CN103594335A - 一种平板电容的划切方法 - Google Patents

一种平板电容的划切方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103594335A
CN103594335A CN201310595684.XA CN201310595684A CN103594335A CN 103594335 A CN103594335 A CN 103594335A CN 201310595684 A CN201310595684 A CN 201310595684A CN 103594335 A CN103594335 A CN 103594335A
Authority
CN
China
Prior art keywords
cutting
workpiece
joint
dielectric layer
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201310595684.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN103594335B (zh
Inventor
胡莹璐
王斌
路波
孙建华
曹乾涛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
CETC 41 Institute
Original Assignee
CETC 41 Institute
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by CETC 41 Institute filed Critical CETC 41 Institute
Priority to CN201310595684.XA priority Critical patent/CN103594335B/zh
Publication of CN103594335A publication Critical patent/CN103594335A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103594335B publication Critical patent/CN103594335B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Details Of Aerials (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)

Abstract

本发明公开了一种平板电容的划切方法。该划切方法的大致过程为：首先在介质层的上、下表面上形成电镀种子层，并对电镀种子层加厚处理形成电极层，在电极层的表面上涂覆光刻胶，然后根据砂轮机切缝的大小制作具有切缝图形的掩膜版并对工件进行双面曝光，曝光后的工件经过显影和定影形成切缝的光刻胶掩膜图形，对工件进行刻蚀操作，直到切缝处的介质层暴露在外面，去除光刻胶掩膜，最后沿着切缝位置对工件进行划切得到成品电容。本发明有效的减少了平板电容划切时毛刺和膜层脱落现象的发生，提高了平板电容的划切质量和成品率。本发明降低了对划切设备的要求，增大了划切工艺窗口，使得划切设备划切电容时的可控性增加。

Description

一种平板电容的划切方法
技术领域
本发明涉及一种平板电容的划切方法。
背景技术
平板电容是微波混合集成电路中经常用到的元件，该元件一般由介质层和附着在介质层上、下表面的金属电极组成。
传统平板电容的制作方法是：首先在处理好的介质材料的上、下表面溅射金，然后采用电镀金的工艺将两面电极材料加厚，最后用划片机按照电容的相关尺寸划切、去毛刺操作。具体的划切方法是先将工件用粘合剂粘贴在基板上或贴在蓝膜上，然后利用砂轮机进行划切。平板电容因为介质层和金属电极材料不同，介质层一般采用高介电常数的粉料压制或烧结而成，而电极材料一般采用质地较软的金属材料，当砂轮机在划切时，质地较硬的介质层容易被砂轮划切并及时排出，但质地较软的金属电极材料容易被带起，形成毛刺、膜层脱落现象，后期需要通过手工进行毛刺去除，划切质量、效率和成品率较低；另外，金属切屑还会粘附在砂轮表面影响砂轮的进一步划切，甚至出现砂轮断裂的危险。
国内外一些砂轮厂家，通过不同的砂轮制作工艺制作出厚度、材质、硬度、金刚砂颗粒度等参数各异的刀具以改善切屑与刀具的粘附性以应对不同材料的划切，或通过改变砂轮的形状来提高砂轮对切屑的***能力，或通过提高砂机的工作轮的稳定性在一定程度改善划切质量，然而由于平板电容介质材料和电极材料的物理性质不同，单纯对砂轮和设备的改进并不能同时满足两种以上材料的切割要求，切削边缘金属毛刺和膜层脱落的现象仍然会发生。激光划切技术也是目前常用的划切技术，它是通过高能激光作用于工件表面，使得工件融化或直接气化来达到工件划切的目的。但是由于激光的热效应，电容切口处容易形成重铸层，切口质量远不如砂轮划切的质量，并且该热效应对电极物性也会产生一定影响。
发明内容
针对传统平板电容划切过程中容易出现的毛刺和膜层脱落现象，本发明提出了一种平板电容的划切方法，其采用如下技术方案：
一种平板电容的划切方法，包括如下步骤：
a、准备介质层，介质层的表面上设置有第一定位孔；
b、在介质层的上、下表面上形成电镀种子层；
c、对步骤b中的电镀种子层加厚处理形成电极层；
d、在步骤c形成的电极层的表面上涂覆光刻胶；
e、制作具有切缝图形的掩膜版并对工件进行双面曝光，在掩膜版上设置有大小、数量与第一定位孔均相同的第二定位孔，第二定位孔在掩膜版上的位置和第一定位孔在介质层上的位置对应；
f、对曝光后的工件进行显影和定影，形成切缝的光刻胶掩膜图形；
g、对工件进行刻蚀操作，直到切缝处的介质层暴露在外面；
h、去除光刻胶掩膜；
i、沿着切缝位置对工件进行划切得到成品电容。
上述步骤b中，通过溅射、蒸发或化学气相淀积的方式形成所述电镀种子层，电镀种子层的厚度为50～300nm。
上述步骤c中，通过电镀工艺对步骤b中的电镀种子层加厚处理形成所述电极层，电极层的厚度为1～3um。
上述步骤d中，在电极层的表面上涂覆光刻胶之后进行干燥处理。
上述步骤e中，掩膜版上的切缝图形宽度大于实际划切切缝的宽度。
上述第一定位孔的数量至少为两个。
本发明的优点是：
本发明首先在介质层的上、下表面上形成电镀种子层，并对电镀种子层加厚处理形成电极层，在电极层的表面上涂覆光刻胶，然后根据砂轮机切缝的大小制作具有切缝图形的掩膜版并对工件进行双面曝光，曝光后的工件经过显影和定影形成切缝的光刻胶掩膜图形，对工件进行刻蚀操作，直到切缝处的介质层暴露在外面，去除光刻胶掩膜，最后沿着切缝位置对工件进行划切得到成品电容。本发明有效的减少了平板电容划切时毛刺和膜层脱落现象的发生，提高了平板电容的划切质量和成品率。本发明降低了对划切设备的要求，增大了划切工艺窗口，使得划切设备的可控性增加。
附图说明
图1为本发明中介质层的侧面结构示意图；
图2为本发明中介质层的正面结构示意图；
图3为在介质层的上、下表面形成电镀种子层的侧面结构示意图；
图4为在介质层的上、下表面形成电镀种子层的正面结构示意图；
图5为形成电极层的侧面结构示意图；
图6为形成电极层的正面结构示意图；
图7为在电极层的表面上涂覆光刻胶的侧面结构示意图；
图8为在电极层的表面上涂覆光刻胶的正面结构示意图；
图9为掩膜版的结构示意图；
图10为利用掩膜版进行光刻示意图；
图11为切缝的光刻胶掩膜图形的侧面结构示意图；
图12为切缝的光刻胶掩膜图形的正面结构示意图；
图13为电极层经过刻蚀工艺后的侧面结构示意图；
图14为电极层经过刻蚀工艺后的正面结构示意图
图15为去除光刻胶掩膜后的侧面结构示意图；
图16为去除光刻胶掩膜后的正面结构示意图；
图17为沿着切缝位置对工件划切后的侧面结构示意图；
图18为经过划切后得到的成品电容结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图以及具体实施方式对本发明作进一步详细说明：
结合图1至18所示，一种平板电容的划切方法，包括如下步骤：
a、准备介质层1，用激光打孔或其他方式在介质层上打上第一定位孔7，用于双面刻蚀，如图1和图2所示，第一定位孔的数量至少为两个；
b、在介质层1的上、下表面上通过溅射、蒸发或化学气相等淀积的方式形成电镀种子层2，电镀种子层的厚度一般为50～300nm，如图3和图4所示，然而，电镀种子层的结构不做限制，可以是单层也可以是多层，电镀种子层的材料也不做限制；
c、通过电镀工艺对电镀种子层2加厚处理形成电极层3，电极层的厚度一般为1～3um，如图5和图6所示，电极层采用平板电容中常用的金材料但不限于金材料，电极层电镀的工艺不做限制，但要求镀层符合平板电容电极层的一般要求；
d、在电极层3的表面上涂覆光刻胶4，并进行干燥处理，所用光刻胶对电极材料无破坏效果，如图7和图8所示；
e、制作具有切缝图形的掩膜版5并对工件进行双面曝光，在掩膜版上设置有大小、数量与第一定位孔7均相同的第二定位孔8，第二定位孔在掩膜版上的位置和第一定位孔在介质层上的位置对应，如图9和图10所示；掩膜版上的切缝图形宽度略大于实际划切切缝的宽度，以保证砂轮机划切时不会碰到电极层；
f、对曝光后的工件进行显影和定影，形成切缝9的光刻胶掩膜图形，如图11和12所示；
g、利用刻蚀工艺对工件切缝处的电极层进行刻蚀，使得切缝处的介质层暴露在外面，如图13和14所示，刻蚀过程需要保证对介质层无侧向的破坏效果；本发明虽然增加了刻蚀工序，然而节约了划切后去除毛刺和检片的时间，提高了生产效率；
h、去除光刻胶掩膜，得到具有切缝图形的工件，如图15和16所示；
i、采用砂轮机沿着切缝位置对工件进行划切，得到成品电容6，如图17和图18所示。
需要说明的是，本发明形成切缝掩膜图形的实现方式并不局限于步骤d、e、f、g和h中的匀胶、制版、显影和刻蚀的实现方式，还可以采用其他替代的光刻技术来实现。本发明借助薄膜电路传统工序，技术成熟，生产成本较小，易操作，可直接集成在薄膜电路工艺中。另外，本发明还可应用于各类带金元件和电路的制作工艺中，并为提高其他多层结构的工件的划切质量提供了方向。

Claims (6)

1.一种平板电容的划切方法，其特征在于包括如下步骤：
a、准备介质层，介质层的表面上设置有第一定位孔；
b、在介质层的上、下表面上形成电镀种子层；
c、对步骤b中的电镀种子层加厚处理形成电极层；
d、在步骤c形成的电极层的表面上涂覆光刻胶；
e、制作具有切缝图形的掩膜版并对工件进行双面曝光，在掩膜版上设置有大小、数量与第一定位孔均相同的第二定位孔，第二定位孔在掩膜版上的位置和第一定位孔在介质层上的位置对应；
f、对曝光后的工件进行显影和定影，形成切缝的光刻胶掩膜图形；
g、对工件进行刻蚀操作，直到切缝处的介质层暴露在外面；
h、去除光刻胶掩膜；
i、沿着切缝位置对工件进行划切得到成品电容。
2.根据权利要求1所述的一种平板电容的划切方法，其特征在于，所述步骤b中，通过溅射、蒸发或化学气相淀积的方式形成所述电镀种子层，电镀种子层的厚度为50～300nm。
3.根据权利要求1所述的一种平板电容的划切方法，其特征在于，所述步骤c中，通过电镀工艺对步骤b中的电镀种子层加厚处理形成所述电极层，电极层的厚度为1～3um。
4.根据权利要求1所述的一种平板电容的划切方法，其特征在于，所述步骤d中，在电极层的表面上涂覆光刻胶之后进行干燥处理。
5.根据权利要求1所述的一种平板电容的划切方法，其特征在于，所述步骤e中，掩膜版上的切缝图形宽度大于实际划切切缝的宽度。
6.根据权利要求1所述的一种平板电容的划切方法，其特征在于，所述第一定位孔的数量至少为两个。
CN201310595684.XA 2013-11-21 2013-11-21 一种平板电容的划切方法 Expired - Fee Related CN103594335B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310595684.XA CN103594335B (zh) 2013-11-21 2013-11-21 一种平板电容的划切方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310595684.XA CN103594335B (zh) 2013-11-21 2013-11-21 一种平板电容的划切方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103594335A true CN103594335A (zh) 2014-02-19
CN103594335B CN103594335B (zh) 2016-04-27

Family

ID=50084428

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310595684.XA Expired - Fee Related CN103594335B (zh) 2013-11-21 2013-11-21 一种平板电容的划切方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103594335B (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105529185A (zh) * 2016-02-22 2016-04-27 中国振华集团云科电子有限公司 一种新型绝缘边电容器制作方法
CN106098369A (zh) * 2016-06-02 2016-11-09 中国振华集团云科电子有限公司 一种瓷介电容器绝缘边的处理方法
CN106601672A (zh) * 2016-11-28 2017-04-26 西安空间无线电技术研究所 一种消除薄膜电路划切毛刺的方法
CN107079582A (zh) * 2017-01-22 2017-08-18 乐健科技（珠海）有限公司 电路基板及其制造方法、电路板及其制造方法
CN109524485A (zh) * 2018-11-28 2019-03-26 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 薄膜太阳能电池的制备方法
CN112259377A (zh) * 2020-09-16 2021-01-22 大连达利凯普科技股份公司 一种解决单层陶瓷电容器划片后毛刺问题的工艺

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02192753A (ja) * 1989-01-20 1990-07-30 Fujitsu Ltd 化合物半導体基板の分割方法
TW454304B (en) * 2000-07-27 2001-09-11 Helix Technology Inc Method for cutting wafers
CN1677236A (zh) * 2004-04-02 2005-10-05 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 薄膜工件的切割方法
CN102024752A (zh) * 2009-09-17 2011-04-20 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种改进芯片切割的方法
CN102299200A (zh) * 2011-08-22 2011-12-28 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种晶体硅太阳能电池金属电极的制备方法
CN102544250A (zh) * 2010-12-27 2012-07-04 同方光电科技有限公司 一种GaN基发光二极管的制作方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02192753A (ja) * 1989-01-20 1990-07-30 Fujitsu Ltd 化合物半導体基板の分割方法
TW454304B (en) * 2000-07-27 2001-09-11 Helix Technology Inc Method for cutting wafers
CN1677236A (zh) * 2004-04-02 2005-10-05 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 薄膜工件的切割方法
CN102024752A (zh) * 2009-09-17 2011-04-20 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种改进芯片切割的方法
CN102544250A (zh) * 2010-12-27 2012-07-04 同方光电科技有限公司 一种GaN基发光二极管的制作方法
CN102299200A (zh) * 2011-08-22 2011-12-28 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种晶体硅太阳能电池金属电极的制备方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105529185A (zh) * 2016-02-22 2016-04-27 中国振华集团云科电子有限公司 一种新型绝缘边电容器制作方法
CN106098369A (zh) * 2016-06-02 2016-11-09 中国振华集团云科电子有限公司 一种瓷介电容器绝缘边的处理方法
CN106601672A (zh) * 2016-11-28 2017-04-26 西安空间无线电技术研究所 一种消除薄膜电路划切毛刺的方法
CN106601672B (zh) * 2016-11-28 2018-10-09 西安空间无线电技术研究所 一种消除薄膜电路划切毛刺的方法
CN107079582A (zh) * 2017-01-22 2017-08-18 乐健科技（珠海）有限公司 电路基板及其制造方法、电路板及其制造方法
CN109524485A (zh) * 2018-11-28 2019-03-26 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 薄膜太阳能电池的制备方法
CN112259377A (zh) * 2020-09-16 2021-01-22 大连达利凯普科技股份公司 一种解决单层陶瓷电容器划片后毛刺问题的工艺

Also Published As

Publication number Publication date
CN103594335B (zh) 2016-04-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103594335A (zh) 一种平板电容的划切方法
TW200952055A (en) Semiconductor wafer and method for producing same
WO2005083148A1 (ja) 表面欠陥の少ないスパッタリングターゲット及びその表面加工方法
CN104668883A (zh) 靶材组件溅射面的处理方法
WO2016002633A1 (ja) スパッタリング用ターゲット材とその製造方法
CN103579107B (zh) 一种基于掩膜电镀的薄膜电路划切方法
CN104191053A (zh) 一种微细电解阴极活动模板的制备方法
CN105470131A (zh) 一种制作砷化镓基hemt器件背孔的方法
JP2016195244A (ja) 窒化珪素系セラミックス集合基板及びその製造方法
WO2014205960A1 (zh) 切割不规则图形基板的方法和显示装置
CN103108490B (zh) 一种超厚铜线路板的线路加工方法
JPWO2018061408A1 (ja) 切削工具
TWI602938B (zh) Regeneration method of tantalum coil for sputtering and tantalum coil obtained by the regeneration method
US20110123930A1 (en) Ceramic substrate preparation process
CN105161410A (zh) 一种用于切割键合晶圆的接缝缺陷的切割方法
CN103205672A (zh) 一种易于焊接的蒸镀用掩模板的制备工艺
CN107523799A (zh) 用形位限定法生长刀具金刚石织构涂层的方法
CN107623997A (zh) 一种无披锋pcb的加工方法及pcb
CN105007683A (zh) 一种无玻璃布陶瓷高频pcb板板边金属化的方法
CN106413291A (zh) 一种深凹槽pcb板及其加工方法
CN106304639B (zh) 一种高频铁氟龙电路板去板边毛刺的方法
JP6376121B2 (ja) カッターホイール
CN104576363B (zh) 一种大功率整流管管芯的制作方法
JP2005311225A (ja) 積層型電子部品の製造方法
CN105543802B (zh) 等离子体织构化刀具及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20160427

Termination date: 20181121