CN104370544B - 可低温烧结的温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷 - Google Patents
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 238000009766 low-temperature sintering Methods 0.000 title claims abstract description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 claims abstract description 6
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical group CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229960000935 dehydrated alcohol Drugs 0.000 claims abstract description 3
- 238000005469 granulation Methods 0.000 claims abstract description 3
- 230000003179 granulation Effects 0.000 claims abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 5
- 238000005245 sintering Methods 0.000 abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 6
- 238000011161 development Methods 0.000 description 6
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 238000011160 research Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- XHGGEBRKUWZHEK-UHFFFAOYSA-L tellurate Chemical compound [O-][Te]([O-])(=O)=O XHGGEBRKUWZHEK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000035922 thirst Effects 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- PBYZMCDFOULPGH-UHFFFAOYSA-N tungstate Chemical compound [O-][W]([O-])(=O)=O PBYZMCDFOULPGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
本发明公开了一种可低温烧结的温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷La3LiZnSi3O12及其制备方法。具体是将纯度为99.9％(重量百分比)以上的La2O3、Li2CO3、ZnO和SiO2的原始粉末按La3LiZnSi3O12的组成称量配料；再将该原料湿式球磨混合12小时，球磨介质为无水乙醇，烘干后在850℃大气气氛中预烧6小时；再将制得的粉末中添加粘结剂并造粒后，再压制成型，最后在900～940℃大气气氛中烧结4小时；所述的粘结剂采用质量浓度为5％的聚乙烯醇溶液，聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3％。本发明制备的陶瓷在900～940℃烧结良好，介电常数达到6.3～6.7，其品质因数Qf值高达87000-125000GHz，谐振频率温度系数小，在工业上有着极大的应用价值。
Description
技术领域
本发明涉及介电陶瓷材料，特别是涉及用于制造微波频率使用的陶瓷基板、谐振器与滤波器等微波元器件的介电陶瓷材料及其制备方法。
背景技术
微波介电陶瓷是指应用于微波频段(主要是UHF和SHF频段)电路中作为介质材料并完成一种或多种功能的陶瓷，在现代通讯中被广泛用作谐振器、滤波器、介质基片和介质导波回路等元器件，是现代通信技术的关键基础材料，已在便携式移动电话、汽车电话、无绳电话、电视卫星接受器和军事雷达等方面有着十分重要的应用，在现代通讯工具的小型化、集成化过程中正发挥着越来越大的作用。
应用于微波频段的介电陶瓷，应满足如下介电特性的要求：(1)系列化介电常数εr以适应不同频率及不同应用场合的要求；(2)高的品质因数Q值或介质损耗tanδ以降低噪音，一般要求Qf≥3000GHz；(3)谐振频率的温度系数τf尽可能小以保证器件具有好的热稳定性，一般要求-10ppm/℃≤τf≤+10ppm/℃。国际上从20世纪30年代末就有人尝试将电介质材料应用于微波技术,并制备出TiO2微波介质滤波器，但其谐振频率温度系数τf太大而无法实用化。上世纪70年代以来，开始了大规模的对介质陶瓷材料的开发工作,根据相对介电常数εr的大小与使用频段的不同，通常可将已被开发和正在开发的微波介质陶瓷分为4类。
(1)超低介电常数微波介电陶瓷，主要代表是Al2O3-TiO2、Y2BaCuO5、MgAl2O4和Mg2SiO4等，其εr≤20，品质因数Q×f≥50000GHz，τf≤10ppm/℃。主要用于微波基板以及高端微波元器件。
(2)低εr和高Q值的微波介电陶瓷，主要是BaO-MgO-Ta2O5,BaO-ZnO-Ta2O5或BaO-MgO-Nb2O5,BaO-ZnO-Nb2O5***或它们之间的复合***MWDC材料。其εr＝20～35,Q＝(1～2)×104(在f≥10GHz下),τf≈0。主要应用于f≥8GHz的卫星直播等微波通信机中作为介质谐振器件。
(3)中等εr和Q值的微波介电陶瓷，主要是以BaTi4O9、Ba2Ti9O20和(Zr、Sn)TiO4等为基的MWDC材料,其εr＝35～45，Q＝(6～9)×103(在f＝3～－4GHz下)，τf≤5ppm/℃。主要用于4～8GHz频率范围内的微波军用雷达及通信***中作为介质谐振器件。
(4)高εr而Q值较低的微波介电陶瓷，主要用于0.8～4GHz频率范围内民用移动通讯***，这也是微波介电陶瓷研究的重点。80年代以来，Kolar、Kato等人相继发现并研究了类钙钛矿钨青铜型BaO—Ln2O3—TiO2系列(Ln＝La、Sm、Nd或Pr等,简称BLT系)、复合钙钛矿结构CaO—Li2O—Ln2O3—TiO2系列、铅基系列材料、Ca1-xLn2x/3TiO3系等高εr微波介电陶瓷，其中BLT体系的BaO—Nd2O3—TiO2材料介电常数达到90，铅基系列(Pb,Ca)ZrO3介电常数达到105。
以上这些材料体系的烧结温度一般高于1300℃，不能直接与Ag和Cu等低熔点金属共烧形成多层陶瓷电容器。近年来，随着低温共烧陶瓷技术(LowTemperatureCo-firedCeramics,LTCC)的发展和微波多层器件发展的要求，国内外的研究人员对一些低烧体系材料进行了广泛的探索和研究，主要是采用微晶玻璃或玻璃-陶瓷复合材料体系，因低熔点玻璃相具有相对较高的介质损耗，玻璃相的存在大大提高了材料的介质损耗。因此研制无玻璃相的低烧微波介质陶瓷材料是当前研究的重点。
在探索与开发新型可低烧微波介电陶瓷材料的过程中，固有烧结温度低的Li基化合物、Bi基化合物、钨酸盐体系化合物和碲酸盐体系化合物等材料体系得到了广泛关注与研究，但是由于微波介电陶瓷的三个性能指标(εr与Q·f和τf)之间是相互制约的关系(见文献：微波介质陶瓷材料介电性能间的制约关系，朱建华，梁飞，汪小红，吕文中，电子元件与材料，2005年3月第3期)，满足三个性能要求且可低温烧结的单相微波介质陶瓷非常少，主要是它们的谐振频率温度系数通常过大或者品质因数偏低而无法实际应用要求。目前对微波介质陶瓷的研究大部分是通过大量实验而得出的经验总结,却没有完整的理论来阐述微观结构与介电性能的关系，因此，在理论上还无法从化合物的组成与结构上预测其谐振频率温度系数和品质因数等微波介电性能，这在很大程度上限制了低温共烧技术及微波多层器件的发展。探索与开发既能低温烧结同时具有近零谐振频率温度系数(-10ppm/℃≤τf≤+10ppm/℃)与较高品质因数的微波介电陶瓷是本领域技术人员一直渴望解决但始终难以获得成功的难题。
发明内容
本发明的目的是提供一种具有良好的热稳定性与低损耗，同时可低温烧结的超低介电常数微波介电陶瓷材料及其制备方法。
本发明的微波介电陶瓷材料的化学组成为La3LiZnSi3O12。
本微波介电陶瓷材料的制备方法步骤为：
(1)将纯度为99.9％(重量百分比)以上的La2O3、Li2CO3、ZnO和SiO2的原始粉末按La3LiZnSi3O12的组成称量配料。
(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时，球磨介质为无水乙醇，烘干后在850℃大气气氛中预烧6小时。
(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后，再压制成型，最后在900～940℃大气气氛中烧结4小时；所述的粘结剂采用质量浓度为5％的聚乙烯醇溶液，聚乙烯醇添加量占粉末总质量的3％。
本发明的优点：La3LiZnSi3O12陶瓷烧结温度低，原料成本低；介电常数达到介电常数达到6.3～6.7，其谐振频率的温度系数τf小，温度稳定性好；其品质因数Qf值高达87000-125000GHz，可广泛用于各种介质基板、谐振器和滤波器等微波器件的制造，可满足低温共烧技术及微波多层器件的技术需要，在工业上有着极大的应用价值。
具体实施方式
表1示出了构成本发明的不同烧结温度的3个具体实施例及其微波介电性能。其制备方法如上所述，用圆柱介质谐振器法进行微波介电性能的评价。将La3LiZnSi3O12粉料与占粉料质量20％的Ag粉混合、压制成型后，在940℃下烧结4小时；X射线衍射物相分析与扫描电镜观察都显示Ag与立方石榴石结构的La3LiZnSi3O12没发生化学反应，即La3LiZnSi3O12可以与Ag电极低温共烧。
本陶瓷可广泛用于各种介质基板、谐振器和滤波器等微波器件的制造，可满足移动通信和卫星通信等***的技术需要。
表1：
Claims (1)
1.一种可低温烧结的温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷，其特征在于所述微波介电陶瓷的化学组成为：La3LiZnSi3O12，具体步骤为：
（1）将纯度为99.9%（重量百分比）以上的La2O3、Li2CO3、ZnO和SiO2的原始粉末按La3LiZnSi3O12的组成称量配料；
（2）将步骤（1）原料湿式球磨混合12小时，球磨介质为无水乙醇，烘干后在850℃大气气氛中预烧6小时；
（3）在步骤（2）制得的粉末中添加粘结剂并造粒后，再压制成型，最后在900~940℃大气气氛中烧结4小时；所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液，聚乙烯醇添加量占粉末总质量的3%。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410655379.XA CN104370544B (zh) | 2014-11-18 | 2014-11-18 | 可低温烧结的温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410655379.XA CN104370544B (zh) | 2014-11-18 | 2014-11-18 | 可低温烧结的温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104370544A CN104370544A (zh) | 2015-02-25 |
| CN104370544B true CN104370544B (zh) | 2016-03-23 |
Family
ID=52549788
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410655379.XA Active CN104370544B (zh) | 2014-11-18 | 2014-11-18 | 可低温烧结的温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104370544B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105777121A (zh) * | 2016-02-17 | 2016-07-20 | 桂林理工大学 | 高品质因数超低介电常数微波介电陶瓷Zn3Sm2Ge3O12及其制备方法 |
| CN111925197B (zh) * | 2020-07-21 | 2023-01-03 | 深圳顺络电子股份有限公司 | 一种微波介质陶瓷材料及其制备方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103496959B (zh) * | 2013-09-23 | 2015-01-07 | 桂林理工大学 | 可低温烧结的微波介电陶瓷Li2Ca2Si2O7及其制备方法 |
| CN103922737A (zh) * | 2014-04-06 | 2014-07-16 | 桂林理工大学 | 可低温烧结的微波介电陶瓷Li3Nb3Si2O13及其制备方法 |
| CN104003723B (zh) * | 2014-05-24 | 2015-12-30 | 桂林理工大学 | 可低温烧结的微波介电陶瓷Li3Zn4NbO8及其制备方法 |
-
2014
- 2014-11-18 CN CN201410655379.XA patent/CN104370544B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104370544A (zh) | 2015-02-25 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
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