CN103547632A - 光半导体装置用密封剂及光半导体装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种固化物表面的发粘得以抑制、且固化物的耐热性及冷热循环特性得以提高的光半导体装置用密封剂。本发明的光半导体装置用密封剂包含第1有机聚硅氧烷、第2有机聚硅氧烷及硅氢化反应用催化剂，所述第1有机聚硅氧烷由式(1A)或式(1B)表示、且具有烯基及与硅原子键合的甲基，所述第2有机聚硅氧烷由式(51A)或式(51B)表示、且具有与硅原子键合的氢原子及与硅原子键合的甲基。第1、第2有机聚硅氧烷中的与硅原子键合的甲基的含有比例分别为80摩尔%以上。(R1R2R3SiO1/2)a(R4R5SiO2/2)b(R6SiO3/2)c …式(1A)(R51R52R535iO1/2)p(R54R55SiO2/2)q(R56SiO3/2)r …式(51A)(R1R2R3SiO1/2)a(R4R5SiO2/2)b(R6SiO3/2)c …式(1B)(R51R52R53SiO1/2)P(R54R55SiO2/2)q(R56SiO3/2)r …式(51B)。
Description
技术领域
本发明涉及在光半导体装置中用来密封光半导体元件的光半导体装置用密封剂。另外，本发明涉及使用了该光半导体装置用密封剂的光半导体装置。
背景技术
发光二极管(LED)装置等光半导体装置的消耗电力低且寿命长。另外，光半导体装置在苛刻的环境中也能够使用。因此，光半导体装置已被广泛应用于手机用背光灯、液晶电视用背光灯、汽车用灯、照明器具及广告牌等用途。
当作为用于光半导体装置的发光元件的光半导体元件(例如LED)与大气直接触时，大气中的水分或悬浮的灰尘等会导致光半导体元件的发光特性急剧降低。因此，通常利用光半导体装置用密封剂对上述光半导体元件进行密封。
下述专利文献1中，作为光半导体装置用密封剂，公开了一种含有氢化双酚A缩水甘油醚、脂环族环氧单体及潜伏性催化剂的环氧树脂材料。该环氧树脂材料通过阳离子热聚合而固化。
另外，不只是包含环氧树脂的光半导体装置用密封剂，包含有机硅树脂的光半导体装置用密封剂也得到了广泛应用。上述有机硅树脂对于蓝色～紫外区的短波长光的透过性高、耐热性及耐光性优异。
但是，在使用上述包含有机硅树脂的密封剂的情况下，由于密封剂的固化物的表面会产生发粘，因此存在表面容易附着灰尘等杂质的问题。另外，如果固化物的表面发粘，还会引发下述问题：组件之间粘附、以及在实际安装时在点胶嘴(pick up nozzle)上产生附着，导致光半导体装置的生产性大幅降低。
另一方面，如下述专利文献2中记载的那样，已知有包含交联密度得到了提高的有机硅树脂的密封剂。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2003-73452号公报
专利文献2：日本特开2002-314142号公报
发明内容
发明要解决的问题
对于专利文献1中记载的传统的光半导体装置用密封剂而言，如果在反复经受加热和冷却的苛刻环境中使用，可能会导致密封剂上产生裂纹、或密封剂从外罩材料等上剥离。
此外，就专利文献2中记载的密封剂而言，由于该密封剂中包含的有机硅树脂的交联密度高，因此固化物表面的发粘较少。但是仍强烈需要能够进一步抑制固化物表面发粘的密封剂。并且，专利文献2中记载的密封剂的机械强度及粘接性有时相当低。这样一来，如果反复经受热循环，可能会导致密封剂上产生裂纹、或密封剂从外罩材料等上剥离。
此外，为了使到达发光元件背面侧的光发生反射，有时在发光元件的背面形成有镀银的电极。当密封剂上产生裂纹、或密封剂从外罩材料上剥离时，镀银的电极会暴露于大气中。此时，在大气中存在的硫化氢气体或二氧化硫气体等腐蚀性气体的作用下，可能导致银镀层发生变色。电极变色则反射率降低，因此存在发光元件所发出的光的亮度降低的问题。
本发明的目的在于提供一种固化物表面的发粘得以抑制、且固化物的耐热性及冷热循环特性得以提高的光半导体装置用密封剂、以及使用了该光半导体装置用密封剂的光半导体装置。
解决问题的方法
从较宽层面上把握本发明，本发明提供一种光半导体装置用密封剂，其包含第1有机聚硅氧烷、第2有机聚硅氧烷及硅氢化反应用催化剂，所述第1有机聚硅氧烷具有烯基及与硅原子键合的甲基，所述第2有机聚硅氧烷具有与硅原子键合的氢原子及与硅原子键合的甲基，上述第1有机聚硅氧烷是由下述式(1A)表示的第1有机聚硅氧烷、且上述第2有机聚硅氧烷是由下述式(51A)表示的第2有机聚硅氧烷，或者，上述第1有机聚硅氧烷是由下述式(1B)表示的第1有机聚硅氧烷、且上述第2有机聚硅氧烷是由下述式(51B)表示的第2有机聚硅氧烷，上述第1有机聚硅氧烷及上述第2有机聚硅氧烷中的与硅原子键合的甲基的含有比例分别为80摩尔%以上。
[化学式1]
(R1R2R3SiO1/2)a(R4R5SiO2/2)b(R6SiO3/2)c …式(1A)
上述式(1A)中，a、b及c满足a/(a+b+c)=0～0.30、b/(a+b+c)=0.70～1.0及c/(a+b+c)=0～0.10，R1～R6中的至少1个代表烯基、至少1个代表甲基、除烯基及甲基以外的R1～R6代表碳原子数2～8的烃基。
[化学式2]
(R51R52R53SiO1/2)p(R54R55SiO2/2)q(R56SiO3/2)r …式(51A)
上述式(51A)中，p、q及r满足p/(p+q+r)=0.10～0.50、q/(p+q+r)=0～0.40、r/(p+q+r)=0.40～0.90，R51～R56中的至少1个代表氢原子、至少1个代表甲基、除氢原子及甲基以外的R51～R56代表碳原子数2～8的烃基。
[化学式3]
(R1R2R3SiO1/2)a(R4R5SiO2/2)b(R6SiO3/2)c …式(1B)
上述式(1B)中，a、b及c满足a/(a+b+c)=0.10～0.50、b/(a+b+c)=0～0.40、及c/(a+b+c)=0.40～0.90，R1～R6中的至少1个代表烯基、至少1个代表甲基、除烯基及甲基以外的R1～R6代表碳原子数2～8的烃基。
[化学式4]
(R51R52R53SiO1/2)P(R54R55SiO2/2)q(R56SiO3/2)r …式(51B)
上述式(51B)中，p、q及r满足p/(p+q+r)=0～0.30、q/(p+q+r)=0.70～1.0及r/(p+q+r)=0～0.10，R51～R56中的至少1个代表氢原子、至少1个代表甲基、除氢原子及甲基以外的R51～R56代表碳原子数2～8的烃基。
在本发明的光半导体装置用密封剂的某一特定方面，密封剂中的上述有机聚硅氧烷中与硅原子键合的氢原子的含有比例相对于密封剂中的上述有机聚硅氧烷中与硅原子键合的烯基的含有比例之比(与硅原子键合的氢原子的含有比例/与硅原子键合的烯基的含有比例)为0.5以上且5.0以下。
在本发明的光半导体装置用密封剂的其它特定方面，密封剂中的上述有机聚硅氧烷中与硅原子键合的氢原子的含有比例相对于密封剂中的上述有机聚硅氧烷中与硅原子键合的烯基的含有比例之比(与硅原子键合的氢原子的含有比例/与硅原子键合的烯基的含有比例)为0.5以上且2.0以下。
在本发明的光半导体装置用密封剂的其它特定方面，上述第1有机聚硅氧烷是由上述式(1A)表示的第1有机聚硅氧烷、且上述第2有机聚硅氧烷是由上述式(51A)表示的第2有机聚硅氧烷。
由上述式(1A)表示的第1有机聚硅氧烷的数均分子量优选为20000以上且100000以下。
在本发明的光半导体装置用密封剂的另一特定方面，由上述式(51A)表示的第2有机聚硅氧烷具有烯基。
在本发明的光半导体装置用密封剂的另一特定方面，由上述式(51A)表示的第2有机聚硅氧烷具有下述式(51-a)表示的结构单元。
[化学式5]
上述式(51-a)中，R52及R53分别代表甲基或碳原子数2～8的烃基。
在本发明的光半导体装置用密封剂的其它特定方面，上述第1有机聚硅氧烷是由上述式(1B)表示的第1有机聚硅氧烷、且上述第2有机聚硅氧烷是由上述式(51B)表示的第2有机聚硅氧烷。
由上述式(51B)表示的第2有机聚硅氧烷的数均分子量优选为20000以上且100000以下。
在本发明的光半导体装置用密封剂的其它特定方面，由上述式(1B)表示的第1有机聚硅氧烷具有与硅原子键合的氢原子。
在本发明的光半导体装置用密封剂的另一特定方面，由上述式(1B)表示的第1有机聚硅氧烷具有下述式(1-b1)表示的结构单元。
[化学式6]
上述式(1-b1)中，R2及R3分别代表甲基或碳原子数2～8的烃基。
本发明的光半导体装置具备：光半导体元件、以及以密封该光半导体元件的方式设置的上述光半导体装置用密封剂。
发明的效果
本发明的光半导体装置用密封剂包含具有烯基及与硅原子键合的甲基的第1有机聚硅氧烷、具有与硅原子键合的氢原子及与硅原子键合的甲基的第2有机聚硅氧烷、以及硅氢化反应用催化剂，上述第1有机聚硅氧烷由式(1A)表示且上述第2有机聚硅氧烷由式(51A)表示、或上述第1有机聚硅氧烷由式(1B)表示且上述第2有机聚硅氧烷由式(51B)表示，上述第1、第2有机聚硅氧烷中的与硅原子键合的甲基的含有比例分别为80摩尔%以上，因此，能够提高密封剂固化物的耐热性及冷热循环特性。进一步，能够抑制密封剂固化物表面的发粘。
附图说明
图1是示出本发明一实施方式涉及的光半导体装置的正面剖视图。
符号说明
1…光半导体装置
2…外罩
2a…内面
3…光半导体元件
4…光半导体装置用密封剂
具体实施方式
以下，对本发明进行详细说明。
本发明的光半导体装置用密封剂包含第1有机聚硅氧烷、第2有机聚硅氧烷及硅氢化反应用催化剂。
上述第1有机聚硅氧烷具有烯基和与硅原子键合的甲基。上述第2有机聚硅氧烷具有与硅原子键合的氢原子和与硅原子键合的甲基。
上述第1有机聚硅氧烷为式(1A)表示的第1有机聚硅氧烷、或式(1B)表示的第1有机聚硅氧烷。上述第2有机聚硅氧烷为式(51A)表示的第2有机聚硅氧烷、或式(51B)表示的第2有机聚硅氧烷。其中，上述第1有机聚硅氧烷为式(1A)表示的第1有机聚硅氧烷的情况下，上述第2有机聚硅氧烷为式(51A)表示的第2有机聚硅氧烷。上述第1有机聚硅氧烷为式(1B)表示的第1有机聚硅氧烷的情况下，上述第2有机聚硅氧烷为式(51B)表示的第2有机聚硅氧烷。
因此，在本发明的光半导体装置用密封剂中，上述第1有机聚硅氧烷为式(1A)表示的第1有机聚硅氧烷、且上述第2有机聚硅氧烷为式(51A)表示的第2有机聚硅氧烷，或者，上述第1有机聚硅氧烷为式(1B)表示的第1有机聚硅氧烷、且上述第2有机聚硅氧烷为式(51B)表示的第2有机聚硅氧烷。在本发明的光半导体装置用密封剂中，也可以是上述第1有机聚硅氧烷为式(1A)表示的第1有机聚硅氧烷、且上述第2有机聚硅氧烷为式(51A)表示的第2有机聚硅氧烷。此外，在本发明的光半导体装置用密封剂中，还可以是上述第1有机聚硅氧烷为式(1B)表示的第1有机聚硅氧烷、且上述第2有机聚硅氧烷为式(51B)表示的第2有机聚硅氧烷。
此外，在本发明的光半导体装置用密封剂中，上述第1有机聚硅氧烷及上述第2有机聚硅氧烷中的与硅原子键合的甲基的含有比例分别为80摩尔%以上。上述与硅原子键合的甲基的含有比例可由下述式(X)求出。
与硅原子键合的甲基的含有比例(摩尔%)={(上述第1有机聚硅氧烷或上述第2有机聚硅氧烷的每1分子中所含的与硅原子键合的甲基的平均个数×甲基的分子量)/(上述第1有机聚硅氧烷或上述第2有机聚硅氧烷的每1分子中所含的与硅原子键合的官能团的平均个数×官能团的分子量的平均值)}×100 …式(X)
上述式(X)中的所述“官能团”指的是上述第1有机聚硅氧烷或上述第2有机聚硅氧烷中直接与硅原子键合的基团。具有多种上述官能团的情况下，“官能团的分子量的平均值”指的是各种官能团的“官能团的平均个数×官能团的分子量”的总和。下述式(X1)、下述式(X51)、下述式(Y)及下述式(Z)中的“官能团的分子量的平均值”也具有同样含义。
本发明的光半导体装置用密封剂通过采用上述组成，尤其是，通过采取特定的上述第1、第2有机聚硅氧烷的组合，可以提高固化后密封剂的耐热性。通过提高密封剂的耐热性，可以抑制在暴露于高温下时密封剂的变色，从而使密封剂不易发生黄变。另外，通过采用上述组成，可以提高固化后密封剂的冷热循环特性，能够提高阻气性。由此，密封剂不易产生裂纹，能够抑制密封剂的剥离。此外，通过采用上述组成，还能够抑制固化后密封剂表面的发粘。
从有效提高密封剂的固化物的耐热性及冷热循环特性的观点出发，密封剂中的上述有机聚硅氧烷中与硅原子键合的氢原子的含有比例相对于密封剂中的上述有机聚硅氧烷中与硅原子键合的烯基的含有比例之比(与硅原子键合的氢原子的含有比例/与硅原子键合的烯基的含有比例)优选为0.5以上且5.0以下。上述第1有机聚硅氧烷具有与硅原子键合的氢原子的情况下，在上述比中，与硅原子键合的氢原子的含有比例还要考虑第1有机聚硅氧烷中与硅原子键合的氢原子的含有比例。上述第2有机聚硅氧烷具有与硅原子键合的烯基的情况下，在上述比中，与硅原子键合的烯基的含有比例还要考虑第2有机聚硅氧烷中与硅原子键合的烯基的含有比例。因此，上述比(与硅原子键合的氢原子的含有比例/与硅原子键合的烯基的含有比例)表示的是：密封剂中的上述第1、第2有机聚硅氧烷中与硅原子键合的氢原子的总的含有比例相对于密封剂中的上述第1、第2有机聚硅氧烷中与硅原子键合的烯基的总的含有比例之比。上述与硅原子键合的氢原子的含有比例可由下述式(Y)求出。上述与硅原子键合的烯基的含有比例可由下述式(Z)求出。
与硅原子键合的氢原子的含有比例(摩尔%)={(上述第1有机聚硅氧烷的每1分子中所含的与硅原子键合的氢原子的平均个数×氢原子的分子量)/(上述第1有机聚硅氧烷的每1分子中所含的与硅原子键合的官能团的平均个数×官能团的分子量的平均值)×上述第1有机聚硅氧烷在密封剂内的配合量/(上述第1有机聚硅氧烷在密封剂内的配合量+上述第2有机聚硅氧烷在密封剂内的配合量)}×100+{(上述第2有机聚硅氧烷的每1分子中所含的与硅原子键合的氢原子的平均个数×氢原子的分子量)/(上述第2有机聚硅氧烷的每1分子中所含的与硅原子键合的官能团的平均个数×官能团的分子量的平均值)×上述第2有机聚硅氧烷在密封剂内的配合量/(上述第1有机聚硅氧烷在密封剂内的配合量+上述第2有机聚硅氧烷在密封剂内的配合量)}×100 …式(Y)
与硅原子键合的烯基的含有比例(摩尔%)={(上述第1有机聚硅氧烷的每1分子中所含的与硅原子键合的烯基的平均个数×与硅原子键合的烯基的分子量)/(上述第1有机聚硅氧烷的每1分子中所含的与硅原子键合的官能团的平均个数×官能团的分子量的平均值)×上述第1有机聚硅氧烷在密封剂内的配合量/(上述第1有机聚硅氧烷在密封剂内的配合量+上述第2有机聚硅氧烷在密封剂内的配合量)}×100+{(上述第2有机聚硅氧烷的每1分子中所含的与硅原子键合的烯基的平均个数×与硅原子键合的烯基的分子量)/(上述第2有机聚硅氧烷的每1分子中所含的与硅原子键合的官能团的平均个数×官能团的分子量的平均值)×上述第2有机聚硅氧烷在密封剂内的配合量/(上述第1有机聚硅氧烷在密封剂内的配合量+上述第2有机聚硅氧烷在密封剂内的配合量))}×100 …式(Z)
需要说明的是，上述第1有机聚硅氧烷不具有与硅原子键合的氢原子的情况下，密封剂中的上述有机聚硅氧烷中与硅原子键合的氢原子的含有比例表示上述第2有机聚硅氧烷中与硅原子键合的氢原子的含有比例。该情况下，上述与硅原子键合的氢原子的含有比例可由下述式(Y1)求出。
与硅原子键合的氢原子的含有比例(摩尔%)={(上述第1有机聚硅氧烷的每1分子中所含的与硅原子键合的氢原子的平均个数×氢原子的分子量)/(上述第1有机聚硅氧烷的每1分子中所含的与硅原子键合的官能团的平均个数×官能团的分子量的平均值)×上述第1有机聚硅氧烷在密封剂内的配合量/(上述第1有机聚硅氧烷在密封剂内的配合量+上述第2有机聚硅氧烷在密封剂内的配合量)}×100 …式(Y1)
需要说明的是，上述第2有机聚硅氧烷不具有与硅原子键合的烯基的情况下，密封剂中的上述有机聚硅氧烷中与硅原子键合的烯基的含有比例表示上述第1有机聚硅氧烷中与硅原子键合的烯基的含有比例。该情况下，上述与硅原子键合的烯基的含有比例可由下述式(Z1)求出。
与硅原子键合的烯基的含有比例(摩尔%)={(上述第1有机聚硅氧烷的每1分子中所含的与硅原子键合的烯基的平均个数×与硅原子键合的烯基的分子量)/(上述第1有机聚硅氧烷的每1分子中所含的与硅原子键合的官能团的平均个数×官能团的分子量的平均值)×上述第1有机聚硅氧烷在密封剂内的配合量/(上述第1有机聚硅氧烷在密封剂内的配合量+上述第2有机聚硅氧烷在密封剂内的配合量)}×100 …式(Z1)
从进一步提高密封剂的耐热性的观点出发，上述比(与硅原子键合的氢原子的含有比例/与硅原子键合的烯基的含有比例)优选为1.0以上。
从提高使用密封剂的光半导体装置的可靠性的观点出发，上述比(与硅原子键合的氢原子的含有比例/与硅原子键合的烯基的含有比例)优选为0.5以上且2.0以下、更优选为0.5以上且1.1以下。上述比为2.0以下时，密封剂即使经过长期在高温下保存也不易发生硬度的上升。由于高温下硬度上升的抑制关系到冷热循环时产生的热应力的降低，因此，有利于提高使用密封剂的光半导体装置的可靠性。
以下，针对本发明的光半导体装置用密封剂中所含的各成分进行具体说明。
(第1有机聚硅氧烷)
本发明的光半导体装置用密封剂中所含的第1有机聚硅氧烷由下述式(1A)或下述式(1B)表示，其具有烯基和与硅原子键合的甲基。上述第1有机聚硅氧烷优选具有2个以上烯基。上述第1有机聚硅氧烷可以具有与硅原子键合的氢原子，也可以不具有与硅原子键合的氢原子。烯基优选与硅原子直接键合。需要说明的是，可以是上述烯基的碳-碳双键中的碳原子与硅原子键合，也可以是上述烯基中与碳-碳双键中的碳原子不同的碳原子与硅原子键合。甲基直接与硅原子键合。上述第1有机聚硅氧烷可以仅使用1种，也可以2种以上组合使用。
[化学式7]
(R1R2R3SiO1/2)a(R4R5SiO2/2)b(R6SiO3/2)c …式(1A)
上述式(1A)中，a、b及c满足a/(a+b+c)=0～0.30、b/(a+b+c)=0.70～1.0及c/(a+b+c)=0～0.10，R1～R6中的至少1个代表烯基、至少1个代表甲基、除烯基及甲基以外的R1～R6代表碳原子数2～8的烃基。
[化学式8]
(R1R2R3SiO1/2)a(R4R5SiO2/2)b(R6SiO3/2)c …(1B)
上述式(1B)中，a、b及c满足a/(a+b+c)=0.10～0.50、b/(a+b+c)=0～0.40、及c/(a+b+c)=0.40～0.90，R1～R6中的至少1个代表烯基、至少1个代表甲基、除烯基及甲基以外的R1～R6代表碳原子数2～8的烃基。
需要说明的是，上述式(1A)及上述式(1B)中，(R4R5SiO2/2)表示的结构单元及(R6SiO3/2)表示的结构单元分别可以具有烷氧基、也可以具有羟基。
上述式(1A)及上述式(1B)分别表示平均组成式。上述式(1A)及上述式(1B)中的烃基可以为直链状，也可以为支链状。上述式(1A)及上述式(1B)中的R1～R6分别可以相同也可以不同。
上述式(1A)及上述式(1B)中的(R4R5SiO2/2)及(R6SiO3/2)表示的结构单元中的氧原子部分分别代表形成硅氧烷键的氧原子部分、烷氧基的氧原子部分、或羟基的氧原子部分。
需要说明的是，通常，在上述式(1A)及上述式(1B)的各结构单元中，烷氧基的含量少，并且羟基的含量也少。这是由于，通常，为了获得第1有机聚硅氧烷而使烷氧基硅烷化合物等有机硅化合物发生水解、缩聚时，烷氧基及羟基大多会转变为硅氧烷键的部分骨架。即，烷氧基的氧原子及羟基的氧原子大多会转变为形成硅氧烷键的氧原子。这表示，在上述式(1A)及上述式(1B)的各结构单元具有烷氧基或羟基的情况下，仅会残留有少量未转变为硅氧烷键的部分骨架的未反应的烷氧基或羟基。对于后述的式(51A)及式(51B)的各结构单元具有烷氧基或羟基的情况，也可以说是同样的。
上述式(1A)及上述式(1B)中，作为烯基，可列举乙烯基、烯丙基、丁烯基、戊烯基及己烯基等。从进一步提高阻气性的观点出发，上述式(1A)及上述式(1B)中的烯基优选为乙烯基或烯丙基，更优选为乙烯基。
从进一步提高密封剂的固化性的观点出发，上述式(1B)表示的第1有机聚硅氧烷优选具有与硅原子键合的氢原子。此时，上述式(1B)中的R1～R6中的至少1个代表烯基、至少1个代表甲基、至少1个代表氢原子、除烯基、甲基及氢原子以外的R1～R6代表碳原子数2～8的烃基。另外，上述第1有机聚硅氧烷中的烯基优选为乙烯基。
作为上述式(1A)及上述式(1B)中的碳原子数2～8的烃基，并无特殊限制，可列举例如：乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、异丙基、异丁基、仲丁基、叔丁基、异戊基、新戊基、叔戊基、异己基、环己基及芳基。
从提高密封剂的固化性、进一步抑制热循环中的裂纹及剥离的观点出发，上述第1有机聚硅氧烷优选包含在1个硅原子上键合有1个乙烯基和2个碳原子数1～8的烃基(甲基或碳原子数2～8的烃基)的结构单元，上述式(1A)中，(R1R2R3SiO1/2)表示的结构单元优选包含R1代表乙烯基、R2及R3代表甲基或碳原子数2～8的烃基的结构单元。即，从提高密封剂的固化性、进一步抑制热循环中的裂纹及剥离的观点出发，上述式(1A)表示的第1有机聚硅氧烷优选具有(CH2=CHR2R3SiO1/2)表示的结构单元，优选具有下述式(1-a)表示的结构单元。(R1R2R3SiO1/2)表示的结构单元可以仅包含下述式(1-a)表示的结构单元，也可以包含下述式(1-a)表示的结构单元和下述式(1-a)表示的结构单元以外的结构单元。存在下述式(1-a)表示的结构单元时，可以使末端存在乙烯基，而通过末端存在乙烯基，会使反应机会增多，从而能够进一步提高密封剂的固化性。需要说明的是，在下述式(1-a)表示的结构单元中，末端的氧原子通常与邻接的硅原子形成硅氧烷键，与邻接的结构单元共用氧原子。因此，将末端的一个氧原子视为“O1/2”。
[化学式9]
上述式(1-a)中，R2及R3分别代表甲基或碳原子数2～8的烃基。
从提高密封剂的固化性、进一步抑制表面的发粘的观点出发，上述第1有机聚硅氧烷优选包含在1个硅原子上键合有1个乙烯基和形成硅氧烷键的3个氧原子的结构单元，上述式(1B)中，(R6SiO3/2)表示的结构单元优选包含R6代表乙烯基的结构单元。即，从提高密封剂的固化性、进一步抑制表面的发粘的观点出发，上述式(1B)表示的有机聚硅氧烷优选具有(CH2=CHSiO3/2)表示的结构单元，优选具有下述式(1-a2)表示的结构单元。(R6SiO3/2)表示的结构单元可以仅包含下述式(1-a2)表示的结构单元，也可以包含下述式(1-a2)表示的结构单元和下述式(1-a2)表示的结构单元以外的结构单元。存在下述式(1-a2)表示的结构单元时，可通过乙烯基的反应而形成四官能的硅氧烷骨架，提高密封剂的交联密度，从而进一步减少表面的发粘。需要说明的是，在下述式(1-a2)表示的结构单元中，末端的氧原子通常与邻接的硅原子形成硅氧烷键，与邻接的结构单元共用氧原子。因此，将末端的三个氧原子视为“O3/2”。
[化学式10]
从提高密封剂的固化性、进一步抑制热循环中的裂纹及剥离的观点出发，上述第1有机聚硅氧烷优选包含在1个硅原子上键合有1个氢原子和2个碳原子数1～8的烃基(甲基或碳原子数2～8的烃基)的结构单元，上述式(1B)中，(R1R2R3SiO1/2)表示的结构单元优选包含R1代表氢原子、R2及R3代表甲基或碳原子数2～8的烃基的结构单元。即，从提高密封剂的固化性、进一步抑制热循环中的裂纹及剥离的观点出发，上述式(1B)表示的第2有机聚硅氧烷优选包含(HR2R3SiO1/2)表示的结构单元，优选具有下述式(1-b1)表示的结构单元。(R1R2R3SiO1/2)表示的结构单元可以仅包含下述式(1-b1)表示的结构单元，也可以包含下述式(1-b1)表示的结构单元和下述式(1-b1)表示的结构单元以外的结构单元。存在下述式(1-b1)表示的结构单元时，可以使末端存在氢原子。而通过末端存在氢原子，会使反应机会增多，从而能够进一步提高密封剂的固化性。需要说明的是，在下述式(1-b1)表示的结构单元中，末端的氧原子通常与邻接的硅原子形成硅氧烷键，与邻接的结构单元共用氧原子。因此，将末端的一个氧原子视为“O1/2”。
[化学式11]
上述式(1-b1)中，R2及R3分别代表甲基或碳原子数2～8的烃基。
上述第1有机聚硅氧烷中与硅原子键合的甲基的含有比例为80摩尔%以上。该甲基的含有比例为80摩尔%以上时，密封剂的耐热性大幅提高，并且，即使光半导体装置在高温高湿下的苛刻环境中通电的状态下使用，其光度也不易降低，且密封剂不易产生变色。上述第1有机聚硅氧烷中与硅原子键合的甲基的含有比例优选为85摩尔%以上、进一步优选为90摩尔%以上，优选为99.99摩尔%以下、更优选为99.9摩尔%以下、进一步优选为99摩尔%以下、特别优选为98摩尔%以下。上述甲基的含有比例在优选的上述下限以上时，密封剂的耐热性进一步提高。上述甲基的含有比例在上述上限以下时，可充分导入烯基，从而能够容易地提高密封剂的固化性。上述第1有机聚硅氧烷中与硅原子键合的甲基的含有比例可由下述式(X1)求出。
与硅原子键合的甲基的含有比例(摩尔%)={(上述第1有机聚硅氧烷的每1分子中所含的与硅原子键合的甲基的平均个数×甲基的分子量)/(上述第1有机聚硅氧烷的每1分子中所含的与硅原子键合的官能团的平均个数×官能团的分子量的平均值)}×100 …式(X1)
在上述式(1A)及上述式(1B)表示的第1有机聚硅氧烷中，(R4R5SiO2/2)表示的结构单元(以下也称为二官能结构单元)可以包含下述式(1-2)表示的结构，即二官能结构单元中与硅原子键合的氧原子的1个构成羟基或烷氧基的结构。
(R4R5SiXO1/2) …式(1-2)
(R4R5SiO2/2)表示的结构单元包含下述式(1-b)表示的结构单元中由虚线包围的部分，此外，还可以包含下述式(1-2-b)表示的结构单元中由虚线包围的部分。即，具有R4及R5表示的基团、且在末端残留有烷氧基或羟基的结构单元也包括在(R4R5SiO2/2)表示的结构单元中。具体而言，烷氧基转变为硅氧烷键的部分骨架的情况下，(R4R5SiO2/2)表示的结构单元代表下述式(1-b)表示的结构单元中由虚线包围的部分。在残留有未反应的烷氧基的情况下、或烷氧基转变为羟基的情况下，具有残留的烷氧基或羟基的(R4R5SiO2/2)表示的结构单元代表下述式(1-2-b)表示的结构单元中由虚线包围的部分。另外，在下述式(1-b)表示的结构单元中，Si-O-Si键中的氧原子与邻接的硅原子形成硅氧烷键，与邻接的结构单元共用氧原子。因此，将Si-O-Si键中的一个氧原子视为“O1/2”。
[化学式12]
上述式(1-2)及式(1-2-b)中，X代表OH或OR，OR代表直链状或支链状的碳原子数1～4的烷氧基。上述式(1-b)、式(1-2)及式(1-2-b)中的R4及R5是与上述式(1A)及上述式(1B)中的R4及R5相同的基团。
在上述式(1A)及上述式(1B)表示的第1有机聚硅氧烷中，(R6SiO3/2)表示的结构单元(以下也称为三官能结构单元)可以包含下述式(1-3)或式(1-4)表示的结构，即三官能结构单元中与硅原子键合的氧原子的2个分别构成羟基或烷氧基的结构、或三官能结构单元中与硅原子键合的氧原子的1个构成羟基或烷氧基的结构。
(R6SiX2O1/2) …式(1-3)
(R6SiXO2/2) …式(1-4)
(R6SiO3/2)表示的结构单元包含下述式(1-c)表示的结构单元中由虚线包围的部分，此外，还可以包含下述式(1-3-c)或式(1-4-c)表示的结构单元中由虚线包围的部分。即，具有R6表示的基团、且在末端残留有烷氧基或羟基的结构单元也包括在(R6SiO3/2)表示的结构单元中。
[化学式13]
上述式(1-3)、式(1-3-c)、式(1-4)及式(1-4-c)中，X代表OH或OR，OR代表直链状或支链状的碳原子数1～4的烷氧基。上述式(1-c)、式(1-3)、式(1-3-c)、式(1-4)及式(1-4-c)中的R6是与上述式(1A)及上述式(1B)中的R6相同的基团。
上述式(1-b)及式(1-c)、上述式(1-2)～式(1-4)、以及上述式(1-2-b)、式(1-3-c)及式(1-4-c)中，作为直链状或支链状的碳原子数1～4的烷氧基，并无特殊限制，可列举例如：甲氧基、乙氧基、正丙氧基、正丁氧基、异丙氧基、异丁氧基、仲丁氧基及叔丁氧基。
上述式(1A)中，a/(a+b+c)的下限为0、上限为0.30。a/(a+b+c)在上述上限以下时，密封剂的耐热性进一步提高、并且可以进一步抑制密封剂的剥离。上述式(1A)中，a/(a+b+c)优选为0.25以下、更优选为0.20以下。需要说明的是，在a为0、a/(a+b+c)为0的情况下，上述式(1A)中，不存在(R1R2R3SiO1/2)的结构单元。
上述式(1A)中，b/(a+b+c)的下限为0.70、上限为1.0。b/(a+b+c)在上述下限以上时，密封剂的固化物不会变得过硬，密封剂不易产生裂纹。上述式(1A)中，b/(a+b+c)优选为0.75以上、更优选为0.80以上、进一步优选为0.85以上。
上述式(1A)中，c/(a+b+c)的下限为0、上限为0.10。c/(a+b+c)在上述上限以下时，容易保持作为密封剂的适宜的粘度，可进一步提高密封剂的密合性。上述式(1A)中，c/(a+b+c)优选为0.05以下。需要说明的是，在c为0、c/(a+b+c)为0的情况下，上述式(1A)中，不存在(R6SiO3/2)的结构单元。
上述第1有机聚硅氧烷为上述式(1A)表示的第1有机聚硅氧烷的情况下，上述式(1A)中的c/(a+b+c)优选为0。即，上述式(1A)表示的第1有机聚硅氧烷优选为下述式(1Aa)表示的第1有机聚硅氧烷。由此，密封剂上更加不易产生裂纹，且密封剂更不易从外罩材料等上剥离。
[化学式14]
(R1R2R3SiO1/2)a(R4R5SiO2/2)b …(1Aa)
上述式(1Aa)中，a及b满足a/(a+b)=0～0.30及b/(a+b)=0.70～1.0，R1～R5中的至少1个代表烯基、至少1个代表甲基、烯基及甲基以外的R1～R5代表碳原子数2～8的烃基。
上述式(1Aa)中，a/(a+b)优选为0.25以下、更优选为0.20以下、进一步优选为0.15以下。上述式(1Aa)中，b/(a+b)优选为0.75以上、更优选为0.80以上、进一步优选为0.85以上。
上述式(1B)中，a/(a+b+c)的下限为0.10、上限为0.50。a/(a+b+c)为上述上限以下时，密封剂的耐热性进一步提高，并且能够抑制密封剂的表面发粘。
上述式(1B)中，b/(a+b+c)的下限为0、上限为0.40。b/(a+b+c)为上述上限以下时，能够进一步抑制密封剂的剥离，并且能够抑制密封剂的表面发粘。需要说明的是，在b为0、b/(a+b+c)为0的情况下，上述式(1B)中，不存在(R4R5SiO2/2)的结构单元。
上述式(1B)中，c/(a+b+c)的下限为0.40、上限为0.90。c/(a+b+c)为上述下限以上时，密封剂的耐热性进一步提高，并且能够抑制密封剂的表面发粘。
对于上述第1有机聚硅氧烷，以四甲基硅烷(以下称为TMS)为基准进行29Si-核磁共振分析(以下称为NMR)时，虽然根据取代基的种类不同会观察到一些变动，但相当于上述式(1A)、上述式(1Aa)及上述式(1B)中的(R1R2R3SiO1/2)表示的结构单元的峰在+10～-5ppm附近出现，相当于上述式(1A)、上述式(1Aa)及上述式(1B)中的(R4R5SiO2/2)表示的结构单元及上述式(1-2)的二官能结构单元的各峰在-10～-50ppm附近出现，相当于上述式(1A)及上述式(1B)中的(R6SiO3/2)表示的结构单元、以及上述式(1-3)及上述式(1-4)的三官能结构单元的各峰在-50～-80ppm附近出现。
因此，通过测定29Si-NMR、比较各个信号峰的面积，可以测定上述式(1A)、上述式(1Aa)及上述式(1B)中各结构单元的比例。
然而，在通过上述以TMS为基准的29Si-NMR的测定无法辨别出上述式(1A)、上述式(1Aa)及上述式(1B)中的结构单元的情况下，通过不只使用29Si-NMR的测定结果、而且根据需要使用1H-NMR的测定结果，可以分辨出上述式(1A)、上述式(1Aa)及上述式(1B)中各结构单元的比例。
(第2有机聚硅氧烷)
本发明的光半导体装置用密封剂中所含的第2有机聚硅氧烷具有与硅原子键合的氢原子和与硅原子键合的甲基。上述第2有机聚硅氧烷优选具有2个以上与硅原子键合的氢原子。氢原子和甲基直接与硅原子键合。上述第2有机聚硅氧烷可以仅使用1种，也可以2种以上组合使用。
[化学式15]
(R51R52R53SiO1/2)p(R54R55SiO2/2)q(R56SiO3/2)r …式(51A)
上述式(51A)中，p、q及r满足p/(p+q+r)=0.10～0.50、q/(p+q+r)=0～0.40、r/(p+q+r)=0.40～0.90，R51～R56中的至少1个代表氢原子、至少1个代表甲基、除氢原子及甲基以外的R51～R56代表碳原子数2～8的烃基。
[化学式16]
(R51R52R53SiO1/2)p(R54R55SiO2/2)q(R56SiO3/2)r …式(51B）
上述式(51B)中，p、q及r满足p/(p+q+r)=0～0.30、q/(p+q+r)=0.70～1.0及r/(p+q+r)=0～0.10，R51～R56中的至少1个代表氢原子、至少1个代表甲基、除氢原子及甲基以外的R51～R56代表碳原子数2～8的烃基。
需要说明的是，上述式(51A)及上述式(51B)中，(R54R55SiO2/2)表示的结构单元及(R56SiO3/2)表示的结构单元分别可以具有烷氧基、也可以具有羟基。
上述式(51A)及上述式(51B)分别表示平均组成式。上述式(51A)及上述式(51B)中的烃基可以为直链状，也可以为支链状。上述式(51A)及上述式(51B)中的R51～R56分别可以相同也可以不同。
上述式(51A)及上述式(51B)中，(R54R55SiO2/2)及(R56SiO3/2)表示的结构单元中的氧原子部分分别代表形成硅氧烷键的氧原子部分、烷氧基的氧原子部分、或羟基的氧原子部分。
作为上述式(51A)及上述式(51B)中的碳原子数2～8的烃基，并无特殊限制，可列举例如：乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、异丙基、异丁基、仲丁基、叔丁基、异戊基、新戊基、叔戊基、异己基、环己基、乙烯基、烯丙基及芳基。
从提高密封剂的固化性、进一步抑制热循环中的裂纹及剥离的观点出发，上述第2有机聚硅氧烷优选包含在1个硅原子上键合有1个氢原子和2个碳原子数1～8的烃基(甲基或碳原子数2～8的烃基)的结构单元，上述式(51A)及上述式(51B)中，(R51R52R53SiO1/2)表示的结构单元优选包含R51代表氢原子、R52及R53代表甲基或碳原子数2～8的烃基的结构单元。即，从提高密封剂的固化性、进一步抑制热循环中的裂纹及剥离的观点出发，上述第2有机聚硅氧烷优选具有(HR52R53SiO1/2)表示的结构单元，优选具有下述式(51-a)表示的结构单元。(R51R52R53SiO1/2)表示的结构单元可以仅包含下述式(51-a)表示的结构单元，也可以包含下述式(51-a)表示的结构单元和下述式(51-a)表示的结构单元以外的结构单元。存在下述式(51-a)表示的结构单元时，可以使末端存在氢原子。而通过末端存在氢原子，会使反应机会增多，从而能够进一步提高密封剂的固化性。需要说明的是，在下述式(51-a)表示的结构单元中，末端的氧原子通常与邻接的硅原子形成硅氧烷键，与邻接的结构单元共用氧原子。因此，将末端的一个氧原子视为“O1/2”。
[化学式17]
上述式(51-a)中，R52及R53分别代表甲基或碳原子数2～8的烃基。
从进一步提高密封剂的固化性、进一步抑制热循环中的裂纹及剥离的观点出发，特别优选上述第1有机聚硅氧烷具有上述式(1-a)表示的结构单元、且上述第2有机聚硅氧烷具有上述式(51-a)表示的结构单元。
从进一步提高密封剂的固化性的观点出发，上述式(51A)表示的第2有机聚硅氧烷优选具有与硅原子键合的烯基。此时，R51～R56中的至少1个代表氢原子、至少1个代表甲基、至少1个代表烯基、除氢原子、甲基及烯基以外的R51～R56代表碳原子数2～8的烃基。
上述第2有机聚硅氧烷中与硅原子键合的甲基的含有比例为80摩尔%以上。该甲基的含有比例为80摩尔%以上时，密封剂的耐热性大幅提高，并且，即使光半导体装置在高温高湿下的苛刻环境中通电的状态下使用，其光度也不易降低，且密封剂不易产生变色。上述第2有机聚硅氧烷中与硅原子键合的甲基的含有比例优选为85摩尔%以上，优选为99.99摩尔%以下、更优选为99.9摩尔%以下、进一步优选为99摩尔%以下、特别优选为98摩尔%以下。上述甲基的含有比例在优选的上述下限以上时，密封剂的耐热性进一步提高。上述甲基的含有比例在上述上限以下时，可充分导入与硅原子键合的氢原子，从而能够容易地提高密封剂的固化性。上述第2有机聚硅氧烷中与硅原子键合的甲基的含有比例可由下述式(X51)求出。
与硅原子键合的甲基的含有比例(摩尔%)={(上述第2有机聚硅氧烷的每1分子中所含的与硅原子键合的甲基的平均个数×甲基的分子量)/(上述第2有机聚硅氧烷的每1分子中所含的与硅原子键合的官能团的平均个数×官能团的分子量的平均值)}×100 …式(X51)
在上述式(51A)及上述式(51B)表示的第2有机聚硅氧烷中，(R54R55SiO2/2)表示的结构单元(以下也称为二官能结构单元)可以包含下述式(51-2)表示的结构，即，二官能结构单元中与硅原子键合的氧原子的1个构成羟基或烷氧基的结构。
(R54R55SiXO1/2) …式(51-2)
(R54R55SiO2/2)表示的结构单元包含下述式(51-b)表示的结构单元中由虚线包围的部分，此外，还可以包含下述式(51-2-b)表示的结构单元中由虚线包围的部分。即，具有R54及R55表示的基团、且在末端残留有烷氧基或羟基的结构单元也包括在(R54R55SiO2/2)表示的结构单元中。
[化学式18]
上述式(51-2)及式(51-2-b)中，X代表OH或OR，OR代表直链状或支链状的碳原子数1～4的烷氧基。上述式(51-b)、式(51-2)及式(51-2-b)中的R54及R55是与上述式(51A)及上述式(51B)中的R54及R55相同的基团。
在上述式(51A)及上述式(51B)表示的第2有机聚硅氧烷中，(R56SiO3/2)表示的结构单元(以下也称为三官能结构单元)可以包含下述式(51-3)或式(51-4)表示的结构，即，三官能结构单元中与硅原子键合的氧原子的2个分别构成羟基或烷氧基的结构、或三官能结构单元中与硅原子键合的氧原子的1个构成羟基或烷氧基的结构。
(R56SiX2O1/2) …式(51-3)
(R56SiXO2/2) …式(51-4)
(R56SiO3/2)表示的结构单元包含下述式(51-c)表示的结构单元中由虚线包围的部分，此外，还可以包含下述式(51-3-c)或式(51-4-c)表示的结构单元中由虚线包围的部分。即，具有R56表示的基团、且在末端残留有烷氧基或羟基的结构单元也包括在(R56SiO3/2)表示的结构单元中。
[化学式19]
上述式(51-3)、式(51-3-c)、式(51-4)及式(51-4-c)中，X代表OH或OR，OR代表直链状或支链状的碳原子数1～4的烷氧基。上述式(51-c)、式(51-3)、式(51-3-c)、式(51-4)及式(51-4-c)中的R56是与上述式(51A)及上述式(51B)中的R56相同的基团。
上述式(51-b)及式(51-c)、上述式(51-2)～式(51-4)、以及上述式(51-2-b)、式(51-3-c)及式(51-4-c)中，作为直链状或支链状的碳原子数1～4的烷氧基，并无特殊限制，可列举例如：甲氧基、乙氧基、正丙氧基、正丁氧基、异丙氧基、异丁氧基、仲丁氧基及叔丁氧基。
上述式(51A)中，p/(p+q+r)的下限为0.10、上限为0.50。p/(p+q+r)为上述上限以下时，密封剂的耐热性进一步提高，并且能够抑制密封剂的表面发粘。上述式(51A)中，p/(p+q+r)优选为0.40以下、更优选为0.35以下。
上述式(51A)中，q/(p+q+r)的下限为0、上限为0.40。q/(p+q+r)为上述上限以下时，可进一步抑制密封剂的剥离，并且能够抑制密封剂的表面发粘。上述式(51A)中，q/(p+q+r)优选为0.10以上、优选为0.35以下。需要说明的是，在q为0、q/(p+q+r)为0的情况下，上述式(51A)中，不存在(R54R55SiO2/2)的结构单元。
上述式(51A)中，r/(p+q+r)的下限为0.40、上限为0.90。r/(p+q+r)为上述下限以上时，可进一步抑制密封剂的剥离，并且能够抑制密封剂的表面发粘。上述式(51A)中，r/(p+q+r)优选为0.80以下、更优选为0.70以下。
上述式(51B)中，p/(p+q+r)的下限为0、上限为0.30。p/(p+q+r)为上述上限以下时，密封剂的耐热性进一步提高，并且能够进一步抑制密封剂的剥离。上述式(51B)中，p/(p+q+r)优选为0.25以下、更优选为0.20以下。需要说明的是，在p为0、p/(p+q+r)が0的情况下，上述式(51B)中，不存在(R51R52R53SiO1/2)的结构单元。
上述式(51B)中，q/(p+q+r)的下限为0.70、上限为1.0。q/(p+q+r)在上述下限以上时，密封剂的固化物不会变得过硬，密封剂不易产生裂纹。上述式(51B)中，q/(p+q+r)优选为0.75以上、更优选为0.80以上、进一步优选为0.85以上。
上述式(51B)中，r/(p+q+r)的下限为0、上限为0.10。r/(p+q+r)为上述上限以下时，容易保持作为密封剂的适宜的粘度，可进一步提高密封剂的密合性。上述式(51B)中的r/(p+q+r)优选为0.05以下。需要说明的是，在r为0、r/(p+q+r)为0的情况下，上述式(51B)中，不存在(R56SiO3/2)的结构单元。
上述第2有机聚硅氧烷为上述式(51B)表示的第2有机聚硅氧烷的情况下，上述式(51B)中的r/(p+q+r)优选为0。即，上述式(51B)表示的第2有机聚硅氧烷优选为下述式(51Bb)表示的第2有机聚硅氧烷。由此，密封剂上更加不易产生裂纹，且密封剂更不易从外罩材料等上剥离。
[化学式20]
(R51R52R53SiO1/2)p(R54R55SiO2/2)q …式(51Bb)
上述式(51Bb)中，p及q满足p/(p+q)=0～0.30及q/(p+q)=0.70～1.0，R51～R55中的至少1个代表氢原子、至少1个代表甲基、除氢原子及甲基以外的R51～R55代表碳原子数2～8的烃基。
上述式(51Bb)中，p/(p+q)优选为0.25以下、更优选为0.20以下、进一步优选为0.15以下。上述式(51Bb)中，q/(p+q)优选为0.70以上、更优选为0.80以上、进一步优选为0.85以上。
对于上述第2有机聚硅氧烷，以四甲基硅烷(以下称为TMS)为基准进行29Si-核磁共振分析(以下称为NMR)时，虽然根据取代基的种类不同会观察到一些变动，但相当于上述式(51A)、上述式(51B)及上述式(51Bb)中的(R51R52R53SiO1/2)表示的结构单元的峰在+10～-5ppm附近出现，相当于上述式(51A)、上述式(51B)及上述式(51Bb)中的(R54R55SiO2/2)表示的结构单元及上述式(51-2)的二官能结构单元的各峰在-10～-50ppm附近出现，相当于上述式(51A)及上述式(51B)中的(R56SiO3/2)表示的结构单元、以及上述式(51-3)及上述式(51-4)的三官能结构单元的各峰在-50～-80ppm附近出现。
因此，通过测定29Si-NMR、比较各个信号峰的面积，可以测定上述式(51A)、上述式(51B)及上述式(51Bb)中各结构单元的比例。
然而，在通过上述以TMS为基准的29Si-NMR的测定无法辨别出上述式(51A)、上述式(51B)及上述式(51Bb)中的结构单元的情况下，通过不只使用29Si-NMR的测定结果、而且根据需要使用1H-NMR的测定结果，可以分辨出上述式(51A)、上述式(51B)及上述式(51Bb)中各结构单元的比例。
相对于上述第1有机聚硅氧烷100重量份，上述第2有机聚硅氧烷的含量优选为10重量份以上且400重量份以下。第1、第2有机聚硅氧烷的含量在该范围内时，可以得到固化性更为优异的密封剂。从获得固化性更为优异的密封剂的观点来看，相对于上述第1有机聚硅氧烷100重量份，上述第2有机聚硅氧烷的含量更优选为15重量份以上、进一步优选为20重量份以上，更优选为300重量份以下、进一步优选为200重量份以下。
(第1、第2有机聚硅氧烷的其它性质及其合成方法)
上述第1、第2有机聚硅氧烷的烷氧基的含量优选为0.1摩尔%以上，优选为10摩尔%以下、更优选为5摩尔%以下。烷氧基的含量在上述下限以上时，密封剂的密合性提高。烷氧基的含量在上述上限以下时，上述第1、第2有机聚硅氧烷及密封剂的贮存稳定性提高，密封剂的耐热性进一步提高。
上述烷氧基的含量表示上述第1、第2有机聚硅氧烷的平均组成式中所含的烷氧基的量。
优选上述第1、第2有机聚硅氧烷不含有硅烷醇基。上述第1、第2有机聚硅氧烷不含硅烷醇基时，上述第1、第2有机聚硅氧烷及密封剂的贮存稳定性提高。可以通过在真空下进行加热来减少上述硅烷醇基。硅烷醇基的含量可以使用红外分光法测定。
从将密封剂的粘度调整至良好的范围内的观点出发，上述式(1A)表示的第1有机聚硅氧烷及上述式(51B)表示的第2有机聚硅氧烷的数均分子量分别优选为10000以上、更优选为20000以上，优选为100000以下。从将密封剂的粘度调整至良好的范围内的观点出发，上述式(51A)表示的第2有机聚硅氧烷及上述式(1B)表示的第1有机聚硅氧烷的数均分子量分别优选为1000以上、更优选为2000以上，优选为10000以下。
从进一步抑制冷热循环中的裂纹及剥离的观点出发，上述式(1A)表示的第1有机聚硅氧烷及上述式(51B)表示的第2有机聚硅氧烷的数均分子量分别优选为20000以上，可以认为，其数均分子量越高则越优选。但是，从进一步抑制冷热循环中的裂纹及剥离的观点出发，由于上述式(1A)中的烯基以及上述式(51B)中的氢原子优选配置于有机聚硅氧烷的末端，因此，可能上述数均分子量越高则烯基以及氢原子的含有比例越下降。从减少密封剂的表面发粘的观点出发，上述式(1A)中的烯基的含有比例以及上述式(51B)中与硅原子键合的氢原子的含有比例分别优选为0.05摩尔%以上、更优选为0.3摩尔%以上。
从抑制密封剂的表面发粘的观点出发，上述式(1A)表示的第1有机聚硅氧烷及上述式(51B)表示的第2有机聚硅氧烷的数均分子量分别优选为50000以下。特别是，当上述式(1A)中的烯基的含有比例以及上述式(51B)中与硅原子键合的氢原子的含有比例在上述下限以上时，如果上述式(1A)表示的第1有机聚硅氧烷及上述式(51B)表示的第2有机聚硅氧烷的数均分子量在50000以下，则能够有效地抑制密封剂的表面发粘。
上述数均分子量(Mn)是利用凝胶渗透色谱法(GPC)、以聚苯乙烯作为标准物质求出的值。上述数均分子量(Mn)表示使用Waters公司制造的测定装置(柱：昭和电工公司制造的Shodex GPC LF-804(长度300mm)，2根，测定温度：40℃，流速：1mL/分钟，溶剂：四氢呋喃，标准物质：聚苯乙烯)测定的值。
作为合成上述第1、第2有机聚硅氧烷的方法，并无特殊限定，可列举使烷氧基硅烷化合物水解并进行缩合反应的方法、以及使氯硅烷化合物水解并进行缩合的方法。其中，从控制反应的观点出发，优选使烷氧基硅烷化合物水解并进行缩合的方法。
作为使上述烷氧基硅烷化合物水解并进行缩合反应的方法，可列举例如：使烷氧基硅烷化合物在水和酸性催化剂或碱性催化剂的存在下反应的方法。此外，也可以将二硅氧烷化合物水解后使用。
作为用于向上述第1有机聚硅氧烷导入烯基的有机硅化合物，可列举：乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基甲基二甲氧基硅烷、甲氧基二甲基乙烯基硅烷、乙烯基二甲基乙氧基硅烷及1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷等。
作为用于向上述第2有机聚硅氧烷导入与硅原子键合的氢原子的有机硅化合物，可列举：三甲氧基硅烷、三乙氧基硅烷、甲基二甲氧基硅烷、甲基二乙氧基硅烷、及1,1,3,3-四甲基二硅氧烷等。
作为可以用于获得上述第1、第2有机聚硅氧烷的其它有机硅化合物，可列举例如：三甲基甲氧基硅烷、三甲基乙氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、异丙基(甲基)二甲氧基硅烷、环己基(甲基)二甲氧基硅烷、甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、乙基三甲氧基硅烷、乙基三乙氧基硅烷、己基三甲氧基硅烷及辛基三甲氧基硅烷等。
作为用于根据需要向上述第1、第2有机聚硅氧烷导入芳基的有机硅化合物，可列举：三苯基甲氧基硅烷、三苯基乙氧基硅烷、二苯基二甲氧基硅烷、二苯基二乙氧基硅烷、甲基(苯基)二甲氧基硅烷、及苯基三甲氧基硅烷等。
作为上述酸性催化剂，可列举例如：无机酸、有机酸、无机酸的酸酐及其衍生物、以及有机酸的酸酐及其衍生物。
作为上述无机酸，可列举例如：盐酸、磷酸、硼酸及碳酸。作为上述有机酸，可列举例如：甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、乳酸、苹果酸、酒石酸、柠檬酸、草酸、丙二酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、富马酸、马来酸及油酸。
作为上述碱性催化剂，可列举例如：碱金属的氢氧化物、碱金属的醇盐及碱金属的硅烷醇化合物。
作为上述碱金属的氢氧化物，可列举例如：氢氧化钠、氢氧化钾及氢氧化铯。作为上述碱金属的醇盐，可列举例如：叔丁醇钠、叔丁醇钾及叔丁醇铯。
作为上述碱金属的硅烷醇化合物，可列举例如：硅烷醇钠化合物、硅烷醇钾化合物及硅烷醇铯化合物。其中，优选钾系催化剂或铯系催化剂。
(硅氢化反应用催化剂)
本发明的光半导体装置用密封剂中所含的硅氢化反应用催化剂是使上述第1有机聚硅氧烷中的烯基和上述第2有机聚硅氧烷中的与硅原子键合的氢原子发生硅氢化反应的催化剂。
作为上述硅氢化反应用催化剂，可以使用使硅氢化反应进行的各种催化剂。上述硅氢化反应用催化剂可以仅使用1种，也可以2种以上组合使用。
作为上述硅氢化反应用催化剂，可以列举例如：铂系催化剂、铑系催化剂及钯系催化剂等。由于可以提高密封剂的透明性，因此优选铂系催化剂。
作为上述铂系催化剂，可列举铂粉末、氯铂酸、铂-烯基硅氧烷络合物、铂-烯烃络合物及铂-羰基络合物。尤其优选铂-烯基硅氧烷络合物或铂-烯烃络合物。
作为上述铂-烯基硅氧烷络合物中的烯基硅氧烷，可列举例如：1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷、及1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四乙烯基环四硅氧烷等。作为上述铂-烯烃络合物中的烯烃，可列举例如：烯丙基醚及1,6-庚二烯等。
由于可以提高上述铂-烯基硅氧烷络合物及铂-烯烃络合物的稳定性，因此，优选在上述铂-烯基硅氧烷络合物或铂-烯烃络合物中添加烯基硅氧烷、有机硅氧烷低聚物、烯丙基醚或烯烃。上述烯基硅氧烷优选为1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷。上述有机硅氧烷低聚物优选为二甲基硅氧烷低聚物。上述烯烃优选为1,6-庚二烯。
从进一步抑制在高温下或高湿下的苛刻环境中通电状态下使用时的光度的降低、并进一步抑制密封剂的变色的观点出发，上述硅氢化反应用催化剂优选为铂的烯基络合物。从进一步抑制在高温下或高湿下的苛刻环境中通电状态下使用时的光度的降低、并进一步抑制密封剂的变色的观点出发，上述铂的烯基络合物优选为由氯铂酸6水合物和6当量以上的2官能以上烯基化合物反应而得到的铂的烯基络合物。此时，铂的烯基络合物为氯铂酸6水合物和6当量以上的2官能以上烯基化合物的反应产物。另外，通过使用上述铂的烯基络合物，还可以提高密封剂的透明性。上述铂的烯基络合物可以仅使用1种，也可以2种以上组合使用。
作为用于获得上述铂的烯基络合物的铂原料，优选使用上述氯铂酸6水合物(H2PtCl6·6H2O)。
作为用于获得上述铂的烯基络合物的上述6当量以上的2官能以上烯基化合物，可列举例如：1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷、1,3-二甲基-1,3-二苯基-1,3-二乙烯基二硅氧烷及1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四乙烯基环四硅氧烷等。
关于上述6当量以上的2官能以上烯基化合物中的“当量”，将相对于上述氯铂酸6水合物1摩尔，上述2官能以上的烯基化合物为1摩尔时的重量作为1当量。上述6当量以上的2官能以上烯基化合物优选为50当量以下。
作为用于获得上述铂的烯基络合物的溶剂，可列举例如：甲醇、乙醇、2-丙醇及1-丁醇等醇类溶剂。也可以使用甲苯及二甲苯等芳香族类溶剂。上述溶剂可以仅使用1种，也可以2种以上组合使用。
为了获得上述铂的烯基络合物，除了上述成分以外，还可以使用单官能的乙烯基化合物。作为上述单官能的乙烯基化合物，可列举例如：三甲氧基乙烯基硅烷、三乙氧基乙烯基硅烷及乙烯基甲基二甲氧基硅烷等。
关于氯铂酸6水合物和6当量以上的2官能以上烯基化合物的反应产物，铂元素与6当量以上的2官能以上烯基化合物之间形成共价键、或形成配位、或既形成共价键又形成配位。
在密封剂中，上述硅氢化反应用催化剂的含量以金属原子(对于铂的烯基络合物的情况而言，为铂原子)的重量单位计优选为0.01ppm以上且1000ppm以下。上述硅氢化反应用催化剂的含量为0.01ppm以上时，容易使密封剂充分固化。上述硅氢化反应用催化剂的含量为1000ppm以下时，不易产生固化物着色的问题。上述硅氢化反应用催化剂的含量更优选为1ppm以上、更优选为500ppm以下。
(氧化硅粒子)
本发明的光半导体装置用密封剂优选包含氧化硅粒子。通过使用该氧化硅粒子，可以将固化前的密封剂的粘度调整至适当范围，而不会破坏密封剂的固化物的耐热性及耐光性。因此，能够提高密封剂的操作性。另外，优选利用有机硅化合物对上述氧化硅粒子进行表面处理。通过该表面处理，可以使氧化硅粒子的分散性变得非常高，能够进一步抑制由温度上升而引起的固化前密封剂的粘度下降。
上述氧化硅粒子的初级粒径优选为5nm以上、更优选为8nm以上，优选为200nm以下、更优选为150nm以下。上述氧化硅粒子的初级粒径在上述下限以上时，氧化硅粒子的分散性进一步提高，密封剂的固化物的透明性进一步提高。上述氧化硅粒子的初级粒径在上述上限以下时，可充分获得25℃下粘度的上升效果，并且能够抑制温度上升时的粘度下降。
上述氧化硅粒子的初级粒径可以如下地进行测定。使用透射型电子显微镜(商品名“JEM-2100”、日本电子公司制)对光半导体装置用密封剂的固化物进行观察。分别测定视场中的100个氧化硅粒子的初级粒子的大小，将测定值的平均值作为初级粒径。上述初级粒径在上述氧化硅粒子为球形的情况下代表氧化硅粒子的直径的平均值，在上述氧化硅粒子为非球形的情况下代表氧化硅粒子的长径的平均值。
上述氧化硅粒子的BET比表面积优选为30m2/g以上、优选为400m2/g以下。上述氧化硅粒子的BET比表面积在30m2/g以上时，可以将密封剂的25℃下的粘度控制在适宜的范围，能够抑制温度上升时的粘度下降。上述氧化硅粒子的BET比表面积在400m2/g以下时，不易产生氧化硅粒子的凝聚，可以提高分散性，进而，能够进一步提高密封剂的固化物的透明性。
作为上述氧化硅粒子，并无特殊限制，可列举例如：气相二氧化硅、熔融二氧化硅等通过干式法制造的二氧化硅、以及胶体二氧化硅、溶胶-凝胶二氧化硅、沉淀二氧化硅等通过湿式法制造的二氧化硅等。其中，从获得挥发成分少、且透明性更高的密封剂的观点出发，作为上述氧化硅粒子，优选使用气相二氧化硅。
作为上述气相二氧化硅，可列举例如：Aerosil50(比表面积:50m2/g)、Aerosil90(比表面积:90m2/g)、Aerosil130(比表面积:130m2/g)、Aerosil200(比表面积:200m2/g)、Aerosil300(比表面积:300m2/g)、及Aerosil380(比表面积:380m2/g)(均由日本AEROSIL公司制造)等。
作为上述有机硅化合物，并无特殊限制，可列举例如：具有烷基的硅烷类化合物、二甲基硅氧烷等具有硅氧烷骨架的硅类化合物、具有氨基的硅类化合物、具有(甲基)丙烯酰基的硅类化合物、及具有环氧基的硅类化合物等。上述“(甲基)丙烯酰基”代表丙烯酰基和甲基丙烯酰基。
从进一步提高氧化硅粒子的分散性的观点出发，上述有机硅化合物优选为选自具有二甲基甲硅烷基的有机硅化合物、具有三甲基甲硅烷基的有机硅化合物及具有聚二甲基硅氧烷基的有机硅化合物中的至少1种。
作为利用有机硅化合物进行表面处理的方法的一例，在使用具有二甲基甲硅烷基的有机硅化合物或具有三甲基甲硅烷基的有机硅化合物的情况下，可列举使用例如二氯二甲基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷、六甲基二硅氮烷、三甲基氯硅烷及三甲基甲氧基硅烷等对氧化硅粒子进行表面处理的方法。在使用具有聚二甲基硅氧烷基的有机硅化合物的情况下，可列举使用聚二甲基硅氧烷基的末端具有硅烷醇基的化合物及环状硅氧烷等对氧化硅粒子进行表面处理的方法。
作为利用上述具有二甲基甲硅烷基的有机硅化合物进行了表面处理的氧化硅粒子的市售品，可列举R974(比表面积:170m2/g)、及R964(比表面积:250m2/g)(均由日本AEROSIL公司制造)等。
作为利用上述具有三甲基甲硅烷基的有机硅化合物进行了表面处理的氧化硅粒子的市售品，可列举RX200(比表面积:140m2/g)、及R8200(比表面积:140m2/g)(均由日本AEROSIL公司制造)等。
作为利用上述具有聚二甲基硅氧烷基的有机硅化合物进行了表面处理的氧化硅粒子的市售品，可列举RY200(比表面积:120m2/g)(日本AEROSIL公司制)等。
对于利用上述有机硅化合物对氧化硅粒子进行表面处理的方法并无特殊限制。作为该方法，可列举例如：向混合机中添加氧化硅粒子，边搅拌边添加有机硅化合物的干式法；在氧化硅粒子的浆料中添加有机硅化合物的浆料法；以及在氧化硅粒子干燥后喷雾赋予有机硅化合物的喷雾法等直接处理法等。作为上述干式法中所使用的混合机，可列举亨舍尔混合机及V型混合机等。在上述干式法中，有机硅化合物可以直接或以醇水溶液、有机溶剂溶液或水溶液的形式进行添加。
为了得到利用上述有机硅化合物进行表面处理的氧化硅粒子，也可以采用在制备光半导体装置用密封剂时，在将氧化硅粒子和上述第1、第2有机聚硅氧烷等基体树脂混合时直接添加有机硅化合物的整体掺混法法等。
相对于上述第1有机聚硅氧烷和上述第2有机聚硅氧烷的总量100重量份，上述氧化硅粒子的含量优选为0.1重量份以上、更优选为0.5重量份以上，优选为40重量份以下、更优选为35重量份以下、进一步优选为20重量份以下。上述氧化硅粒子的含量在上述下限以上时，能够抑制固化时的粘度下降。上述氧化硅粒子的含量在上述上限以下时，可以将密封剂的粘度控制在更为适宜的范围内，并且能够进一步提高密封剂的透明性。
(荧光体)
本发明的光半导体装置用密封剂还可以进一步包含荧光体。另外，本发明的光半导体装置用密封剂也可以不包含荧光体。此时，密封剂可以在使用时在添加荧光体后使用。即使向密封剂添加荧光体，所添加的荧光体也不易发生沉降。
上述荧光体如下所述地发挥作用：其通过吸收使用光半导体装置用密封剂进行密封的发光元件所发出的光并产生荧光，最终可获得所需颜色的光。上述荧光体可以由发光元件发出的光激发而发出荧光，并通过发光元件发出的光与荧光体发出的荧光的组合而获得所需颜色的光。
例如，在使用紫外线LED芯片作为发光元件并以最终获得白色光为目的的情况下，优选将蓝色荧光体、红色荧光体及绿色荧光体组合使用。在使用蓝色LED芯片作为发光元件并以最终获得白色光为目的的情况下，优选将绿色荧光体及红色荧光体组合使用、或使用黄色荧光体。上述荧光体可以仅使用1种，也可以2种以上组合使用。
作为上述蓝色荧光体，并无特殊限制，可列举例如：(Sr、Ca、Ba、Mg)10(PO4)6Cl2:Eu、(Ba、Sr)MgAl10O17:Eu、(Sr、Ba)3MgSi2O8:Eu等。
作为上述红色荧光体，并无特殊限制，可列举例如：(Sr、Ca)S:Eu、(Ca、Sr)2Si5N8:Eu、CaSiN2:Eu、CaAlSiN3:Eu、Y2O2S:Eu、La2O2S:Eu、LiW2O8:(Eu、Sm)、(Sr、Ca、Bs、Mg)10(PO4)8Cl2:(Eu、Mn)、Ba3MgSi2O8:(Eu、Mn)等。
作为上述绿色荧光体，并无特殊限制，可列举例如：Y3(Al、Ga)5O12:Ce、SrGa2S4:Eu、Ca3Sc2Si3O12:Ce、SrSiON:Eu、ZnS:(Cu、Al)、BaMgAl10O17(Eu、Mn)、SrAl2O4:Eu等。
作为上述黄色荧光体，并无特殊限制，可列举例如：Y3Al5O12:Ce、(Y、Gd)3Al5O12:Ce、Tb3Al5O12:Ce、CaGa2S4:Eu、Sr2SiO4:Eu等。
此外，作为上述荧光体，可列举作为有机荧光体的苝类化合物等。
为了获得所需颜色的光，可以对上述荧光体的含量进行适当调整，并无特殊限制。相对于本发明的光半导体装置用密封剂100重量份，上述荧光体的含量优选为0.1重量份以上且40重量份以下。相对于光半导体装置用密封剂的除荧光体以外的全部成分100重量份，上述荧光体的含量优选为0.1重量份以上且40重量份以下。
(偶联剂)
为了赋予粘接性，本发明的光半导体装置用密封剂中可以进一步含有偶联剂。
作为上述偶联剂，并无特殊限制，可列举例如硅烷偶联剂等。作为该硅烷偶联剂，可列举：乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、2-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、及N-苯基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷等。偶联剂可以仅使用1种，也可以2种以上组合使用。
(其它成分)
根据需要，本发明的光半导体装置用密封剂中还可以进一步含有分散剂、抗氧化剂、消泡剂、着色剂、改性剂、流平剂、光扩散剂、导热性填料或阻燃剂等添加剂。
需要说明的是，也可以预先分别配置包含上述第1有机聚硅氧烷、上述第2有机聚硅氧烷及上述硅氢化反应用催化剂中的1种或2种以上的液体，在即将使用之前再将多种液体混合来制备本发明的光半导体装置用密封剂。例如，可以预先分别制备包含上述第1有机聚硅氧烷及上述硅氢化反应用催化剂的A液、和包含上述第2有机聚硅氧烷的B液，在即将使用之前再将A液和B液混合来制备本发明的光半导体装置用密封剂。此时，上述氧化硅粒子及上述荧光体分别既可以添加到A液中，也可以添加到B液中。并且，通过这样地将上述第1有机聚硅氧烷及上述硅氢化反应用催化剂、和上述第2有机聚硅氧烷分别制成第1液和第2液这两种液体，可以提高密封剂的保存稳定性。
(光半导体装置用密封剂的详细及用途)
本发明的光半导体装置用密封剂的固化温度并无特殊限制。光半导体装置用密封剂的固化温度优选为80℃以上、更优选为100℃以上，优选为180℃以下、更优选为150℃以下。固化温度在上述下限以上时，可使密封剂的固化充分进行。固化温度在上述上限以下时，不易发生组件的热劣化。
固化方式并无特殊限制，但优选采用分步固化方式。分步固化方式是首先在低温下进行预固化，然后在高温下进行固化的方法。通过采用分步固化方式，可以抑制密封剂的固化收缩。
作为本发明的光半导体装置用密封剂的制造方法，并无特殊限制，可列举例如使用均质分散机、均质混合机、万能混合机、行星混合机、捏合机、三辊或珠磨机等混合机在常温或加温下将上述第1有机聚硅氧烷、上述第2有机聚硅氧烷、上述硅氢化反应用催化剂、以及根据需要而配合的其它成分混合的方法等。
作为上述发光元件，只要是使用半导体的发光元件就没有特别限定，例如，在上述发光元件为发光二极管的情况下，可列举例如在基板上叠层有LED形式用半导体材料的结构。此时，作为半导体材料，可列举例如GaAs、GaP、GaAlAs、GaAsP、AlGaInP、GaN、InN、AlN、InGaAlN及SiC等。
作为上述基板的材料，可列举例如：蓝宝石、尖晶石、SiC、Si、ZnO、及GaN单晶等。另外，也可以根据需要在基板和半导体材料之间形成缓冲层。作为上述缓冲层的材料，可列举例如GaN及AlN等。
作为本发明的光半导体装置，具体可列举例如发光二极管装置、半导体激光装置及光耦合器等。这样的光半导体装置适宜用于例如液晶显示器等的背光灯、照明、各种传感器、打印机及复印机等的光源、车辆用计测器光源、信号灯、显示灯、显示装置、面状发光体的光源、显示器、装饰、各种灯以及开关元件等。
在本发明的光半导体装置中，利用本发明的光半导体装置用密封剂密封由光半导体形成的发光元件。在本发明的光半导体装置中，以密封由LED等光半导体形成的发光元件的方式配置有光半导体装置用密封剂的固化物。由此，不易在密封发光元件的光半导体装置用密封剂的固化物上产生裂纹，不易发生自组件的剥离，并且可以提高光透过性、耐热性、耐候性及阻气性。
(光半导体装置的实施方式)
图1为正面剖视图，示出了本发明的一实施方式涉及的光半导体装置。
本实施方式的光半导体装置1具有外罩2。外罩2内实际安装有由LED构成的光半导体元件3。该光半导体元件3的周围被外罩2的具有光反射性的内面2a包围。在本实施方式中，使用光半导体元件3作为由光半导体形成的发光元件。
内面2a以越朝向开口端内面2a的直径越大的方式形成。由此，从光半导体元件3发出的光中到达内面2a的光被内面2a反射，前进至光半导体元件3的前方侧。为了对光半导体元件3进行密封，在由内面2a包围的区域内填充有光半导体装置用密封剂4。
需要说明的是，图1所示的结构只是本发明的光半导体装置的一例，光半导体装置的实际安装结构等可进行适当变形。
以下，结合实施例对本发明进行更为详细的说明。本发明并不限定于下述实施例。
(合成例1)式(1A)表示的第1有机聚硅氧烷的合成
向具备温度计、滴加装置及搅拌机的1000mL的可拆式烧瓶中加入二甲基二甲氧基硅烷476g、及1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷5.3g，并于50℃下进行搅拌。向其中缓慢地滴加氢氧化钾2.2g溶于144g水中而得到的溶液，滴加后，于50℃搅拌6小时，使其反应，得到了反应液。接着，减压以除去挥发成分，向反应液中添加乙酸2.4g，并在减压下进行了加热。然后，通过过滤除去乙酸钾，得到了聚合物(A)。
所得聚合物(A)的数均分子量为5830。利用29Si-NMR对化学结构进行鉴定的结果显示，聚合物(A)具有下述平均组成式(A1)。
(Me2SiO2/2)0.98(ViMe2SiO1/2)0.022 …式(A1)
上述式(A1)中，Me代表甲基、Vi代表乙烯基。所得聚合物(A)的甲基的含有比例为98.9摩尔%、乙烯基的含有比例为1.1摩尔%。
需要说明的是，合成例1及合成例2～11中得到的各聚合物的分子量如下地进行了测定：向10mg聚合物中加入四氢呋喃1mL，进行搅拌直至溶解，通过GPC测定对各聚合物的分子量进行了测定。GPC测定中使用了Waters公司制造的测定装置(柱：昭和电工公司制造Shodex GPC LF-804(长300mm)×2根、测定温度:40℃、流速:1mL/min、溶剂:四氢呋喃、标准物质:聚苯乙烯)。
(合成例2)式(1A)表示的第1有机聚硅氧烷的合成
向具备温度计、滴加装置及搅拌机的1000mL的可拆式烧瓶中加入二甲基二甲氧基硅烷486g、及1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷2.7g，并于50℃下进行搅拌。向其中缓慢地滴加氢氧化钾2.2g溶于144g水中而得到的溶液，滴加后，于50℃搅拌6小时，使其反应，得到了反应液。接着，减压以除去挥发成分，向反应液中添加乙酸2.4g，并在减压下进行了加热。然后，通过过滤除去乙酸钾，得到了聚合物(B)。
所得聚合物(B)的数均分子量为37400。利用29Si-NMR对化学结构进行鉴定的结果显示，聚合物(B)具有下述平均组成式(B1)。
(Me2SiO2/2)0.992(ViMe2SiO1/2)0.008 …式(B1)
上述式(B1)中，Me代表甲基、Vi代表乙烯基。所得聚合物(B)的甲基的含有比例为99.6摩尔%、乙烯基的含有比例为0.4摩尔%。
(合成例3)式(1A)表示的第1有机聚硅氧烷的合成
向具备温度计、滴加装置及搅拌机的1000mL的可拆式烧瓶中加入二甲基二甲氧基硅烷488g、及1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷1.2g，并于50℃下进行搅拌。向其中缓慢地滴加氢氧化钾2.2g溶于144g水中而得到的溶液，滴加后，于50℃搅拌6小时，使其反应，得到了反应液。接着，减压以除去挥发成分，向反应液中添加乙酸2.4g，并在减压下进行了加热。然后，通过过滤除去乙酸钾，得到了聚合物(C)。
所得聚合物(C)的数均分子量为82800。利用29Si-NMR对化学结构进行鉴定的结果显示，聚合物(C)具有下述平均组成式(C1)。
(Me2SiO2/2)0.998(ViMe2SiO1/2)0.002 …式(C1)
上述式(C1)中，Me代表甲基、Vi代表乙烯基。所得聚合物(C)的甲基的含有比例为99.9摩尔%、乙烯基的含有比例为0.1摩尔%。
(合成例4)式(1A)表示的第1有机聚硅氧烷或式(51B)表示的第2有机聚硅氧烷的合成
向具备温度计、滴加装置及搅拌机的1000mL的可拆式烧瓶中加入二甲基二甲氧基硅烷298g、甲基三甲氧基硅烷17g、乙烯基三甲氧基硅烷31g、及1,1,3,3-四甲基二硅氧烷40g，并于50℃下进行搅拌。向其中缓慢地滴加盐酸2.0g和水134g的溶液，滴加后，于50℃搅拌6小时，使其反应，得到了反应液。接着，减压除去挥发成分，得到了聚合物。向所得聚合物中添加己烷150g和乙酸乙酯150g，利用离子交换水300g进行10次洗涤，减压除去挥发成分，得到了聚合物(D)。
所得聚合物(D)的数均分子量为9530。利用29Si-NMR对化学结构进行鉴定的结果显示，聚合物(D)具有下述平均组成式(D1)。
(Me2SiO2/2)0.81(MeSiO3/2)0.03(ViSiO3/2)0.07(HMe2SiO1/2)0.09 …式(D1)
上述式(D1)中，Me代表甲基、Vi代表乙烯基。所得聚合物(D)的甲基的含有比例为92.0摩尔%、乙烯基的含有比例为3.5摩尔%、与硅原子键合的氢原子的含有比例为4.5摩尔%。
(合成例5)式(1B)表示的第1有机聚硅氧烷或式(51A)表示的第2有机聚硅氧烷的合成
向具备温度计、滴加装置及搅拌机的1000mL的可拆式烧瓶中加入二甲基二甲氧基硅烷90.2g、甲基三甲氧基硅烷217g、乙烯基三甲氧基硅烷31g、1,1,3,3-四甲基二硅氧烷40g、及三甲基甲氧基硅烷16g，并于50℃下进行搅拌。向其中缓慢地滴加盐酸2.0g和水134g的溶液，滴加后，于50℃搅拌6小时，使其反应，得到了反应液。接着，减压除去挥发成分，得到了聚合物。向所得聚合物中添加己烷150g和乙酸乙酯150g，利用离子交换水300g进行10次洗涤，减压除去挥发成分，得到了聚合物(E)。
所得聚合物(E)的数均分子量为3420。利用29Si-NMR对化学结构进行鉴定的结果显示，聚合物(E)具有下述平均组成式(E1)。
(Me2SiO2/2)0.25(MeSiO3/2)0.52(ViSiO3/2)0.07(HMe2SiO1/2)0.10(Me3SiO1/2)0.06 …式(E1)
上述式(E1)中，Me代表甲基、Vi代表乙烯基。
所得聚合物(E)的甲基的含有比例为89.1摩尔%、乙烯基的含有比例为4.5摩尔%、与硅原子键合的氢原子的含有比例为6.4摩尔%。
(合成例6)式(1B)表示的第1有机聚硅氧烷或式(51A)表示的第2有机聚硅氧烷的合成
向具备温度计、滴加装置及搅拌机的1000mL的可拆式烧瓶中加入1,1,3,3-四甲基二硅氧烷54g、乙烯基三甲氧基硅烷37g、甲基三甲氧基硅烷343g、及三甲基甲氧基硅烷84g，并于50℃下进行搅拌。向其中缓慢地滴加盐酸2.0g和水134g的溶液，滴加后，于50℃搅拌6小时，使其反应，得到了反应液。接着，减压除去挥发成分，得到了聚合物。向所得聚合物中添加己烷150g和乙酸乙酯150g，利用离子交换水300g进行10次洗涤，减压除去挥发成分，得到了聚合物(F)。
所得聚合物(F)的数均分子量为2320。利用29Si-NMR对化学结构进行鉴定的结果显示，聚合物(F)具有下述平均组成式(F1)。
(HMe2SiO1/2)0.09(Me3SiO1/2)0.21(ViSiO3/2)0.07(MeSiO3/2)0.63 …式(F1)
上述式(F1)中，Me代表甲基、Vi代表乙烯基。所得聚合物(F)的甲基的含有比例为90.0摩尔%、乙烯基的含有比例为4.4摩尔%、与硅原子键合的氢原子的含有比例为5.6摩尔%。
(合成例7)式(51B)表示的第2有机聚硅氧烷的合成
向具备温度计、滴加装置及搅拌机的1000mL的可拆式烧瓶中加入二甲基二甲氧基硅烷470g及1,1,3,3-四甲基二硅氧烷12g，并于50℃下进行搅拌。向其中缓慢地滴加盐酸2.0g溶于134g水中而得到的溶液，滴加后，于50℃搅拌6小时，使其反应，得到了反应液。向所得聚合物中添加己烷150g和乙酸乙酯150g，利用离子交换水300g进行10次洗涤，减压除去挥发成分，得到了聚合物(G)。
所得聚合物(G)的数均分子量为5230。利用29Si-NMR对化学结构进行鉴定的结果显示，聚合物(G)具有下述平均组成式(G1)。
(Me2SiO2/2)0.97(HMeSiO1/2)0.024 …式(G1)
上述式(G1)中，Me代表甲基。所得聚合物(G)的甲基的含有比例为98.8摩尔%、与硅原子键合的氢原子的含有比例为1.2摩尔%。
(合成例8)式(51B)表示的第2有机聚硅氧烷的合成
向具备温度计、滴加装置及搅拌机的1000mL的可拆式烧瓶中加入二甲基二甲氧基硅烷476g及1,1,3,3-四甲基二硅氧烷5.4g，并于50℃下进行搅拌。向其中缓慢地滴加盐酸2.0g溶于134g水中而得到的溶液，滴加后，于50℃搅拌6小时，使其反应，得到了反应液。向所得聚合物中添加己烷150g和乙酸乙酯150g，利用离子交换水300g进行10次洗涤，减压除去挥发成分，得到了聚合物(H)。
所得聚合物(H)的数均分子量为35300。利用29Si-NMR对化学结构进行鉴定的结果显示，聚合物(H)具有下述平均组成式(H1)。
(Me2SiO2/2)0.992(HMeSiO1/2)0.008 …式(H1)
上述式(H1)中，Me代表甲基。所得聚合物(H)的甲基的含有比例为99.6摩尔%、与硅原子键合的氢原子的含有比例为0.4摩尔%。
(合成例9)式(51B)表示的第2有机聚硅氧烷的合成
向具备温度计、滴加装置及搅拌机的1000mL的可拆式烧瓶中加入二甲基二甲氧基硅烷480g及1,1,3,3-四甲基二硅氧烷1.6g，并于50℃下进行搅拌。向其中缓慢地滴加盐酸2.0g溶于134g水中而得到的溶液，滴加后，于50℃搅拌6小时，使其反应，得到了反应液。向所得聚合物中添加己烷150g和乙酸乙酯150g，利用离子交换水300g进行10次洗涤，减压除去挥发成分，得到了聚合物(I)。
所得聚合物(I)的数均分子量为78200。利用29Si-NMR对化学结构进行鉴定的结果显示，聚合物(I)具有下述平均组成式(I1)。
(Me2SiO2/2)0.998(HMeSiO1/2)0.002 …式(I1)
上述式(I1)中，Me代表甲基。所得聚合物(I)的甲基的含有比例为99.9摩尔%、与硅原子键合的氢原子的含有比例为0.1摩尔%。
(合成例10)式(1B)表示的第1有机聚硅氧烷或式(51A)表示的第2有机聚硅氧烷的合成
向具备温度计、滴加装置及搅拌机的1000mL的可拆式烧瓶中加入二甲基二甲氧基硅烷90.2g、甲基三甲氧基硅烷217g、乙烯基三甲氧基硅烷31g、1,1,3,3-四甲基二硅氧烷32g、及三甲基甲氧基硅烷19g，并于50℃下进行搅拌。向其中缓慢地滴加盐酸2.0g和水134g的溶液，滴加后，于50℃搅拌6小时，使其反应，得到了反应液。接着，减压除去挥发成分，得到了聚合物。向所得聚合物中添加己烷150g和乙酸乙酯150g，利用离子交换水300g进行10次洗涤，减压除去挥发成分，得到了聚合物(J)。
所得聚合物(J)的数均分子量为3320。利用29Si-NMR对化学结构进行鉴定的结果显示，聚合物(J)具有下述平均组成式(J1)。
(Me2SiO2/2)0.25(MeSiO3/2)0.52(ViSiO3/2)0.07(HMe2SiO1/2)0.08(Me3SiO1/2)0.08 …式(J1)
上述式(J1)中，Me代表甲基、Vi代表乙烯基。所得聚合物(J)的甲基的含有比例为90.4摩尔%、乙烯基的含有比例为4.5摩尔%、与硅原子键合的氢原子的含有比例为5.1摩尔%。
(合成例11)式(1B)表示的第1有机聚硅氧烷或式(51A)表示的第2有机聚硅氧烷的合成
向具备温度计、滴加装置及搅拌机的1000mL的可拆式烧瓶中加入二甲基二甲氧基硅烷90.2g、甲基三甲氧基硅烷217g、乙烯基三甲氧基硅烷31g、1,1,3,3-四甲基二硅氧烷24g、及三甲基甲氧基硅烷25g，并于50℃下进行搅拌。向其中缓慢地滴加盐酸2.0g和水134g的溶液，滴加后，于50℃搅拌6小时，使其反应，得到了反应液。接着，减压除去挥发成分，得到了聚合物。向所得聚合物中添加己烷150g和乙酸乙酯150g，利用离子交换水300g进行10次洗涤，减压除去挥发成分，得到了聚合物(K)。
所得聚合物(K)的数均分子量为3300。利用29Si-NMR对化学结构进行鉴定的结果显示，聚合物(K)具有下述平均组成式(K1)。
(Me2SiO2/2)0.25(MeSiO3/2)0.52(ViSiO3/2)0.07(HMe2SiO1/2)0.06(Me3SiO1/2)0.10 …式(K1)
上述式(K1)中，Me代表甲基、Vi代表乙烯基。所得聚合物(K)的甲基的含有比例为91.7摩尔%、乙烯基的含有比例为4.5摩尔%、与硅原子键合的氢原子的含有比例为3.8摩尔%。
(实施例1)
将聚合物B(10g)、聚合物E(10g)、以及铂的1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷络合物(其量使得铂金属相对于密封剂整体以重量单位计为10ppm)混合，并进行脱泡，得到了光半导体装置用密封剂。
(实施例2)
将聚合物B(10g)、聚合物F(10g)、以及铂的1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷络合物(其量使得铂金属相对于密封剂整体以重量单位计为10ppm)混合，并进行脱泡，得到了光半导体装置用密封剂。
(实施例3)
将聚合物C(10g)、聚合物E(10g)、以及铂的1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷络合物(其量使得铂金属相对于密封剂整体以重量单位计为10ppm)混合，并进行脱泡，得到了光半导体装置用密封剂。
(实施例4)
将聚合物C(10g)、聚合物F(10g)、以及铂的1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷络合物(其量使得铂金属相对于密封剂整体以重量单位计为10ppm)混合，并进行脱泡，得到了光半导体装置用密封剂。
(实施例5)
将聚合物A(10g)、聚合物E(10g)、以及铂的1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷络合物(其量使得铂金属相对于密封剂整体以重量单位计为10ppm)混合，并进行脱泡，得到了光半导体装置用密封剂。
(实施例6)
将聚合物H(10g)、聚合物E(10g)、以及铂的1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷络合物(其量使得铂金属相对于密封剂整体以重量单位计为10ppm)混合，并进行脱泡，得到了光半导体装置用密封剂。
(实施例7)
将聚合物H(10g)、聚合物F(10g)、以及铂的1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷络合物(其量使得铂金属相对于密封剂整体以重量单位计为10ppm)混合，并进行脱泡，得到了光半导体装置用密封剂。
(实施例8)
将聚合物I(10g)、聚合物E(10g)、以及铂的1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷络合物(其量使得铂金属相对于密封剂整体以重量单位计为10ppm)混合，并进行脱泡，得到了光半导体装置用密封剂。
(实施例9)
将聚合物I(10g)、聚合物F(10g)、以及铂的1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷络合物(其量使得铂金属相对于密封剂整体以重量单位计为10ppm)混合，并进行脱泡，得到了光半导体装置用密封剂。
(实施例10)
将聚合物G(10g)、聚合物E(10g)、以及铂的1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷络合物(其量使得铂金属相对于密封剂整体以重量单位计为10ppm)混合，并进行脱泡，得到了光半导体装置用密封剂。
(实施例11)
将聚合物B(10g)、聚合物J(10g)、以及铂的1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷络合物(其量使得铂金属相对于密封剂整体以重量单位计为10ppm)混合，并进行脱泡，得到了光半导体装置用密封剂。
(实施例12)
将聚合物B(10g)、聚合物K(10g)、以及铂的1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷络合物(其量使得铂金属相对于密封剂整体以重量单位计为10ppm)混合，并进行脱泡，得到了光半导体装置用密封剂。
(实施例13)
将聚合物H(10g)、聚合物K(10g)、以及铂的1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷络合物(其量使得铂金属相对于密封剂整体以重量单位计为10ppm)混合，并进行脱泡，得到了光半导体装置用密封剂。
(比较例1)
将聚合物A(10g)、聚合物D(10g)、以及铂的1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷络合物(其量使得铂金属相对于密封剂整体以重量单位计为10ppm)混合，并进行脱泡，得到了光半导体装置用密封剂。
(比较例2)
将聚合物B(10g)、聚合物D(10g)、以及铂的1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷络合物(其量使得铂金属相对于密封剂整体以重量单位计为10ppm)混合，并进行脱泡，得到了光半导体装置用密封剂。
(比较例3)
将聚合物G(10g)、聚合物D(10g)、以及铂的1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷络合物(其量使得铂金属相对于密封剂整体以重量单位计为10ppm)混合，并进行脱泡，得到了光半导体装置用密封剂。
(比较例4)
将聚合物H(10g)、聚合物D(10g)、以及铂的1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷络合物(其量使得铂金属相对于密封剂整体以重量单位计为10ppm)混合，并进行脱泡，得到了光半导体装置用密封剂。
(评价)
(光半导体装置的制作)
在带有镀银的铅电极的聚邻苯二甲酰胺制外罩材料上利用芯片接合材料实际安装有主发光峰为460nm的发光元件、且发光元件和铅电极由金线连接的结构中，注入所得光半导体装置用密封剂，并于150℃下加热2小时以使其固化，制作了光半导体装置。使用该光半导体装置实施了下述热冲击试验。
(热冲击试验)
使用液槽式热冲击试验机(ESPEC公司制“TSB-51”)将所得光半导体装置于-50℃保持5分钟后，升温至135℃并于135℃保持5分钟，然后降温至-50℃，将此过程作为1个循环，实施了冷热循环试验。分别在1000个循环后、2000个循环后、3000个循环后及4000个循环后取出了20个样品。
利用体视显微镜(NIKON公司制“SMZ-10”)观察样品。对于在20个样品的光半导体装置用密封剂各自上是否产生了裂纹、或光半导体装置用密封剂是否从组件或电极上剥离进行了观察，统计出产生裂纹或剥离的样品数(NG数)。
(硬度比)
将所得光半导体装置用密封剂在150℃下加热2小时，使其固化。利用定压荷重计(ASKER公司制“CL-150”、A型橡胶硬度计)测定固化后的光半导体装置用密封剂的硬度，并将其作为硬度的初期值。作为热劣化试验，将固化后的光半导体装置用密封剂放入150℃的烘箱500小时后，利用定压荷重计(ASKER公司制“CL-150”、A型橡胶硬度计)测定硬度，并将其作为硬度的热劣化试验后的值。由硬度的初期值和硬度的热劣化试验后的值计算出了硬度比(热劣化试验后的值/初期值)。
(耐热试验)
将所得光半导体装置用密封剂在150℃下加热2小时，使其固化。利用UV-VIS光度计(日立制作所公司制“U-3000”)测定固化后的光半导体装置用密封剂的透过率，并将400nm的值作为初期值。作为耐热试验，将固化后的光半导体装置用密封剂放入200℃的烘箱500小时后，利用UV-VIS光度计(日立制作所公司制“U-3000”)测定透过率，并将其400nm的值相对于初期值的保持率以百分比加以计算。
(密封剂的固化物表面的粘结性(发粘)的评价)
将所得光半导体装置在23℃及50RH%的气体氛围中放置了24小时。放置24小时后，立即用手指接触光半导体装置用密封剂的固化物表面，对固化物表面的粘结性(发粘)进行了确认。并按照下述标准对粘结性(发粘)进行了判定。
[粘结性(发粘)的判定标准]
○○：完全未感觉到粘结性(发粘)
○：基本未感觉到粘结性(发粘)
△：感觉到一定的粘结性(发粘)
×：感觉到较多的粘结性(发粘)
结果如下述表1所示。需要说明的是，在下述表1中还示出了上述比(与硅原子键合的氢原子的含有比例/与硅原子键合的烯基的含有比例)的值。
Claims (12)
1.一种光半导体装置用密封剂，其包含：
第1有机聚硅氧烷，其具有烯基及与硅原子键合的甲基；
第2有机聚硅氧烷，其具有与硅原子键合的氢原子及与硅原子键合的甲基；以及
硅氢化反应用催化剂，
所述第1有机聚硅氧烷由下述式(1A)表示、且所述第2有机聚硅氧烷由下述式(51A)表示，或者，所述第1有机聚硅氧烷由下述式(1B)表示、且所述第2有机聚硅氧烷由下述式(51B)表示，
所述第1有机聚硅氧烷及所述第2有机聚硅氧烷中的与硅原子键合的甲基的含有比例分别为80摩尔%以上，
(R1R2R3SiO1/2)a(R4R5SiO2/2)b(R6SiO3/2)c …式(1A)
上述式(1A)中，a、b及c满足a/(a+b+c)=0～0.30、b/(a+b+c)=0.70～1.0及c/(a+b+c)=0～0.10，R1～R6中的至少1个代表烯基、至少1个代表甲基、除烯基及甲基以外的R1～R6代表碳原子数2～8的烃基，
(R51R52R53SiO1/2)p(R54R55SiO2/2)q(R56SiO3/2)r …式(51A)
上述式(51A)中，p、q及r满足p/(p+q+r)=0.10～0.50、q/(p+q+r)=0～0.40、r/(p+q+r)=0.40～0.90，R51～R56中的至少1个代表氢原子、至少1个代表甲基、除氢原子及甲基以外的R51～R56代表碳原子数2～8的烃基，
(R1R2R3SiO1/2)a(R4R5SiO2/2)b(R6SiO3/2)c …式(1B)
上述式(1B)中，a、b及c满足a/(a+b+c)=0.10～0.50、b/(a+b+c)=0～0.40、及c/(a+b+c)=0.40～0.90，R1～R6中的至少1个代表烯基、至少1个代表甲基、除烯基及甲基以外的R1～R6代表碳原子数2～8的烃基，
(R51R52R53SiO1/2)P(R54R55SiO2/2)q(R56SiO3/2)r …式(51B)
上述式(51B)中，p、q及r满足p/(p+q+r)=0～0.30、q/(p+q+r)=0.70～1.0及r/(p+q+r)=0～0.10，R51～R56中的至少1个代表氢原子、至少1个代表甲基、除氢原子及甲基以外的R51～R56代表碳原子数2～8的烃基。
2.根据权利要求1所述的光半导体装置用密封剂，其中，密封剂中的所述有机聚硅氧烷中与硅原子键合的氢原子的含有比例和密封剂中的所述有机聚硅氧烷中与硅原子键合的烯基的含有比例之比为0.5以上且5.0以下。
3.根据权利要求2所述的光半导体装置用密封剂，其中，所述密封剂中的所述有机聚硅氧烷中与硅原子键合的氢原子的含有比例和密封剂中的所述有机聚硅氧烷中与硅原子键合的烯基的含有比例之比为0.5以上且2.0以下。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的光半导体装置用密封剂，其中，所述第1有机聚硅氧烷由所述式(1A)表示、且所述第2有机聚硅氧烷由所述式(51A)表示。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的光半导体装置用密封剂，其中，由所述式(1A)表示的第1有机聚硅氧烷的数均分子量为20000以上且100000以下。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的光半导体装置用密封剂，其中，由所述式(51A)表示的第2有机聚硅氧烷具有烯基。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的光半导体装置用密封剂，其中，由所述式(51A)表示的第2有机聚硅氧烷具有下述式(51-a)表示的结构单元，
上述式(51-a)中，R52及R53分别代表甲基或碳原子数2～8的烃基。
8.根据权利要求1～3中任一项所述的光半导体装置用密封剂，其中，所述第1有机聚硅氧烷由所述式(1B)表示、且所述第2有机聚硅氧烷由所述式(51B)表示。
9.根据权利要求1、2、3及8中任一项所述的光半导体装置用密封剂，其中，由所述式(51B)表示的第2有机聚硅氧烷的数均分子量为20000以上且100000以下。
10.根据权利要求1、2、3、8及9中任一项所述的光半导体装置用密封剂，其中，由所述式(1B)表示的第1有机聚硅氧烷具有与硅原子键合的氢原子。
11.根据权利要求1、2、3、8、9及10中任一项所述的光半导体装置用密封剂，其中，由所述式(1B)表示的第1有机聚硅氧烷具有下述式(1-b1)表示的结构单元，
上述式(1-b1)中，R2及R3分别代表甲基或碳原子数2～8的烃基。
12.一种光半导体装置，其具备：
光半导体元件、以及
以密封该光半导体元件的方式设置的权利要求1～11中任一项所述的光半导体装置用密封剂。
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