CN103676234A - 一种检测装置、阵列基板检测***及其方法 - Google Patents

Abstract

本发明实施例提供一种检测装置、阵列基板检测***及其方法，涉及基板测试技术领域。能够同时对阵列基板上反射率差异较大的各个膜层进行不良检测。该阵列基板检测***包括检测装置，该检测装置通过采集装置可以生成待测基板上反射率不同的各个膜层表面的灰阶图片，再利用处理器根据上述灰阶图片，得出待测基板的缺陷坐标图。

Description

一种检测装置、阵列基板检测***及其方法

技术领域

本发明涉及基板测试技术领域，尤其涉及一种检测装置、阵列基板检测***及其方法。

背景技术

TFT-LCD（Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器）作为一种平板显示装置，因其具有体积小、功耗低、无辐射以及制作成本相对较低等特点，而越来越多地被应用于高性能显示领域当中。现有TFT-LCD的制造工艺主要包括四个阶段，分别为彩色滤光片制备、Array（阵列基板制造）工艺、Cell（液晶盒制备）工艺以及Module（模块组装）工艺。作为TFT-LCD生产的一个重要环节，Array工艺通常是在一张玻璃基板上形成独立的TFT阵列电路，每个阵列电路分别对应一个像素单元，阵列电路的质量将直接影响产品的显示质量。

为了及时发现阵列基板制作存在的各种不良，确保阵列基板的质量，在Array工艺过程中或在Array工艺之后，需要对TFT阵列基板进行检测，以确定其中是否存在短路、断路等不良现象。

目前可以采用光学检测设备对TFT阵列基板进行检测。具体的，该光学检测设备如图1所示，光源***10传出光源，该光源通过半反半透镜11进行透射后，再通过透镜装置12汇聚传输到阵列基板13的表面；该光线在阵列基板13的表面反射后经过透镜装置12传输到半反半透镜11的反射面，然后传输至全反射镜14，最后被CCD感光元件15（Charge Coupled Device，电荷耦合器件）接收。这样一来，通过CCD接收照射在阵列基板上的光线，并根据接收光线灰度值的不同来判断该阵列基板是否存在不良。

然而，由于阵列基板是由多个膜层构成的，在测试时各个膜层的反射率差异很大。因此，现有的光学检测设备在对阵列基板进行检测时存在以下问题：

当光源***10提供的光线光强较高时，可以检测到阵列基板上反射率较低的膜层，但是这样一来，阵列基板上反射率较高的膜层会反射出光强更高的光线，从而导致检测设备出现误报错。

当光源***10提供的光线光强较低时，可以检测到阵列基板上反射率较高的膜层，但是这样一来，反射率较低的膜层几乎无发将入射到的光线反射至CCD，从而使得反射率较低的膜层出现被漏检的可能。

因此，当阵列基板上的膜层之间的反射率差异较大时，现有的光学检测设备无法同时对各个膜层的不良进行检测，而只能有选择性的进行检测。从而导致工艺监控的部分失效，影响对后续制作工艺结果的判断，大大降低制作工艺的稳定性。

发明内容

本发明的实施例提供一种检测装置、阵列基板检测***及其方法。能够同时对阵列基板上反射率差异较大的各个膜层进行不良检测。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

本发明实施例的一方面提供一种检测装置，包括用于承载待测基板的承载台，所述承载台一侧设置有光源，所述光源发出的光线通过分束器照射到所述待测基板的表面，经过反射后进入所述分束器并输出，其特征在于，所述检测装置还包括：

第一半反半透镜，与所述分束器输出的光线之间具有预设夹角，用于将所述分束器输出的光线分为第一光束和第二光束；

采集装置，用于采集所述第一光束和所述第二光束，根据所述第一光束和所述第二光束生成所述待测基板上第一膜层表面和第二膜层表面的灰阶图片；其中，所述第一膜层具有第一反射率；所述第二膜层具有第二反射率，所述第二反射率与所述第一反射率不同；

处理器，用于将所述采集装置生成的灰阶图片进行对比得出所述待测基板的缺陷坐标图。

本发明实施例的另一方面提供一种阵列基板检测***，包括如上所述的任意一种检测装置。

本发明实施例的又一方面提供一种阵列基板检测***的检测方法，包括参数处理的步骤、待测基板检测的步骤以及缺陷确认的步骤，其特征在于，所述待测基板检测的步骤包括：

光源发出的光线通过分束器照射到待测基板的表面，经过反射后进入所述分束器并输出；

第一半反半透镜将分束器输出的光线分为第一光束和第二光束；

采集装置采集所述第一光束和所述第二光束，根据所述第一光束和所述第二光束生成所述待测基板上第一膜层表面和第二膜层表面的灰阶图片；其中，所述第一膜层具有第一反射率；所述第二膜层具有第二反射率，所述第二反射率与所述第一反射率不同；

处理器将所述采集装置生成的灰阶图片进行对比得出所述待测基板的缺陷坐标图。

本发明实施例提供一种检测装置、阵列基板检测***及其方法。阵列基板检测***包括检测装置，该检测装置通过采集装置可以生成待测基板上反射率不同的各个膜层表面的灰阶图片，再利用处理器根据上述灰阶图片，得出待测基板的缺陷坐标图。这样一来，通过该阵列基板检测***就可以同时对阵列基板上反射率差异较大的各个膜层进行不良检测，得出整张阵列基板上存在缺陷的位置。从而避免现有技术中存在的漏检或误报错现象的产生，提高检测精度和生产效率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术提供的一种检测装置的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的一种检测装置的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的另一种检测装置的结构示意图；

图4为本发明实施例提供的又一种检测装置的结构示意图；

图5为本发明实施例提供的一种阵列基板检测***的结构示意图；

图6为本发明实施例提供的一种阵列基板检测方法的流程示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明实施例提供一种检测装置，如图2所示，可以包括用于承载待测基板20的承载台21，承载台21一侧设置有光源22，光源22发出的光线通过分束器23照射到待测基板20的表面，经过反射后进入分束器23并输出，该检测装置还可以包括：

第一半反半透镜24，与分束器23输出的光线之间具有预设夹角α，用于将分束器23输出的光线分为第一光束Y和第二光束X。

其中，预设夹角α可优选为45°。

采集装置01，用于采集第一光束Y和第二光束X，根据第一光束Y和第二光束X生成待测基板20上第一膜层表面和第二膜层表面的灰阶图片；其中，第一膜层具有第一反射率；第二膜层具有第二反射率，第二反射率与第一反射率不同。

需要说明的是，本发明实施例中的待测基板20为阵列基板。待测基板20上第一膜层和第二膜层具体是指，由于阵列基板是由各个膜层构成，因此各个膜层之间的反射率也不尽相同。例如阵列基板上用于形成栅线的栅极金属层可以采用金属铝制成，而栅线的图案一般形成于透明基板的表面，该透明基板可以采用玻璃制成。而金属铝与玻璃之间的反射率相差比较大。因此第一膜层具有的第一反射率与第二膜层具有的第二反射率不同。

其中，如图3所示，采集装置01可以包括：

第一子采集装置30，用于采集第一光束Y；以及，

第二子采集装置31，用于采集第二光束X。

该检测装置还可以包括：处理器32，用于将采集装置01生成的灰阶图片进行对比得出待测基板20的缺陷坐标图。

需要说明的是，阵列基板上设置有横纵交叉的栅线和数据线，该栅线和数据线可以交叉界定多个呈矩阵形式排列的像素单元。一般情况下，没有短路或断路等不良现象的阵列基板的各个像素单元以及构成该像素单元的栅线和数据线应该是一模一样的，这样才可以使得显示画面均匀。然而，在生产加工过程中，由于粉尘或其它因素导致阵列基板上的膜层图案，例如栅线或数据线会出现短路或断路，这样一来，会发现构成该像素单元的栅线和数据线会与构成其它位置像素单元的栅线和数据线不同，存在缺陷。而这一缺陷信息，可以通过对多个像素单元及构成该像素单元的栅线和数据线进行拍照生成灰阶图片，并将该灰阶图片进行对比才可以发现。具体的对比方法，可以是将该灰阶图片依次与标准图片进行对比。其中，该标准图片为对阵列基板上没有缺陷的像素单元以及构成该像素单元的栅线和数据线进行拍照并生成的灰阶图片。或者，在上述图片之间进行重复性区域间对比从而找出差异点，进而可以确定出缺陷的位置。因此，采集装置01生成的灰阶图片需要通过对比才可以得出待测基板20的缺陷坐标图。

本发明实施例提供一种检测装置。该检测装置通过采集装置可以生成待测基板上反射率不同的各个膜层表面的灰阶图片，再利用处理器根据上述灰阶图片，得出待测基板的缺陷坐标图。这样一来，通过该阵列基板检测***就可以同时对阵列基板上反射率差异较大的各个膜层进行不良检测，得出整张阵列基板上存在缺陷的位置。从而避免现有技术中存在的漏检或误报错现象的产生，提高检测精度和生产效率。

进一步地，如图3所示，第一子采集装置30和第二子采集装置31均可以包括：电荷耦合相机301。

第二子采集装置31与第一半透半反镜24之间还可以包括光学膜片层311，光学膜片层311用于改变入射到第二子采集装置31的第二光束X的亮度。

需要说明的是，以下实施例均以以第一膜层具有的第一反射率小于第二膜层具有的第二反射率为例进行说明。

具体的，可以对光学膜层311进行举例说明：

例如，光学膜片层311可以采用灰镜，这样一来，该灰镜可以非选择性的过滤透过的光线，并对各个波段的光线同等均匀的减弱。当光源22输出的光线光强较高时，通过灰镜的过滤可以将待测基板20上具有第一反射率的第一膜层反射的光线在一定程度上过滤掉，从而使得第二子采集装置31的电耦合相机301能够接受大部分具有第二反射率的第二膜层反射的光线。而反射率较低的第一膜层反射的光线大部分可以被第一子采集装置30的电耦合相机301所接收。

其中，灰镜311可以分为10%-90%不同灰度的镜片，具体的，本领域技术人员可以根据实际检测的阵列基板反射率差异情况进行选择，本发明实施例对此不做限定。

又例如，光学膜片层311可以采用具有增加光线光强功能的增光器件。这样一来，该增光器件可以对各个波段的光线同等均匀的增强。当光源22输出的光线光强较低时，通过增光器件可以将待测基板20上具有反射率较低的第一膜层反射的光线增强，从而使得第二子采集装置31的电耦合相机301可以接受大部分具有反射率较低的第一膜层反射的光线。而反射率较高的第二膜层反射的光线大部分可以被第二子采集装置30的电耦合相机301所接收。

这样一来，就可以实现同时对阵列基板上反射率差异较大的各个膜层进行不良检测，得出整张阵列基板上存在缺陷的位置。从而避免现有技术中存在的漏检现象的产生，提高检测精度和生产效率。

进一步地，如图3所示，处理器32还可以包括数据整合单元302；用于删除缺陷坐标图中的重复坐标删除，以得新的缺陷坐标图。

具体的，如上所述，当光源22输出光线时，第二子采集装置31的电耦合相机301可以采集如图3中的光线X。当第二子采集装置31与第一半透半反镜24之间的光学膜片层311为灰镜时，可以对光线X中的各个波段的光线进行同等均匀的减弱，这样一来待测基板20上具有第一反射率的第一膜层（例如反射率较低的玻璃基板）反射的光线被削弱，使得第二子采集装置31的电荷耦合相机301能够采集到待测基板20上大部分具有第二反射率的第二膜层（例如反射率较高的栅极金属层）反射的光线。

然而，第一子采集装置30的电荷耦合相机301可以采集如图3所示的光线Y。由于光线Y中既包含待测基板20上反射率较低的第一膜层（例如玻璃基板）反射的光线又包含待测基板20上反射率较高的第二膜层（例如栅极金属层）反射的光线，而上述第二膜层（例如栅极金属层）反射的光线已经被第二子采集装置31的电荷耦合相机301所采集。同理，由于光线X中也同时包含待测基板20上反射率较低的第一膜层（例如玻璃基板）反射的光线以及待测基板20上反射率较高的第二膜层（例如栅极金属层）反射的光线。这样一来，第一膜层（例如玻璃基板）以及第二膜层（例如栅极金属层）反射的光线均被采集了两次。因此，处理器32将采集装置01生成的灰阶图片进行对比得出待测基板20的缺陷坐标图中具有重复坐标。为了使得检测结果更加精准，因此需要通过数据整合单元302将缺陷坐标图中的重复坐标删除。其中，该重复坐标的公差范围可以控制再±2μm以内。

和/或，

数据整合单元302还可以用于删除灰阶值大于预设定阈值的灰度图片。其中，上述预设定阈值可以为250。需要说明的是，灰阶图片的灰阶值范围一般为0-255，即256个灰阶。

具体的，当第一子采集装置30的电荷耦合相机301采集如图3所示的光线Y时，由于光线Y中既包含待测基板20上第一膜层（例如玻璃基板）反射的光线又包含待测基板20上第二膜层（例如栅极金属层）反射的光线；因此，如果光源22输出光线的光强较高，可能会导致待测基板20上反射率较高第一膜层（例如栅极金属层）反射光线的光强较高，从而使得生成的第一膜层表面的灰阶图片的灰阶数值过大，进而导致检测设备无法真实检测到第二膜层的缺陷而出现误报错现象。因此，需要通过数据整合单元302将灰阶值大于预设定阈值，例如250的灰阶图片删除。从而保证检测***，检测数据的准确性，避免误报错现象的产生。当然，以上仅仅是当第二子采集装置31与第一半透半反镜24之间的光学膜片层311为灰镜时，对检测装置的数据整合单元工作原理的举例说明。当光学膜片层311采用可以对入射的各个波段的光线进行同等均匀增强的增光器件时，该数据整合单元的工作原理同上。这里不再详细赘述。

这样一来，该检测装置就可以同时对待测基板20上具有不同反射率的膜层的缺陷进行检测。从而避免漏检和误报错现象的产生，提高了检测设备的精度和效率。

进一步地，如图4所示，分束器23可以包括：

第二半反半透镜25，与光源22发出的光线之间具有预设夹角α；以及，

透镜装置12，位于第二半反半透镜11与承载台21之间，用于汇聚透过第二半反半透镜11的光线。

其中，预设夹角α可以为45°，这样一来通过该分束器分出的第一光束Y和第二光束X可以相互垂直。

具体的，光源23发出的光线经过第二半反半透镜25的透射面射入透镜装置12，在经过透镜装置12汇聚传导到待测基板20的表面，在待测基板20表面反射后经过透镜装置12再在第二半反半透镜25的反射面反射够传导至第一半反半透镜24。

本发明实施例提供一种阵列基板的检测***，包括如上所述的任意一种检测装置100，具有与前述实施例提供的检测装置相同的有益效果，由于检测装置在前述实施例中已经进行了详细说明，此处不再赘述。

本发明实施例提供一种阵列基板检测***。该阵列基板检测***包括检测装置，该检测装置通过采集装置可以生成待测基板上反射率不同的各个膜层表面的灰阶图片，再利用处理器根据上述灰阶图片，得出待测基板的缺陷坐标图。这样一来，通过该阵列基板检测***就可以同时对阵列基板上反射率差异较大的各个膜层进行不良检测，得出整张阵列基板上存在缺陷的位置。从而避免现有技术中存在的漏检或误报错现象的产生，提高检测精度和生产效率。

进一步地，如图5所示，该阵列基板的检测***还可以包括：

参数加载单元101，用于在对待检测基板20进行检测前，向阵列基板检测***载入检测参数。该参数包括光源22的输入光线的光强参数，光学膜片层的参数以及电荷耦合相机301的坐标***等等。

以及，

卸载单元104，用于在对待检测基板20进行检测后，清除上述检测参数，从而结束测试过程。

进一步地，该阵列基板检测***还可以包括：

拍照单元103，用于根据检测装置100的检测结果，对待测基板20上的缺陷进行拍照，以确认上述缺陷。需要说明的是，这里拍照单元103对待测基板20上的缺陷进行有选择性的拍照，从而可以看清楚缺陷的具体形式，例如短路或者断路。

进一步地，该阵列基板检测***还可以包括：

对位单元102，用于将放入载物台21上的待测基板20的位置通过机械或光学的方式进行对位。其中，可以通过机械方式将待测基板20置于待检测位置，进一步通过光学对位对待测基板20的位置进行微调，从而可以提高对位精度。

本发明实施例提供一种阵列基板检测***的检测方法，包括参数处理的步骤、待测基板检测的步骤以及缺陷确认的步骤，如图6所示，待测基板检测的步骤可以包括：

S101、如图2所示，光源22发出的光线通过分束器23照射到待测基板20的表面，经过反射后进入分束器23并输出。

S102、第一半反半透镜24将分束器输出的光线分为第一光束Y和第二光束X。其中，第一半反半透镜24与分束器23输出的光线之间具有预设夹角α，该预设夹角α可以为45°。

S103、采集装置01采集第一光束Y和第二光束X，根据第一光束Y和第二光束X生成待测基板20上第一膜层表面和第二膜层表面的灰阶图片；其中，第一膜层具有第一反射率；第二膜层具有第二反射率，第二反射率与第一反射率不同。

需要说明的是，本发明实施例中的待测基板20为阵列基板。待测基板20上第一膜层和第二膜层具体是指，由于阵列基板是由各个膜层构成，因此各个膜层之间的反射率也不尽相同。例如阵列基板上用于形成栅线的栅极金属层可以采用金属铝制成，而栅线的图案一般形成于透明基板的表面，该透明基板可以采用玻璃制成。而金属铝与玻璃之间的反射率相差比较大。因此第一膜层具有的第一反射率与第二膜层具有的第二反射率不同。

其中，如图3所示，采集装置01可以包括：

第一子采集装置30，用于采集第一光束Y；以及，

第二子采集装置31，用于采集第二光束X。

S104、处理器32将采集装置01生成的灰阶图片进行对比得出待测基板20的缺陷坐标图。

需要说明的是，阵列基板上设置有横纵交叉的栅线和数据线，该栅线和数据线可以交叉界定多个呈矩阵形式排列的像素单元。一般情况下，没有短路或断路等不良现象的阵列基板的各个像素单元以及构成该像素单元的栅线和数据线应该是一模一样的，这样才可以使得显示画面均匀。然而，在生产加工过程中，由于粉尘或其它因素导致阵列基板上的膜层图案，例如栅线或数据线会出现短路或断路，这样一来，会发现构成该像素单元的栅线和数据线会与构成其它位置像素单元的栅线和数据线不同，存在缺陷。而这一缺陷信息，可以通过对多个像素单元及构成该像素单元的栅线和数据线进行拍照生成灰阶图片，并将该灰阶图片进行对比才可以发现。具体的对比方法，可以是将该灰阶图片依次与标准图片进行对比。其中，该标准图片为对阵列基板上没有缺陷的像素单元以及构成该像素单元的栅线和数据线进行拍照并生成的灰阶图片。或者，在上述图片之间进行重复性区域间对比从而找出差异点，进而可以确定出缺陷的位置。因此，采集装置01生成的灰阶图片需要通过对比才可以得出待测基板20的缺陷坐标图。

本发明实施例提供一种阵列基板检测***的方法。阵列基板检测***包括检测装置，该检测装置通过采集装置可以生成待测基板上反射率不同的各个膜层表面的灰阶图片，再利用处理器根据上述灰阶图片，得出待测基板的缺陷坐标图。这样一来，通过该阵列基板检测***就可以同时对阵列基板上反射率差异较大的各个膜层进行不良检测，得出整张阵列基板上存在缺陷的位置。从而避免现有技术中存在的漏检或误报错现象的产生，提高检测精度和生产效率。

进一步地，在处理器32得出待测基板20的缺陷坐标图的步骤之后，该方法还包括：

数据整合单元302删除上述缺陷坐标图中的重复坐标，以得新的缺陷坐标图。

具体的，如上所述，当光源22输出光线时，第二子采集装置31的电耦合相机301可以采集如图3中的光线X。当第二子采集装置31与第一半透半反镜24之间的光学膜片层311为灰镜时，可以对光线X中的各个波段的光线进行同等均匀的减弱，这样一来待测基板20上具有第一反射率的第一膜层（例如反射率较低的玻璃基板）反射的光线被削弱，使得第二子采集装置31的电荷耦合相机301能够采集到待测基板20上大部分具有第二反射率的第二膜层（例如反射率较高的栅极金属层）反射的光线。

然而，第一子采集装置30的电荷耦合相机301可以采集如图3所示的光线Y。由于光线Y中既包含待测基板20上反射率较低的第一膜层（例如玻璃基板）反射的光线又包含待测基板20上反射率较高的第二膜层（例如栅极金属层）反射的光线，而上述第二膜层（例如栅极金属层）反射的光线已经被第二子采集装置31的电荷耦合相机301所采集。同理，由于光线X中也同时包含待测基板20上反射率较低的第一膜层（例如玻璃基板）反射的光线以及待测基板20上反射率较高的第二膜层（例如栅极金属层）反射的光线。这样一来，第一膜层（例如玻璃基板）以及第二膜层（例如栅极金属层）反射的光线均被采集了两次。因此，处理器32将采集装置01生成的灰阶图片进行对比得出待测基板20的缺陷坐标图中具有重复坐标。为了使得检测结果更加精准，因此需要通过数据整合单元302将缺陷坐标图中的重复坐标删除。其中，该重复坐标的公差范围可以控制再±2μm以内。

和/或，

数据整合单元302删除灰阶值大于预设定阈值的上述灰度图片。其中，上述预设定阈值可以为250。需要说明的是，灰阶图片的灰阶值范围一般为0-255，即256个灰阶。具体的，当第一子采集装置30的电荷耦合相机301采集如图3所示的光线Y时，由于光线Y中既包含待测基板20上第一膜层（例如玻璃基板）反射的光线又包含待测基板20上第二膜层（例如栅极金属层）反射的光线；因此，如果光源22输出光线的光强较高，可能会导致待测基板20上反射率较高第一膜层（例如栅极金属层）反射光线的光强较高，从而使得生成的第一膜层表面的灰阶图片的灰阶数值过大，进而导致检测设备无法真实检测到第二膜层的缺陷而出现误报错现象。因此，需要通过数据整合单元302将灰阶值大于预设定阈值，例如250的灰阶图片删除。从而保证检测***，检测数据的准确性，避免误报错现象的产生。当然，以上仅仅是当第二子采集装置31与第一半透半反镜24之间的光学膜片层311为灰镜时，对检测装置的数据整合单元工作原理的举例说明。当光学膜片层311采用可以对入射的各个波段的光线进行同等均匀增强的增光器件时，该数据整合单元的工作原理同上。这里不再详细赘述。

这样一来，该检测装置就可以同时对待测基板20上具有不同反射率的膜层的缺陷进行检测。从而避免漏检和误报错现象的产生，提高了检测设备的精度和效率。

进一步地，在待测基板20检测的步骤之前，该检测方法还可以包括：

参数加载单元101向阵列基板检测***载入检测参数。其中，该参数包括光源22的输入光线的光强参数，光学膜片层311的参数以及电荷耦合相机301的坐标***等等。

进一步地，在待测基板20检测的步骤之后，该检测方法还可以包括：

拍照单元103根据检测装置100的检测结果，对待测基板20上的缺陷进行拍照，以确认上述缺陷。需要说明的是，这里拍照单元103对待测基板20上的缺陷进行有选择性的拍照，从而可以看清楚缺陷的具体形式，例如短路或者断路。

进一步地，在待测基板20检测的步骤之后，该检测方法还可以包括：

卸载单元105清除用于检测待测基板20的检测参数，结束测试过程。

进一步地，在待测基板20检测的步骤之前，该检测方法还可以包括：

对位单元102将放入载物台的待测基板的位置通过机械或光学的方式进行对位。其中，可以通过机械方式将待测基板20置于待检测位置，进一步通过光学对位对待测基板20的位置进行微调，从而可以提高对位精度。

本领域普通技术人员可以理解：实现上述方法实施例的全部或部分步骤可以通过程序指令相关的硬件来完成，前述的程序可以存储于一计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，执行包括上述方法实施例的步骤；而前述的存储介质包括：ROM、RAM、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (16)

1.一种检测装置，包括用于承载待测基板的承载台，所述承载台一侧设置有光源，所述光源发出的光线通过分束器照射到所述待测基板的表面，经过反射后进入所述分束器并输出，其特征在于，所述检测装置还包括：

第一半反半透镜，与所述分束器输出的光线之间具有预设夹角，用于将所述分束器输出的光线分为第一光束和第二光束；

采集装置，用于采集所述第一光束和所述第二光束，根据所述第一光束和所述第二光束生成所述待测基板上第一膜层表面和第二膜层表面的灰阶图片；其中，所述第一膜层具有第一反射率；所述第二膜层具有第二反射率，所述第二反射率与所述第一反射率不同；

处理器，用于将所述采集装置生成的灰阶图片进行对比得出所述待测基板的缺陷坐标图。

2.根据权利要求1所述的检测装置，其特征在于，所述采集装置包括：

第一子采集装置，用于采集所述第一光束；

第二子采集装置，用于采集所述第二光束。

3.根据权利要求2所述的检测装置，其特征在于，

所述第一子采集装置和所述第二子采集装置均包括电荷耦合相机；

所述第二子采集装置与所述第一半透半反镜之间还包括光学膜片层，所述光学膜片层用于改变入射到所述第二子采集装置的第二光束的亮度。

4.根据权利要求3所述的检测装置，其特征在于，所述处理器还包括数据整合单元，所述数据整合单元用于：

删除所述缺陷坐标图中的重复坐标删除；和/或，

删除灰阶值大于预设定阈值的所述灰度图片。

5.根据权利要求1所述的检测装置，其特征在于，所述分束器包括：

第二半反半透镜，与所述光源发出的光线之间具有所述预设夹角；以及，

透镜装置，位于所述第二半反半透镜与所述承载台之间，用于汇聚透过所述第二半反半透镜的光线。

6.根据权利要求1或5所述的检测装置，其特征在于，所述预设夹角为45°。

7.一种阵列基板检测***，其特征在于，包括如权利要求1-6任一项所述的检测装置。

8.根据权要求7所述的阵列基板检测***，其特征在于，还包括：

参数加载单元，用于在对待检测基板检测前，向所述阵列基板检测***载入检测参数；以及，

卸载单元，用于在对所述待检测基板检测后，清除所述检测参数。

9.根据权要求8所述的阵列基板检测***，其特征在于，还包括：

拍照单元，用于根据所述检测装置的检测结果，对所述待测基板上的缺陷进行拍照，以确认所述缺陷。

10.根据权要求7所述的阵列基板检测***，其特征在于，还包括：

对位单元，用于将放入载物台上的所述待测基板的位置通过机械或光学的方式进行对位。

11.一种阵列基板检测***的检测方法，包括参数处理的步骤、待测基板检测的步骤以及缺陷确认的步骤，其特征在于，所述待测基板检测的步骤包括：

光源发出的光线通过分束器照射到待测基板的表面，经过反射后进入所述分束器并输出；

第一半反半透镜将分束器输出的光线分为第一光束和第二光束；

采集装置采集所述第一光束和所述第二光束，根据所述第一光束和所述第二光束生成所述待测基板上第一膜层表面和第二膜层表面的灰阶图片；其中，所述第一膜层具有第一反射率；所述第二膜层具有第二反射率，所述第二反射率与所述第一反射率不同；

处理器将所述采集装置生成的灰阶图片进行对比得出所述待测基板的缺陷坐标图。

12.根据权利要求11所述的阵列基板检测***的检测方法，其特征在于，在所述处理器得出所述待测基板的缺陷坐标图的步骤之后，该方法还包括：

数据整合单元删除所述缺陷坐标图中的重复坐标；和/或，

删除灰阶值大于预设定阈值的所述灰度图片。

13.根据权利要求11所述的阵列基板检测***的检测方法，其特征在于，在所述待测基板检测的步骤之前，所述方法还包括：

参数加载单元向所述阵列基板检测***载入检测参数。

14.根据权利要求13所述的阵列基板检测***的检测方法，其特征在于，在所述待测基板检测的步骤之后，所述方法还包括：

拍照单元根据所述检测装置的检测结果，对所述待测基板上的缺陷进行拍照，以确认所述缺陷。

15.根据权利要求13所述的阵列基板检测***的检测方法，其特征在于，在所述待测基板检测的步骤之后，所述方法还包括：

卸载单元清除用于检测所述待测基板的所述检测参数，结束测试。

16.根据权利要求11所述的阵列基板检测***的检测方法，其特征在于，在所述待测基板检测的步骤之前，所述方法还包括：

对位单元将放入载物台的待测基板的位置通过机械或光学的方式进行对位。

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