CN103703682A - 高频放大电路 - Google Patents

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Abstract

高频放大电路（1）为，在封装（112）内的安装面上具备晶体管（101）和输出侧匹配电路（103），输出侧匹配电路（103）具备经由第一导线（121）被传递来自晶体管（101）的高频信号的第一分布常量线路（105）、经由第二导线（122）将来自第一分布常量线路（105）的高频信号向封装（112）外部传送的平板状的引线端子（106）、以及一个电极经由第三导线（123）与引线端子（106）连接而另一个电极接地的电容元件（108），引线端子（106）的里面与树脂衬底接合，以电容元件（108）和第一分布常量线路（105）的排列方向与第一分布常量线路（105）和引线端子（106）的排列方向在上述安装面上交叉的方式，将电容元件（108）和第一分布常量线路（105）相邻接配置。

Description

高频放大电路
技术领域
本发明涉及一种高频放大电路，特别是涉及高频放大电路的输出侧所连接的匹配电路的构造。
背景技术
一般，高频放大电路为了得到高输出而构成将单位晶体管并联连接的构造。作为其结果，输入以及输出阻抗降低，例如，在输出超过100W那种情况下，输入以及输出阻抗有时达到3Ω以下。因此，高频放大电路所连接的50Ω***的外部电路，产生阻抗的不匹配，因此需要在高频放大电路的输入侧以及输出侧连接匹配电路。
在此，用于使几乎成为短路状态的高频放大电路从低阻抗向50Ω进行匹配的匹配电路，作为一个例子，由基于与信号路线串联连接的导线以及分布常量线路的电感性元件、和基于与信号路线并联连接的电容的电容性元件的组合构成。
以往的匹配电路，例如具有专利文献1以及专利文献2所示那种构造。
图8是表示专利文献1所记载的以往的高输出放大器的封装内部的构成的图。该图所记载的高输出放大器具备晶体管801、输入侧匹配电路802以及输出侧匹配电路803。输入侧匹配电路802以及输出侧匹配电路803分别具有引线端子804。引线端子804从各个匹配电路向封装框体805的外侧取出信号。
输入侧匹配电路802构成为，由电阻806和电容807构成的并联电路和分布常量线路串联连接，并且在它们上连接有引线端子。通过该构成能够实现电路的稳定化，并防止振荡。此外，通过相对于电容807设置多个电阻806的构成，能够根据线的连接位置使电阻值可变，因此能够在安装后容易地调整电路特性。
另一方面，输出侧匹配电路803从接近晶体管801的一方起，由第一分布常量线路、第二分布常量线路以及引线端子804构成。此外，也可以使分布常量线路作为平行平板电容动作。
图9A以及图9B分别是表示专利文献2所记载的以往的高频放大器的构成的图。图9A所记载的高频放大器具备晶体管901、输入侧匹配电路902以及输出侧匹配电路903A。输出侧匹配电路903A构成为，将由高介电常数衬底构成的分布常量线路904以及906、与由不同于该高介电常数衬底的介电常数衬底构成的分布常量线路905通过导线（wire）而从属连接。与图8的输出侧匹配电路803同样，为了进行从低阻抗向高阻抗的变化，通过使导线和还具有平行平板电容的功能的分布常量线路成为3段构成，来确保电气长度。在此，在分布常量线路904以及906构成的高介电常数衬底的相对介电常数以及厚度相同的情况下，如图9B所示，能够将分布常量线路904以及906由相同的高介电常数衬底910来构成。将图9A的输出侧匹配电路903A的构成要素的一部分，如图9B的输出侧匹配电路903B那样，形成在相同衬底上，由此不变更匹配电路的构成就能够使长边方向的尺寸小型化。
专利文献1：国际公开第2007-119266号
专利文献2：日本特开2007-295367号公报
然而，在专利文献1所示的以往的高输出放大器中，多段化的匹配电路被从属连接，因此具有电路尺寸变大的倾向，随此进行收容的封装的尺寸也大型化，成本也变高。
此外，在专利文献2所示的以往的高频放大器中，多个分布常量线路由相同衬底构成，因此能够小型化。然而，在该情况下，需要使相对介电常数和衬底厚度成为相同，因此设计的自由度降低。此外，当假想将多个单位晶体管并联连接而成的高输出的晶体管901，并且考虑信号的流动时，在配置在晶体管901的中央和端部的单位晶体管中，分布常量线路904、905A、905B以及906中的电气长度不同，因此匹配按照每个单位晶体管会变得不均匀。该匹配的不均匀度，产生匹配电路上的传输损耗。在图9B中由点线箭头表示该电气长度的不同的一个例子。
发明内容
本发明是鉴于上述课题而进行的，其目的在于提供小型化并且能够获得阻抗匹配的高频放大电路。
为了解决上述课题，本发明一个方式的高频放大电路的特征在于，在封装内的安装面上具备放大高频信号的晶体管、输入侧匹配电路以及输出侧匹配电路，上述输出侧匹配电路具备：第一分布常量线路，经由并联配置的多个第一导线被传递来自上述晶体管的高频信号；平板状的引线端子，经由并联配置的多个第二导线被传递来自上述第一分布常量线路的高频信号，并将该高频信号向上述封装外部传送；以及电容元件，一个电极经由第三导线与上述引线端子连接，另一个电极接地；上述引线端子的一部分与具有比上述第一分布常量电路的介电常数低的介电常数的密封树脂接合，以上述电容元件和上述第一分布常量线路的排列方向、与上述第一分布常量线路和上述引线端子的排列方向在上述安装面上交叉的方式，将上述电容元件和上述第一分布常量线路相邻接配置。
发明的效果
根据本发明的高频放大电路，第一分布常量线路与电容元件之间的信号传送，通过一部分被低介电常数的树脂覆盖的引线端子来进行。并且，通过将封装安装在金属制的测定夹具上而成为基底面，由此，引线端子作为具有低介电常数的微波传输带型线路起作用，因此与使用高介电常数的材料的情况相比较，能够减少从第一分布常量线路到电容元件为止的电气长度。因此，能够减少在分布常量线路上并联存在的信号传送路线之间的电气长度的不均，能够减少匹配电路的损耗。并且，电容元件被配置为与第一分布常量线路和引线端子的排列方向在安装面上交叉，因此高频信号的传送方向的电路尺寸缩短、能够省面积化。因此，能够兼顾匹配电路的小型化以及器件性能的确保。
附图说明
图1是实施方式1的高频放大电路的电路构成图。
图2是实施方式1的高频放大电路的布局图。
图3A是实施方式1的高频放大电路的Y-Y’的构造截面图。
图3B是实施方式1的高频放大电路的X-X’的构造截面图。
图4是表示实施方式1的匹配电路的阻抗的变化的导纳图表。
图5是表示实施方式1的封装的相对介电常数与电气长度以及匹配电路损耗之间的关系的图表。
图6是实施方式2的高频放大电路的布局图。
图7是实施方式3的高频放大电路的布局图。
图8是表示专利文献1所记载的以往的高频放大电路的封装内部的构成的图。
图9A是表示专利文献2所记载的以往的高频放大电路的第一构成的图。
图9B是表示专利文献2所记载的以往的高频放大电路的第二构成的图。
符号的说明
1   高频放大电路
101、101A、101B、801、901   晶体管
102、802、902   输入侧匹配电路
103、143、153、803、903A、903B   输出侧匹配电路
104   第二分布常量线路
105、111、111A、111B   第一分布常量线路
106、804   引线端子
107   基衬底
108   电容元件
109   第三分布常量线路
110   密封树脂
112、212、312   封装
113   测定夹具
114、806   电阻
121、125、125A、125B   第一导线
122、122A、122B   第二导线
123   第三导线
124   第四导线
131、132、133   电介质衬底
805   封装框体
807   电容
904、905A、905B、906   分布常量线路
910   高介电常数衬底
具体实施方式
本发明一个方式的高频放大电路的特征在于，在封装内的安装面上具备放大高频信号的晶体管、输入侧匹配电路以及输出侧匹配电路，上述输出侧匹配电路具备：第一分布常量线路，经由并联配置的多个第一导线被传递来自上述晶体管的高频信号；平板状的引线端子，经由并联配置的多个第二导线被传递来自上述第一分布常量线路的高频信号，并将该高频信号向上述封装外部传送；以及电容元件，一个电极经由第三导线与上述引线端子连接，另一个电极接地；上述引线端子的一部分与具有比上述第一分布常量电路的介电常数低的介电常数的密封树脂接合，以上述电容元件和上述第一分布常量线路的排列方向、与上述第一分布常量线路和上述引线端子的排列方向在上述安装面上交叉的方式，将上述电容元件和上述第一分布常量线路相邻接配置。
根据本方式，第一分布常量线路与电容元件之间的信号传送，通过接合有低介电常数的树脂的引线端子来进行。由此，引线端子作为具有低介电常数的微波传输带型线路起作用，因此能够降低从第一分布常量线路到电容元件为止的电气长度。由此，虽然匹配电路的衬底彼此通过并联配置的多个导线连接，但能够减少在分布常量线路上并联存在的多个信号传送路线之间的电气长度的偏差，因此能够减少匹配电路的损耗。并且，电容元件被配置在与第一分布常量线路和引线端子的排列方向在安装面上交叉的方向上，因此高频信号的传送方向的电路尺寸缩短、能够省面积化。因此，能够兼顾匹配电路的小型化以及器件性能的确保。
此外，例如，也可以还在上述第一分布常量线路与上述晶体管之间配置有第二分布常量线路，该第二分布常量线路经由并联配置的多个第四导线与上述晶体管连接，并且，经由上述多个第一导线与第一分布常量线路连接。
根据本方式，能够从属配置以不同介电常数构成的分布常量线路，因此通过匹配电路来提高阻抗匹配的自由度。
此外，例如，上述第一分布常量线路和上述电容元件也可以由连续的同一电介质衬底构成。
由此，能够减少匹配电路的衬底，因此安装变得容易，能够使制造工序的成本减少以及简单化。此外，第一分布常量线路和上述电容元件由同一电介质衬底构成，因此在与第一分布常量线路和引线端子的排列方向在安装面上交叉的方向上，能够不隔开浪费的区域而相邻接地配置。因此，不仅在高频信号的传送方向，在与该传送方向交叉的方向上也能够缩短电路尺寸。
此外，例如，也可以在上述第一分布常量线路的上述交叉的方向的两侧对称地配置有上述电容元件。
由此，通过使电容元件成为对称配置，能够使其均匀地动作，能够减少不需要的反射而减少匹配电路的损耗。
此外，例如也可以为，上述晶体管配置有多个，按照每个上述晶体管设置的单位传送线路，在多个上述晶体管与上述引线端子之间并联地配置有多个，上述单位传送线路由上述第一分布常量线路和上述电容元件构成。
由此，能够减少晶体管的芯片尺寸，因此安装面的各晶体管的翘曲被抑制，该安装面与各晶体管的紧贴性提高。由此，能够改善各晶体管的散热性能。因此，安装成品率提高，能够实现低成本化。
此外，例如也可以为，相邻接的上述单位传送线路彼此经由电阻连接。
由此，能够防止担心在并联配置的单位传送线路的电力合成中产生的振荡。
以下，参照附图对本发明一个方式的高频放大电路进行说明。此外，在以下的附图中，相同的构成要素使用相同的符号。
此外，以下说明的实施方式，均表示本发明优选的一个具体例。以下的实施方式中所示的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置位置以及连接方式等为一个例子，其主旨不是限定本发明。此外，以下的实施方式中的构成要素中，对于表示本发明的最上位概念的独立请求项未记载的构成要素，作为构成更优选的方式的任意的构成要素进行说明。
（实施方式1）
图1是实施方式1的高频放大电路的电路构成图。本实施方式的高频放大电路1包括晶体管101、输入侧匹配电路102以及输出侧匹配电路103。
为了得到高输出而将晶体管101构成为单位晶体管并联连接的构造。结果，在输入以及输出阻抗较低、例如输出超过100W的那种情况下，输入以及输出阻抗有时达到数Ω以下。因此，在将晶体管101与50Ω***的外部电路直接连接的情况下，会产生阻抗的不匹配。为了消除该不匹配，而采用在晶体管101的输入侧以及输出侧分别连接输入侧匹配电路102以及输出侧匹配电路103的构成。晶体管101例如是由Si、GaAs以及GaN这种材料构成的放大器，晶体管的种类也可以是FET、HFET等，种类不受限定。
输出侧匹配电路103包括第二分布常量线路104、第一分布常量线路105、用于向内置高频放大电路的封装112的外部传送信号的引线端子106以及电容元件108。晶体管101的输出端子和第二分布常量线路104的输入侧通过第四导线124连接。第二分布常量线路104的输出侧和第一分布常量线路105的输入侧通过第一导线121连接。第一分布常量线路105的输出侧和引线端子106的输入侧通过第二导线122连接。电容元件108的一个电极和引线端子106的输入侧通过第三导线123连接。此外，电容元件108的另一个电极接地。
此外，输入侧匹配电路102在构造上无特别限制，只要是能够进行阻抗变化、配置在晶体管101与引线端子106之间的构成即可。
图2是实施方式1的高频放大电路的布局图。该图所示的高频放大电路1为，在封装112内的基衬底107上具备放大高频信号的晶体管101、输入侧匹配电路102以及输出侧匹配电路103。此外，晶体管101为，在向基衬底107安装时，为了提高散热性而经由AuSn、AuSi等导电性材料接合。在本实施方式中，在安装晶体管101的封装112内的安装面上，形成有上述导电性材料。此外，包含形成有晶体管101的封装112的安装面的基衬底107，例如由导电性金属构成。
第一分布常量线路105经由并联配置的多个第一导线121被传递来自晶体管101的高频信号。第一分布常量线路105例如构成微波传输带型线路，该微波传输带型线路包括电介质衬底131、该电介质衬底131上所形成的导电膜以及包含安装电介质衬底131的安装面的基衬底。
第二分布常量线路104配置在第一分布常量线路105和晶体管101之间。第二分布常量线路104经由并联配置的多个第四导线124与晶体管101连接，并且经由多个第一导线121与第一分布常量线路105连接。第二分布常量线路104例如构成微波传输带型线路，该微波传输带型线路包括电介质衬底132、该电介质衬底132上所形成的导电膜、以及安装电介质衬底132的基衬底。
在本实施方式中，第二分布常量线路104为，在接近晶体管101一侧具有与晶体管101同等的线路宽度，在接近第一分布常量线路105一侧具有与第一分布常量线路宽度105同等的线路宽度。但是，根据晶体管101等有源器件以及使用的传送线路，第二分布常量线路104的线路宽度也可以与上述关系不同，也可以为线路宽度在两端相同的情况、或者在接近晶体管101一侧的线路宽度较狭。
输出侧匹配电路103的引线端子106为平板形状，经由并联配置的多个第二导线122被传递来自第一分布常量线路105的高频信号，并将该高频信号向封装112的外部传送。此外，在图2中，为了容易观察而表示出引线端子106未被密封树脂110覆盖的状态，但在作为密封后的封装而被观察的情况下，引线端子106成为一部分被密封树脂110埋没那样的构造。
电容元件108例如成为由平行平板夹持电介质材料的构造，一个电极经由第三导线123与引线端子106连接，另一个电极与基衬底107接地。电容元件108例如构成平行平板型的电容器，该平行平板型的电容器包括电介质衬底131、该电介质衬底131上所形成的导电膜以及安装电介质衬底131的基衬底107。此外，在本实施方式中，构成电容元件108的电介质由与构成第一分布常量线路105的电介质衬底131连续的同一衬底构成。电容元件108经由引线端子106以及第三导线123与第一分布常量线路105连接。此外，在图2中，电容元件108不是单一构造，而采用多个单位电容并联连接的构成，但电容元件108的分割数量不受限定。此外，电容元件108优选在与第一分布常量线路105的传送方向交叉的方向的两侧对称地配置。由此，能够均匀动作，能够减少不需要的反射而减少匹配电路的损耗。
输入侧匹配电路102包括第三分布常量线路109、以及用于传送来自内置高频放大电路的封装112的外部的信号的引线端子106。晶体管101的输入端子与第三分布常量线路109的输出侧通过并联配置的多个导线连接。第三分布常量线路109例如构成微波传输带型线路，该微波传输带型线路包括：电介质衬底、该电介质衬底上所形成的导电膜以及安装电介质衬底的基衬底。
在以往的高频放大电路中，成为从第一分布常量线路105经由导线直接连接有电容元件108的构造，但在该情况下，信号传送方向的电路尺寸变大。此外，假定构成为，电容元件108和第一分布常量线路105形成在同一衬底上，将电容元件108配置在与第一分布常量线路105和引线端子106的排列方向交叉的方向上。即使是该构成，在第一分布常量线路105与电容元件108经由导线直接连接的上述以往构成的情况下，也与专利文献2同样，产生由于电气长度不同而匹配损耗增加这种课题。为了解决电气长度的不同导致的匹配损耗的增加这种课题，减小第一分布常量线路105的相对介电常数是有效的。但是，在该情况下，阻抗的变化的量减少，为了在低介电常数下得到变化的量，需要进一步加长线路长度。因此，作为用于高阻抗化的匹配电路的自由度降低。因此，减小第一分布常量电路105的相对介电常数而缩短电气长度不是适当的方法。
与此相对，本实施方式1的输出侧匹配电路103，通过采用以下那样的构成来解决上述课题。
如图2的布局图所示，第一分布常量线路105和电容元件108经由被低介电常数的树脂覆盖的引线端子106而电连接。并且，以电容元件108以及第一分布常量线路105的排列方向与第一分布常量线路105以及输出侧匹配电路103的引线端子106的排列方向在上述安装面上交叉的方式，将电容元件108以及第一分布常量线路105相邻接地配置。由此，第一分布常量线路105与电容元件108之间的信号传送路线的电气长度变短，并且，高频信号的传送方向的电路尺寸能够缩短而省面积化。因此，能够兼顾匹配电路的小型化和器件性能的确保。
图3A是实施方式1的高频放大电路的Y-Y’的构造截面图。此外，图3B是实施方式1的高频放大电路的X-X’的构造截面图。其中，不仅是封装112，还一并显示出测定夹具113。测定夹具113为了将来自晶体管101的热经由基衬底107向外部放射，而优选较低的热电阻。因此，例如使用Cu、Al这种金属材料。测定夹具113具有用于收容封装112的凹陷部分。为了避免封装112的引线端子106与测定夹具113的导体部分的接触不良，也可以使用螺纹固定、按压夹具。通过将封装112安装到测定夹具113上，由此引线端子106的被密封树脂110覆盖的区域为，测定夹具113的金属成为基底，并作为微波传输带型线路进行动作。在一般的陶瓷制的封装中，其陶瓷衬底的相对介电常数为10左右、具有高介电常数，相对于此，树脂的相对介电常数为5以下、具有低介电常数。在从第一分布常量线路105到电容元件108为止的信号传送路线上，应用由引线端子106、低介电常数的树脂以及测定夹具113的基底构成的微波传输带型线路，由此与该信号传送路线由高介电常数衬底构成的情况相比，该信号传送路线的电气长度变短。由此，能够减少在从第一分布常量线路105到电容元件108为止产生的多个信号传送路线（图2中的E1以及E2）之间的电气长度的偏差，输出侧匹配电路103的匹配损耗减少。此外，在图3A以及图3B中，引线端子106和测定夹具113经由电介质衬底相接。此外，在图3A以及图3B的截面图中，表示树脂密封之后的状态。
此外，封装112为，在制品阶段，也可以不是固定在上述测定夹具113上的状态，而是直接安装到安装衬底上的状态。在该情况下，通过将封装112安装在安装衬底的基底上，由引线端子106和该基底夹持密封树脂110的构造就构成了微带线构造。
图4是表示实施方式1的匹配电路的阻抗变化的导纳图表。在该图所示的导纳图表中，将低阻抗侧的区域（导纳图表的左侧）放大表示。以下，表示该图所记载的导纳图表中的测定出阻抗变化的高频放大电路1的电路参数以及构造参数，并一并表示阻抗变化的结果。
晶体管101使用栅极宽度Wg＝48mm的GaN-HFET，将动作频率设定为2.14GHz。晶体管101的输出阻抗例如为Zout＝（1.5-j2.0）Ω。从晶体管101的输出向第二分布常量线路104经由第四导线124连接，第四导线124和第二分布常量线路104均是被串联连接的电感性元件。同样，第二分布常量线路104经由第一导线121与第一分布常量线路105连接，第一导线121和第一分布常量线路105均为被串联连接的电感性元件。因此，图1所记载的Z1的输出阻抗，在图4的导纳图表上从Zout向Z1变化。此时，第二分布常量线路104使用相对介电常数为9.8、以及厚度为0.5mm的电介质衬底，线路长度为1.2mm，晶体管101侧的线路宽度为6.0mm，并且，第一分布常量线路105侧的线路宽度为2.5mm。此外，第一分布常量线路105使用相对介电常数为93、以及厚度为0.5mm的电介质衬底，线路长度为2.9mm，线路宽度为2.5mm。
并且，第一分布常量线路105经由引线端子106以及第三导线123与电容元件108连接。在此，电容元件108与第一分布常量线路105形成在同一衬底上。第一分布常量线路105与电容元件108的间隔以及电容元件108彼此的间隔均为150μm。电容元件108的图案尺寸为500μm×750μm。如图1的电路构成图所示，电容元件108相对于信号路线并联连接。由此，图1所记载的Z2的输出阻抗，通过第三导线123和电容元件108而变化为图4中表示的Z2。
并且，引线端子106经由第二导线122与第一分布常量线路105连接，并经由第三导线123与电容元件108连接。因此，封装的输出端子即Z3的输出阻抗向高阻抗变化。在本实施方式中，作为结果，输出阻抗变化到（8.1＋j2.6）Ω。
根据上述结果，晶体管101的输出阻抗为，通过本实施方式的输出侧匹配电路103而例如从（1.5-j2.0）Ω向（8.1＋j2.6）Ω高阻抗化。上述结果表示，本发明的实施方式1的高频放大电路1能够实现兼顾匹配电路的小型化以及器件性能的确保。
此外，在本实施方式中，输出侧匹配电路103由第二分布常量线路104、第一分布常量线路105、引线端子106、第一导线121～第四导线124以及电容元件108构成，但输出侧匹配电路103的构成不限定于此。此外，上述分布常量线路的线路长度以及线路宽度也可以根据使用的器件而适当地变更。此外，构成第一分布常量线路105以及第二分布常量线路104的电介质衬底，也可以使用具有上述例示的相对介电常数以外的相对介电常数的电介质衬底。例如，作为电介质衬底，也可以在高电阻Si衬底上形成SiO2等绝缘层，并在其上形成导电层的图案。或者，也可以由GaAs衬底等构成。此外，电容元件108为，在图2的布局图中合计描绘有6个图案，但数量、尺寸以及构成为一个例子。同样，输入侧匹配电路102也由2段的导线和第三分布常量线路109构成，但不限定于此。
此外，由树脂构成的封装112为，考虑到附图的易读性，而以能够确认封装内的电路构成的方式以框体形状来表示，但在实际上，还增加灌注树脂而进行密封的工序。如此，密封方法能够使用嵌入成型方式。或者，也可以利用在基衬底107上安装晶体管101、输入侧匹配电路102以及输出侧匹配电路103、并在从上下设置了金属模之后向金属模内注入树脂而进行密封的传递模（transfer mould）方式。
图5是表示实施方式1的封装的相对介电常数与电气长度以及匹配电路损耗之间的关系的图表。在该图中，表示对使覆盖引线端子106的密封树脂110的相对介电常数变化时的、传送线路的电气长度以及输出匹配电路103的损耗进行计算的结果。此外，作为计算电气长度时的条件，传送线路长度成为3mm。如该图所示那样，在作为接近一般的陶瓷的常量的相对介电常数10的情况下，电气长度成为23.6°。另一方面，在封装112的材料成为在本实施方式中使用的树脂（相对介电常数4.7）的情况下，电气长度成为16.7°，电气长度能够缩短7°左右。
按照上述条件，通过电路模拟器对输出侧匹配电路103的通过特性（S21）进行计算的结果为，在相对介电常数为10的情况下，匹配电路损耗为0.68dB。另一方面，在相对介电常数为4.7的情况下，匹配电路损耗为0.43dB，通过本实施方式的输出侧匹配电路103，能够得到0.25dB前后的改善效果。并且，当换算为晶体管101的输入输出特性时，即使是相同的输入功率、电力损耗也改善0.25dB。即，能够认为晶体管101的增益增加0.25dB。在此，例如假设在相对介电常数为10的情况下增益为15.75dB、以及漏极效率为70％。对此，通过使相对介电常数成为4.7，由此增益能够改善到16.0dB、漏极效率能够改善到74.5％。同样，当假设相对介电常数为10的情况下的输出为100W时，通过使相对介电常数成为4.7，由此得到0.25dB的增益改善、输出改善到106W。因此，通过成为上述构造，即使在使基本波的匹配电路的布局小型化的情况下，也能够不产生特性恶化、而确保器件性能。
（实施方式2）
图6是实施方式2的高频放大电路的布局图。本实施方式的高频放大电路包括晶体管101、输入侧匹配电路102以及输出侧匹配电路143。本实施方式的高频放大电路与实施方式1的高频放大电路1比较，仅输出侧匹配电路的分布常量线路的构成不同。以下，以与实施方式1的高频放大电路1的不同点为中心进行说明。
输出侧匹配电路143包括第一分布常量线路111、用于向内置高频放大电路的封装212的外部传送信号的引线端子106、以及电容元件108。晶体管101的输出端子与第一分布常量线路111的输入侧通过第一导线125连接。第一分布常量线路111的输出侧与引线端子106的输入侧通过第二导线122连接。电容元件108的一个电极与引线端子106的输入侧通过第三导线123连接。此外，电容元件108的另一个电极接地。
通过成为以上构成，仅在基衬底107的表面即安装面上安装形成有晶体管101、第三分布常量线路109的电介质衬底、形成有第一分布常量线路111以及电容元件108的电介质衬底133即可。此外，引线端子106能够预先与由树脂构成的密封树脂110一体成型，因此能够减少向上述安装面的衬底安装次数。由此，能够减少衬底的安装错位，安装精度提高。此外，也能够减少将分布常量线路彼此连接的导线组。由此，除了确保小型化、匹配电路的性能，还对低成本化产生贡献。
（实施方式3）
在本实施方式中，对高频放大电路进行说明，该高频放大电路为，将具有电感性的分布常量线路和与引线端子并联连接的电容元件作为一个单位传送线路，该高频放大电路具有具备并联多个单位传送线路而成的匹配电路。
图7是实施方式3的高频放大电路的布局图。本实施方式的高频放大电路包括晶体管101A以及101B、输入侧匹配电路102以及输出侧匹配电路153。本实施方式的高频放大电路与实施方式2的高频放大电路比较，作为构成的不同点为，对多个晶体管中的各个晶体管，在输出侧配置有匹配电路。以下，以与实施方式2的高频放大电路2的不同点为中心进行说明。
在图7中，输出侧匹配电路153包括第一分布常量线路111A以及111B、用于向内置高频放大电路的封装312的外部传送信号的引线端子106、以及电容元件108。第一分布常量线路111A的输入侧经由第一导线125A与晶体管101A的输出端子连接。第一分布常量线路111A的输出侧与引线端子106的输入侧通过第二导线122A连接。电容元件108的一个电极与引线端子106的输入侧通过第三导线123连接。此外，电容元件108的另一个电极接地。此外，第一分布常量线路111B的输入侧经由第一导线125B与晶体管101B的输出端子连接。第一分布常量线路111B的输出侧与引线端子106的输入侧通过第二导线122B连接。第一分布常量线路111A以及111B分别在接近晶体管一侧，具有与晶体管101A以及101B（在上述例的情况下Wg＝24mm）的长边方向的长度为相同程度的线路宽度。此外，第一分布常量线路111A以及111B、和电容元件108由同一电介质衬底133构成。
即，由各个第一分布常量线路和电容元件108构成的单位传送线路，在晶体管与引线端子106之间并联配置有多个。
例如，在栅极宽度Wg为48mm的晶体管中，当使单位栅极长度为0.8mm时，晶体管的长边方向的尺寸成为6mm左右、非常大。如此，在将尺寸较大的晶体管101向基衬底107安装的情况下，容易产生晶体管101的翘曲，因此基衬底107与晶体管101的紧贴性有可能变得不充分。特别是在高输出动作时，晶体管101成为高温，因此当与基衬底107的紧贴性较差时，不能够散热而产生晶体管101的特性不良、破坏。作为其对策，不是通过一个晶体管作为栅极宽度Wg＝48mm而得到较高的输出，而是例如能够考虑采用将2个晶体管并联配置的构造。在该情况下，例如使各个晶体管的栅极宽度Wg成为24mm。然后，将2个晶体管的输出进行合成。在图7所示的布局中，是如上所述那样实施了2个芯片合成的输出侧匹配电路的一个构成例。
通过以上的构成，输出侧匹配电路153形成在一个电介质衬底133上，安装变得容易。并且，由于晶体管101A以及101B的芯片尺寸减少，因此各晶体管的翘曲被抑制，基衬底与各晶体管的紧贴性提高。由此，能够改善各晶体管的散热性能。因此，安装成品率提高，能够实现低成本化。并且，如本实施方式那样，在从晶体管101A以及101B离开的位置进行电力合成的构成中，有时由于振荡而晶体管性能变得不稳定。作为防止上述振荡的构造，也可以成为将第一分布常量线路111A和111B的连结部分、经由电阻114连接的构造。即，也可以构成为，相邻接的上述单位传送线路彼此经由电阻114连接。
此外，第一分布常量线路111A以及111B与引线端子106的连接方式、以及电容元件108的分割数量，不限于图7所记载的布局。例如，也可以如图2所示的布局那样，电容元件108在外侧各分割配置有三个，并且也可以配置有多个。即，根据输出侧匹配电路153所要求的匹配特性来决定。
以上，根据实施方式说明了本发明的高频放大电路，但本发明不限定于上述实施方式。在不脱离本发明的主旨的范围内，实施了本领域技术人员能够想到的各种变形的方式也包含于本发明的范围内。此外，在不脱离发明的主旨的范围内，也可以将多个实施方式的各构成要素任意地组合。
工业上的可利用性
本发明的高频放大电路能够应用于以高输出处理高频信号的移动体通信用的基站、或者微波炉等微波家电等。

Claims (6)

1.一种高频放大电路，其中，
在封装内的安装面上具备放大高频信号的晶体管、输入侧匹配电路以及输出侧匹配电路，
上述输出侧匹配电路具备：
第一分布常量线路，经由并联配置的多个第一导线被传递来自上述晶体管的高频信号；
平板状的引线端子，经由并联配置的多个第二导线被传递来自上述第一分布常量线路的高频信号，并将该高频信号向上述封装外部传送；以及
电容元件，一个电极经由第三导线与上述引线端子连接，另一个电极接地，
上述引线端子的一部分与具有比上述第一分布常量电路的介电常数低的介电常数的密封树脂接合，
以上述电容元件和上述第一分布常量线路的排列方向、与上述第一分布常量线路和上述引线端子的排列方向在上述安装面上交叉的方式，将上述电容元件和上述第一分布常量线路相邻接配置。
2.如权利要求1记载的高频放大电路，其中，
还在上述第一分布常量线路与上述晶体管之间配置有第二分布常量线路，该第二分布常量线路经由并联配置的多个第四导线与上述晶体管连接，并且经由上述多个第一导线与第一分布常量线路连接。
3.如权利要求1或者2记载的高频放大电路，其中，
上述第一分布常量线路和上述电容元件由连续的同一电介质衬底构成。
4.如权利要求1记载的高频放大电路，其中，
在上述第一分布常量线路的上述交叉的方向的两侧对称地配置有上述电容元件。
5.如权利要求1记载的高频放大电路，其中，
上述晶体管配置有多个，
按照每个上述晶体管设置的单位传送线路，在多个上述晶体管与上述引线端子之间并联地配置有多个，上述单位传送线路由上述第一分布常量线路和上述电容元件构成。
6.如权利要求5记载的高频放大电路，其中，
相邻接的上述单位传送线路彼此经由电阻连接。
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