CN103681294A - 积层陶瓷基板的分断方法 - Google Patents
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Abstract
本发明是有关于一种积层陶瓷基板的分断方法，对在陶瓷基板积层有金属膜的积层陶瓷基板进行分断。在积层陶瓷基板(10)的陶瓷基板(11)沿着分断预定线形成第1刻划线(S1)。接着在金属膜(12)侧，在与第1刻划线(S1)同一位置借由刻划装置形成第2刻划线(S2)。进一步地，从陶瓷基板(11)侧的面及金属膜(12)侧的面各自沿着第1刻划线(S1)、第2刻划线(S2)进行裂断。借由如此进行，可完全地分断积层陶瓷基板(10)。
Description
技术领域
本发明有关于在陶瓷基板积层有金属膜的积层陶瓷基板的分断方法。
背景技术
现有习知，在对在陶瓷基板积层有金属膜的积层陶瓷基板进行分断的情形，大多使用切割锯(dicing saw)等进行分断。此外，在专利文献1提及有在对陶瓷基板进行刻划后接合金属层，且借由蚀刻法(etching)将刻划线的金属层除去后进行裂断的陶瓷接合基板的制造方法。
专利文献1：日本特开2009-252971号公报
在前述的专利文献1中，存在有如下问题：在对陶瓷基板积层金属薄膜之前必需进行刻划，且并非对既已积层的积层陶瓷基板进行分断。
此外，为了对积层后的积层陶瓷基板进行分断，如图1(a)所示，关于对在陶瓷基板101积层有金属膜102的积层陶瓷基板100进行刻划并裂断的情形进行说明。首先，如图1(b)所示，在陶瓷基板101的面以刻划轮103进行刻划，如图1(c)所示，从陶瓷基板101侧以裂断杆104进行按压并裂断。在该情形，陶瓷基板101即使可分离，金属膜102仍未被分离，因此存在有如图1(d)所示即使施以裂断，金属膜102仍未被分离而残存，无法完成完全分断的问题。
此外，作为其他的方法，如图2(a)、图2(b)所示，在积层陶瓷基板100之中，对金属膜102的面使用刻划轮103施以刻划。接着，如图2(c)所示，即使欲使用裂断杆104对积层陶瓷基板进行分断，在金属膜102未形成充分的垂直裂纹下，在陶瓷基板101侧则无法产生垂直裂纹。因此存在有进行裂断困难而无法完成分离、或如图2(d)所示无法沿刻划线分离的问题。
由此可见，上述现有的分断方法在使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。
发明内容
本发明的目的在于提供一种积层陶瓷基板的分断方法，其可完全地分断于陶瓷基板积层有金属膜的积层陶瓷基板且进行个别化。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。本发明的积层陶瓷基板的分断方法，是在陶瓷基板积层有金属膜的积层陶瓷基板的分断方法，包括：在该陶瓷基板及该金属膜的一面形成第1刻划线；在该陶瓷基板及该金属膜的另一面，沿着该第1刻划线形成第2刻划线；沿着该第1刻划线、第2刻划线而对该陶瓷基板及金属膜的至少一方进行裂断，借此沿着刻划线对陶瓷基板进行分断。
借由上述技术方案，本发明积层陶瓷基板的分断方法至少具有下列优点及有益效果：借由本发明，对在陶瓷基板积层有金属膜的积层陶瓷基板从两侧进行刻划且从至少一面进行裂断，因此可避免金属膜的剥离，可完全地分断、个别化成所想要的形状，且可提高端面精度。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
附图说明
图1：表示从积层陶瓷基板的陶瓷基板侧进行刻划及裂断的情形的分断处理图。
图2：表示从积层陶瓷基板的金属膜侧进行刻划及裂断时的状态图。
图3：表示本发明实施例的积层陶瓷基板的分断处理步骤图。
【主要元件符号说明】
10：积层陶瓷基板 11：陶瓷基板
12：金属膜 13、14：刻划轮
15、16：支持构件 17、19：带材
18：裂断杆
具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的一种积层陶瓷基板的分断方法的具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。
图3(a)，表示对陶瓷基板11施以金属膜12的成为分断对象的积层陶瓷基板(以下，简称积层基板)10。此处，陶瓷基板11亦可为LTCC(低温共烧多层陶瓷；Low Temperature Co-fired Ceramic)基板，亦可为氧化铝(alumina)或氮化铝(aluminum nitride)、钛酸钡(barium titanate)、氮化硅(silicone nitride)等陶瓷基板。此外，金属膜12是镍、银、金、铜及白金等薄膜，例如膜厚设定为10～20μm。此时，金属膜亦可形成有任何的图案。在对如此的积层基板10以既定的图案进行分断的情形，首先如图3(b)所示，从陶瓷基板11侧沿着预定分断线，借由刻划装置(图未示)使刻划轮13按压转动并形成刻划。将如此而形成的刻划线设定为第1刻划线S1。使用于该刻划的刻划轮，较佳为使用可进行高浸透的刻划轮。例如，如日本国专利文献3074143号公报所揭示，提出有于圆周面以隔着既定间隔的方式形成多个沟槽，使其间成为突起而成为高浸透型的刻划轮。此处是使用如此的刻划轮。
进一步地，使积层基板10反转，且如图3(c)所示，从金属膜12的面、从第1刻划线S1的正上方借由刻划装置(图未示)形成刻划。将如此而形成的刻划线设定为第2刻划线S2。在此情形，无需使用可进行高浸透刻划的刻划轮，较佳为使用一般的刻划轮14。
接着，如图3(d)所示，在支持构件15、16的上面配置带材(tape)17，且使用裂断装置并以刻划线S1、S2位于一对支持构件15、16的中间的方式配置积层基板10。而且从其上部沿着第2刻划线S2将裂断杆18押下进行裂断。进一步地，如图3(e)所示，将积层基板10反转，在支持构件15、16的上面配置带材19，将金属膜12侧载置于裂断装置的支持构件15、16并沿着第1刻划线S1将裂断杆18押下进行裂断。如此，如图3(f)所示，可对积层基板沿着刻划线S1、S2完全地进行分断且个别化，可使端面精度提高。借由格子状地进行该积层陶瓷基板的分断，可形成个别的积层基板片。
此外，在上述的实施例中，如图3(b)、图3(c)所示，成为对陶瓷面进行刻划，接着对金属面进行刻划，但亦可先对金属面进行刻划，之后对陶瓷面进行刻划。
此外，在上述的实施例中，如图3(d)及图3(e)所示，成为从陶瓷基板侧与从金属膜侧的两侧以裂断装置进行裂断，但可根据金属膜的种类或厚度而以进行一方裂断的方式分断。例如，在陶瓷基板11沿着第1刻划线S1而相当深地浸透有刻划的情形，或于金属膜12是相当薄的情形，可从任一面借由裂断而进行分断、个别化。
本发明可使用刻划装置与裂断装置而容易地对在陶瓷基板积层有金属膜的积层基板进行分断，且对于微小的积层基板的制造有效果。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
Claims (1)
1.一种积层陶瓷基板的分断方法，该积层陶瓷基板在陶瓷基板积层有金属膜，其特征在于：
在该陶瓷基板及该金属膜的一面形成第1刻划线；
在该陶瓷基板及该金属膜的另一面，沿着该第1刻划线形成第2刻划线；及
沿着该第1刻划线、第2刻划线而对该陶瓷基板及金属膜的至少一方进行裂断，借此沿着刻划线对陶瓷基板进行分断。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |