CN103676465A - 用于在有机绝缘膜中形成过孔的掩膜板和方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种用于在有机绝缘膜中形成过孔的掩膜板和方法，所述掩膜板具有透光区域和不透光区域，其特征在于：在所述掩膜板的所述透光区域与所述不透光区域之间还存在具有狭缝的区域。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种用于在有机绝缘膜中形成过孔的掩膜板和方法。
背景技术
高级超维场转换(Advanced Super Dimension Switch，ADS)技术是液晶显示业界为解决大尺寸、高分辨率显示装置而开发的广视角技术。而高开口率ADS(HADS)技术通过改变ADS技术的阵列基板中公共电极和像素电极的位置，由公共电极覆盖数据信号线和栅极扫描信号线，进一步提高了面板的开口率。
由于有机绝缘膜的厚度较大，键合区段差太大，在制造显示面板的过程中易发生由摩擦导致的显示不均现象(Rubbing Mura)，所以像素区以外的区域也保留有机绝缘膜。这样在像素区以外的区域内，需要采用过孔设计将公共电极与数据信号线导通，以导入信号。图1A示出了现有技术中像素区以外的区域的截面图。在图1A中，基板11上形成有栅极绝缘膜12，在栅极绝缘膜12上形成数据信号线14，然后形成有机绝缘膜13，并在有机绝缘膜13上形成过孔以暴露出下方的数据信号线14，再然后形成覆盖有机绝缘膜13和数据信号线14的像素电极15。像素电极15是整体形成在基板表面的，由于这部分区域处于像素区外，因此需要去除这部分区域内的像素电极，通常去除该部分像素电极的方法是在基板上涂覆一层光刻胶16，然后对需要进行蚀刻的区域进行曝光显影。图1B示出了光刻胶显影后的示意图。由于有机绝缘膜段差大，因此在曝光显影结束后，过孔17边缘处容易残留部分光刻胶，从而导致在后续的蚀刻工艺中残留的光刻胶下方的像素电极不能被完全去除，如图1C所示。图2示出了现有技术中像素区以外的区域的平面图，在过孔17内数据信号线14通过钝化层过孔18与公共电极19电接触。由于不能完全去除像素区以外的区域内的像素电极15，会导致数据信号线14间的短路高发。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是有机绝缘膜中过孔内光刻胶残留的问题。
为此目的，本发明提出了一种用于在有机绝缘膜中形成过孔的掩膜板，所述掩膜板具有透光区域和不透光区域，其特征在于：在所述掩膜板的所述透光区域与所述不透光区域之间还存在具有狭缝的区域。
本发明还提出了一种用于在有机绝缘膜中形成过孔的方法，包括：利用上述掩膜板对所述有机绝缘膜进行曝光；对曝光后的所述有机绝缘膜进行显影，在所述有机绝缘膜中形成具有平缓坡度角的过孔。
优选地，所述有机绝缘膜是负性光刻胶。
优选地，所述有机绝缘膜的材料是聚酰亚胺树脂、聚乙烯、聚四氟乙烯中的一种或多种。
通过采用本发明所公开的用于在有机绝缘膜中形成过孔的掩膜板和方法，能够在有机绝缘膜中形成具有平缓坡度角的过孔，从而避免过孔内光刻胶残留现象，降低阵列基板边缘处发生数据信号线间短路的概率，提高产品的良品率。
附图说明
通过参考附图会更加清楚的理解本发明的特征和优点，附图是示意性的而不应理解为对本发明进行任何限制，在附图中：
图1A至1C示出了现有技术中去除像素区以外的区域内的像素电极的示意图；
图2示出了现有技术中像素区以外的区域的平面图；
图3示出了根据本发明实施例在有机绝缘膜中形成过孔的示意图；
图4示出了在根据本发明实施例在有机绝缘膜中的光路图。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明的实施例进行详细描述。
为了能够完全去除有机绝缘膜过孔内的光刻胶，需要使有机绝缘膜过孔的坡度角变缓，从而有效减少因有机绝缘膜的大段差所引起的光刻胶残留现象。图3示出了根据本发明实施例在有机绝缘膜中形成过孔的示意图。
如图3所示，本发明采用了一种具有狭缝23的掩膜板22，并且采用聚酰亚胺环氧树脂来作为有机绝缘膜21的材料。聚酰亚胺环氧树脂属于一种负性光刻胶，即经曝光后的感光部分形成不可溶物质，从而在后续的显影步骤中被保留下来。掩膜板22具有透光区域和不透光区域，并且在透光区域和不透光区域之间还存在具有狭缝23的区域。
当采用掩膜板22对有机绝缘膜21进行曝光显影时，掩膜板22透光区域所对应的有机绝缘膜21被完全曝光，由于有机绝缘膜21的负性光刻胶的性质，该部分有机绝缘膜21被完全保留下来；掩膜板22不透光区域所对应的有机绝缘膜21由于被掩膜板22完全遮挡，因此该部分有机绝缘膜21被完全去除，从而在有机绝缘膜21中形成了过孔。另外，在掩膜板22具有狭缝23的区域所对应的有机绝缘膜21中，由于掩膜板22上的狭缝23，会有部分光透过狭缝23，并在有机绝缘膜21与其下方的膜层界面发生反射，如图4所示。于是不同于现有技术中不带有狭缝的掩膜板而使得过孔坡度较陡的情况，使得该部分有机绝缘膜21形成了一段坡度角较缓的斜坡。
对于较缓的坡度角，可以有效减小因有机绝缘膜的大段差所致的光刻胶残留现象发生，从而可以完全去除掉多余的像素电极，降低阵列基板边缘处发生数据信号线间短路的概率，提高产品的良品率。
本领域技术人员可以通过调节狭缝的数量、宽度和间隔来调整有机绝缘膜过孔的坡度，实施工艺简单，只需一次掩膜工艺。本领域技术人员还可以根据需要在同一掩膜的不同位置实现不同的坡度角设计。
在本实施例中采用聚酰亚胺环氧树脂来作为有机绝缘膜的材料，但是本发明并不限于此，任何具有负性光刻胶性质的绝缘材料均可以作为有机绝缘膜，例如聚乙烯、聚四氟乙烯等。
通过采用本发明所公开的用于在有机绝缘膜中形成过孔的掩膜板和方法，能够在有机绝缘膜中形成具有平缓坡度角的过孔，从而避免过孔内光刻胶残留现象，降低阵列基板边缘处发生数据信号线间短路的概率，提高产品的良品率。
虽然结合附图描述了本发明的实施方式，但是本领域技术人员可以在不脱离本发明的精神和范围的情况下作出各种修改和变型，这样的修改和变型均落入由所附权利要求所限定的范围之内。
Claims (4)
1.一种用于在有机绝缘膜中形成过孔的掩膜板，所述掩膜板具有透光区域和不透光区域，其特征在于：在所述掩膜板的所述透光区域与所述不透光区域之间还存在具有狭缝的区域。
2.一种用于在有机绝缘膜中形成过孔的方法，包括：
利用根据权利要求1所述的掩膜板对所述有机绝缘膜进行曝光；
对曝光后的所述有机绝缘膜进行显影，在所述有机绝缘膜中形成具有平缓坡度角的过孔。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述有机绝缘膜是负性光刻胶。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述有机绝缘膜的材料是聚酰亚胺树脂、聚乙烯、聚四氟乙烯中的一种或多种。
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