CN103539449B - 可低温烧结的微波介电陶瓷BiNbW2O10及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种可低温烧结的微波介电陶瓷BiNbW₂O₁₀及其制备方法。可低温烧结的微波介电陶瓷的组成为BiNbW₂O₁₀。（1）将纯度为99.9%以上的Bi₂O₃、Nb₂O₅和WO₃的原始粉末按BiNbW₂O₁₀化学式称量配料。（2）将步骤（1）原料混合湿式球磨12小时，溶剂为蒸馏水，烘干后在850℃大气气氛中预烧6小时。（3）在步骤（2）制得的粉末中添加粘结剂并造粒后，再压制成型，最后在900~930℃大气气氛中烧结4小时；所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液，剂量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷在900~930℃烧结良好，其介电常数达到17～18，品质因数Qf值高达86000-98000GHz，谐振频率温度系数小，可以与Ag电极低温共烧，在工业上有着极大的应用价值。

Description

可低温烧结的微波介电陶瓷BiNbW2O10及其制备方法

技术领域

本发明涉及介电陶瓷材料，特别是涉及在微波频率使用的介质基板、谐振器和滤波器等微波元器件的微波介电陶瓷材料及其制备方法。

背景技术

微波介电陶瓷是指应用于微波频段（主要是UHF、SHF频段）电路中作为介质材料并完成一种或多种功能的陶瓷，在现代通讯中被广泛用作谐振器、滤波器、介质基片和介质导波回路等元器件，是现代通信技术的关键基础材料，已在便携式移动电话、汽车电话、无绳电话、电视卫星接受器和军事雷达等方面有着十分重要的应用，在现代通讯工具的小型化、集成化过程中正发挥着越来越大的作用。

应用于微波频段的介电陶瓷，应满足如下介电特性的要求：（1）系列化介电常数ε_r以适应不同频率及不同应用场合的要求;（2）高的品质因数Q值或介质损耗tanδ以降低噪音，一般要求Qf≥3000GHz;(3)谐振频率的温度系数τ_?尽可能小以保证器件具有好的热稳定性，一般要求-10/℃≤τ_?≤+10ppm/℃。国际上从20世纪30年代末就有人尝试将电介质材料应用于微波技术。

根据相对介电常数ε_r的大小与使用频段的不同，通常可将已被开发和正在开发的微波介电陶瓷分为4类。

（1）超低介电常数微波介电陶瓷，主要代表是Al₂O₃-TiO₂、Y₂BaCuO₅、MgAl₂O₄和Mg₂SiO₄等，其ε_r≤20，品质因数Q×f≥50000GHz，τ_?≤10ppm/°C。主要用于微波基板以及高端微波元器件。

（2）低ε_r和高Q值的微波介电陶瓷，主要是BaO-MgO-Ta₂O₅,BaO-ZnO-Ta₂O₅或BaO-MgO-Nb₂O₅,BaO-ZnO-Nb₂O₅***或它们之间的复合***MWDC材料。其ε_r=25～30,Q=(1～2)×10⁴(在f≥10GHz下),τ_?≈0。主要应用于f≥8GHz的卫星直播等微波通信机中作为介质谐振器件。

（3）中等ε_r和Q值的微波介电陶瓷，主要是以BaTi₄O₉、Ba₂Ti₉O₂₀和（Zr、Sn）TiO₄等为基的MWDC材料,其ε_r＝35~40，Q=（6～9）×10³（在f=3～－4GHz下），τ_?≤5ppm/°C。主要用于4～8GHz频率范围内的微波军用雷达及通信***中作为介质谐振器件。

（4）高ε_r而Q值较低的微波介电陶瓷，主要用于0.8～4GHz频率范围内民用移动通讯***，这也是微波介电陶瓷研究的重点。80年代以来，Kolar、Kato等人相继发现并研究了类钙钛矿钨青铜型BaO—Ln₂O₃—TiO₂系列(Ln=La、Sm、Nd或Pr等,简称BLT系)、复合钙钛矿结构CaO—Li₂O—Ln₂O₃—TiO₂系列、铅基系列材料、Ca_1-xLn_2x/3TiO₃系等高ε_r微波介电陶瓷，其中BLT体系的BaO—Nd₂O₃—TiO₂材料介电常数达到90，铅基系列(Pb,Ca)ZrO₃介电常数达到105。

以上这些材料体系的烧结温度一般高于1300°C，不能直接与Ag和Cu等低熔点金属共烧形成多层陶瓷电容器。近年来，随着低温共烧陶瓷技术（LowTemperatureCo-firedCeramics,LTCC）的发展和微波多层器件发展的要求，国内外的研究人员对一些低烧体系材料进行了广泛的探索和研究，主要是采用微晶玻璃或玻璃-陶瓷复合材料体系，因低熔点玻璃相具有相对较高的介质损耗，玻璃相的存在大大提高了材料的介质损耗。因此研制无玻璃相的可低温烧结的微波介电陶瓷是当前研究的重点。我们对组成为BiNbW₂O₁₀的钨酸盐陶瓷进行了烧结特性与微波介电性能研究，结果发现BiNbW₂O₁₀陶瓷却具有优异的综合微波介电性能同时烧结温度低于930°C，可广泛用于各种谐振器和滤波器等微波器件的制造，可满足低温共烧技术及微波多层器件的需要。

发明内容

本发明的目的是提供一种具有低损耗与良好的热稳定性，烧结温度低，可以与Ag低温共烧的微波介电陶瓷及其制备方法。

本发明涉及的可低温烧结的微波介电陶瓷的化学组成为：BiNbW₂O₁₀。

所述可低温烧结的微波介电陶瓷的制备方法具体步骤为：

（1）将纯度为99.9%以上的Bi₂O₃、Nb₂O₅和WO₃的原始粉末按BiNbW₂O₁₀化学式称量配料。

（2）将步骤（1）原料混合湿式球磨12小时，溶剂为蒸馏水，烘干后在850℃大气气氛中预烧6小时。

（3）在步骤（2）制得的粉末中添加粘结剂并造粒后，再压制成型，最后在900~930℃大气气氛中烧结4小时；所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液，剂量占粉末总质量的3%。

本发明制备的陶瓷在900-930℃烧结良好，其介电常数达到17～18，品质因数Qf值高达86000-98000GHz，谐振频率温度系数小，可以与Ag电极低温共烧，在工业上有着极大的应用价值。

具体实施方式

实施例：

表1示出了构成本发明的不同烧结温度的4个具体实施例及其微波介电性能。其制备方法如上所述，用圆柱介质谐振器法进行微波介电性能的评价。将BiNbW₂O₁₀粉料与占粉料质量20%的Ag粉混合、压制成型后，在930℃下烧结4小时；X射线衍射物相分析与扫描电镜观察都显示BiNbW₂O₁₀与Ag没发生化学反应，即BiNbW₂O₁₀可以与Ag电极低温共烧。

本发明决不限于以上实施例。烧结温度的上下限、区间取值都能实现本发明，在此不一一列举实施例。

本陶瓷可广泛用于各种介质基板、谐振器和滤波器等微波器件的制造，可满足移动通信、卫星通信等***的技术需要。

表1：

Claims (1)

1.一种可低温烧结的微波介电陶瓷，其特征在于可低温烧结的微波介电陶瓷的化学组成式为：BiNbW₂O₁₀;

所述可低温烧结的微波介电陶瓷的制备方法具体步骤为：

（1）将纯度为99.9%以上的Bi₂O₃、Nb₂O₅和WO₃的原始粉末按BiNbW₂O₁₀化学式称量配料;

（2）将步骤（1）原料混合湿式球磨12小时，溶剂为蒸馏水，烘干后在850℃大气气氛中预烧6小时；

（3）在步骤（2）制得的粉末中添加粘结剂并造粒后，再压制成型，最后在900~930℃大气气氛中烧结4小时；所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液，剂量占粉末总质量的3%。