CN103558945A - 一种触控显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种触控显示装置，包括阵列基板、与所述阵列基板对置的对置基板及位于所述阵列基板及对置基板之间的液晶层和触控层，所述对置基板包括碱玻璃衬底，其特征在于，在所述对置基板的碱玻璃衬底面向阵列基板的一侧形成有防止碱金属离子扩散的第一屏蔽层，且所述液晶层和所述触控层均位于所述第一屏蔽层靠近所述阵列基板的一侧。本发明通过在对置基板的碱玻璃衬底面向阵列基板的一侧形成有防止碱金属离子扩散的第一屏蔽层，从而阻挡住碱金属离子，使其不能够扩散到碱玻璃衬底表面，进而保证了显示装置中透明电极及液晶的物理、化学稳定性正常，保证了显示装置的显示效果。

Description

一种触控显示装置
技术领域
本发明涉及液晶显示技术，特别涉及一种触控显示装置。
背景技术
随着液晶显示技术的迅速发展，研究者对显示屏的结构有着更深的研究。对于触控液晶显示装置，通常触控层（包括触控电极）通过胶粘剂粘在显示装置的显示侧的外部，并在触控层外部设置保护层。但这种触控显示装置的厚度较厚，与时下流行的轻薄显示装置相违背。因此，现有的一种方案中，将触控层置于触控显示装置内部，省去了胶粘剂和保护层，达到了轻薄的目的。这种方案中，在触摸时将会直接摩擦或按压显示侧的基板，所以至少要求制作与阵列基板对置的对置基板（触摸或按压一侧，通常也是显示侧的基板）的玻璃衬底具有更高的强度，以防止触摸或按压时玻璃衬底破裂。因此，触控显示装置的对置基板（如彩膜基板）所采用的玻璃衬底通常采用含有碱金属离子的有碱玻璃，有碱玻璃经过钢化处理后，有碱玻璃（下称碱玻璃）的表面相对普通玻璃的表面具有更高的强度，从而防止在触摸或按压时导致玻璃衬底破裂，而且碱玻璃外侧也不需要保护层。
但由于碱金属离子会扩散到碱玻璃衬底表面，致使制作在碱玻璃衬底上的透明电极（如：像素电极、公共电极及触控层的触控电极）以及液晶层（对于液晶显示装置）劣化。尤其是在长时间使用后，碱金属离子扩散的结果可能使得透明电极层产生白色浑浊体、透明度降低、电阻增加以及物理、化学稳定性降低，从而影响最终显示效果，缩短触控显示装置的寿命。
发明内容
（一）解决的技术问题
本发明解决的技术问题是：如何解决液晶显示装置的玻璃衬底中的碱金属离子扩散，导致显示装置中透明电极及液晶的物理、化学稳定性降低的问题。
（二）技术方案
为解决上述技术问题，本发明提供了一种触控显示装置，包括阵列基板、与所述阵列基板对置的对置基板及位于所述阵列基板及对置基板之间的液晶层和触控层，所述对置基板包括碱玻璃衬底，在所述对置基板的碱玻璃衬底面向阵列基板的一侧形成有防止碱金属离子扩散的第一屏蔽层，且所述液晶层和所述触控层均位于所述第一屏蔽层靠近所述阵列基板的一侧。
其中，所述对置基板为彩膜基板，所述彩膜基板包括位于碱玻璃衬底面向阵列基板一侧的透明电极，所述第一屏蔽层形成在所述透明电极和所述碱玻璃衬底之间。
其中，还包括直接形成在所述碱玻璃衬底上的上偏光层。
其中，所述阵列基板采用碱玻璃衬底，所述阵列基板的碱玻璃衬底和所述阵列基板中离阵列基板的碱玻璃衬底最近的透明电极层之间形成有防止碱金属离子扩散的第二屏蔽层。
其中，在所述阵列基板的碱玻璃衬底面向对置基板的表面形成有防止碱金属离子扩散的所述第二屏蔽层。
其中，还包括直接形成在所述阵列基板的碱玻璃衬底上的下偏光层。
其中，所述第一屏蔽层和第二屏蔽层的材料为透明的硅氧化物。
其中，所述第一屏蔽层和第二屏蔽层的厚度为100nm～360nm。
其中，所述对置基板在背离所述阵列基板的一侧的碱玻璃衬底边缘的截面为曲面、斜面或球面。
（三）有益效果
本发明提供了一种触控显示装置，通过在对置基板的碱玻璃衬底面向阵列基板的一侧形成有防止碱金属离子扩散的第一屏蔽层，从而阻挡住碱金属离子，使其不能够扩散到碱玻璃衬底表面，进而保证了显示装置中透明电极及液晶的物理、化学稳定性正常，保证了显示装置的显示效果。
附图说明
图1是本发明实施例提供的显示装置的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的显示装置的又一结构示意图；
图3是本发明实施例提供的显示装置的又一结构示意图；
图4是本发明实施例提供的彩膜基板的碱玻璃衬底结构示意图；
图5是本发明实施例提供的彩膜基板的碱玻璃衬底又一结构示意图。
具体实施方式
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
本发明实施例提供了一种触控显示装置，如图1所示，包括阵列基板1、与所述阵列基板1对置的对置基板2及位于所述阵列基板1及对置基板2之间的液晶层3和触控层4（液晶层3可以位于触控层4的上方或下方，图1示出了液晶层3位于触控层4下方的情况），所述对置基板2包括碱玻璃衬底，在所述对置基板的碱玻璃衬底面向阵列基板1的一侧形成有防止碱金属离子扩散的第一屏蔽层5，且液晶层3和触控层4均位于第一屏蔽层5靠近阵列基板1的一侧。
在本发明实施例中，通过在对置基板2的碱玻璃衬底面向阵列基板1的一侧形成有防止碱金属离子扩散的第一屏蔽层5，从而阻挡住碱金属离子，使其不能够扩散到碱玻璃衬底表面，进而使其不能够扩散到触控层4和液晶层3中，保证了触控层4及液晶的物理、化学稳定性正常。
在本发明实施例中，对置基板2可以为彩膜基板（对于彩膜滤光片制作在阵列基板上的情况，对置基板仅为透明基板）。如图2所示，对于扭曲向列型（Twisted Nematic，TN）模式的液晶显示装置，彩膜基板的碱玻璃衬底面向阵列基板1一侧还包括透明电极6（公共电极），第一屏蔽层5形成在透明电极6和碱玻璃衬底之间。从而碱玻璃衬底中的碱金属离子不能够扩散到透明电极6中，进而保证了透明电极的物理、化学稳定性正常，保证了显示装置的显示效果。
进一步地，为了提高整个显示装置的强度，如图3所示，若该触控显示装置中的阵列基板1采用碱玻璃衬底，碱玻璃衬底和所述阵列基板1中离碱玻璃衬底最近的透明电极层6’（像素电极或公共电极）之间形成有防止碱金属离子扩散的第二屏蔽层5’。
在本发明实施例中，若阵列基板1中离碱玻璃衬底最近的透明电极层6’之间还包括其他层次结构，则可以在阵列基板1中离碱玻璃衬底最近的透明电极层6’和其他层之间形成有防止碱金属离子扩散的第二屏蔽层5’。
对于薄膜晶体管为顶栅结构的阵列基板中，第二屏蔽层5’可以为阵列基板1中的栅绝缘层。
在本发明实施例中，在所述阵列基板1的碱玻璃衬底面向对置基板2的表面形成有防止碱金属离子扩散的第二屏蔽层5’，如图3所示。
其中，上述第一屏蔽层5和第二屏蔽层5’的材料可以为透明的硅氧化物，厚度可以为100nm～360nm。
进一步地，还可以在对置基板2的碱玻璃衬底上直接形成的上偏光层，在阵列基板1的碱玻璃衬底上直接形成的下偏光层，不需要粘胶另外粘一层偏光层，从而减小了整个显示装置的厚度。
进一步地，在本发明实施例中，所述对置基板在背离所述阵列基板的一侧的碱玻璃衬底边缘的截面为曲面、球面或斜面，或者是圆弧形的非球面。如图4所示，对置基板在背离所述阵列基板的一侧的边缘处为曲面，如图5所示，对置基板在背离所述阵列基板的一侧的边缘处为斜面，该斜面倾斜角度可根据触控显示装置的边框大小而变化。
对置基板在背离所述阵列基板的一侧的边缘截面为曲面、球面或斜面时，该触控显示装置的图像在通过阵列基板边缘时产生折射现象，使显示路径改变，这样显示面板的边框看起来变窄，甚至看不到边框，达到窄边框或无边框的视觉效果。
以上实施方式仅用于说明本发明，而并非对本发明的限制，有关技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，还可以做出各种变化和变型，因此所有等同的技术方案也属于本发明的范畴，本发明的专利保护范围应由权利要求限定。

Claims (9)

1.一种触控显示装置，包括阵列基板、与所述阵列基板对置的对置基板及位于所述阵列基板及对置基板之间的液晶层和触控层，所述对置基板包括碱玻璃衬底，其特征在于，在所述对置基板的碱玻璃衬底面向阵列基板的一侧形成有防止碱金属离子扩散的第一屏蔽层，且所述液晶层和所述触控层均位于所述第一屏蔽层靠近所述阵列基板的一侧。
2.如权利要求1所述的触控显示装置，其特征在于，所述对置基板为彩膜基板，所述彩膜基板包括位于碱玻璃衬底面向阵列基板一侧的透明电极，所述第一屏蔽层形成在所述透明电极和所述碱玻璃衬底之间。
3.如权利要求1所述的触控显示装置，其特征在于，还包括直接形成在所述碱玻璃衬底上的上偏光层。
4.如权利要求1所述的触控显示装置，其特征在于，所述阵列基板采用碱玻璃衬底，所述阵列基板的碱玻璃衬底和所述阵列基板中离阵列基板的碱玻璃衬底最近的透明电极层之间形成有防止碱金属离子扩散的第二屏蔽层。
5.如权利要求4所述的触控显示装置，其特征在于，在所述阵列基板的碱玻璃衬底面向对置基板的表面形成有防止碱金属离子扩散的所述第二屏蔽层。
6.如权利要求4所述的触控显示装置，其特征在于，还包括直接形成在所述阵列基板的碱玻璃衬底上的下偏光层。
7.如权利要求1～6中任一项所述的触控显示装置，其特征在于，所述第一屏蔽层和第二屏蔽层的材料为透明的硅氧化物。
8.如权利要求1～6中任一项所述的触控显示装置，其特征在于，所述第一屏蔽层和第二屏蔽层的厚度为100nm～360nm。
9.如权利要求1～6中任一项所述的触控显示装置，其特征在于，所述对置基板在背离所述阵列基板的一侧的碱玻璃衬底边缘的截面为曲面、斜面或球面。
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