CN103774115B

CN103774115B - 化学气相沉积装置

Info

Publication number: CN103774115B
Application number: CN201210396302.6A
Authority: CN
Inventors: 宋涛; 萨尔瓦多; 奚明; 马悦; 黄占超; 刘强
Original assignee: Ideal Energy Equipment Shanghai Ltd
Current assignee: Ideal semiconductor equipment (Shanghai) Co., Ltd.
Priority date: 2012-10-17
Filing date: 2012-10-17
Publication date: 2017-12-29
Anticipated expiration: 2032-10-17
Also published as: CN103774115A

Abstract

本发明涉及一种化学气相沉积装置。所述化学气相沉积装置包括反应腔、位于反应腔顶部的喷淋组件以及与所述喷淋组件相对设置的基座，所述基座可以相对所述喷淋组件旋转，所述喷淋组件包括第一进气管路以及第二进气管路，用于分别将第一气体以及第二气体传输到气体分配板，所述气体分配板具有面向所述基座的排气面，所述排气面具有若干凹槽，用以收容气体并安装板部件，所述板部件具有若干出气孔，所述出气孔排列成若干列，所述若干列中至少有两列的出气孔排列位置部分错开，所述出气孔用以排出所述第一气体或第二气体中的一种或多种。本发明的化学气相沉积装置结构简单，制造成本较低，且易于拆分清洁。

Description

化学气相沉积装置

技术领域

本发明涉及化学气相沉积技术领域，特别涉及一种化学气相沉积装置。

背景技术

化学气相沉积(Chemical vapor deposition，简称CVD)是反应物质在气态条件下发生化学反应，生成固态物质沉积在加热的固态基体表面，进而制得固体材料的工艺技术，其通过化学气相沉积装置得以实现。具体地，CVD装置通过进气装置将反应气体通入反应室中，并控制反应室的压强、温度等反应条件，使得反应气体发生反应，从而完成沉积工艺步骤。为了沉积所需薄膜，一般需要向反应室中通入多种不同的反应气体，且还需要向反应室中通入载气或吹扫气体等其他非反应气体，因此在CVD装置中需要设置多个进气装置。以下以金属有机化学气相沉积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD)装置为例，介绍现有技术中包括多个进气装置的CVD装置。

MOCVD主要用于氮化镓、砷化镓、磷化铟、氧化锌等III-V族，II-VI族化合物及合金的薄层单晶功能结构材料的制备，随着上述功能结构材料的应用范围不断扩大，MOCVD装置已经成为化学气相沉积装置的重要装置之一。MOCVD一般以II族或III族金属有机源和VI族或V族氢化物源等作为反应气体，用氢气或氮气作为载气，以热分解反应方式在基板上进行气相外延生长，从而生长各种II-VI化合物半导体、III-V族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。由于II族或III族金属有机源和VI族或Ⅴ族氢化物源的传输条件不同，因此需要通过不同的进气装置分别将II族或III族金属有机源和VI族或Ⅴ族氢化物源传输至基板上方。

现有技术中的MOCVD装置一般包括：

反应腔；

位于所述反应腔顶部的喷淋组件，所述喷淋组件包括两个进气装置，所述两个进气装置分别将II族或III族金属有机源和VI族或Ⅴ族氢化物源传输至基板上方；

与所述喷淋组件相对设置的基座，所述基座具有加热单元，所述基座用于支撑和加热基板。

所述喷淋组件根据所提供的反应气体的气流相对基板的流动方向的不同，分为垂直式和水平式。水平式喷淋组件是指所述喷淋组件使得反应气体的气流沿平行于基板的水平方向流动；垂直式喷淋组件是指所述喷淋组件使得反应气体的气流沿垂直于基板的竖直方向流动。与水平式喷淋组件相比，垂直式喷淋组件能产生二维轴对称流动，抑制热对流涡旋，分别在基板上方形成较均匀的速度、温度和浓度边界层，从而获得更好的薄膜沉积。

请参阅图1，图1是现有技术的一种MOCVD装置的剖面结构示意图。所述设置与所述MOCVD装置顶部的喷淋组件包括第一进气管路37和第二进气管路47以及第一气体分配板38和第二气体分配管48。所述第一气体分配板38和第二气体分配管48上下层叠。所述第一进气管路37与所述第一气体分配板38连接，所述第一进气管路37通过所述第一气体分配板38向所述反应腔中输入第一反应气体；所述第二进气管路47与所述第二气体分配管48连接，所述第二进气管路47通过所述第二气体分配管48向所述反应腔中输入第二反应气体。

然而，现有技术的MOCVD装置的喷淋组件中，所述第一进气管路37和所述第二进气管路47需要分别通过所述第一气体分配板38和第二气体分配管48将反应气体传输到反应腔中；使得现有技术的喷淋组件结构复杂，制造成本高，而且所述第一气体分配板38叠于置所述第二气体分配管47上，从而被所述第二气体分配管48阻挡，使得所述第一气体分配板38较难清洗。

因此，有必要研发一种制造成本低，且容易清洗的化学气相沉积装置。

发明内容

现有技术化学气相沉积装置存在制造成本高，且难以清洗的问题，本发明提供一种能解决上述问题的化学气相沉积装置。

一种化学气相沉积装置，其包括反应腔、位于反应腔顶部的喷淋组件以及与所述喷淋组件相对设置的基座，所述基座可以相对所述喷淋组件旋转，所述喷淋组件包括第一进气管路以及第二进气管路，用于分别将第一气体以及第二气体传输到气体分配板，所述气体分配板具有面向所述基座的排气面，所述排气面具有若干凹槽，用以收容气体并安装板部件，所述板部件具有若干出气孔，所述出气孔排列成若干列，所述若干列中至少有两列的出气孔排列位置部分错开，所述出气孔用以排出所述第一气体或第二气体中的一种或多种。

与现有技术相比较，本发明的化学气相沉积装置中，所述分配板上的凹槽与板部件配合形成所述喷淋组件，所述第一气体或所述第二气体通过只具有一个气体分配板的喷淋组件引入到所述反应腔；从而减少了结构复杂的气体分配管的使用，降低了所述化学气相沉积装置的制造成本。同时，所述板部件安装在所述凹槽中，与所述气体分配板一起形成面向所述的基座的表面，相对现有技术，没有了对所述气体分配管的阻挡，且所述板部件易于从所述分配板上拆分，因此，所述喷淋组件更易清洁。

优选的，所述排气面具有若干与所述气体分配板一体成型的孔洞，用以将所述第二气体从所述孔洞排出。进一步优选的，所述气体分配板远离基座的面具有圆环形凹部，以及与所述圆环形凹部相连接的若干扇形槽道，用以分配所述第二气体。由于所述孔洞一体成型于所述气体分配板的排气面，所述第二气体可以从所述孔洞中排出，从而减少所述板构件与所述凹槽的设置，减少了所述喷淋组件的部件数量，进一步降低制造成本，而且同时减少了所述板构件的安装量，减少所述喷淋组件的安装工作量。

优选的，所述出气孔排列成若干列，所述若干列中至少有两列的孔排列位置错开。

由于所述出气孔排列成多列，且所述多列的出气孔中至少有两列的孔排列位置是错开的，当所述基座相对所述喷淋组件旋转时，错开的两列出气孔分别扫过所述基座上不同半径的的区域，从而使从所述出气孔排出的气体分布更加均匀；同时，当所述多列的出气孔中至少有两列的孔排列位置错开时，所述错开的两列出气孔所扫过的基座上不同半径区域是互补的，从而使得在同一列上相邻两个出气孔之间的距离可以较大也能保证气体分布均匀，进而使得在所述板部件上加工所述多个出气孔的难度大为降低。

优选的，所述板部件的材料与所述气体分配板的材料相同。

由于化学气相沉积设备通常工作在高温下，通常高于500摄氏度，甚至高达1000摄氏度，使的所述板部件的材料与所述气体分配板的材料相同，可以防止因板部件与所述气体分配板之间的膨胀系数不匹配而发生损坏。

优选的，所述气体分配板成环形，嵌套件设置于所述环形的中心通孔中，第三进气管道引入的第三气体通过所述嵌套件向所述基座排放反应气体。可以防止所述嵌套件下方的反应区由于没有气体通入而造成反应区中的反应气流混乱或涡旋。

附图说明

图1是现有技术的一种MOCVD装置的剖面结构示意图。

图2是本发明化学气相沉积装置第一实施方式的剖面结构示意图。

图3是图2所示喷淋组件面向基座一侧的表面结构示意图。

图4图2所示气体分配板远离基座一侧的表面结构示意图。

图5是图3所示喷淋组件沿A-A线的剖面结构示意图。

图6是本发明化学气相沉积装置第二实施方式的喷淋组件面向基座一侧的表面结构示意图。

图7是本发明化学气相沉积装置第二实施方式的喷淋组件的气体分配板远离基座一侧的表面结构示意图。

图8是图6所示喷淋组件沿B-B线的剖面结构示意图。

图9是图6所示喷淋组件沿C-C线的剖面结构示意图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。

现有技术的化学气相沉积(CVD)装置存在制造成本高，且难以清洗的问题，为解决现有技术的问题，本发明提出一种制造成本低，且容易清洗的化学气相沉积装置，所述化学气相沉积装置包括反应腔、位于反应腔顶部的喷淋组件以及与所述喷淋组件相对设置的基座，所述基座可以相对所述喷淋组件旋转，所述喷淋组件包括第一进气管路以及第二进气管路，用于分别将第一气体以及第二气体传输到气体分配板，所述气体分配板具有面向所述基座的排气面，所述排气面具有若干能够收容气体并安装板部件的凹槽，所述板部件具有若干出气孔，所述出气孔排列成若干列，所述若干列中至少有两列的出气孔排列位置部分错开，所述出气孔用以排出所述第一气体或第二气体中的一种或多种。

与现有技术相比较，本发明的化学气相沉积装置中，所述分配板上的凹槽与板部件配合形成所述喷淋组件，所述第一气体或所述第二气体通过只具有一个气体分配板的喷淋组件引入到所述反应腔；从而减少了结构复杂的气体分配管的使用，降低了所述化学气相沉积装置的制造成本。同时，所述板部件安装在所述凹槽中，与所述气体分配板一起形成面向所述的基座的表面，相对现有技术，没有了对所述气体分配管的阻挡，因此，所述喷淋组件更易清洁。

请参阅图2，图2是本发明化学气相沉积装置第一实施方式的剖面结构示意图。所述化学气相沉积装置2优选的是MOCVD装置。所述化学气相沉积装置2包括反应腔21，设置于所述反应腔21内的喷淋组件22及基座23；所述喷淋组件22固定设置于所述腔体21的顶部，所述基座23设置于所述反应腔21的底部区域。所述喷淋组件22与所述基座23相对设置。所述喷淋组件22与所述基座23之间形成反应区。反应气体从所述喷淋组件22引入到所述反应区。

所述基座23包括一面向所述喷淋组件22的衬底支撑面，所述衬底支撑面用于支撑一个或多个待处理衬底25。在进行化学气相沉积的过程中，一个或多个衬底25被设置在所述衬底支撑面；进一步的，特别是在MOCVD设备中，所述基座23支撑于一转轴上，所述转轴使得所述基座23绕一垂直所述衬底支撑面的轴线旋转。由于所述喷淋组件22固定于反应腔21上，因此，所述基座23同时也相对所述喷淋组件22旋转。

所述喷淋组件22设置于所述反应腔21顶部，并固定于所述反应腔21的顶部。所述喷淋组件22包括进气管道24、顶板211、位于所述顶板211下方的气体分配板227和若干板部件(图中未示)；所述进气管路24穿过所述顶板211向所述气体分配板227输送各种气体；所述板部件设置于所述气体分配板227邻近所述基座23的一侧。

所述进气管道24包括第一进气管道和第二进气管道，所述第一进气管道和第二进气管道穿过所述顶板211连接到所述气体分配板227。所述第一进气管道和第二进气管道分别向所述气体分配板227传输第一气体或第二气体。可选的，所述第一气体包括反应前体、载气、吹扫气体中的一种或多种；所述第二气体包括反应前体、载气、吹扫气体中的一种或多种。优选的，所述第一气体包括第一反应前体气体，所述第二气体包括与所述第一反应前体气体不同的第二反应前体气体；例如，当所述化学气相沉积装置2为MOCVD装置时，所述第一反应前体气体可以是III族金属有机源气体，如：Ga(CH₃)₃、In(CH₃)₃、Al(CH₃)₃、Ga(C₂H₅)₃、Zn(C₂H₅)₃气体等中的一种或多种，所述第二反应前体气体可以是V族氢化物源气体，如：NH₃、PH₃、AsH₃气体等中的一种或多种。

请同时参图3、图4和图5，图3是图2所示喷淋组件22面向所述基座23一侧的表面结构示意图。图4是图2所示气体分配板227远离基座23一侧的表面结构示意图。图5是图3所示喷淋组件22沿A-A线的剖面结构示意图。构成所述气体分配板227的材料可以是石墨或碳化硅；构成所述气体分配板227的材料还可以是耐热金属材料，如钨或钼等；所述气体分配板227包括面向所述基座23的排气面和背离所述基座23的顶面。所述排气面具有多个凹槽221/222。所述凹槽221/222与所述进气管道24连通。多个所述板部件225分别对应安装于所述凹槽221/222中，并使得所述凹槽221/222底面与所述板部件225之间具有收容气体的空间。优选的，所述凹槽221/222包括多个第一凹槽221和多个第二凹槽222。所述第一凹槽221与所述第一进气管路相连接，用于通过所述板部件225上设置的出气孔2221向所述反应区传输第一气体；所述第二凹槽222与所述第二进气管路相连接，用于通过所述板部件225上设置的出气孔2221向所述反应区域传输第二气体。优选的，所述凹槽221/222在所述排气面呈放射状排列；进一步优选的，所述第一凹槽221与所述第二凹槽222沿气体分配板227的四周方向间隔排列。又优选的，所述多个凹槽221/222呈扇形。

请一并参阅图3、图4，所述气体分配板227的顶面优选的具有环形凹部223/224，所述环形凹部223/224上具有穿过所述气体分配板227与所述多个凹槽221/222连通的通孔，从所述进气管道24引入的第一和第二气体先进入所述环形凹部223/224，并在所述环形凹部223/224中均匀扩散，然后再通过所述通孔分布到所述多个凹槽221/222中，从而可以增气体扩散的均匀性。优选的，所述环形凹部223/224包括第一环形凹部223和第二环形凹部224；所述第一环形凹部223与所述多个第一凹槽221相连接，所述第一气体从所述第一进气管路先进入所述第一环形凹部223再分配到所述多个第一凹槽221；所述第二环形凹部224与所述多个第二凹槽222相连接，所述第二气体从所述第二进气管路先进入所述第二环形凹部224再分配到所述多个第二凹槽222。

请参阅所述图5，所述板部件225的材料可以与所述气体分配板227相同，也可以不相同；所述板部件225的材料可以与所述气体分配板227相同，可以降低制造成本，且可以使得热膨胀系数匹配，防止所述喷淋组件22在高温下损坏。优选的，所述凹槽221/222的底面具有窄缝2111，所述板部件225具有于所述窄缝2111相匹配的凸缘2251。将所述板部件225装配于所述气体分配板227时，使得所述板部件225的凸缘2251嵌入到所述凹槽221/222底面窄缝2111中，从而使得所述板部件225安装固定于所述凹槽221/222中；优选的，所述气体分配板227周边具有安装部，所述安装部将所述板部件225固定在凹槽221/222中。所述板部件225的形状与所述凹槽221/222的形状相匹配，并与所述凹槽221/222形成收容气体的气体收容空间。所述板部件225具有多个贯穿所述板部件225而连接所述气体收容空间与所述反应区的出气孔2221。

所述出气孔2221在板部件225上排列成多列。优选的，所述多列的出气孔2221相对所述气体分配板227呈放射状设置；进一步优选的，所述位于一板部件225中的至少两列的出气孔2221的排列位置沿相对所述气体分配板227的径向错开。进一步优选的，相邻两列出气孔2221的排列位置沿相对所述气体分配板227的径向错开。在本发明的优选的实施方式中，所述气体分配板为圆形，所述两列出气孔2221的排列位置沿相对所述气体分配板227的半径方向错开。由于所述出气孔2221排列成多列，且所述多列的出气孔2221中至少有两列的出气孔2221排列位置是错开的，当所述基座23相对所述喷淋组件22旋转时，错开的两列出气孔2221分别扫过所述基座23上不同半径的区域，从而使从所述出气孔2221排出的气体分布更加均匀；同时，当所述多列的出气孔2221中至少有两列的出气孔2221排列位置错开时，所述错开的两列出气孔2221所扫过的所述基座23的半径区域之间是互补的，从而使得在同一列上相邻两个出气孔2221之间的距离可以较大仍能保证气体分配的均匀性，从而使得所述板部件225上加工所述多个出气孔2221的难度大为降低。

与现有技术相比较，本发明的化学气相沉积装置2中，所述分配板227上的凹槽221/222与板部件225配合形成所述喷淋组件22，所述第一气体或所述第二气体通过只具有一个气体分配板227的喷淋组件22引入到所述反应腔；从而减少了现有技术中结构复杂的喷淋组件的使用，降低了所述化学气相沉积装置2的制造成本。同时，所述板部件225安装在所述凹槽221/222中，并与所述气体分配板227一起形成面向所述的基座23的表面，相对现有技术，没有了所述气体分配管的阻挡，因此，所述喷淋组件22更易清洁。

请同时参图6、图7、图8和图9，图6是本发明化学气相沉积装置第二实施方的喷淋组件面向基座一侧的表面结构示意图。图7是本发明化学气相沉积装置第二实施方式的喷淋组件的气体分配板远离基座一侧的表面结构示意图。图8是图6所示喷淋组件沿B-B线的剖面结构示意图。图9是图6所示喷淋组件沿C-C线的剖面结构示意图。所述第二实施方式的化学气相沉积装置与所述第一实施方式的化学气相沉积装置2大致相同，其区别在于：

所述气体分配板327的所述排气面上设置有多个能够收容气体并安装板部件325的凹槽321，所述凹槽321的形状与位置分布与所述第一实施方式中的第一凹槽221基本相同，在此不再赘述；所述安装于所述凹槽321中的板部件325与所述第一实施方式中的板部件225也基本相同，在此也不再赘述。所述第一进气管路与所述凹槽321连通，并通过所述凹槽321以及所述板部件325向所述反应区输送第一气体。

请参阅图7，所述气体分配板327的所述顶面上设置有第一环状凹部323，所述第一环状凹部323上具有穿过所述气体分配板327并与所述多个凹槽321连通的通孔；所述第一环形凹部323通过所述通孔与所述多个凹槽321相连接；所述第一气体从所述第一进气管路先进入所述第一环形凹部323再通过所述通孔分配到所述多个凹槽321中。所述气体分配板327的所述顶面上进一步设置有第二环状凹部324和与所述第二环状凹部324相连通的多个槽道322。其中所述多个槽道322设置在与所述凹槽321互补的区域。其中所述多个槽道322的形状与位置分布与所述第一实施方式中的第二凹槽222基本相同，因此不再赘述。所述气体分配板327进一步包括贯穿所述气体分配板327的多个孔洞3222，所述孔洞3222设置于相邻两个所述凹槽321之间的区域。所述孔洞3222用于将所述第二气体排向所述反应区。其中所述多个孔洞3222设置于所述槽道322中。进入到所述槽道322中的第二气体通过所述多个孔洞3222排向所述反应区。优选的，对应设置于每一个槽道322中的多个孔洞3222排列成多列，所述多列的孔洞3222相对所述气体分配板327呈放射状；进一步优选的，所述槽道322中的多列所述孔洞3222中至少一列与相邻的板部件325中至少一列的出气孔3211的排列位置沿相对所述气体分配板327的径向错开。进一步优选的，相邻一列出气孔3211与一列孔洞3222之间的孔排列位置沿相对所述气体分配板327的径向错开，如此可以使得反应气体更加均匀地混合。

进一步的，请同时参阅图7和图9；所述气体分配板327可以呈圆环状；所述喷淋组件进一步包括一嵌套件37。所述嵌套件37嵌入到所述圆环状气体分配板327中心开口中。所述第一进气管路将所述第一气体引入到所述嵌套件37，再经过所述嵌套件37引入到所述气体分配板327上的第一环形凹部323中。所述嵌套件37的材料，优选的可以是钢、铝、铜、钼、钨中的一种或任意组合合金。所述嵌套件37包括远离所述基座的上套件371和近邻所述基座的下套件372，所述上套件371与所述下套件371配合夹紧所述气体分配板327。

所述上套件371内设置有一第一气体扩散区373和多个气体扩散通道374。所述第一气体扩散区373与所述第一进气管连接；所述多个气体扩散通道374均匀地设置在所述第一气体扩散区373的周围，并连接所述第一气体扩散区373和所述第一环状凹陷部323。所述第一进气管道引入的第一气体先进入到所述第一气体扩散区373，在经过所述气体扩散通道374均匀地分布到所述第一环状凹陷部323中，从而进一步提高所述第一气体的分布均匀性。

进一步优选的，所述喷淋组件进一步包括第三进气管路，所述第三进气管路用于引入第三气体，其中所述第三气体优选的为载气或吹扫气体。所述嵌套件37的所述上套件371与所述下套件372之间形成一吹扫气体分布空间375。所述第三进气管路穿过所述上套件371与所述吹扫气体分布空间375连接。优选的，所述第三进气管路嵌套于所述第一进气管路中，并穿过所述第一气体扩散空间373连接所述吹扫气体分布空间375。所述下套件372包括连通所述吹扫气体分布空间375与所述反应区的多个通气孔376，所述通气孔376用以向所述嵌套件37下方的反应区中通入所述第三气体；防止所述嵌套件下方的反应区由于没有气体通入而造成反应区中的反应气流混乱或涡旋。

与所述第一实施方式的化学气相沉积装置2相比较，所述第二实施方式的化学气相沉积装置中，只有在所述凹槽321中设置和安装板部件325；因此所述喷淋组件中需要安装的板部件325部件的数量大为减少，因而可以进一步减低成本，且安装和维护更为简单。

虽然本发明已以较佳实施例披露如上，但本发明并非限定于此。如在第一实施方式，所述气体分配板也可以是圆环状，所述喷淋组件也可以进一步包括如第二实施方式中的嵌套件和第三进气管路；相邻的所述第一凹槽与所述第二凹槽之间也可以设置至少一列通气孔，所述通气孔向反应区域通入用于隔离所述第一和所述第二气体，防止所述第一和所述第二气体在到达所述基座衬底支撑面之前发生预反应的所述第三气体。

虽然本发明已以较佳实施例披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims

1.一种化学气相沉积装置，包括：反应腔、位于所述反应腔顶部的喷淋组件以及与所述喷淋组件相对设置的基座，所述基座可以相对所述喷淋组件旋转，其特征在于，所述喷淋组件包括第一进气管路以及第二进气管路，用于分别将第一气体以及第二气体传输至气体分配板，所述气体分配板具有排气面，所述排气面具有若干凹槽，用以收容气体并安装板部件，所述板部件具有若干出气孔，所述出气孔排列成若干列，所述若干列中至少有两列的出气孔排列位置部分错开，所述出气孔用以排出所述第一气体或第二气体中的一种或多种，所述气体分配板的顶面具有多个环形凹部，环形凹部与所述多个凹槽分别相连通。

2.如权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述排气面具有若干一体成型的孔洞，用以将所述第二气体从所述孔洞排出。

3.如权利要求2所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述凹槽内具有狭缝用以安装所述板部件，所述第一气体从所述出气孔中排出。

4.如权利要求3所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述出气孔排列成若干列，所述若干列中至少有两列的孔排列位置错开。

5.如权利要求1-4中任一项所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述气体分配板为圆环形，其材料为石墨、碳化硅或金属材料。

6.如权利要求5所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述气体分配板的圆环内嵌入有嵌套件，所述嵌套件用以将所述第一气体从所述第一进气管路引入到所述凹槽中。

7.如权利要求6所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述嵌套件包括远离所述基座的上套件和近邻所述基座的下套件，所述第一进气管路穿过所述上套件，所述上套件的材料包括钢、铝、铜、钼、钨中的一种或任意组合合金。

8.如权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述第一气体包括反应前体、载气、吹扫气体中的一种或多种。

9.如权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述第二气体包括反应前体、载气、吹扫气体中的一种或多种。

10.如权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述第一进气装管路用于传输III族金属有机源，所述第二进气管路用于传输V族氢化物源。

11.如权利要求10所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述III族金属有机源包括Ga(CH₃)₃、In(CH₃)₃、Al(CH₃)₃、Ga(C₂H₅)₃、Zn(C₂H₅)₃气体中的一种或多种。

12.如权利要求10所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述V族氢化物源包括NH₃、PH₃、AsH₃气体中的一种或多种。

13.如权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述气体分配板的四周边缘具有安装部，所述安装部用以固定所述板部件。

14.如权利要求2所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述孔洞排列成若干列，至少一列所述孔洞和一列所述出气孔的孔排列部分错开。

15.如权利要求5所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述板部件的材料与所述气体分配板的材料相同。

16.如权利要求5所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述板部件的材料与所述气体分配板的材料不相同。

17.如权利要求7所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述喷淋组件还包括第三进气管路用以引入第三气体，所述第三进气管路穿过所述上套件，所述下套件具有若干通气孔，用以将所述第三气体排出。