CN103545324A - 用于图像传感器封装的方法和装置 - Google Patents

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Abstract

公开了封装背照式(BSI)图像传感器或BSI图像传感器和专用集成电路(ASIC)的方法和装置。接合焊盘阵列可以形成在BSI传感器的接合焊盘区中，其中接合焊盘阵列包括电互连的多个接合焊盘，其中接合焊盘阵列的每个接合焊盘具有小尺寸，这可减小大接合焊盘的碟盘效应。接合焊盘阵列的多个接合焊盘可以在焊盘的同一层或不同金属层互连。BSI传感器可以以面对面的方式接合到ASIC，其中接合焊盘阵列对准并接合在一起。

Description

用于图像传感器封装的方法和装置
技术领域
本发明涉及用于图像传感器封装的方法和装置。
背景技术
互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器获得超过传统的电荷耦合器件(CCDs)的普及。CMOS图像传感器通常包括图像元件(像素)的阵列，其利用光敏CMOS电路将光子转换成电子。光敏CMOS电路通常包括形成在硅衬底中的光电二极管。由于光电二极管暴露于光下，在光电二极管中引发电荷。当光从特定场景入射到像素上时，每一像素可以产生与落在像素上光的总量成比例的电子。将电子转换成像素中的电压信号并且进一步转变成将通过专用集成电路(ASIC)加工的数字信号。
CMOS图像传感器，或简单地说是CMOS传感器，可以具有设置多个介电层和互连层的正面，该正面将衬底中的光电二极管连接到***电路，以及具有衬底的背面。如果光来自传感器的正面，那么CMOS传感器是前照明(FSI)图像传感器，否则光入射到背面即是背照式(BSI)传感器。对于BSI传感器，光可以通过直接路径(没有来自设置在正面的介电层和互连层的阻碍)击中光电二极管。这有助于增加光子转换成电子的数目，并且使得CMOS传感器对光源更加敏感。
三维(3D)集成电路(IC)可以用于实现目前电流应用(诸如图像传感器应用)所需要的高密度。当将CMOS传感器封装在3D IC中时，CMOS传感器和相关的ASIC可以并行接合到载具晶圆，对于载具晶圆，这可能占用更大的面积。因此需要减小与相关的ASIC接合的CMOS传感器的封装面积的方法和***。
发明内容
为了解决现有技术中存在的问题，根据本发明的一个方面，提供了一种背照式(BSI)传感器，包括：衬底，具有正面和背面；光敏二极管，位于所述衬底的有源区内；以及第一接合焊盘阵列，位于所述衬底的正面，其中所述第一接合焊盘阵列包括通过开口分隔并且彼此电连接的第一接合焊盘和第二接合焊盘，并且所述第一接合焊盘阵列起到一个电接触件的作用。
在上述BSI传感器中，其中，所述第一接合焊盘阵列还包括彼此电连接并且与所述第一接合焊盘和所述第二接合焊盘电连接的其他接合焊盘。
在上述BSI传感器中，其中，分隔所述第一接合焊盘和所述第二接合焊盘的开口的至少一部分被介电材料填充。
在上述BSI传感器中，其中，所述光敏二极管是包括p-n-p结的固定层光电二极管。
在上述BSI传感器中，还包括位于所述衬底的背面上的微透镜和滤色器。
在上述BSI传感器中，其中，所述第一接合焊盘阵列的所述第一接合焊盘和所述第二接合焊盘在同一层中电互连，其中所述第一接合焊盘和所述第二接合焊盘形成在所述同一层中。
在上述BSI传感器中，其中，所述第一接合焊盘和所述第二接合焊盘分离，不与所述第一接合焊盘和所述第二接合焊盘在同一层的互连件电互连所述第一接合焊盘和所述第二接合焊盘。
在上述BSI传感器中，其中，所述第一接合焊盘和所述第二接合焊盘分离，不与所述第一接合焊盘和所述第二接合焊盘在同一层的互连件电互连所述第一接合焊盘和所述第二接合焊盘，还包括所述第一接合焊盘阵列的其他接合焊盘，其中所述第一接合焊盘在形成所述第一接合焊盘和所述其他接合焊盘的同一层中与所述其他接合焊盘电互连。
在上述BSI传感器中，还包括与所述第一接合焊盘阵列连接的通孔。
在上述BSI传感器中，还包括与所述第一接合焊盘阵列连接的通孔，还包括位于所述衬底的背面上的其他接合焊盘阵列，其中所述其他接合焊盘阵列与所述通孔电连接。
在上述BSI传感器中，还包括与所述第一接合焊盘阵列处于同一层中但与所述第一接合焊盘阵列电断开的固体接合焊盘，其中所述固体接合焊盘的宽度小于所述第一接合焊盘阵列的宽度。
在上述BSI传感器中，还包括：具有衬底的ASIC芯片，以及位于所述衬底正面的第二接合焊盘阵列，其中所述第二接合焊盘阵列包括彼此分隔但电连接的第三接合焊盘和第四接合焊盘，并且所述第二接合焊盘阵列起到一个电接触件的作用；以及其中所述第一接合焊盘阵列的所述第一接合焊盘和所述第二接合焊盘阵列的所述第三接合焊盘接合在一起。
在上述BSI传感器中，还包括：具有衬底的ASIC芯片，以及位于所述衬底正面的第二接合焊盘阵列，其中所述第二接合焊盘阵列包括彼此分隔但电连接的第三接合焊盘和第四接合焊盘，并且所述第二接合焊盘阵列起到一个电接触件的作用；以及其中所述第一接合焊盘阵列的所述第一接合焊盘和所述第二接合焊盘阵列的所述第三接合焊盘接合在一起，其中，所述第一接合焊盘阵列的所述第二接合焊盘和所述第二接合焊盘阵列的所述第四接合焊盘接合在一起。
根据本发明的另一方面，还提供了一种集成电路(IC)封装件，包括：传感器，包括：衬底，具有正面和背面；光敏二极管，位于所述衬底的有源区内；以及第一接合焊盘阵列，位于所述衬底的正面，其中所述第一接合焊盘阵列包括通过开口分隔并彼此电连接的第一接合焊盘和第二接合焊盘，并且所述第一接合焊盘阵列起到一个电接触件的作用；ASIC芯片，包括：衬底，以及位于所述衬底的正面的第二接合焊盘阵列，其中所述第二接合焊盘阵列包括通过开口分隔并彼此电连接的第三接合焊盘和第四接合焊盘，并且所述第二接合焊盘阵列起到一个电接触件的作用；以及所述第一接合焊盘阵列的所述第一接合焊盘和所述第二接合焊盘阵列的所述第三接合焊盘接合在一起。
在上述IC封装件中，其中，所述第一接合焊盘阵列的所述第二接合焊盘和所述第二接合焊盘阵列的所述第四接合焊盘接合在一起。
在上述IC封装件中，其中，所述传感器的所述光敏二极管是包括p-n-p结的固定层光电二极管。
在上述IC封装件中，其中，所述传感器还包括位于所述衬底的背面上的微透镜和滤色器。
在上述IC封装件中，其中，所述第一接合焊盘和所述第二接合焊盘在形成所述第一接合焊盘和所述第二接合焊盘的同一层中电互连。
在上述IC封装件中，其中，所述第一接合焊盘和所述第二接合焊盘分离，所述第一接合焊盘和所述第二接合焊盘形成在第一层中并通过在不同的层中形成的元件电连接。
在上述IC封装件中，还包括与所述第一接合焊盘阵列连接的通孔。
附图说明
为更充分地理解本发明及其优点，现在将结合附图所进行的以下描述作为参考，其中：
图1(a)和图1(b)示出具有多个接合焊盘阵列的CMOS传感器和ASIC的俯视图；
图2(a)-图2(b)示出用于连接CMOS传感器的接合焊盘阵列内的接合焊盘的方法和装置；
图3(a)-图3(d)示出用于CMOS传感器的接合焊盘阵列内的接合焊盘的配置的方法和装置；
图4(a)-图4(b)示出位于CMOS传感器的接合焊盘阵列内的接合焊盘的俯视图；
图5示出CMOS传感器和ASIC的接合的截面图；以及
图6(a)-图6(c)示出CMOS传感器的接合焊盘阵列和ASIC的接合焊盘阵列的接合的截面图。
除非另有说明，不同附图中的相应标号和符号通常指相应部件。将附图绘制成清楚地示出实施例的相关方面而不必成比例绘制。
具体实施方式
在下面详细讨论实施例的制造和使用。然而，应该理解，实施例提供了许多可以在各种具体环境中实现的可应用的发明构思。所讨论的具体实施例仅仅是制造和使用实施例的示例性具体方式，而不用于限制实施例的范围。
本发明公开封装背照式(BSI)图像传感器或BSI传感器器件和专用集成电路(ASIC)的方法和装置。根据实施例，可以在BSI传感器中形成接合焊盘阵列，接合焊盘阵列包括电互连的多个接合焊盘，其中接合焊盘阵列的每一个接合焊盘都具有可减小大接合焊盘的碟盘效应的小尺寸。接合焊盘阵列的多个接合焊盘可以在焊盘的同一层或不同金属层互连。可以将BSI传感器以面对面的方式接合到ASIC，其中接合焊盘阵列对准并接合到一起。
图1(a)示出CMOS传感器10或传感器10的顶面的表面视图。传感器10可以由数百万个部件诸如有源器件和无源器件组成。传感器可以包括有源区11和接合焊盘区12，其中接合焊盘区12中设置诸如13和14的多个接合焊盘阵列。一些其他形式的接合焊盘也可以存在于接合焊盘区12中。包括CMOS传感器10的高密度有源电路的主体的有源区11可以设置在传感器10的相对中心区域中。
多个接合焊盘阵列诸如13和14沿着CMOS传感器10的***设置。接合焊盘阵列13或14可以包括多个接合焊盘。如图1(a)所示，接合焊盘阵列13包括排列成3*3矩阵模式的总共九个接合焊盘，包括彼此分隔的第一接合焊盘131和第二接合焊盘132。接合焊盘131和接合焊盘132彼此电连接到一起并与接合焊盘阵列13内的其他剩余的接合焊盘电连接。可以以各种方式在接合焊盘阵列13内的接合焊盘之间形成互连，诸如在顶面下方的金属层中。接合焊盘阵列13还与接合焊盘阵列14通过一距离分隔，该距离大于同一接合焊盘阵列内接合焊盘之间的距离。接合焊盘阵列14内的接合焊盘电连接到一起，但是与接合焊盘13内的接合焊盘电隔离。接合焊盘阵列13的数目和接合焊盘阵列内接合焊盘的数目仅用于说明的目的而不用于限制。可以存在接合焊盘的其他数目，并且每一个接合焊盘阵列可以包括接合焊盘的不同数目。
类似地，图1(b)示出专用集成电路(ASIC)的俯视图。ASIC 10可以与传感器10相关以处理由传感器10产生的数字或模拟信号。ASIC 110可以由数百万个部件诸如有源器件和无源器件组成。这些部件最初相互隔离，形成在下面的硅衬底上，之后通过金属互连线互连在一起以形成功能电路。典型的互连结构包括诸如金属线或引线的横向互连，以及诸如通孔和接触件的纵向互连。其上形成集成电路的硅衬底的面可以被称为ASIC110的顶面或正面。ASIC 110可以指集成电路器件、电路、器件、电路器件、管芯或本领域普通技术人员已知的任何其他术语。
如图1(b)所示，接合焊盘阵列113和114沿着ASIC 110的***设置在接合焊盘区112中。集成电路器件110的中心的是包括ASIC 110的高密度有源电路的主体的有源区111。ASIC 110还可以被保护环区围绕，该保护ASIC 110的保护环区设置在接合焊盘113的外面(未示出)。
图1(a)中的接合焊盘阵列13和图1(b)中的接合焊盘阵列113可以起到提供数据、检索数据、测试器件和提供用于测试或编程的各种电压的作用。示例性的接合焊盘阵列包括与运行模式接合焊盘阵列不连接并且相分离的测试模式接合焊盘阵列。当测试序列完成后，测试模式接合焊盘阵列的测试模式失去作用。然后两个接合焊盘阵列在引线接合期间连接，并且所得连接的接合焊盘阵列以运行模式发挥作用。
可以通过诸如黏着接合、直接铜接合或直接氧化物接合的方法将传感器10和ASIC 110接合到一起。如果使用直接铜接合方法，通过施加高压将传感器10和ASIC 110接合，那么传感器10的接合焊盘阵列13和ASIC110的接合焊盘阵列113(可以是铜焊盘)接合到一起。通过将传感器IC 10和ASIC 110直接接合到一起，不需要传统的载具晶圆，因此减小了管芯的面积和成本。
传统上，一些大接合焊盘可以用于接合传感器10和ASIC 110。例如，可以使用大接合焊盘代替接合焊盘阵列13。但是这些大接合焊盘具有问题。在大接合焊盘的形成中，通常涉及化学机械抛光(CMP)工艺。因此，在用于形成大接合焊盘的CMP工艺期间，出现碟盘效应，这使得接合焊盘中心区域的抛光多于边缘区域的抛光。碟盘效应可能对接合的可靠性造成不利的影响。由于碟盘效应，只有接合焊盘的小部分相互接合，因此接合可靠性降低。而且，由于接合面积的减小，可以可靠地流经接合区域的电流减小。如图1(a)中示出的包括多个较小接合焊盘的接合焊盘阵列13可减少或消除这些问题。
图2(a)示出CMOS传感器10，其是晶圆的一部分。CMOS传感器10包括具有正面和背面的半导体衬底20。衬底20可以由通常已知的诸如硅、硅锗等的半导体材料形成。传感器10可以包括在衬底20上形成的像素区域或传感器元件的栅格或阵列。作为实例，图2(a)示出这样的传感器元件或像素区域60。
像素区域60可以包括光敏二极管，有时指光电二极管，这可以产生与投射在光敏二极管上的光的强度或亮度有关的信号。光敏二极管可以是包括p-n-p结的固定层光电二极管。可以可选地使用非固定层光电二极管。实施例中可以利用任何合适的光电二极管，并且所有这些光电二极管都意图包括在实施例的范围内。像素区域60还可以包括晶体管，其可以是转移晶体管、复位晶体管、源随器晶体管或选择晶体管。晶体管可以包括邻近衬底的栅极电介质、位于栅极电介质上方的栅极电极以及沿栅极电介质和栅极电极的侧壁的间隔件。
衬底20还可以包括多个隔离区(未示出)以分开和隔离衬底上形成的各种器件，并且还隔离来自图像传感器的其他逻辑区的像素区域。
在衬底20的背面上，微透镜和滤色元件70可以形成在衬底20的背面上方的介电层上，用于彩色图像应用。微透镜镜头可以设置在滤色器和衬底背面之间，从而使得背照光可聚焦在感光区域上。微透镜汇聚从衬底背面照射的光到光电二极管。与每一个滤色元件有关的是相应的微透镜。滤色元件和相应的微透镜可以使用对准记号与传感器层的光敏元件对准。
在衬底20的正面，可以形成更多的诸如晶体管的集成电路和诸如电容器、电阻器等的其它器件(未示出)。互连结构24可以形成在器件上方。互连结构24可以包括多个介电层26，包括但不限于金属间电介质(IMD)、钝化层等。IMD 26可以由k值小于例如2.5的低k介电材料形成。金属线30和通孔32形成在多个介电层26中，并且可以使用熟知的镶嵌工艺由铜形成，或由诸如铝、钨、银等的其他金属形成。
互连结构24互连下面的集成电路，并将集成电路连接到相应的接合焊盘42和接合焊盘阵列52，其形成在衬底20的正面上。接合焊盘42可以形成在有源区11或接合焊盘区12中，并且接合焊盘阵列52可以是接合焊盘阵列13或14或图1(a)的接合焊盘区12中示出的其他接合焊盘阵列中的任意一个。接合焊盘42的宽度W1可以小于由接合焊盘阵列52覆盖的区域的总尺寸W2。例如，W2可以是约数十um至100um的尺寸。在整个传感器10，以及可能整个晶圆，预先确定横向尺寸阈值，并且横向尺寸(宽度和/或长度)大于横向尺寸阈值的任何接合焊盘将具有诸如接合焊盘阵列52所示的接合焊盘阵列形式，而横向尺寸(宽度和/或长度)小于横向尺寸阈值的任何接合焊盘将是一个诸如接合焊盘42的固定接合焊盘。例如，大小为20um的预定尺寸可以作为阈值，具有20um或大于20um的尺寸(其可以是焊盘的宽度或长度)的任何焊盘可以形成接合焊盘阵列，否则它可以形成为单个焊盘。
接合焊盘阵列52仅示出3个接合焊盘。在接合焊盘阵列52内可以是其他数目的接合焊盘。接合焊盘阵列52内的每一个接合焊盘彼此电连接从而使得接合焊盘阵列52起到一个接触件的作用，有时它也可以被称为图案化接合焊盘52。在接合焊盘阵列52内的接合焊盘可以具有相似的尺寸，在约5～20um宽度和长度的范围内。可以通过约5～20um范围内的距离使接合焊盘阵列52内的第一接合焊盘与相邻的接合焊盘分隔。
通过金属线30’和通孔32’在接合焊盘阵列52内的接合焊盘之间形成电连接。金属线30’和通孔32’可以在直接位于接合焊盘52下面的金属化层中(或钝化层内部)，其可以是顶部金属化层(通常指Mtop)或再分布层。可选地，任何一个从底部金属化层(通常指M1)到顶部金属化层Mtop的下层金属化层中可以在接合焊盘阵列52内的接合焊盘之间提供电连接。
通孔(TV)40和通孔50延伸穿过衬底20，并且使衬底20正面上的部件与衬底20的背面互连。通孔40和50可以是例如硅通孔、氧化物通孔等。通常，如上所述，衬底20可以包括诸如硅衬底、氧化物衬底等的各种材料。通孔40和50表示延伸穿过衬底20的通孔。将TV 40电连接到接合焊盘42，并且将TV 50电连接到接合焊盘阵列52。因此，接合焊盘42和TV 40可以用于运送相对小的电流例如信号电流，而接合焊盘阵列52和TV50可以用于运送相对大的电流例如供电电流。接合焊盘42可以与接合焊盘阵列52电断开。
图2(b)示出接合焊盘阵列52内的接合焊盘在衬底20的背面处连接到一起的可选实施例。在传感器10的背面上，可以形成接合焊盘62和72。代替使用一个TV以互连位于衬底20的相对面上的部件，一个以上的TV501、502和503可以使接合焊盘阵列52与衬底背面的接合焊盘72电互连。在实施例中，接合焊盘62和72分别具有与接合焊盘42和接合焊盘阵列52类似的规格。因此，接合焊盘72可以大于接合焊盘62。
图3(a)-图3(d)是图2(a)和图2(b)所示的接合焊盘阵列52或72的若干可能设计的俯视图。图3(a)和图3(b)示出接合焊盘阵列52，其包括通过开口53分开的接合焊盘521，和用于连接到接合焊盘521的互连522。互连522还与接合焊盘521位于同一层中。
另一方面，图3(c)示出另一实施例，其中接合焊盘阵列52包括通过开口53分隔的多个分离的接合焊盘521。在具有接合焊盘阵列52的层中，分离的接合焊盘521之间无电连接。通过下面的通孔和金属线提供电连接，正如图2(a)所示的金属线30’和通孔32’。采用图3(a)-图3(c)中所示的结构，接合焊盘阵列52充当集成接合焊盘，意味着连接到任何一个接合焊盘521相当于连接到接合焊盘阵列内的其他接合焊盘。
组合方案可以形成为包括图3(a)-图3(b)中所示的实施例，以及图3(c)中所示的实施例。在组合方案中，通过互连522将一些接合焊盘521互连成组，而互连的521的不同组相互断开。图3(d)中示出示例性实施例，其中每一列接合焊盘521互连，而列是分离的。此外，存在连接每一列的至少一个下面的通孔32’，并且通孔32’是互连的，如图2(a)所示。
可以用介电材料至少部分地填充图3(a)至图3(d)所示的开口53。参考图2(a)，多个介电层26的顶层的材料填充至少开口53的下部。
在采用图3(a)-图3(b)中所示的实施例的情况下，可以存在连接到接合焊盘521的一个以上通孔32’，如图2(a)所示。可选地，由于接合焊盘521已经互连，可以只形成图2(a)所示的一个通孔32’并且将其连接到一个接合焊盘521，如图3(a)-3(b)所示。然而，在采用图3(c)-图3(d)中所示的实施例的情况下，每一个分离的接合焊盘521都必须具有与其连接的下面的通孔32’。否则，没有连接通孔32’的接合焊盘521将不能与其他接合焊盘连接。
取决于如图2(a)中所示的截面图在哪里获得，接合焊盘阵列52的截面图可以显示为图4(a)中所示的固定的接合，或显示为图4(b)示出的一个连续的焊盘，其中图4(a)可以是沿着图3(a)中平面截线4A-4A的截面图，而图4(b)可以是沿着图3(b)中平面截线4B-4B的截面图。
图5示出传感器10和ASIC芯片110的面对面的接合。ASIC芯片110可以具有图2至图4所示的相同或不同的结构。有利地，通过采用本发明的实施例形成接合焊盘阵列52和152，可以不需要顾虑可能出现碟盘效应，因此形成的接合更加可靠，并且可传送更大的电流。接合焊盘阵列152形成在ASIC 110的接合焊盘区上，处于ASIC的衬底的正面。接合焊盘阵列152包括图5中所示的三个接合焊盘，通过彼此之间的开口分隔。接合焊盘阵列152内可以具有其他数目的接合焊盘。接合焊盘阵列152的接合焊盘以图5中所示的一对一的方式直接接合并连接到接合焊盘阵列52的接合焊盘。虽然这可能是将传感器10和ASIC 110接合到一起的优选方式，但其他接合方式也是可能的。例如，接合焊盘阵列152的结构可以不同于接合焊盘阵列52的接合焊盘结构。接合焊盘阵列52和接合焊盘阵列152的接合可以形成在每个接合焊盘阵列的一个接合焊盘上，诸如将接合焊盘阵列52的第一接合焊盘和接合焊盘阵列152的第三接合焊盘接合到一起，或者此外，将接合焊盘阵列52的第二接合焊盘和接合焊盘阵列152的第四接合焊盘接合到一起。
图6(a)-图6(c)示出接合焊盘阵列52和152之间的接合的三个可能的截面图，其中不同的附图是在不同的位置获得截面图的结果(诸如图4(a)和图4(b)所示的截面图)，和/或形成具有相同或不同结构的接合焊盘阵列52和152的结果。
在传感器10公开的结构中，应用期间的照射光可以不限于可视光束，而是可以延伸至其他光学上的光诸如红外线(IR)和紫外线(UV)以及其他合适的辐射光束。
尽管已经详细描述了本发明的实施例及其优点，但应该理解，可以在不背离所附权利要求限定的本发明的思想和范围的情况下做出各种改变、替换和更改。
而且，本申请的范围并不仅限于本说明书中描述的工艺、机器、制造、材料组分、装置、方法和步骤的特定实施例。作为本领域普通技术人员根据本发明应很容易理解，根据本发明可以利用现有的或今后开发的用于执行与本文所述相应实施例基本上相同的功能或者获得基本上相同的结果的工艺、机器、制造、材料组分、装置、方法或步骤。因此，所附权利要求预期在其范围内包括这样的工艺、机器、制造、材料组分、装置、方法或步骤。

Claims (10)

1.一种背照式(BSI)传感器，包括：
衬底，具有正面和背面；
光敏二极管，位于所述衬底的有源区内；以及
第一接合焊盘阵列，位于所述衬底的正面，其中所述第一接合焊盘阵列包括通过开口分隔并且彼此电连接的第一接合焊盘和第二接合焊盘，并且所述第一接合焊盘阵列起到一个电接触件的作用。
2.根据权利要求1所述的BSI传感器，其中，所述第一接合焊盘阵列还包括彼此电连接并且与所述第一接合焊盘和所述第二接合焊盘电连接的其他接合焊盘。
3.根据权利要求1所述的BSI传感器，其中，分隔所述第一接合焊盘和所述第二接合焊盘的开口的至少一部分被介电材料填充。
4.根据权利要求1所述的BSI传感器，其中，所述光敏二极管是包括p-n-p结的固定层光电二极管。
5.根据权利要求1所述的BSI传感器，还包括位于所述衬底的背面上的微透镜和滤色器。
6.一种集成电路(IC)封装件，包括：
传感器，包括：
衬底，具有正面和背面；
光敏二极管，位于所述衬底的有源区内；以及
第一接合焊盘阵列，位于所述衬底的正面，其中所述第一接合焊盘阵列包括通过开口分隔并彼此电连接的第一接合焊盘和第二接合焊盘，并且所述第一接合焊盘阵列起到一个电接触件的作用；
ASIC芯片，包括：
衬底，以及位于所述衬底的正面的第二接合焊盘阵列，其中所述第二接合焊盘阵列包括通过开口分隔并彼此电连接的第三接合焊盘和第四接合焊盘，并且所述第二接合焊盘阵列起到一个电接触件的作用；以及
所述第一接合焊盘阵列的所述第一接合焊盘和所述第二接合焊盘阵列的所述第三接合焊盘接合在一起。
7.根据权利要求6所述的IC封装件，其中，所述第一接合焊盘阵列的所述第二接合焊盘和所述第二接合焊盘阵列的所述第四接合焊盘接合在一起。
8.根据权利要求6所述的IC封装件，其中，所述传感器的所述光敏二极管是包括p-n-p结的固定层光电二极管。
9.根据权利要求6所述的IC封装件，其中，所述传感器还包括位于所述衬底的背面上的微透镜和滤色器。
10.根据权利要求6所述的IC封装件，其中，所述第一接合焊盘和所述第二接合焊盘在形成所述第一接合焊盘和所述第二接合焊盘的同一层中电互连。
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