A (zh) * 2007-04-26 2008-02-13 马林克罗特贝克公司 用于使低温多晶硅薄膜面板平面化的多晶硅平面化溶液
CN101149364A (zh) * 2007-11-10 2008-03-26 大连理工大学 水溶性牺牲层微流控芯片制备方法
CN101162694A (zh) * 2007-11-16 2008-04-16 中国科学院电工研究所 一种测量晶体硅体少子寿命的化学钝化方法
CN103018848A (zh) * 2013-01-23 2013-04-03 无锡创润传感科技有限公司 光纤阵列定位组件及其制造方法
CN203025387U (zh) * 2013-01-23 2013-06-26 无锡创润传感科技有限公司 光纤阵列定位组件

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1816765A (zh) * 2003-07-03 2006-08-09 反射公司 具有用于增强微镜与静电场耦合的机构的微镜
CN101122026A (zh) * 2007-04-26 2008-02-13 马林克罗特贝克公司 用于使低温多晶硅薄膜面板平面化的多晶硅平面化溶液
CN101149364A (zh) * 2007-11-10 2008-03-26 大连理工大学 水溶性牺牲层微流控芯片制备方法
CN101162694A (zh) * 2007-11-16 2008-04-16 中国科学院电工研究所 一种测量晶体硅体少子寿命的化学钝化方法
CN103018848A (zh) * 2013-01-23 2013-04-03 无锡创润传感科技有限公司 光纤阵列定位组件及其制造方法
CN203025387U (zh) * 2013-01-23 2013-06-26 无锡创润传感科技有限公司 光纤阵列定位组件

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107946179A (zh) * 2017-11-27 2018-04-20 上海超硅半导体有限公司 一种形成有集成电路和多晶层的图形化晶圆的回收方法
CN107946179B (zh) * 2017-11-27 2020-05-08 上海超硅半导体有限公司 一种形成有集成电路和多晶层的图形化晶圆的回收方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI511196B (zh) Method of Polishing Silica Flocking Cleaning Process
CN102500573B (zh) 一种α-Al2O3单晶的清洗方法
JP2007526653A5 (zh)
CN103199005A (zh) 一种晶体硅片的清洗工艺方法
JP2019510379A5 (zh)
CN107523881A (zh) 一种制备单晶硅绒面的预处理方法
WO2012045216A1 (zh) 一种晶体硅rie制绒的表面损伤层清洗工艺
CN101590476A (zh) 一种单晶硅片的清洗方法
TW200902705A (en) Process for cleaning a semiconductor wafer using a cleaning solution
TW200623254A (en) Method for producing epitaxial silicon wafer
CN106328769A (zh) 一种单晶硅片表面的处理方法
CN110571309B (zh) 一种去除Poly绕镀清洗方法
CN103541017B (zh) 一种多晶硅太阳电池湿法制绒方法
CN107516693A (zh) 一种晶硅太阳能电池抛光片的加工方法
CN104393094B (zh) 一种用于hit电池的n型硅片清洗制绒方法
TWI612602B (zh) 製程分離型基板處理裝置及處理方法
CN103794492A (zh) 一种湿法去除多晶硅的方法
CN103157620B (zh) 一种硅晶片背面金属化前清洗的清洗液和清洗方法
CN102560498A (zh) 一种晶体硅太阳电池去磷硅清洗液及清洗方法
CN104966675B (zh) 使用蓝膜保护硅片表面部分二氧化硅膜的方法
CN104051578A (zh) 一种太阳电池用多晶硅片的气相刻蚀制绒方法
CN104613732A (zh) 一种外延前抛光片清洗后的快速干燥方法
CN104252103A (zh) 光刻返工后残留光刻胶的去除方法
CN103382578A (zh) 单晶硅片表面的处理方法
CN104028503B (zh) 硅原材料的清洗方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20140514