CN103715222A - 有机发光二极管显示器及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种有机发光二极管显示器及其制造方法。该有机发光二极管（OLED）显示器包括：基板；多个有机发光二极管，布置在基板上且每个有机发光二极管被配置为包括第一电极、有机发光层和第二电极；填充膜，放置在基板上且被配置为包括与有机发光二极管对应的开口；以及在填充膜上形成的密封构件。
Description
技术领域
所描述的技术总地涉及有机发光二极管（OLED）显示器和制造该有机发光二极管（OLED）显示器的方法。
背景技术
有机发光二极管（OLED）显示器是自发光型显示设备，其使用用于发光的有机发光二极管显示图像。有机发光二极管（OLED）显示器能够具有减小的厚度和重量，因为与液晶显示器（LCD）不同，其不需要附加光源。而且，有机发光二极管（OLED）显示器已作为便携式电子设备的下一代显示设备而成为关注焦点，因为其显示出高质量特性，例如低功耗、高亮度和高反应速度。
有机发光二极管（OLED）显示器的像素基板被封装基板密封，以便保护像素。这里，在封装基板和像素基板之间放置填充剂，并且填充剂防止阴极脱落并且缓冲从封装基板向像素基板施加的物理冲击。
封装基板是通过将填充粘合剂膜附接至像素基板的整个表面上并且使填充粘合剂膜固化而形成的。
在该背景技术部分中公开的上述信息仅用于加深理解所描述的技术背景，因此其可以包含不构成在本国为本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
如果在填充粘合剂膜中存在杂质，则填充粘合剂膜能够对杂质施压，从而能够损坏其它层。
特别地，如果在发光层中存在杂质，则能够损坏发光层，从而能够在显示器中生成黑点缺陷。
发明内容
所描述的技术力图提供一种有机发光二极管（OLED）显示器和一种制造该有机发光二极管（OLED）显示器的方法，其通过解决由杂质引起的对发光层的损坏，具有防止缺陷（例如由杂质引起的黑点）的优势。
示例实施例提供一种有机发光二极管（OLED）显示器，该有机发光二极管（OLED）显示器包括：基板；多个有机发光二极管，被放置在所述基板上且每个有机发光二极管被配置为包括第一电极、有机发光层和第二电极；填充膜，放置在所述基板上且被配置为包括与至少一个有机发光二极管对应的开口；以及在所述填充膜上形成的密封构件。
所述填充膜可以由环氧材料、亚克力材料和硅材料中的任一种制成。
另一实施例提供一种有机发光二极管（OLED）显示器，该有机发光二极管（OLED）显示器包括：基板；在所述基板上放置的第一薄膜晶体管；连接至所述第一薄膜晶体管的第一电极；像素限定膜，放置在所述第一电极上且被配置为包括开口，通过所述开口暴露所述第一电极；发光层，被放置在所暴露的第一电极上；第二电极，被放置在所述发光层和所述像素限定膜上；填充膜，被放置在所述第二电极上且与所述像素限定膜对应；以及密封构件，被放置在所述填充膜上。
所述填充膜可以具有与所述像素限定膜相同的平面图案。
所述像素限定膜可以包括彼此交叉的水平部分和垂直部分，并且所述填充膜可以对应于所述水平部分或所述垂直部分中的任一个。
所述填充膜可以由环氧材料、亚克力材料和硅材料中的任一种制成。
又一实施例提供一种制造有机发光二极管（OLED）显示器的方法，该方法包括：构造包括发光二极管的有机发光基板；通过将包括开口的填充粘合剂膜转移到所述有机发光基板的第二电极上，形成填充膜；以及将密封构件布置在所述填充膜上且使所述密封构件和所述有机发光基板结合，其中将所述开口形成为对应于至少一个发光二极管。
再一实施例提供一种制造有机发光二极管（OLED）显示器的方法，该方法包括：构造包括发光二极管的有机发光基板；通过使用喷嘴印刷或光刻工艺使用液体填充剂，在所述有机发光二极管的第二电极上形成包括开口的填充膜；将密封构件布置在所述填充膜上且使所述密封构件和所述有机发光基板结合，其中将所述开口形成为对应于至少一个发光二极管。
所述填充膜可以由环氧材料、亚克力材料和硅材料中的任一种制成。
所述发光二极管可以包括第一电极、有机发光层和第二电极，所述有机发光基板可以进一步包括像素限定膜，所述像素限定膜被配置为限定所述有机发光层的位置且包括彼此交叉的垂直部分和水平部分，并且在与所述水平部分和所述垂直部分中任一个对应的位置，可以形成所述填充膜。
当将所述填充膜形成为包括如本发明实施例中的开口时，密封构件防止在所述有机发光层中放置的杂质在所述填充膜被加压时被加压。
相应地，能够提供一种不包括由杂质导致的黑点的有机发光二极管（OLED）显示器以及制造该有机发光二极管（OLED）显示器的方法。
附图说明
图1是根据示例实施例的有机发光二极管（OLED）显示器的示意性截面图。
图2A至图2E是图1中示出的填充膜的俯视图。
图3是根据示例实施例的有机发光二极管（OLED）显示器的像素之一的等效电路图。
图4是根据示例实施例的有机发光二极管（OLED）显示器的截面图。
图5至图7是图示根据示例实施例的制造有机发光二极管（OLED）显示器的方法的截面图。
具体实施方式
下面将参照其中示出示例实施例的附图更全面地描述本发明的实施例。如本领域技术人员将认识到的，可以以各种不同方式修改所描述的实施例，所有都不背离本发明实施例的精神或范围。
在附图中，为了清楚起见，放大层、膜、板、区域等的厚度。在整个说明书中，相同的附图标记代表相同元件。将理解，当像层、膜、区域或基板这样的元件被称为“位于另一元件上”时，其可以直接位于另一元件上或者还可以存在中间元件。相比之下，当一元件被称为“直接位于另一个元件上”时，不存在中间元件。
参照附图详细地描述根据一些示例实施例的有机发光二极管（OLED）显示器。
图1是根据示例实施例的有机发光二极管（OLED）显示器的示意截面图，并且图2A至图2E是图1中示出的填充膜的俯视图。
如图1所示，根据示例实施例的有机发光二极管（OLED）显示器包括被配置为包括发光二极管70的面板1000、在面板1000上放置的填充膜300和在填充膜300上放置的密封构件260。
面板1000包括基板100和多个像素，多个像素被放置在基板100上且被配置为形成矩阵。每个像素包括发光二极管70和连接至发光二极管70的薄膜晶体管（未示出）。
密封构件260与面板1000结合和密封在一起并且被配置为保护有机发光二极管70。密封构件260能够包括由玻璃、石英、陶瓷或聚合物树脂制成的透明绝缘基板。
密封构件260通过沿面板1000边缘形成的密封剂（未示出）与面板1000结合和密封在一起。
发光二极管70包括第一电极710、有机发光层720和第二电极730。
填充膜300包括多个开口302，每个开口具有开放的与面板1000的发光二极管70对应的区域，并且填充膜300填充面板1000和密封构件260之间的空间。填充膜300能够由环氧材料、亚克力材料和硅材料中的任一种制成。
开口302能够被形成为具有与发光二极管70的平面相同的形状，或者能够具有多边形，例如方形、四边形或五边形或六边形，或者圆形，如图2A至图2E中示出的。在此情况中，填充膜300或密封构件260防止将压力施加至发光二极管70上。相应地，开口302可以具有防止向填充膜300或密封构件260施加的压力被转移至发光二极管70的任何形式。
当像示例实施例中那样形成开口302时，填充膜300防止将压力施加至发光二极管70。相应地，能够防止由杂质导致的黑点产生，因为甚至在杂质存在于有机发光二极管70的有机发光层720、第一电极710和第二电极730中时，也未对杂质施压。
附图标记190（未描述）指像素限定膜，其限定形成发光二极管70的区域。
下面参照图3和图4详细描述上述的有机发光二极管（OLED）显示器。
图3是根据示例实施例的有机发光二极管（OLED）显示器的像素之一的等效电路图。
如图3所示，像素PE具有2Tr-1Cap结构，该结构包括有机发光二极管70、第一薄膜晶体管（TFT）10、第二薄膜晶体管20和一个电容器80。然而，示例实施例不局限于该结构。例如，像素PE可以包括三个或三个以上薄膜晶体管和两个或两个以上电容器，并且可以具有进一步包括附加导线的多种结构。附加地形成的薄膜晶体管和电容器可以是补偿电路的元件。
通过提高每个像素PE中形成的有机发光二极管70的均匀性，补偿电路抑制图像质量发生偏差。一般来说，补偿电路包括2至8个薄膜晶体管。
有机发光二极管70包括阳电极（例如空穴注入电极）、阴电极（例如电子注入电极）和在阳电极和阴电极之间设置的有机发光层。阳极和阴极可以是图1的第一电极和第二电极。
在示例实施例中，一个像素PE包括第一薄膜晶体管10和第二薄膜晶体管20。
第一薄膜晶体管10和第二薄膜晶体管20中的每个均包括栅电极、半导体层、源电极和漏电极。而且，第一薄膜晶体管10和第二薄膜晶体管20中至少之一的半导体层包括内部掺杂杂质的多晶硅膜。
第一薄膜晶体管10和第二薄膜晶体管20中至少之一是多晶硅薄膜晶体管。
虽然图3图示电容器线CL连同栅极线GL、数据线DL和公共电源线VDD，但是根据情况可以省略电容器线CL。
第一薄膜晶体管10的源电极连接至数据线DL，并且第一薄膜晶体管10的栅电极连接至栅极限GL。
而且，第一薄膜晶体管10的漏电极通过电容器80连接至电容器线CL。在第一薄膜晶体管10的漏电极和电容器80之间形成节点，并且该节点连接至第二薄膜晶体管20的栅电极。而且，公共电源线VDD连接至第二薄膜晶体管20的源电极，并且有机发光二极管70的阳电极连接至第二薄膜晶体管20的漏电极。
第一薄膜晶体管10用作用于选择像素PE的开关，从像素PE中将发出光。第一薄膜晶体管10立即被导通，因此对电容器80充电。这里，被充的电荷量正比于从数据线DL供应的电压的电势。而且，当在第一薄膜晶体管10截止的状态下将在一个帧周期内电压被升高的信号输入至电容器线CL时，响应于以被充到电容器80内的电势为基础通过电容器线CL供应的电压电平，第二薄膜晶体管20的栅极电势升高。而且，在栅极电势超过阈值电压时，第二薄膜晶体管20导通。然后，供应至公共电源线VDD的电压通过第二薄膜晶体管20被供应至有机发光二极管70，因此有机发光二极管70发光。
下面参照图4详细地描述根据示例实施例的有机发光二极管（OLED）显示器的一个像素的多个层之间的构造。
图4是根据示例实施例的有机发光二极管（OLED）显示器的截面图。
下面参照图4根据堆叠的顺序详细描述图3的第二薄膜晶体管20和有机发光二极管70。下面将第二薄膜晶体管20称为薄膜晶体管。
基板10能够是由玻璃、石英或陶瓷制成的绝缘基板。
在基板110上形成缓冲层120，缓冲层120用于防止不需要的成分（例如杂质或水汽）的渗入并且还使表面平整。缓冲层120能够由二氧化硅（SiO2）和氮化硅（SiNx）中至少之一制成。
在缓冲层120上形成由多晶硅制成的半导体层135。
半导体层135被划分为沟道区1355和在沟道区1355的两侧形成的源区1356和漏区1357。半导体层135的沟道区1355是由内部未掺杂杂质的多晶硅制成的本征半导体层。半导体层135的源区1356和漏区1357每个均是由内部掺杂导电杂质的多晶硅制成的杂质半导体层。
向源区1356和漏区1357内掺杂的杂质可以是p型杂质或n型杂质。
在半导体层135上形成栅绝缘层140。栅绝缘层140能够具有包括正硅酸乙酯（TEOS）、二氧化硅（SiO2）和氮化硅（SiNx）中至少之一的单层或多层。
在栅绝缘层140上形成栅电极155和像素电极710。栅电极155与沟道区1355重叠，并且像素电极710能够是图1的第一电极。
栅电极155包括第一下金属层1551和第一上金属层1553，并且像素电极710包括第二下金属层7101和第二上金属层7103。
第一下金属层1551和第二下金属层7101可以由像氧化铟锡（ITO）、氧化铟锌（IZO）、氧化锌（ZnO）或氧化铟（In2O3）这样的材料（例如透明导电材料）制成。
第一上金属层1553和第二上金属层7103可以由钼、钼合金、钨或钨合金制成。
夹层绝缘层160和栅绝缘层140包括源接触孔166和漏接触孔167，通过源接触孔166和漏接触孔167分别暴露源区1356和漏区1357。而且，夹层绝缘层160和第二上金属层7103包括开口65，通过开口65暴露第二下金属层7101。
在夹层绝缘层160上形成源电极176和漏电极177。源电极176通过源接触孔166连接至源区1356。而且，漏电极177通过漏接触孔167和像素接触孔168电连接至漏区1357和第二上金属层7103。像素电极710连接至漏电极177，因此成为有机发光二极管的阳电极。像素电极710可以连接至源电极（未示出）。
在夹层绝缘层160上形成像素限定膜190。
像素限定膜190具有开口95，第二下金属层7101通过开口95暴露。像素限定膜190可以包括树脂（例如聚丙烯酸脂或聚酰亚胺）以及硅类无机物质。在一实施例中，开口95具有与有机发光二极管相同的形状。在一实施例中，开口具有多边形的形状，例如方形、四边形、五边形或六边形，或者圆形的形状。在一实施例中，像素限定膜190包括彼此交叉的水平部分和垂直部分，如图4中所示。
在像素限定膜190的开口95中形成有机发光层720。
有机发光层720包括多个层，多个层包括发光层、空穴注入层（HIL）、空穴传输层（HTL）、电子传输层（ETL）和电子注入层（EIL）中的一个或多个层。
如果有机发光层720包括所有这些层，则能够在像素电极710（例如阳极）上放置空穴注入层（HIL），并且能够在空穴注入层（HIL）上顺序堆叠空穴传输层（HTL）、发光层、电子传输层（ETL）和电子注入层（EIL）。
在像素限定膜190和有机发光层720上形成公共电极730。
公共电极730能够是图1的第二电极，并且公共电极730成为有机发光二极管的阴极。相应地，像素电极710、有机发光层720和公共电极730形成有机发光二极管70。
公共电极730能够是由镁（Mg）、银（Ag）、金（Au）、钙（Ca）、锂（Li）、铬（Cr）和铝（Al）或者它们的合金中至少之一制成的反射层或半透射膜。
而且，公共电极730能够是半透明膜，如同像素电极710的第二下金属层7101那样。
在公共电极730上形成填充膜300。填充膜300包括开口302，如图2A至图2E中示出的开口。开口302对应于有机发光二极管70。在一实施例中，填充膜300具有与所述像素限定膜190相同的平面图案。在一实施例中，填充膜300对应于所述水平部分或所述垂直部分中任一个，如图4中所示。
在填充膜300上放置密封构件260。
参照图5至图7详细地描述上述有机发光二极管（OLED）显示器的制造方法。
图5至图7是图示根据示例实施例的制造有机发光二极管（OLED）显示器的方法的截面图。
首先，准备面板1000，面板1000包括包含发光二极管70的像素。而且，在面板1000上形成填充膜300。
如图5所示，在将填充膜300以包括开口302的膜的形式附接至离型纸（releasing paper）3的状态下，能够将填充膜300转移到面板1000上。
接下来，如图1所示，将密封构件260布置在填充膜300上，并且连同面板1000被密封。
由于填充膜300的开口302被放置在与发光二极管70对应的区域中，所以向放置在有机发光二极管70中的杂质施加的压力不被转移至发光二极管70。相应地，由于甚至在过程中出现杂质时也不对有机发光二极管70施压，所以不生成发光缺陷，例如黑点。
能够使用例如参照图6和图7描述的方法形成填充膜300。
参考图6，通过在面板1000上涂覆用于填充的树脂，形成用于填充的树脂层4。在用于填充的树脂层4上形成光阻图案PR。通过使用光阻图案作为掩膜对树脂层4进行蚀刻，能够形成填充膜300。
在一些实施例中，如图7所示，通过使用喷嘴5在面板100上涂覆液体填充树脂，能够形成填充膜300。
已详细地描述示例实施例，但是本发明的实施例的范围不局限于此。本发明的实施例的范围还包括具有本领域普通技能的人员做出的在所附权利要求中限定的各种修改和变化。
虽然关于目前被视为实际的示例实施例描述本公开，但应当理解，本发明的实施例不限于所公开的实施例，而是相反，旨在覆盖包含于所附权利要求的精神和范围内的各种修改和等同布置。
Claims (17)
1.一种有机发光二极管显示器，包括：
基板；
多个有机发光二极管，被放置在所述基板上且每个有机发光二极管被布置为包括第一电极、有机发光层和第二电极；
所述基板上的填充膜，包括与至少一个有机发光二极管对应的开口；以及
所述填充膜上的密封构件。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述填充膜包括环氧材料、亚克力材料和硅材料中的至少之一。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述开口具有与所述至少一个有机发光二极管相同的形状。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述开口具有多边形形状。
5.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示器，其中所述开口具有方形、四边形、五边形或六边形的形状。
6.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述开口具有圆形形状。
7.一种有机发光二极管显示器，包括：
基板；
所述基板上的第一薄膜晶体管；
第一电极，连接至所述第一薄膜晶体管；
所述第一电极上的像素限定膜，包括开口，通过所述开口暴露所述第一电极；
所暴露的第一电极上的发光层；
所述发光层和所述像素限定膜上的第二电极；
所述第二电极上的填充膜，与所述像素限定膜对应；以及
所述填充膜上的密封构件。
8.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示器，其中所述开口具有与至少一个有机发光二极管相同的形状。
9.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示器，其中所述开口具有多边形形状。
10.根据权利要求9所述的有机发光二极管显示器，其中所述开口具有方形、四边形、五边形或六边形的形状。
11.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示器，其中所述开口具有圆形形状。
12.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示器，其中所述填充膜具有与所述像素限定膜相同的平面图案。
13.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示器，其中：
所述像素限定膜包括彼此交叉的水平部分和垂直部分，以及
所述填充膜对应于所述水平部分或所述垂直部分中任一个。
14.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示器，其中所述填充膜包括环氧材料、亚克力材料和硅材料中的至少之一。
15.一种制造有机发光二极管显示器的方法，包括：
构造包括发光二极管的有机发光基板；
通过使用喷嘴印刷或光刻工艺使用液体填充剂，在所述有机发光二极管的第二电极上形成包括开口的填充膜；以及
在所述填充膜上布置密封构件且使所述密封构件和所述有机发光基板结合，
其中将所述开口形成为对应于至少一个发光二极管。
16.根据权利要求15所述的方法，其中所述填充膜由环氧材料、亚克力材料和硅材料中任一种制成。
17.根据权利要求15所述的方法，其中，
所述发光二极管包括第一电极、有机发光层和第二电极，
所述有机发光基板进一步包括像素限定膜，所述像素限定膜被配置为限定所述有机发光层的位置且包括彼此交叉的垂直部分和水平部分，以及
在与所述水平部分和所述垂直部分中任一个对应的位置，形成所述填充膜。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20140409 |