CN103560157B - 应变结构及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种应变结构及其制作方法，该方法至少包括以下步骤：S1：提供一衬底，在所述衬底表面自下而上依次形成一牺牲层及一第一应力层；S2：将所述第一应力层图形化，形成桥状结构；所述桥状结构包括形成于所述牺牲层表面的一对基座及连接该一对基座的至少一根桥梁；S3：在一对所述基座表面形成第二应力层；S4：采用湿法腐蚀去除所述桥梁下方及所述基座相向两端下方的牺牲层，以使所述桥梁及一对所述基座相向两端悬空，该悬空的两端卷曲使所述桥梁拉伸，得到应变结构。本发明可以给一定范围内的任意材料施加高张应力，方法简单有效、与半导体工艺兼容，具有成本低，且制作速度快的优点。

Description

应变结构及其制作方法
技术领域
本发明属于半导体制造领域，涉及一种应变结构及其制作方法。
背景技术
随着半导体器件尺寸的缩小，传统的体硅材料正接近其物理极限，近年来，很多研究小组提出利用高载流子迁移率的新材料来取代传统的硅材料来制作晶体管，以延续摩尔定律的发展。对于应变Si、SiGe等半导体，应力会改变材料的能带结构，降低载流子的有效质量，减小声子的散射等，从而提高载流子的迁移率，改善MOS器件的性能；对于应变Ge也是适用。Ge由于其高的空穴迁移率而受到广泛关注。通过对Ge施加张应力，Ge中电子和空穴的迁移率会得到大大提升，提高器件的性能。并且应变Ge还可以应用于光电器件。
硅基光电集成在近年来的迅速发展被认为能够有效延续摩尔定律的延伸。目前，阻碍硅基光电集成技术的主要障碍是如何解决与硅基兼容的光源问题。当Ge薄膜的张应力到达～2%，Ge就会由原来的间接带隙转变为直接带隙，用来制作激光器，就可以满足光电集成的要求。
制备张应变Ge有许多方法：1.利用Ge与Si的热膨胀系数的差异在Si上直接外延Ge，可以得到～0.3%的张应变；2.利用Ⅲ-Ⅴ族材料作为缓冲层，可以得到大张应力的Ge。但是由于外延Ⅲ-Ⅴ族材料需要MBE或者MOCVD，价格昂贵，生长速度慢，从而增加了成本。
此外，对于氧化物、金属等，应变可以改变其相变点等特殊的特性，如VO2；或者应变可以改变导电性等，可以满足各种应用。但是应变氧化物、应变金属的制作同样面临种种问题。
因此，提供一种新的应变结构及其制作方法实属必要。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种应变结构及其制作方法，用于解决现有技术中难以制备高张应变材料、且制备速度慢、成本高的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种应变结构的制作方法，至少包括以下步骤：
S1：提供一衬底，在所述衬底表面自下而上依次形成一牺牲层及一第一应力层；
S2：将所述第一应力层图形化，形成桥状结构；所述桥状结构包括形成于所述牺牲层表面的一对基座及连接该一对基座的至少一根桥梁；
S3：在一对所述基座表面形成第二应力层；
S4：采用湿法腐蚀去除所述桥梁下方及所述基座相向两端下方的牺牲层，以使所述桥梁及一对所述基座相向两端悬空，该悬空的两端卷曲使所述桥梁拉伸，得到应变结构。
可选地，所述第二应力层具有张应力，一对所述基座悬空的两端向上卷曲。
可选地，所述第二应力层具有压应力，一对所述基座悬空的两端向下卷曲。
可选地，所述第一应力层的材料为金属、氧化物或半导体；所述第二应力层的材料包括金属、氧化物及半导体中的一种或多种。
可选地，所述第二应力层为单层或复合层结构。
可选地，所述第一应力层的材料为金属Ti、Cr、Pt、Au、Ag、Pd、Fe，或氧化物Al2O3、ZnO、Si3N4、SiO、SiO2，或半导体Si、Ge、Ⅲ-Ⅴ族化合物、SixGe1-x，其中0<x<1；所述第二应力层的材料包括金属Ti、Cr、Pt、Au、Ag、Pd、Fe、Co、Ni，或氧化物Al2O3、ZnO、Si3N4、SiO、SiO2，或半导体Si、Ge、Ⅲ-Ⅴ族化合物、SixGe1-x中的一种或多种，其中0<x<1。
可选地，所述第一应力层与所述第二应力层的材料不同。
可选地，所述桥梁为纳米线、微米线或纳米薄膜。
可选地，所述基座为方形、矩形、梯形、圆形或椭圆形。
可选地，所述牺牲层的材料选自SiO2、Si3N4、Ge、光刻胶、PDMS及PMMA中的一种，且所述牺牲层与所述第一应力层及第二应力层采用不同的材料。
本发明还提供另一种应变结构的制作方法，至少包括以下步骤：
S1：提供一衬底，在所述衬底表面自下而上依次形成一牺牲层及一第一应力层；
S2：在所述第一应力层表面形成第二应力层，并将所述第二应力层图形化，形成一对基板；
S3：将所述第一应力层图形化，形成桥状结构；所述桥状结构包括形成于所述牺牲层表面的一对基座及连接该一对基座的至少一根桥梁；所述基座位于所述基板下方且与所述基板重合或部分重合；
S4：采用湿法腐蚀去除所述桥梁下方及所述基座相向两端下方的牺牲层，以使所述桥梁及一对所述基座相向两端悬空，该悬空的两端卷曲使所述桥梁拉伸，得到应变结构。
本发明还提供一种应变结构，包括：
衬底；
形成于所述衬底表面的牺牲层；
图形化的第一应力层，形成于所述牺牲层表面；该图形化的第一应力层为桥状结构；所述桥状结构包括一对基座及连接该一对基座的至少一根桥梁；
形成于所述基座表面的第二应力层；
所述桥梁及一对所述基座相向两端悬空，且该悬空的两端卷曲，所述桥梁呈拉伸状态。
可选地，一对所述基座悬空的两端向上卷曲或向下卷曲。
可选地，所述桥梁为纳米线、微米线或纳米薄膜。
可选地，所述第一应力层的材料为金属、氧化物或半导体；所述第二应力层的材料包括金属、氧化物及半导体中的一种或多种。
如上所述，本发明的应变结构及其制作方法，具有以下有益效果：本发明通过在桥状结构的基座上形成提供应力的薄膜，将桥梁及一对基座相向两端下方的牺牲层腐蚀掉后，所述桥梁及一对基座相向两端悬空，由于所述基座表面的第二应力层存在应力，就会带着所述基座悬空的端部卷曲使所述桥梁拉伸，形成张应变材料，得到应力结构。本发明的应力结构的制作方法可以给一定范围内的任意材料施加张应力，方法简单有效、与半导体工艺兼容，具有成本低，且制作速度快的优点。本发明的应力结构具有高张应力，能够提高器件的各种性能。
附图说明
图1显示为本发明的应变结构的制作方法的工艺流程图。
图2显示为本发明的应变结构的制作方法中在衬底上依次形成牺牲层及第一应力层后的结构剖视图。
图3显示为本发明的应变结构的制作方法中将第一应力层图形化形成桥状结构后的结构俯视图。
图4显示为本发明的应变结构的制作方法中在一对基座表面形成第二应力层后的结构俯视图。
图5显示为本发明的应变结构的剖视图。
元件标号说明
S1～S4步骤
1衬底
2牺牲层
3第一应力层
4基座
5桥梁
6第二应力层
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图1至图5。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
实施例一
本发明提供一种应变结构的制作方法，请参阅图1，显示为本发明的应变结构的制作方法的工艺流程图，至少包括以下步骤：
步骤S1：提供一衬底，在所述衬底表面自下而上依次形成一牺牲层及一第一应力层；
步骤S2：将所述第一应力层图形化，形成桥状结构；所述桥状结构包括形成于所述牺牲层表面的一对基座及连接该一对基座的至少一根桥梁；
步骤S3：在一对所述基座表面形成第二应力层；
步骤S4：采用湿法腐蚀去除所述桥梁下方及所述基座相向两端下方的牺牲层，以使所述桥梁及一对所述基座相向两端悬空，该悬空的两端卷曲使所述桥梁拉伸，得到应变结构。
首先请参阅图2，执行步骤S1：提供一衬底1，在所述衬底1表面自下而上依次形成一牺牲层2及一第一应力层3。
具体的，所述衬底1为常规的半导体衬底，如Si、Ge、III-V族化合物材料等，本实施例中，所述衬底1优选为Si衬底。
所述牺牲层2的材料选自SiO2、Si3N4、Ge、光刻胶、PDMS及PMMA中的一种，且所述牺牲层的材料与所述第一应力层及第二应力层采用不同的材料。其中SiO2可采用热氧化方法在Si衬底上直接形成，或采用化学气相沉积在其它类型衬底上形成；Si3N4可利用低压化学气相沉积技术或等离子体增强化学气相沉积技术在所述衬底上形成；PDMS(聚二甲基硅氧烷)是一种聚合物材料，与硅片之间具有良好的粘附性，可通过旋涂等方法形成于所述衬底上，PDMS易溶于甲苯等有机溶剂；PMMA（聚甲基丙烯酸甲酯），溶于有机溶剂，如苯酚，苯甲醚等，可以通过旋涂可以形成良好的薄膜，具有良好的介电性能。本实施例中，所述牺牲层2优选为SiO2，采用热氧化方法直接在Si衬底上形成。
所述第一应力层3的材料为金属、氧化物或半导体，其中，金属包括但不限于Ti、Cr、Pt、Au、Ag、Pd或Fe；氧化物包括但不限于Al2O3、ZnO、Si3N4、SiO或SiO2，半导体包括但不限于Si、Ge、Ⅲ-Ⅴ族化合物或SixGe1-x，其中0<x<1。对于所述第一应力层3的材料为金属或氧化物，可以采用蒸发、溅射、外延等方法形成；对于所述第一应力层3的材料为半导体，可采用化学气相沉积、外延等方法形成。本实施例中，所述第一应力层3的材料以Ge为例，优选采用外延法形成。
然后请参阅图3，执行步骤S2：将所述第一应力层3图形化，形成桥状结构；所述桥状结构包括形成于所述牺牲层2表面的一对基座4及连接该一对基座4的至少一根桥梁5。
具体的，通过光刻及刻蚀工艺图形化所述第一应力层3。所述基座4的横向宽度大于所述桥梁的纵向宽度。所述桥梁5为纳米线、微米线、纳米薄膜或其它形状，所述基座4在水平面上的投影为方形、矩形、梯形、圆形、椭圆形或其它形状。本实施例中，所述桥梁5以纳米线为例，其中，图2中显示了三根纳米线的情形，当然，所述桥梁5的数目可根据实际应用情况予以调整。
再请参阅图4，执行步骤S3：在一对所述基座4表面形成第二应力层6。
具体的，所述第二应力层6的材料包括金属、氧化物及半导体中的一种或多种，其中，金属包括但不限于Ti、Cr、Pt、Au、Ag、Pd、Fe、Co及Ni，氧化物包括但不限于Al2O3、ZnO、Si3N4、SiO及SiO2；半导体包括但不限于Si、Ge、Ⅲ-Ⅴ族化合物及SixGe1-x中的一种或多种，其中0<x<1。所述第二应力层6可以为单层或复合层结构。
所述第二应力层6对所述基座4施加压应力或张应力。对于所述第二应力层6的材料为金属或氧化物，可以采用蒸发、溅射、外延等方法形成；对于所述第二应力层6的材料为半导体，可采用化学气相沉积、外延等方法形成。本实施例中，所述第二应力层6的材料优选为Ti、Cr、Si3N4、SiO或SiO2，其中Ti或Cr采用蒸发或溅射法生长，Si3N4、SiO或SiO2采用化学气相沉积法形成。
一般来说半导体材料采用化学气相沉积方法是比较容易做成单晶的，通过调节生长的参数或者改变生长的方式也比较容易得到多晶；而对于金属、氧化物等通常情况下很难做成单晶，一般都是多晶或非晶。
所述第一应力层3与所述第二应力层6可以采用相同材料，通过调节生长参数或改变生长方式使二者之间应力不匹配。本实施例中，所述第一应力层3与所述第二应力层6优选为采用不同材料，使得所述第二应力层6更容易对所述第一应力层3产生压应力或张应力，亦即对所述基座4施加压应力或张应力。由于所述基座形成于所述牺牲层2表面，该应力被束缚住。上述应力包括热应力等。
最后请参阅图5，执行步骤S4：采用湿法腐蚀去除所述桥梁5下方及所述基座4相向两端下方的牺牲层2，以使所述桥梁5及一对所述基座4相向两端悬空，该悬空的两端卷曲使所述桥梁5拉伸，得到应变结构。
本实施例中，所述牺牲层2采用二氧化硅，于本步骤中，采用HF溶液腐蚀掉所述桥梁5下方及所述基座4相向两端下方的牺牲层，得到悬空结构。由于所述基座4的横向宽度大于所述桥梁的纵向宽度，通过控制腐蚀时间，可以使得所述桥梁5完全悬空，而所述基座4部分悬空。在其它实施例中，若所述牺牲层为光刻胶，则可以采用显影液等去除，若所述牺牲层PDMS或PMMA，则可以采用有机溶液去除。
具体的，若所述第二应力层6具有张应力，则一对所述基座4悬空的两端向上卷曲；若所述第二应力层6具有压应力，则一对所述基座悬空的两端向下卷曲。本实施例中，优选为使所述第二应力层6具有张应力，使得所述基座4悬空的端部向上卷曲，卷曲空间较大，有利于使所述桥梁5拉伸程度更高，具有更大的张应力。
对于硅基张应变Ge材料，可以使Ge器件的载流子迁移率增加，改善MOS器件的性能，同时高张应变Ge材料的能带发生转变，可以提高Ge的发光性能，有利于其在光电器件方面的应用。对于应变Si、应变SiGe等半导体，应力会改变材料的能带结构，降低载流子的有效质量，减小声子的散射等，同样可以提高载流子的迁移率，改善MOS器件的性能。对于应变氧化物或应变金属，应变可以改变其相变点等特殊特性，或者改变其导电性，适用于不同领域的应用。
至此，采用本发明的应变结构的制作方法完成了应变结构的制作。本发明的应变结构的制作方法通过在桥状结构的基座上形成提供应力的薄膜，将桥梁及一对基座相向两端下方的牺牲层腐蚀掉后，所述桥梁及一对基座相向两端悬空，由于所述基座表面的第二应力层存在应力，就会带着所述基座悬空的端部卷曲使所述桥梁拉伸，形成张应变材料，得到应力结构。本发明的应力结构的制作方法可以给一定范围内的任意材料施加张应力，方法简单有效、与半导体工艺兼容，具有成本低，且制作速度快的优点。本发明制作的应力结构具有高张应力，能够提高器件的各种性能。
实施例二
本实施例与实施例一采用基本相同的技术方案，不同之处在于步骤S2与步骤S3的先后顺序有所调整。实施例一中，首先将第一应力层图形化形成桥状结构，然后在桥状结构的基座上形成第二应力层；而本实施例中，形成第一应力层之后接着在所述第一应力层表面形成第二应力层，其中第二应力层与后续将要形成的桥状结构的基座重合，然后再将所述第一应力层图形化形成桥状结构。该制作顺序的调整并不影响最终形成的应变结构。
本发明还提供另一种应变结构的制作方法，至少包括以下步骤：
步骤S1：提供一衬底，在所述衬底表面自下而上依次形成一牺牲层及一第一应力层；
步骤S2：在所述第一应力层表面形成第二应力层，并将所述第二应力层图形化，形成一对基板；
步骤S3：将所述第一应力层图形化，形成桥状结构；所述桥状结构包括形成于所述牺牲层表面的一对基座及连接该一对基座的至少一根桥梁；所述基座位于所述基板下方且与所述基板重合或部分重合；
步骤S4：采用湿法腐蚀去除所述桥梁下方及所述基座相向两端下方的牺牲层，以使所述桥梁及一对所述基座相向两端悬空，该悬空的两端卷曲使所述桥梁拉伸，得到应变结构。
本实施例中各步骤除了先后顺序外，具体的实现方式或方法与实施例一基本相同，请参阅实施例一中相应部分的描述，此处不再赘述。
实施例三
本发明还提供一种应变结构，请参阅图5，显示为该应变结构的剖面示意图，包括：
衬底1；
形成于所述衬底1表面的牺牲层2；
图形化的第一应力层，形成于所述牺牲层2表面；该图形化的第一应力层为桥状结构；所述桥状结构包括一对基座4及连接该一对基座4的至少一根桥梁5；
形成于所述基座4表面的第二应力层6；
所述桥梁5及一对所述基座4相向两端悬空，且该悬空的两端卷曲，所述桥梁5呈拉伸状态。
具体的，一对所述基座4悬空的两端向上卷曲或向下卷曲，所述桥梁5为纳米线、微米线或纳米薄膜。
所述第一应力层的材料为金属、氧化物或半导体，其中，金属包括但不限于Ti、Cr、Pt、Au、Ag、Pd或Fe；氧化物包括但不限于Al2O3、ZnO、Si3N4、SiO或SiO2，半导体包括但不限于Si、Ge、Ⅲ-Ⅴ族化合物或SixGe1-x，其中0<x<1。对于所述第一应力层的材料为金属或氧化物，可以采用蒸发、溅射、外延等方法形成；对于所述第一应力层的材料为半导体，可采用化学气相沉积、外延等方法形成。本实施例中，所述第一应力层3的材料优选为Ge，采用外延法形成。
所述第二应力层6的材料包括金属、氧化物及半导体中的一种或多种，其中，金属包括但不限于Ti、Cr、Pt、Au、Ag、Pd、Fe、Co及Ni，氧化物包括但不限于Al2O3、ZnO、Si3N4、SiO及SiO2；半导体包括但不限于Si、Ge、Ⅲ-Ⅴ族化合物及SixGe1-x中的一种或多种，其中0<x<1。所述第二应力层6可以为单层或复合层结构。本实施例中，所述第而应力层6的材料优选为Ti、Cr、Si3N4、SiO或SiO2。
所述第一应力层3与所述第二应力层6可以采用相同材料，也可以采用不同的材料。本实施例中，所述第一应力层3与所述第二应力层6优选为采用不同材料，使得所述第二应力层6更容易对所述第一应力层3产生压应力或张应力，亦即对所述基座4施加压应力或张应力，使所述桥梁5拉伸程度更高，得到更大的张应力。
本发明的应变结构中第一应力层为桥状结构，且该桥状结构的桥梁及一对基座相向两端悬空，由于桥状结构的基座上形成有提供应力的薄膜（第二应力层），所述基座悬空的端部卷曲使所述桥梁拉伸，形成高张应变材料。本发明的应力结构具有高张应力，适用于一定范围内的任意材料，能够满足不同领域的应用，提高器件性能。
综上所述，本发明的应变结构及其制作方法通过在桥状结构的基座上形成提供应力的薄膜，将桥梁及一对基座相向两端下方的牺牲层腐蚀掉后，所述桥梁及一对基座相向两端悬空，由于所述基座表面的第二应力层存在应力，就会带着所述基座悬空的端部卷曲使所述桥梁拉伸，形成张应变材料，得到应力结构。本发明的应力结构的制作方法可以给一定范围内的任意材料施加张应力，方法简单有效、与半导体工艺兼容，具有成本低，且制作速度快的优点。本发明制作的应力结构具有高张应力，能够提高器件的各种性能。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (15)

1.一种应变结构的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤：
S1：提供一衬底，在所述衬底表面自下而上依次形成一牺牲层及一第一应力层；
S2：将所述第一应力层图形化，形成桥状结构；所述桥状结构包括形成于所述牺牲层表面的一对基座及连接该一对基座的至少一根桥梁；
S3：在一对所述基座表面形成第二应力层；
S4：采用湿法腐蚀去除所述桥梁下方及所述基座相向两端下方的牺牲层，以使所述桥梁及一对所述基座相向两端悬空，该悬空的两端卷曲使所述桥梁拉伸，得到应变结构。
2.根据权利要求1所述的应变结构的制作方法，其特征在于：所述第二应力层具有张应力，一对所述基座悬空的两端向上卷曲。
3.根据权利要求1所述的应变结构的制作方法，其特征在于：所述第二应力层具有压应力，一对所述基座悬空的两端向下卷曲。
4.根据权利要求1所述的应变结构的制作方法，其特征在于：所述第一应力层的材料为Si3N4、金属、氧化物或半导体；所述第二应力层的材料包括Si3N4、金属、氧化物及半导体中的一种或多种。
5.根据权利要求4所述的应变结构的制作方法，其特征在于：所述第二应力层为单层或复合层结构。
6.根据权利要求4所述的应变结构的制作方法，其特征在于：所述第一应力层的材料为Si3N4、金属Ti、Cr、Pt、Au、Ag、Pd、Fe，或氧化物Al2O3、ZnO、SiO、SiO2，或半导体Si、Ge、Ⅲ-Ⅴ族化合物、SixGe1-x，其中0<x<1；所述第二应力层的材料包括Si3N4、金属Ti、Cr、Pt、Au、Ag、Pd、Fe、Co、Ni，或氧化物Al2O3、ZnO、SiO、SiO2，或半导体Si、Ge、Ⅲ-Ⅴ族化合物、SixGe1-x中的一种或多种，其中0<x<1。
7.根据权利要求1、4、5或6所述的应变结构的制作方法，其特征在于：所述第一应力层与所述第二应力层的材料不同。
8.根据权利要求1所述的应变结构的制作方法，其特征在于：所述桥梁为纳米线、微米线或纳米薄膜。
9.根据权利要求1所述的应变结构的制作方法，其特征在于：所述基座为方形、矩形、梯形、圆形或椭圆形。
10.根据权利要求1所述的应变结构的制作方法，其特征在于：所述牺牲层的材料选自SiO2、Si3N4、Ge、光刻胶、PDMS及PMMA中的一种，且所述牺牲层与所述第一应力层及第二应力层采用不同的材料。
11.一种应变结构的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤：
S1：提供一衬底，在所述衬底表面自下而上依次形成一牺牲层及一第一应力层；
S2：在所述第一应力层表面形成第二应力层，并将所述第二应力层图形化，形成一对基板；
S3：将所述第一应力层图形化，形成桥状结构；所述桥状结构包括形成于所述牺牲层表面的一对基座及连接该一对基座的至少一根桥梁；所述基座位于所述基板下方且与所述基板重合或部分重合；
S4：采用湿法腐蚀去除所述桥梁下方及所述基座相向两端下方的牺牲层，以使所述桥梁及一对所述基座相向两端悬空，该悬空的两端卷曲使所述桥梁拉伸，得到应变结构。
12.一种应变结构，包括：
衬底；
形成于所述衬底表面的牺牲层；
图形化的第一应力层，形成于所述牺牲层表面；该图形化的第一应力层为桥状结构；所述桥状结构包括一对基座及连接该一对基座的至少一根桥梁；
形成于所述基座表面的第二应力层；
其特征在于：
所述桥梁及一对所述基座相向两端悬空，且该悬空的两端卷曲，所述桥梁呈拉伸状态。
13.根据权利要求12所述的应变结构，其特征在于：一对所述基座悬空的两端向上卷曲或向下卷曲。
14.根据权利要求12所述的应变结构，其特征在于：所述桥梁为纳米线、微米线或纳米薄膜。
15.根据权利要求12所述的应变结构，其特征在于：所述第一应力层的材料为Si3N4、金属、氧化物或半导体；所述第二应力层的材料包括Si3N4、金属、氧化物及半导体中的一种或多种。
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