CN103531719A - Oled器件封装结构 - Google Patents
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Abstract
一种OLED器件封装结构,包括:上玻璃基板,下玻璃基板,连接上玻璃基板、下玻璃基板的玻璃封装料;在所述下玻璃基板靠近所述玻璃封装料处开设凹槽。在激光进行封装的时候,激光对玻璃封装料进行加热,玻璃封装料处于熔融状态,在受到上、下玻璃基板的贴合过程中的压力,熔融状态的玻璃封装料流入开设的凹槽中,防止玻璃封装料溢流出玻璃基板,避免OLED器件遭受破坏,提高OLED的封装良品率。
Description
技术领域
本发明涉及封装技术,特别是涉及一种OLED器件封装结构。
背景技术
随着技术的发展,OLED封装技术从胶水封装发展到目前的激光封装。激光对OLED器件进行封装的时候,上下玻璃基板之间的玻璃封装材料受到激光的加热,玻璃封装料开始融化,在上下玻璃基板的贴合过程中(即上下玻璃基板受到压力),由于玻璃封装料为熔融状态,在受到压力的情况下会朝外侧溢流出,或者朝内侧(OLED芯片方向)流动,使得OLED器件遭受破坏,造成OLED的封装良品率降低。
发明内容
基于此,提供一种防止玻璃封装料溢出的OLED器件封装结构。
一种OLED器件封装结构,包括:上玻璃基板,下玻璃基板,连接上玻璃基板、下玻璃基板的玻璃封装料;在所述下玻璃基板靠近所述玻璃封装料处开设凹槽。
在其中一个实施例中,在所述玻璃封装料的两侧的所述下玻璃基板上开设凹槽。
在其中一个实施例中,在所述玻璃封装料所对应的所述下玻璃基板上开设凹槽。
在其中一个实施例中,还包括:预警层,所述预警层设置在所述玻璃封装的内侧,所述预警层为水致变色材料。
在其中一个实施例中,所述水致变色材料为无水硫酸铜或无水氯化钴。
在其中一个实施例中,所述凹槽为倒T型。
在其中一个实施例中,还包括,在所述上玻璃基板靠近所述玻璃封装料处开设凹槽。
在其中一个实施例中,在所述玻璃封装料的两侧的所述上玻璃基板上开设凹槽。
在其中一个实施例中,所述玻璃封装料的组分为:10-20%的B2O3、25-45%的ZnO、25-45%的P2O5、0-20的%Co2O3、0-20%的CuO。
在其中一个实施例中,所述玻璃封装料的组分为:16%的B2O3、35%的ZnO、29%的P2O5、20%的Co2O3。
在激光进行封装的时候,激光对玻璃封装料进行加热,玻璃封装料处于熔融状态,在受到上、下玻璃基板的贴合过程中的压力,熔融状态的玻璃封装料流入开设的凹槽中,防止玻璃封装料溢流出玻璃基板,避免OLED器件遭受破坏,提高OLED的封装良品率。
附图说明
图1为一实施例OLED器件封装结构示意图;
图2为另一实施例OLED器件封装结构示意图;
图3为一实施例OLED器件封装结构正视图;
图4为另一实施例OLED器件封装结构示意图;
图5为另一实施例OLED器件封装结构示意图;
图6为一实施例具有预警层的OLED器件封装结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
参阅附图1~5,OLED器件封装结构,包括:上玻璃基板1,下玻璃基板2、玻璃封装料3以及在玻璃基板上开设的凹槽4。
上玻璃基板1,是OLED器件重要的组成构件之一,一般为透明的玻璃基板构成。
下玻璃基板2,是OLED器件重要的组成构件之一,OLED芯片、电极(图未示)等设置在下玻璃基板2上。
玻璃封装料3,连接上玻璃基板1和下玻璃基板2,密封上玻璃基板1和下玻璃基板2。具体地,玻璃封装料3一般是预烧结在上玻璃基板1上,然后上玻璃基板1与下玻璃基板2对位准确,最后通过激光对玻璃封装料3进行加热,实现上玻璃基板1与下玻璃基板2的封装。
在靠近玻璃封装料3处的下玻璃基板2上开设有凹槽4。可以理解,该凹槽4可以在玻璃封装料3的两侧皆开设,或者在玻璃封装料3的一侧开设,或者在玻璃封装料3所对应的下玻璃基板2上开设。
在激光进行封装的时候,激光对玻璃封装料3进行加热,玻璃封装料3处于熔融状态,在受到上、下玻璃基板的贴合过程中的压力,熔融状态的玻璃封装料3流入开设的凹槽4中,防止玻璃封装料3溢流出玻璃基板,避免OLED器件遭受破坏,提高OLED的封装良品率。
把凹槽4设置在玻璃封装料3所对应的下玻璃基板2上,由于重力的作用,玻璃封装料3恰能够流入到该凹槽4内,更为有效的防止玻璃封装料3溢流。
在一实施例中,结合附图4~5,该凹槽4设置为倒T型,熔融状态的玻璃封装料3流入到T型的凹槽4内,当玻璃封装料3冷却后,玻璃封装料3形成一个卡合件,紧密的把上、下玻璃基板2连接为一体,密封性更佳。
在一实施例中,结合附图6,器件封装结构,还包括:预警层5,预警层5设置在玻璃封装的内侧,预警层5为水致变色材料。
具体地,预警层5设置在玻璃封装料3的内侧,即OLED器件的密封区域的内部。而预警层5是水致变色材料(遇水变颜色)制成,最佳的是无水硫酸铜(遇水变蓝色)或无水氯化钴(遇水变粉红色)。可以理解,水致变色材料可以多种,例如是碘单质或高锰酸钾等。
由于密封的OLED器件,在使用一段时间后,玻璃封装料3或多或少的会产生一些裂缝,水汽就会通过这些裂缝进入OELD器件内部。通过设置具有该水致变色材料的预警层5,水汽进入OLED器件内部时遇到水致变色材料变色,可以起到预警作用,告知使用该OLED器件的用户:该OLED器件即将损坏,需要及时更换。
在一实施例中,器件封装结构上开设的凹槽4,除了在下玻璃基板2上开设的同时,还可以在上玻璃基板1上开设凹槽4,凹槽4开设的位置为靠近玻璃封装料3。进一步地,在玻璃封装料3的两侧的上玻璃基板1上开设凹槽4。
在一实施例中,为了使得玻璃封装料3具有更佳的热膨胀系数及熔点温度,玻璃封装料3组分的质量分数为:10-20%的B2O3、25-45%的ZnO、25-45%的P2O5、0-20的%Co2O3、0-20%的CuO。
最佳的为:16%的B2O3、35%的ZnO、29%的P2O5、20%的Co2O3。
具体地,玻璃封装料3的种类对封装效果有较大的影响,结合以下附表,该种玻璃封装料3各种配比的实验效果。理想状态下CTE以及熔点温度数值越小越好,但是实际上降低熔点温度时,热膨胀系数则会升高,反之也一样。传统玻璃料采用五氧化二钒作为吸收剂加入到玻璃料中,但是五氧化二钒为有毒物质,如果操作不当会对环境造成影响;此外,传统材料,虽然保证了玻璃料的融化温度下降,但是玻璃料与玻璃基板之间的CTE(热膨胀系数)差别很大,在封接时容易造成裂纹和坍塌。
注:各物质的数值为质量数比。
采用以上配比组分的玻璃料,添加三氧化二钴作为吸收剂,激光吸收率高,使得激光封装工艺时间缩短。此外该种材料不含有毒成分,不污染环境,还具有熔点低、CTE系数低的特点。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种OLED器件封装结构,其特征在于,包括:上玻璃基板,下玻璃基板,连接上玻璃基板、下玻璃基板的玻璃封装料;在所述下玻璃基板靠近所述玻璃封装料处开设凹槽。
2.根据权利要求1所述的OLED器件封装结构,其特征在于,在所述玻璃封装料的两侧的所述下玻璃基板上开设凹槽。
3.根据权利要求1所述的OLED器件封装结构,其特征在于,在所述玻璃封装料所对应的所述下玻璃基板上开设凹槽。
4.根据权利要求2或3所述的OLED器件封装结构,其特征在于,还包括:预警层,所述预警层设置在所述玻璃封装的内侧,所述预警层为水致变色材料。
5.根据权利要求4所述的OLED器件封装结构,其特征在于,所述水致变色材料为无水硫酸铜或无水氯化钴。
6.根据权利要求2或3所述的OLED器件封装结构,其特征在于,所述凹槽为倒T型。
7.根据权利要求6所述的OLED器件封装结构,其特征在于,还包括,在所述上玻璃基板靠近所述玻璃封装料处开设凹槽。
8.根据权利要求7所述的OLED器件封装结构,其特征在于,在所述玻璃封装料的两侧的所述上玻璃基板上开设凹槽。
9.根据权利要求1所述的OLED器件封装结构,其特征在于,所述玻璃封装料的组分为:10-20%的B2O3、25-45%的ZnO、25-45%的P2O5、0-20的%Co2O3、0-20%的CuO。
10.根据权利要求9所述的OLED器件封装结构,其特征在于,所述玻璃封装料的组分为:16%的B2O3、35%的ZnO、29%的P2O5、20%的Co2O3。
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