CN103633125A - 电力半导体器件用电极 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种电力半导体器件用电极。该电极包括金属电极,所述金属电极上开设有凹槽结构,使流经所述金属电极的电流在所述凹槽结构处的电流方向产生弯转。本发明提供的电极采用凹槽结构,当有大电流流过时,电流方向会在凹槽结构处产生弯转,使得电流产生的磁场会在电极表面相互抵消,进而减少利用该电极的电子器件的电磁干扰。
Description
技术领域
本发明涉及电子器件的电极结构,尤其涉及一种电力半导体器件用电极。
背景技术
绝缘栅双极性晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)是逆变器等变流装置中的重要电子器件,广泛应用在高铁、地铁、城市轨道交通、风电、太阳能、清洁能源等领域。
目前,IGBT中作为电信号输出或输入端子的电极,通常采用直条状结构,具体地,如图1所示,现有IGBT的电极100为折弯结构的金属导体,下折弯部101是插在IGBT本体内,上折弯部102露出IGBT本体,作为IGBT的信号输入或输出端子,上折弯部102为直条结构。由于IGBT通常在较大的电流下工作,电极100上电流流过时,会产生较大的电磁场,从而会对相邻的部件产生电磁干扰,影响相邻部件以及整个变流装置的正常工作,特别是在模块化结构的变流装置中,IGBT的电极上产生的较大磁场会对IGBT的驱动电路板和配置板产生较大的电磁干扰,进而影响整个变流装置工作的稳定性和可靠性。
综上,现有IGBT器件中,电极通常采用直条状结构,电极有电流流过时会产生较大的电磁场,产生电磁干扰,影响其他部件的正常工作。
发明内容
本发明提供一种电力半导体器件用电极,可减少电极产生的电磁干扰。
本发明提供一种电力半导体器件用电极,包括:
金属电极,所述金属电极上开设有凹槽结构,使流经所述金属电极的电流在所述凹槽结构处的电流方向产生弯转。
本发明提供的电力半导体器件用电极,通过在金属电极上设置凹槽结构,使得流经金属电极上的电流会产生弯转,则电流产生的磁场就会在电极表面相互抵消,从而可减小整个金属电极所产生的磁场强度,可应用于具有较大工作电流的电子器件中,可减少对其相邻器件等周围环境的电磁干扰。
附图说明
图1为现有IGBT器件上的电极的结构示意图;
图2为本发明实施例一提供的电力半导体器件用电极的立体结构示意图;
图3为本发明实施例一提供的电力半导体器件用电极的主视图;
图4为本发明实施例一提供的电力半导体器件用电极的俯视图;
图5为本发明实施例二提供的IGBT的结构示意图。
具体实施方式
图2为本发明实施例一提供的电力半导体器件用电极的立体结构示意图;图3为本发明实施例一提供的电力半导体器件用电极的主视图;图4为本发明实施例一提供的电力半导体器件用电极的俯视图。如图2-图4所示,本实施例电极包括金属电极1,金属电极1上开设有凹槽结构2,使流经金属电极1的电流在凹槽结构2处的电流方向产生弯转,这样在凹槽结构2处电流形成的电磁场就会相互抵消,从而可减少整个金属电极1上产生的电磁场的强度。
本实施例中,上述的金属电极1具体为折弯结构的金属电极,包括第一折弯部11和第二折弯部12,凹槽结构2设置在第一折弯部11上。本实施例金属电极1的第一折弯部11可插在电子器件,例如IGBT内部,与电力半导体器件中的电路结构电连接,第二折弯部12露出,作为电力半导体器件的输入或输出端子。
本实施例中,上述的凹槽结构2具体可包括至少2个凹槽,且该至少2个凹槽交错设置在金属电极1的两侧,以使得流经相邻两个凹槽之间的电流方向会产生弯转。具体地,如图2所示,本实施例金属电极1的第一弯折部11上设置有2个凹槽21,交错设置在第一弯折部11的两侧,且该两个凹槽21形成S型凹槽结构,这样,电流流经该2个S型凹槽结构时,电流的流向也呈S形的弯转流向,因此电流产生的磁场就会相互抵消,从而可减小整个金属电极1产生的磁场强度。
本实施例中,上述的凹槽21为矩形凹槽,且矩形凹槽的边缘处具有小的倒角,以便于电流的流通,且矩形凹槽便于加工和制作,实际应用中,该凹槽也可以为锯齿形凹槽,即在金属电极1的两侧可分别形成锯齿形的凹槽结构。实际应用中,可根据需要设置合适形状的凹槽结构,只要可以在金属电极上产生弯转的电流流向,抵消电流产生的磁场即可。
综上,本实施例提供的电极,通过在金属电极上设置凹槽结构,使得流经金属电极上的电流会产生弯转,则电流产生的磁场就会在电极表面相互抵消,从而可减小整个金属电极所产生的磁场强度,可应用于具有较大工作电流的电子器件中,可减少对其相邻器件等周围环境的电磁干扰。
图5为本发明实施例二提供的IGBT的结构示意图。如图5所示,本实施例提供的IGBT包括:IGBT本体10,该IGBT本体10上设置有电极20,作为IGBT的电流输入或输出端,其中,该电极20为采用上述图2-图4所示的电力半导体器件用电极,其具体结构在此不再赘述。
本实施例中,如图5所示,电力半导体器件本体10上可设置3个电极20,各电极20上均可具有同图2-图4所示相同或类似的结构。
本领域技术人员可以理解,IGBT是由双极型三极管BJT和绝缘栅型场效应管MOS组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件可适用于直流电压为600V及以上的变流***如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。本实施例IGBT的结构与传统IGBT相同或类似,只是电极为采用图2-图4所示的电力半导体器件用电极结构,IGBT本体的具体结构在此不再赘述。
此外,本发明实施例还提供一种电子器件,该电子器件可包括电力半导体器件本体,该电力半导体器件本体上设置有电极,且该电极为采用上述图2-图4所示的电力半导体器件用电极结构,该电子器件具体可为具有大电流工作的电力半导体器件,例如可以是智能功率模块(Intelligent Power Module,IPM),或者也可以为其他功率器件,这样,大电流工作的电子器件采用上述图2-图4所示的电极时,电极上产生的磁场强度小,产生的干扰小。
最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
Claims (6)
1.一种电力半导体器件用电极,其特征在于,包括:
金属电极,所述金属电极上开设有凹槽结构,使流经所述金属电极的电流在所述凹槽结构处的电流方向产生弯转。
2.根据权利要求1所述的电力半导体器件用电极,其特征在于,所述金属电极为折弯结构,包括第一折弯部和第二折弯部;
所述凹槽结构设置在所述第一折弯部上。
3.根据权利要求1或2所述的电力半导体器件用电极,其特征在于,所述凹槽结构包括至少2个凹槽;
所述至少2个凹槽交错设置在所述金属电极的两侧。
4.根据权利要求3所述的电力半导体器件用电极,其特征在于,相邻2个凹槽形成S型凹槽结构。
5.根据权利要求3所述的电力半导体器件用电极,其特征在于,所述凹槽为矩形凹槽,凹槽边缘处具有倒角。
6.根据权利要求3所述的电力半导体器件用电极,其特征在于,所述凹槽为锯齿形凹槽。
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CN201210300644.3A CN103633125A (zh) | 2012-08-22 | 2012-08-22 | 电力半导体器件用电极 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN1619796A (zh) * | 2003-11-19 | 2005-05-25 | 株式会社丰田自动织机 | 半导体器件 |
US20070235860A1 (en) * | 2005-04-12 | 2007-10-11 | Jurgen Steger | Power semiconductor module with flush terminal elements |
US20110011620A1 (en) * | 2008-04-03 | 2011-01-20 | Abb Research Ltd | Electrical Conductor |
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2012
- 2012-08-22 CN CN201210300644.3A patent/CN103633125A/zh active Pending
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