CN103613287A - 一种可钢异地加工低辐射薄膜的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种可钢异地加工低辐射薄膜的制备方法,包括:A、交流电源溅射硅铝旋转靶,在玻璃基板上磁控溅射Si3N4层;B、直流电源溅射不锈钢平面靶,在Si3N4层上磁控溅射SSTOx层;C、直流电源溅射铬平面靶,在SSTOx层上磁控溅射CrNx层;D、直流电源溅射银平面靶,在CrNx层上磁控溅射Ag层;E、直流电源溅射铜平面靶,在Ag层上磁控溅射Si层;F、直流电源溅射NiCr合金平面靶,在Si层上磁控溅射NiCr层;G、交流电源溅射ZnSn合金旋转靶,在NiCr层上磁控溅射ZnSnO3层;H、交流电源溅射硅铝旋转靶,在ZnSnO3层上磁控溅射Si3N4层。本发明的目的提供一种工艺简单,生产成本相对较低的可钢异地加工低辐射薄膜的制备方法。
Description
技术领域
本发明涉及一种可钢异地加工低辐射薄膜的制备方法。
背景技术
低辐射玻璃是指对红外辐射具有高反射率,对可见光具有良好透射率的平板镀膜玻璃。低辐射玻璃具有良好的透光、保温、隔热性能,广泛应用于窗户、炉门、冷藏柜门等地方。
目前市场上较常见的低辐射玻璃有单银低辐射玻璃、双银低辐射玻璃、热控低辐射玻璃及钛基低辐射玻璃等。现有的这四种低辐射玻璃在380~780纳米的可见光波长范围内透射率不够高,仅为50%左右;在红外辐射波长范围内透射率较高,尤其是在900~1100纳米的波长范围内透射率为10~20%之间。故此,现有的透明玻璃基材有待于进步完善。
发明内容
本发明的目的是为了克服现有技术中的不足之处,提供一种工艺简单,操作方便,生产成本相对较低的可钢异地加工低辐射薄膜的制备方法。
为了达到上述目的,本发明采用以下方案:
一种可钢异地加工低辐射薄膜的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
A、采用氮气作为反应气体,氩气作为保护气体,交流电源溅射硅铝旋转靶,在玻璃基板上磁控溅射Si3N4层;
B、采用氧气作为反应气体,氩气作为保护气体,直流电源溅射不锈钢平面靶,在步骤A中Si3N4层上磁控溅射SSTOx层;
C、采用氮气作为反应气体,氩气作为保护气体,直流电源溅射铬平面靶,在步骤B中的SSTOx层上磁控溅射CrNx层;
D、采用氩气作为反应气体,直流电源溅射银平面靶,在步骤C中CrNx层上磁控溅射Ag层;
E、采用氩气作为反应气体,直流电源溅射铜平面靶,在步骤D中的Ag层上磁控溅射Si层;
F、采用氩气作为反应气体,直流电源溅射NiCr合金平面靶,在步骤E中的Si层上磁控溅射NiCr层;
G、采用氩气作为反应气体,交流电源溅射ZnSn合金旋转靶,在步骤F中的NiCr层上磁控溅射ZnSnO3层;
H、采用氮气作为反应气体,氩气作为保护气体,交流电源溅射硅铝旋转靶,在步骤G中的ZnSnO3层上磁控溅射Si3N4层。
如上所述的一种可钢异地加工低辐射薄膜的制备方法,其特征在于步骤A中所述Si3N4层的厚度为20~25nm,硅铝旋转靶中Si与Al的摩尔比为92:8,所述氩气与氮气的体积比为5:6,所述交流电源的溅射功率为100~125KW,需用两个阴极溅射,每个阴极50~65KW。
如上所述的一种可钢异地加工低辐射薄膜的制备方法,其特征在于步骤B中所述SSTOx层的厚度为30~45nm,氩气与氧气的体积比为1:2,溅射功率为75~115KW,分两个阴极溅射。
如上所述的一种可钢异地加工低辐射薄膜的制备方法,其特征在于步骤C中所述CrNx层的厚度为3~5nm,氩气与氮气的体积比为1:2,直流电源溅射功率3~6KW。
如上所述的一种可钢异地加工低辐射薄膜的制备方法,其特征在于步骤D所述Ag层的厚度为8~10nm,所述直流电源的溅射功率4~5KW。
如上所述的一种可钢异地加工低辐射薄膜的制备方法,其特征在于步骤E中所述Si层的厚度为10~20nm,所述直流电的溅射功率3~6KW。
如上所述的一种可钢异地加工低辐射薄膜的制备方法,其特征在于步骤F中所述NiCr层的厚度为3~5nm,NiCr合金平面靶中Ni与Cr的摩尔比为21:79,所述直流电源的溅射功率为3~5KW。
如上所述的一种可钢异地加工低辐射薄膜的制备方法,其特征在于步骤G中所述ZnSnO3层的厚度为10~20nm,ZnSn合金旋转靶中Zn与Sn的摩尔比为48:52,氩气与氧气的体积比为1:2,所述交流电源的溅射功率为30~45KW。
如上所述的一种可钢异地加工低辐射薄膜的制备方法,其特征在于步骤H中所述Si3N4层的厚度为30~35nm,所述硅铝旋转靶中Si与Al的摩尔比92:8,氩气与氮气的体积比为5:6,交流电源溅射功率为150~165KW,需用两个阴极溅射,每个阴极75~85KW。
综上所述,本发明的有益效果:
本发明工艺方法简单,操作方便,生产成本相对较低。24K金色,颜色鲜艳,有用Au制备的金色纯度;T≥40%可进行高温热处理,也就是钢化工艺。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本发明做进一步描述:
实施例1
本发明一种可钢异地加工低辐射薄膜的制备方法,包括以下步骤:
A、采用氮气作为反应气体,氩气作为保护气体,交流电源溅射硅铝旋转靶,在玻璃基板上磁控溅射Si3N4层;所述Si3N4层的厚度为20nm,硅铝旋转靶中Si与Al的摩尔比为92:8,所述氩气与氮气的体积比为5:6,即氩气与氮气的体积流量比为500scm:600sccm所述交流电源的溅射功率为100KW,需用两个阴极溅射,每个阴极50KW。
B、采用氧气作为反应气体,氩气作为保护气体,直流电源溅射不锈钢平面靶,在步骤A中Si3N4层上磁控溅射SSTOx层;所述SSTOx层的厚度为30nm,氩气与氧气的体积比为1:2,即氩气与氧气的体积流量比为500sccm:1000sccm,溅射功率为75KW,分两个阴极溅射。
C、采用氮气作为反应气体,氩气作为保护气体,直流电源溅射铬平面靶,在步骤B中的SSTOx层上磁控溅射CrNx层;所述CrNx层的厚度为3nm,氩气与氮气的体积比为1:2,直流电源溅射功率3KW。
D、采用氩气作为反应气体,直流电源溅射银平面靶,在步骤C中CrNx层上磁控溅射Ag层;所述Ag层的厚度为8nm,所述直流电源的溅射功率4KW。
E、采用氩气作为反应气体,直流电源溅射铜平面靶,在步骤D中的Ag层上磁控溅射Si层;所述Si层的厚度为10nm,所述直流电的溅射功率3KW。
F、采用氩气作为反应气体,直流电源溅射NiCr合金平面靶,在步骤E中的Si层上磁控溅射NiCr层;所述NiCr层的厚度为3~5nm,NiCr合金平面靶中Ni与Cr的摩尔比为21:79,所述直流电源的溅射功率为3KW。
G、采用氩气作为反应气体,交流电源溅射ZnSn合金旋转靶,在步骤F中的NiCr层上磁控溅射ZnSnO3层;所述ZnSnO3层的厚度为10nm,ZnSn合金旋转靶中Zn与Sn的摩尔比为48:52,氩气与氧气的体积比为1:2,即氩气与氧气的体积流量比为500sccm:1000sccm,所述交流电源的溅射功率为30KW。
H、采用氮气作为反应气体,氩气作为保护气体,交流电源溅射硅铝旋转靶,在步骤G中的ZnSnO3层上磁控溅射Si3N4层。所述Si3N4层的厚度为30nm,所述硅铝旋转靶中Si与Al的摩尔比92:8,氩气与氮气的体积比为5:6,即氩气与氮气的体积流量比为500sccm:600sccm,,交流电源溅射功率为150KW,需用两个阴极溅射,每个阴极75KW。
实施例2
本发明一种可钢异地加工低辐射薄膜的制备方法,包括以下步骤:
A、采用氮气作为反应气体,氩气作为保护气体,交流电源溅射硅铝旋转靶,在玻璃基板上磁控溅射Si3N4层;所述Si3N4层的厚度为22nm,硅铝旋转靶中Si与Al的摩尔比为92:8,所述氩气与氮气的体积比为5:6,即氩气与氮气的体积流量比为500scm:600sccm所述交流电源的溅射功率为110KW,需用两个阴极溅射,每个阴极60KW。
B、采用氧气作为反应气体,氩气作为保护气体,直流电源溅射不锈钢平面靶,在步骤A中Si3N4层上磁控溅射SSTOx层;所述SSTOx层的厚度为40nm,氩气与氧气的体积比为1:2,即氩气与氧气的体积流量比为500sccm:1000sccm,溅射功率为90KW,分两个阴极溅射。
C、采用氮气作为反应气体,氩气作为保护气体,直流电源溅射铬平面靶,在步骤B中的SSTOx层上磁控溅射CrNx层;所述CrNx层的厚度为4nm,氩气与氮气的体积比为1:2,直流电源溅射功率5KW。
D、采用氩气作为反应气体,直流电源溅射银平面靶,在步骤C中CrNx层上磁控溅射Ag层;所述Ag层的厚度为9nm,所述直流电源的溅射功率4.5KW。
E、采用氩气作为反应气体,直流电源溅射铜平面靶,在步骤D中的Ag层上磁控溅射Si层;所述Si层的厚度为15nm,所述直流电的溅射功率4KW。
F、采用氩气作为反应气体,直流电源溅射NiCr合金平面靶,在步骤E中的Si层上磁控溅射NiCr层;所述NiCr层的厚度为4nm,NiCr合金平面靶中Ni与Cr的摩尔比为21:79,所述直流电源的溅射功率为4KW。
G、采用氩气作为反应气体,交流电源溅射ZnSn合金旋转靶,在步骤F中的NiCr层上磁控溅射ZnSnO3层;所述ZnSnO3层的厚度为10~20nm,ZnSn合金旋转靶中Zn与Sn的摩尔比为48:52,氩气与氧气的体积比为1:2,即氩气与氧气的体积流量比为500sccm:1000sccm,所述交流电源的溅射功率为35KW。
H、采用氮气作为反应气体,氩气作为保护气体,交流电源溅射硅铝旋转靶,在步骤G中的ZnSnO3层上磁控溅射Si3N4层。所述Si3N4层的厚度为32nm,所述硅铝旋转靶中Si与Al的摩尔比92:8,氩气与氮气的体积比为5:6,即氩气与氮气的体积流量比为500sccm:600sccm,,交流电源溅射功率为155KW,需用两个阴极溅射,每个阴极80KW。
实施例3
本发明一种可钢异地加工低辐射薄膜的制备方法,包括以下步骤:
A、采用氮气作为反应气体,氩气作为保护气体,交流电源溅射硅铝旋转靶,在玻璃基板上磁控溅射Si3N4层;所述Si3N4层的厚度为25nm,硅铝旋转靶中Si与Al的摩尔比为92:8,所述氩气与氮气的体积比为5:6,即氩气与氮气的体积流量比为500scm:600sccm所述交流电源的溅射功率为125KW,需用两个阴极溅射,每个阴极65KW。
B、采用氧气作为反应气体,氩气作为保护气体,直流电源溅射不锈钢平面靶,在步骤A中Si3N4层上磁控溅射SSTOx层;所述SSTOx层的厚度为45nm,氩气与氧气的体积比为1:2,即氩气与氧气的体积流量比为500sccm:1000sccm,溅射功率为115KW,分两个阴极溅射。
C、采用氮气作为反应气体,氩气作为保护气体,直流电源溅射铬平面靶,在步骤B中的SSTOx层上磁控溅射CrNx层;所述CrNx层的厚度为5nm,氩气与氮气的体积比为1:2,直流电源溅射功率6KW。
D、采用氩气作为反应气体,直流电源溅射银平面靶,在步骤C中CrNx层上磁控溅射Ag层;所述Ag层的厚度为10nm,所述直流电源的溅射功率5KW。
E、采用氩气作为反应气体,直流电源溅射铜平面靶,在步骤D中的Ag层上磁控溅射Si层;所述Si层的厚度为20nm,所述直流电的溅射功率6KW。
F、采用氩气作为反应气体,直流电源溅射NiCr合金平面靶,在步骤E中的Si层上磁控溅射NiCr层;所述NiCr层的厚度为5nm,NiCr合金平面靶中Ni与Cr的摩尔比为21:79,所述直流电源的溅射功率为5KW。
G、采用氩气作为反应气体,交流电源溅射ZnSn合金旋转靶,在步骤F中的NiCr层上磁控溅射ZnSnO3层;所述ZnSnO3层的厚度为20nm,ZnSn合金旋转靶中Zn与Sn的摩尔比为48:52,氩气与氧气的体积比为1:2,即氩气与氧气的体积流量比为500sccm:1000sccm,所述交流电源的溅射功率为45KW。
H、采用氮气作为反应气体,氩气作为保护气体,交流电源溅射硅铝旋转靶,在步骤G中的ZnSnO3层上磁控溅射Si3N4层。所述Si3N4层的厚度为30~35nm,所述硅铝旋转靶中Si与Al的摩尔比92:8,氩气与氮气的体积比为5:6,即氩气与氮气的体积流量比为500sccm:600sccm,,交流电源溅射功率为165KW,需用两个阴极溅射,每个阴极85KW。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (9)
1.一种可钢异地加工低辐射薄膜的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
A、采用氮气作为反应气体,氩气作为保护气体,交流电源溅射硅铝旋转靶,在玻璃基板上磁控溅射Si3N4层;
B、采用氧气作为反应气体,氩气作为保护气体,直流电源溅射不锈钢平面靶,在步骤A中Si3N4层上磁控溅射SSTOx层;
C、采用氮气作为反应气体,氩气作为保护气体,直流电源溅射铬平面靶,在步骤B中的SSTOx层上磁控溅射CrNx层;
D、采用氩气作为反应气体,直流电源溅射银平面靶,在步骤C中CrNx层上磁控溅射Ag层;
E、采用氩气作为反应气体,直流电源溅射铜平面靶,在步骤D中的Ag层上磁控溅射Si层;
F、采用氩气作为反应气体,直流电源溅射NiCr合金平面靶,在步骤E中的Si层上磁控溅射NiCr层;
G、采用氩气作为反应气体,交流电源溅射ZnSn合金旋转靶,在步骤F中的NiCr层上磁控溅射ZnSnO3层;
H、采用氮气作为反应气体,氩气作为保护气体,交流电源溅射硅铝旋转靶,在步骤G中的ZnSnO3层上磁控溅射Si3N4层。
2.根据权利要求1所述的一种可钢异地加工低辐射薄膜的制备方法,其特征在于步骤A中所述Si3N4层的厚度为20~25nm,硅铝旋转靶中Si与Al的摩尔比为92:8,所述氩气与氮气的体积比为5:6,所述交流电源的溅射功率为100~125KW,需用两个阴极溅射,每个阴极50~65KW。
3.根据权利要求1所述的一种可钢异地加工低辐射薄膜的制备方法,其特征在于步骤B中所述SSTOx层的厚度为30~45nm,氩气与氧气的体积比为1:2,溅射功率为75~115KW,分两个阴极溅射。
4.根据权利要求1所述的一种可钢异地加工低辐射薄膜的制备方法,其特征在于步骤C中所述CrNx层的厚度为3~5nm,氩气与氮气的体积比为1:2,直流电源溅射功率3~6KW。
5.根据权利要求1所述的一种可钢异地加工低辐射薄膜的制备方法,其特征在于步骤D所述Ag层的厚度为8~10nm,所述直流电源的溅射功率4~5KW。
6.根据权利要求1所述的一种可钢异地加工低辐射薄膜的制备方法,其特征在于步骤E中所述Si层的厚度为10~20nm,所述直流电的溅射功率3~6KW。
7.根据权利要求1所述的一种可钢异地加工低辐射薄膜的制备方法,其特征在于步骤F中所述NiCr层的厚度为3~5nm,NiCr合金平面靶中Ni与Cr的摩尔比为21:79,所述直流电源的溅射功率为3~5KW。
8.根据权利要求1所述的一种可钢异地加工低辐射薄膜的制备方法,其特征在于步骤G中所述ZnSnO3层的厚度为10~20nm,ZnSn合金旋转靶中Zn与Sn的摩尔比为48:52,氩气与氧气的体积比为1:2,所述交流电源的溅射功率为30~45KW。
9.根据权利要求1所述的一种可钢异地加工低辐射薄膜的制备方法,其特征在于步骤H中所述Si3N4层的厚度为30~35nm,所述硅铝旋转靶中Si与Al的摩尔比92:8,氩气与氮气的体积比为5:6,交流电源溅射功率为150~165KW,需用两个阴极溅射,每个阴极75~85KW。
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