CN103509345A - 固化性树脂组合物、它的固化物及使用该固化物的光半导体装置 - Google Patents

固化性树脂组合物、它的固化物及使用该固化物的光半导体装置 Download PDF

Info

Publication number
CN103509345A
CN103509345A CN201310249955.6A CN201310249955A CN103509345A CN 103509345 A CN103509345 A CN 103509345A CN 201310249955 A CN201310249955 A CN 201310249955A CN 103509345 A CN103509345 A CN 103509345A
Authority
CN
China
Prior art keywords
composition
curable resin
aforementioned
resin composition
formula
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201310249955.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103509345B (zh
Inventor
小内谕
田部井栄一
池野正行
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2012140448A external-priority patent/JP5739380B2/ja
Priority claimed from JP2012172513A external-priority patent/JP5788839B2/ja
Application filed by Shin Etsu Chemical Co Ltd filed Critical Shin Etsu Chemical Co Ltd
Publication of CN103509345A publication Critical patent/CN103509345A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103509345B publication Critical patent/CN103509345B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04Polysiloxanes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04Polysiloxanes
    • C08G77/12Polysiloxanes containing silicon bound to hydrogen
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04Polysiloxanes
    • C08G77/14Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04Polysiloxanes
    • C08G77/14Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
    • C08G77/16Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups to hydroxyl groups
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D183/00Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D183/04Polysiloxanes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12044OLED
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0058Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0083Periodic patterns for optical field-shaping in or on the semiconductor body or semiconductor body package, e.g. photonic bandgap structures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0091Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/56Materials, e.g. epoxy or silicone resin

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

本发明的目的在于提供一种光半导体装置用固化性树脂组合物、它的固化物及光半导体装置,该光半导体装置用固化性树脂组合物,将使用低粘度的固化性树脂组合物并分散有无机荧光体粒子而成的密封剂,填充至封装体基板时,在制造初期与制造后期,无机荧光体粒子的分散状态并无变化,具体来说,在制造初期与制造后期,含有等量的无机荧光体粒子,从而可以稳定地维持演色性。由此,本发明提供一种固化性树脂组合物,特征在于:所述固化性树脂组合物至少添加有无机荧光体粒子、与1nm以上~不足100nm的一次粒径纳米粒子;并且,前述纳米粒子,是以体积换算Q3下,平均粒径为100nm以上且20μm以下的二次凝集粒子的形态加以分散。

Description

固化性树脂组合物、它的固化物及使用该固化物的光半导体装置
技术领域
本发明涉及一种固化性树脂组合物、它的固化物及光半导体装置,所述固化性树脂组合物作为光学装置/光学零件用材料、电子装置/电子零件用绝缘材料、及涂层材料等发挥作用。
背景技术
从消耗电力低、寿命长的特征来看,通常,以发光二极管(light-emittingdiode,LED)所代表的光半导体装置逐渐被用于手机用背光、液晶电视用背光、汽车用照明、照明用具及广告牌等广泛用途。
尤其,伴随LED装置在室外照明用途和汽车用途的应用的扩大,对于用作LED元件密封材料、电子装置绝缘材料或涂层材料的树脂组合物,逐渐要求其具有较高耐久性。即,寻求一种即使在严酷的温度循环下,也难以产生裂痕,且长时间高温曝晒时的耐变色性优异,进一步可以防止SOx等气体穿透的性能。
通常,光半导体装置的发光特性是由光波长转换材料(以下称作荧光体)与光半导体元件的组合所决定,根据混入的荧光体的重量比,可以获得各种目标演色性的光半导体装置。然而,在这种光半导体装置的制造中,难以连续制作演色性稳定的发光设备。在具体例中,通过使用分配(dispense)装置,将在高透明性的固化性树脂组合物中添加有荧光体而成密封剂,以特定量填充到构装、焊线有光半导体元件的具有凹形的封装体基板后,进行固化而制造,但是,在此工序中,所添加的荧光体的比重,比固化性树脂组合物大,因此,经过一段时间,荧光体会因自身重力而沉降在前述密封剂所填充的容器下方。这是由于通常的荧光体为具有约4~6g/cm3的密度且20μm以下的平均粒径的材料,而固化性树脂组合物的密度为约1g/cm3,因此,可以容易理解,在制造制程的密封工序期间内,荧光体历时沉淀。因此,在封装体基板上填充已混入有荧光体的密封剂时,产生以下现象:在制造初期与制造后期,荧光体的分散状态发生变化,在制造初期,密封剂中的荧光体含量变多,而在制造后期,密封剂中的荧光体含量变少。荧光体含量的多少直接关系到光转换的光的量,因此,产生这种问题:最初设计的演色性产生不均,无法获得特性稳定的产品。
作为解决前述课题的示例,专利文献1是在热固化性树脂组合物中,添加平均粒径为0.1~100μm的硅橡胶球状微粒。然而,本方法的问题在于,硅橡胶球状微粒自身、及表面的处理剂等,大多耐热性、耐光性较差。进一步,在专利文献2中提出有一种方法,所述方法是通过将平均粒径为1nm以上且25nm以下的纳米粒子,在纳米状态下分散的方法,来防止荧光体的沉降。
但是,所提出的这些上述方法,虽然相对于较高粘度的固化性树脂组合物可以获得防止荧光体沉降的效果,但是针对低粘度的固化性树脂组合物,无法获得这种效果,从而相对于所设计的演色性,产生不均,且无法获得特性稳定的产品的问题依然继续存在。
即,一直寻求一种光半导体装置用固化性树脂组合物,所述光半导体装置用固化性树脂组合物在使用低粘度的固化性树脂组合物,并将分散有荧光体的密封剂填充至封装体基板时,在制造初期与制造后期,荧光体的分散状态均无变化,在制造初期与制造后期含有等量的荧光体,从而可以维持稳定的演色性。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利第4591690号公报
专利文献2:日本特表2005-524737号公报
发明内容
[发明要解决的课题]
本发明是鉴于上述情况而完成,目的在于提供一种固化性树脂组合物、它的固化物及光半导体装置,所述固化性树脂组合物,即使将使用低粘度的固化性树脂组合物,并分散有无机荧光体粒子而成的密封剂填充至封装体基板时,在制造初期与制造后期,无机荧光体粒子的分散状态均无变化,具体来说,在制造初期与制造后期,含有等量的无机荧光体粒子,从而可以稳定地维持演色性。
并且,目的在于提供一种固化性树脂组合物、它的固化物及光半导体装置,所述固化性树脂组合物对于反复的冷热冲击具有较高耐受性,因此,即使在严酷的温度循环下也难以产生裂痕,且耐变色性优异,并可以防止SOx等气体的穿透,可以进一步稳定地维持演色性。
[解决课题的方法]
为了解决上述课题,根据本发明,提供一种固化性树脂组合物,其特征在于,其至少添加有无机荧光体粒子与1nm以上~不足100nm的一次粒径纳米粒子;并且,前述纳米粒子,是以体积换算Q3下,平均粒径为100nm以上且20μm以下的二次凝集粒子的形态加以分散。
这种固化性树脂组合物,通过纳米粒子在二次凝集的状态下存在于固化性树脂组合物中,可以有效地阻碍无机荧光体粒子伴随重力而移动的力,从而防止沉降。由此,即使分配工序花费较长时间时,也可以使LED装置中的无机荧光体粒子在分配工序的初期与后期,基本为等量,从而可以提高密封剂的操作性。
并且,提供一种固化性树脂组合物,其中,在前述固化性树脂组合物中分散有平均粒径为0.5~100μm的硅酮粉末。
这种固化性树脂组合物对于反复的冷热冲击具有较高耐受性,因此,即使在严酷的温度循环下也难以产生裂痕,且耐变色性优异,并可以防止SOx等气体的穿透。
并且,前述固化性树脂组合物优选为,包含硅酮树脂、改质硅酮树脂、环氧树脂及改质环氧树脂中的至少一种,且前述固化性树脂组合物的室温下的粘度为100mPa.s以上且10000mPa.s以下。
如果为这种固化性树脂组合物,那么可以进一步获得无机荧光体粒子的防沉降作用的效果。
并且,优选为前述固化性树脂组合物包含硅酮树脂或改质硅酮树脂。
如果为这种固化性树脂组合物,那么作为发光二极管、LED元件密封材料等光学用涂层材料将发挥作用。
进一步,优选为是一种固化性树脂组合物,其中,前述固化性树脂组合物,是固化性硅组合物,所述固化性硅组合物包含:
(A)化合物,所述化合物具有由下述通式(1)所表示的结构:
Figure BDA00003387770700041
(式中,R1是脂肪族不饱和基,R2是相同或不同种类的未被取代或取代的一价烃基,Ar是相同或不同种类的也可以具有杂原子的芳基,n是1以上的整数);
(B)化合物,所述化合物具有由下述平均组成式(2)所表示的结构:
R3 aHbSiO(4-a-b)/2  (2)
(式中,R3是彼此相同或不同种类的未被取代或取代的键结于硅原子上的一价烃基,其中,脂肪族不饱和基除外;a及b是满足0.7≤a≤2.1、0.001≤b≤1.0且0.8≤a+b≤3.0的正数);及
(C)氢化硅烷化催化剂,所述氢化硅烷化催化剂包含铂族金属。
通过在前述(A)成分的通式(1)中的R中具有脂肪族不饱和基,可以在加成反应开始前,将本发明组合物稳定地维持为未固化的状态,且,在加成反应开始后,可以容易地将该组合物固化。并且,(B)成分可以与(A)成分进行氢化硅烷化加成反应,并作为交联剂来作用。通过具有(C)成分,可以促进(A)成分与(B)成分的氢化硅烷化加成反应。
并且,优选为,前述固化性硅组合物的(A),具有由下述通式(1’)所表示的结构,且包含每1分子具有至少2个脂肪族不饱和基的化合物,
Figure BDA00003387770700042
(式中,R是相同或不同种类的未被取代或取代的一价烃基,Ar是相同或不同种类的、也可以具有杂原子的芳基,m是0或1以上的整数,n’是1以上的整数)。
如果为这种化合物,那么(B)成分可以与(A)成分进行氢化硅烷化加成反应,并作为交联剂来作用。
并且,由前述通式(1)或通式(1’)所表示的(A)成分中,优选为Ar是苯基,n或n’是1~100的整数。
如此一来,在(A)成分中,通式(1)或通式(1’)中的Ar,优选为未被取代的芳香族烃基,尤其优选为苯基。如果Ar为苯基,那么折射率、透明性优异,与此同时,抗裂性也更为优异。
并且,优选为,前述固化性树脂组合物进一步包含下述(D)成分,
所述(D)成分具有由下述平均组成式(3)所表示的结构的化合物:
R0 c(C6H5)dSiO(4-c-d)/2(3)
[式中,R0是相同或不同的取代或未被取代的一价烃基或烷氧基及羟基中的任一种,全部R0中0.1~80mol%为烯基,c、d是满足1≤c+d≤2、0.20≤d/(c+d)≤0.95的正数]。
通过具有这种前述(D)成分,可以获得优选的树脂组合物的固化物的硬度。
并且,将前述固化性硅酮树脂组合物固化所获得的固化物的氧穿透率,优选为1,000cm3/m2/24h/atm以下。
如此一来,如果固化物的氧穿透率为上述值以下,那么可以有效地获得对硫氧化物等气体穿透的抑制。
并且,前述固化性树脂组合物优选为固化性改质硅组合物,所述固化性改质硅组合物包含:
(E):含有多环式烃基的有机硅化合物,所述含有多环式烃基的有机硅化合物,是(X)有机硅化合物、与(Y)多环式碳化氢化合物的加成反应生成物,且1分子中具有2个键结于硅原子上的碳-碳双键,其中,所述(X)有机硅化合物1分子中具有2个键结于硅原子上的氢原子,所述(Y)多环式碳化氢化合物1分子中具有2个氢化硅烷化反应性碳-碳双键;
(F):硅氧烷化合物或有机改质硅氧烷化合物及两者的组合中的任一种,所述硅氧烷化合物1分子中具有3个以上键结于硅原子上的氢原子;及
(C):氢化硅烷化催化剂,所述氢化硅烷化催化剂包含铂族金属。
如果为前述固化性改质硅组合物,那么具有透明性、耐热性、及耐光性,因此作为发光二极管、LED装置密封材料等光学用涂层材料将发挥作用。
优选为,前述(E)成分中的(X)成分是由下述通式(4)所表示的有机硅化合物:
Figure BDA00003387770700061
[式中的A是选自由下述通式(5):
(式中,R’是独立的未被取代或取代的碳原子数为1~12的一价烃基或碳原子数为1~6的烷氧基,r’是0~100的整数)
所表示的基团;及由下述结构式(6):
Figure BDA00003387770700063
所表示的基团所组成的群组的二价基;
R”是独立的未被取代或取代的碳原子数为1~12的一价烃基或碳原子数为1~6的烷氧基]。
这种(X)成分作为(E)成分的原料尤其有用,并且,如果上述R”及R’全部为甲基,那么将易于工业化制造,从而可以容易地获得。
优选为,前述(Y)成分的多环式碳化氢化合物是5-乙烯基二环[2.2.1]庚-2-烯、6-乙烯基二环[2.2.1]庚-2-烯或前述两者的组合。
如果为如前述的1分子中具有2个加成反应性碳-碳双键的多环式碳化氢,那么将进行利用氢化硅烷化反应的加成反应。
优选为,(F)成分是1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷。
这种(F)成分中的SiH,与上述(E)成分的1分子中具有至少2个的加成反应性碳-碳双键,通过氢化硅烷化反应进行加成,可以形成三维网状结构的固化物。
并且,优选为,前述(F)成分,是5-乙烯基二环[2.2.1]庚-2-烯、6-乙烯基二环[2.2.1]庚-2-烯或前述两者的组合、与1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷的加成反应生成物。
如果为这种(F)成分,那么对于与(E)成分的1分子中具有至少2个的加成反应性碳-碳双键进行氢化硅烷化反应,尤其有用。
并且,本发明提供一种固化物,其是将前述固化性树脂组合物加以固化而成。
如果为本发明的固化性树脂组合物,那么即使为低粘度,也可以防止无机荧光粒子沉降,对于反复的冷热冲击具有较高耐受性与耐变色性,且可以抑制SOx等气体的穿透量。
并且,本发明提供一种光半导体装置,其使用前述固化性树脂组合物的固化物。
可以提供一种光半导体装置,所述光半导体装置通过将由前述固化物所组成的密封剂填充至封装体基板,从而耐热冲击性、耐变色性优异,并稳定地维持演色性。
[发明效果]
如以上说明,本发明的固化性树脂组合物,对于反复的冷热冲击具有较高耐受性,因此,即使在严酷的温度循环下也难以产生裂痕,长时间高温曝晒时的耐变色性优异,并进一步形成可以防止SOx等气体穿透的固化物,并且,即使将在低粘度的固化性树脂组合物中分散有无机荧光体粒子的密封剂,填充至封装体基板时,在制造初期与制造后期也含有等量的无机荧光体粒子,从而作为可以稳定地维持演色性的固化性树脂组合物,发挥作用。
附图说明
图1是表示本发明光半导体装置的一个实例的概略剖面图。
附图中标记的说明:
1分散有无机荧光体粒子的密封剂;2线;3光半导体元件。
具体实施方式
以下,更为详细地说明本发明。
如前所述,一直寻求一种光半导体装置用固化性树脂组合物,所述光半导体装置用固化性树脂组合物具有优异的耐热冲击性、耐变色性、及气体阻绝性,并且即使将使用低粘度的固化性树脂组合物,并分散有无机荧光体粒子的密封剂填充至封装体基板时,在制造初期与制造后期也含有等量的无机荧光体粒子,由此可以维持演色性。
因此,本发明人等为了解决上述课题而反复努力研究,结果发现一种固化性树脂组合物可以达成本发明的目的,从而完成了本发明,所述固化性树脂组合物的特征在于:至少添加无机荧光体粒子与1nm以上~不足100nm的一次粒径纳米粒子;并且,前述纳米粒子,是以体积换算Q3下,平均粒径为100nm以上且20μm以下的二次凝集粒子的形态加以分散,并进一步分散有平均粒径为0.5~100μm的硅酮粉末(Silicone Powder)。
以下,详细地说明本发明。另外,在本说明书中,“平均粒径”是指,利用激光衍射/散射法求得的粒度分布中的体积基准的积算值50%下的粒径。
本发明的固化性树脂组合物,主要用于光半导体装置,目的在于防止光转换用所添加的无机荧光体粒子的沉降,所述固化性树脂组合物的特征在于:添加了一次粒子中的平均粒径为1nm以上且不足100nm大小的纳米粒子;并且,在固化性树脂组合物中,前述纳米粒子以平均粒径二次凝集为100nm以上且20μm以下的形态存在,并进一步分散有平均粒径为0.5~100μm的硅酮粉末。
如此一来,通过纳米粒子以二次凝集的状态存在于固化性树脂组合物中,可以有效地阻碍无机荧光体粒子伴随重力移动的力,从而防止沉降。由此,即使分配工序花费较长时间时,也可以使LED装置中的无机荧光体粒子在分配工序的初期与后期,基本为等量,从而可以提高密封剂的操作性,并对于反复的冷热冲击具有较高耐受性,因此,固化物即使在严酷的温度循环下也难以产生裂痕,并且长时间的高温曝晒时的耐变色性优异。
前述纳米粒子的一次粒径为1nm以上且不足100nm,更优选为5nm以上且50nm以下。当一次粒径为100nm以上时,由于会引起由光半导体所发出的光的散射,且会导致作为光半导体装置时亮度降低,因而不优选。当不足1nm时,添加时的操作性变得困难,进一步变得难以控制二次凝集粒子的粒径。
本发明的特征在于:将具备前述范围的一次粒径的纳米粒子添加至固化性树脂组合物中时,在固化性树脂组合物中,纳米粒子,以体积换算Q3下,二次凝集粒子的平均粒径为100nm以上且20μm以下的形态加以分散。更优选为100nm以上且10μm以下。如果二次凝集粒子的平均粒径不足100nm,那么将无法获得无机荧光体粒子的防沉降作用的效果,从而造成颜色不均,因而不优选。并且,如果超过20μm,那么由于二次凝集粒子的粒径较大,因此,造成分配作业中使用的喷嘴堵塞,从而密封剂中的无机荧光体粒子的含量不均,因而不优选。
在固化性树脂组合物中,可以通过组合后述纳米粒子与固化性树脂组合物并进行分散,来获得具有前述范围粒径的二次凝集粒子的形态。向固化性树脂组合物中分散纳米粒子的方法并无特别限制,可以使用公知的方法。可以列举例如,利用各种形式的混合机混合、利用自转公转式搅拌机混合、及使用辊混匀等。搅拌时,也可以使搅拌***内为真空,以进行脱泡。优选为,利用简便并具备真空抽吸功能的自转公转式搅拌机进行混合。也可以预先分散二次凝集为目标粒径的纳米粒子。
以下列举前述纳米粒子的示例,但是并不限定于此。
以可以获得防止目标产品中具有各种形状/比重的无机荧光体粒子沉降的效果的方式、及可以获得在固化性树脂组合物中适度凝集的二次粒子(体积换算Q3下,平均粒径为100nm以上且20μm以下)的方式来进行选择即可,进一步使用对应目标的折射率的纳米粒子即可。例如,如果为二氧化硅,那么可以列举:气相二氧化硅、溶融二氧化硅等利用干式法制造的二氧化硅;或胶体二氧化硅、溶胶-凝胶二氧化硅、及沉淀二氧化硅等利用湿式法制造的二氧化硅。此外,还可以列举:氧化铝、氧化镁、氧化锑、氢氧化铝、硫酸钡、碳酸镁、及碳酸钡。其中,适宜使用可以获得挥发成分较少、且高透明性的气相二氧化硅或氧化铝。
纳米粒子可以采取任何形状,可以采取例如,球体状、薄片状、针状或平板状的形状。优选为容易取得二次凝集形态的球体状。
纳米粒子的添加量并无特别限制,只要可以获得无机荧光体粒子的防沉降作用的效果即可,优选为,相对于固化性树脂组合物100质量份,前述纳米粒子为50质量份以下,更优选为20质量份以下。如果为前述添加量,那么无需担心会造成分配工序中的喷嘴堵塞。
上述纳米粒子也可以利用硅烷耦合剂进行表面处理,以控制二次粒径。通过表面处理纳米粒子的表面,可以降低二次粒子的凝集性,从而获得小粒径的二次粒子。因此,以可以获得防止目标光半导体装置中具有各种形状/比重的无机荧光体粒子沉降的效果的方式,在可以获得适度凝集的二次粒子(体积换算Q3下,平均粒径为100nm以上且20μm以下)的范围内选择即可。作为硅烷耦合剂,例示有:含有烷基的硅烷耦合剂、含有烯基的硅烷耦合剂、含有环氧基的硅烷耦合剂、含有(甲基)丙烯基的硅烷耦合剂、含有异氰酸酯基的硅烷耦合剂、含有异氰脲酸酯基的硅烷耦合剂、含有胺基的硅烷耦合剂、及含有巯基的硅烷耦合剂等公知的硅烷耦合剂。
本发明的固化性树脂组合物的特征在于:连同上述纳米粒子,还分散有平均粒径为0.5~100μm的硅酮粉末。
通过添加硅酮粉末而获得的第1个优点为,提升机械特性。由硅酮粉末具有低弹性可知:作为因发光元件的亮灯/灭灯所反复受到的热冲击的应力缓和剂而发挥作用,因此,形成一种密封树脂,所述密封树脂对热冲击具有较高耐受性,即使在严酷的温度循环下也难以产生裂痕。
进一步,可以改善通常橡胶材料的这种性质:“具有特有的粘性(粘附性),并且由于是橡胶材料,因此难以坚固地保护LED元件”。即,可以抑制粘性,并使固化皮膜坚固。
第二个优点为,提升耐变色性。已知硅酮粉末在高温环境下变色较少,通过将其调配至密封树脂中,可以抑制加热时的变色。并且,硅酮粉末不存在光的吸收,也并不会如其他有机树脂粉末接受来自发光元件的紫外光而逐渐变黑。由此,可以抑制高温环境下的密封树脂变色,并且,即使长时间曝露在紫外光中也可以维持透明性,因此,可以获得寿命更长的发光半导体装置。
作为该硅酮粉末,具有:聚有机倍半硅氧烷微粉末即硅酮树脂粉末,例如,日本特公昭40-16917号公报、日本特开昭54-72300号公报、日本特开昭60-13813号公报、日本特开平3-244636号公报、日本特开平4-88023号公报所记载的硅酮树脂粉末;及在硅酮橡胶粉末的表面包覆聚有机倍半硅氧烷微粉末(树脂)的结构的硅复合粉末,例如日本特开平7-196815号公报中记载的硅复合粉末等,这些硅酮粉末可以单独使用,或并用两种以上。上述硅酮粉末可以利用公知的制造方法制作,也可以以市售品的形式获得。
这种硅酮粉末使用平均粒径为0.5~100μm范围内的硅酮粉末,进一步优选为1~15μm。如果平均粒径不足0.5μm,那么分散在组合物中时,将引起粉末彼此间的凝集,导致树脂组合物的固化物的强度降低,进一步,伴随着比表面积增大,加热时的氧化将造成变色,从而引起耐变色性降低。并且,如果平均粒径超过100μm,那么向固化物中的均匀分散/分配作业性降低(具体来说,形成网纹(cobwebbing)、分配喷嘴堵塞),从这一观点来看,不优选。
相对于下述(A)成分与(B)成分的合计100质量份,硅酮粉末的含量优选为0.1~500质量份,更优选为1~100质量份。如果含量为0.1质量份以上,那么目标树脂组合物的固化物的耐热冲击性、加热时变色性、及气体阻绝性得以提升,如果含量为500质量份以下,那么无需担心组合物成为高粘度,从而制作固化物时的作业性变差,因此工业化方面优选。
作为这种硅酮粉末,如果是硅酮树脂粉末,那么可以列举例如,日本信越化学工业(股)公司(Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.)制造的KMP590、KMP701、X-52-854、及X-52-1621,如果是硅复合粉末,那么可以列举例如,日本信越化学工业(股)公司制造的KMP600、KMP601、KMP602、KMP605、及X-52-7030,但是并不限定于此。
无机荧光体粒子,例如为,吸收来自将氮化物系半导体作为发光层的半导体发光二极管的光,并进行波长转换为不同波长的光的无机荧光体粒子即可。优选为选自例如至少下述任意1个以上:主要被Eu、Ce等镧系元素活化的氮化物系荧光体/氧氮化合物系荧光体;主要利用Eu等镧系、Mn等过渡金属系元素活化的碱土类卤磷灰石荧光体、碱土类金属卤硼酸盐荧光体、碱土类金属铝酸盐荧光体、碱土类硅酸盐荧光体、碱土类硫化物荧光体、碱土类硫代镓荧光体、碱土类氮化硅荧光体、锗酸盐荧光体;或主要被Ce等镧系元素活化的稀土类铝酸盐荧光体、稀土类硅酸盐荧光体;或主要被Eu等镧系元素活化的有机及有机络合物荧光体;及,Ca-Al-Si-O-N系氧氮化合物玻璃荧光体等。作为具体例,可以使用下述无机荧光体粒子,但是并不限定于此。
主要被Eu、Ce等镧系元素活化的氮化物系荧光体粒子,有M2Si5N8:Eu(M是选自Sr、Ca、Ba、Mg、及Zn的至少一种)等。并且,除了M2Si5N8:Eu以外,还有MSi7N10:Eu、M1.8Si5O0.2N8:Eu、M0.9Si7O0.1N10:Eu(M是选自Sr、Ca、Ba、Mg、及Zn的至少一种)等。
主要被Eu、Ce等镧系元素活化的氧氮化合物系荧光体粒子,有MSi2O2N2:Eu(M是选自Sr、Ca、Ba、Mg、及Zn的至少一种)等。
作为主要利用Eu等镧系、Mn等过渡金属系的元素而被活化的碱土类卤磷灰石荧光体粒子,有M5(PO4)3X:R(M是选自Sr、Ca、Ba、Mg、及Zn的至少一种,X是选自F、Cl、Br、及I的至少一种,R是Eu、Mn、及Eu与Mn中的任1个以上)等。
作为碱土类金属卤硼酸盐荧光体粒子,有M2B5O9X:R(M是选自Sr、Ca、Ba、Mg、及Zn的至少一种。X是选自F、Cl、Br、及I的至少一种。R是Eu、Mn、及Eu与Mn中的任1个以上)等。
作为碱土类金属铝酸盐荧光体粒子,有SrAl2O4:R、Sr4Al14O25:R、CaAl2O4:R、BaMg2Al16O27:R、BaMg2Al16O12:R、BaMgAl10O17:R(R是Eu、Mn、及Eu与Mn中的任1个以上)等。
作为碱土类金属硫化物荧光体粒子,有La2O2S:Eu、Y2O2S:Eu、及Gd2O2S:Eu等。
作为主要被Ce等镧系元素活化的稀土类铝酸盐荧光体粒子,有由Y3Al5O12:Ce、(Y0.8Gd0.2)3Al5O12:Ce、Y3(Al0.8Ga0.2)5O12:Ce、及(Y,Gd)3(Al,Ga)5O12的组成式所表示的YAG系荧光体粒子等。并且,也有以Tb、Lu等取代部份或全部Y的Tb3Al5O12:Ce、Lu3Al5O12:Ce等。
作为其他荧光体粒子,有ZnS:Eu、Zn2GeO4:Mn、MGa2S4:Eu(M是选自Sr、Ca、Ba、Mg、及Zn的至少一种。X是选自F、Cl、Br、及I的至少一种)等。
根据要求,除了Eu以外,或者,上述荧光体粒子也可以含有选自Tb、Cu、Ag、Au、Cr、Nd、Dy、Co、Ni、及Ti中的一种以上来代替Eu。
Ca-Al-Si-O-N系氧氮化合物玻璃荧光体粒子,是指将氧氮化合物玻璃作为母体材料的荧光体粒子,其中,所述氧氮化合物玻璃以摩尔%表示,将CaCO3换算成CaO为20~50摩尔%、使Al2O3为0~30摩尔%、SiO为25~60摩尔%、AlN为5~50摩尔%、及稀土类氧化物或过渡金属氧化物为0.1~20摩尔%,且5种成分的合计为100摩尔%。另外,在将氧氮化合物玻璃作为母体材料的荧光体粒子中,优选氮含量为15wt%以下,并优选为,除稀土类氧化物离子以外,将成为激活剂的其他稀土类元素离子作为稀土类氧化物,在荧光玻璃中,以0.1~10摩尔%范围的含量作为共活化剂而含有。
并且,也可以使用上述荧光体粒子以外的具有相同性能、效果的荧光体粒子。
固化性树脂组合物包含选自硅酮树脂、改质硅酮树脂、环氧树脂、及改质环氧树脂中的至少一种,且室温(5~35℃的范围内)下的粘度为100mPa.s以上且10000mPa.s以下,更优选为100mPa.s以上且5000mPa.s以下。如果为100mPa.s以上,那么可以获得无机荧光体粒子的防沉降作用的效果,从而可以改善颜色不均。如果为10000mPa.s以下,那么无需担心在分配工序中,吐出时的速度降低造成的作业性降低,密封剂的网纹形成造成的密封剂填充量不均,及装置的污损等。
从透明性、耐热性、及耐光性的观点来看,如果本发明的固化性树脂组合物包含硅酮树脂、改质硅酮树脂,那么将更为优选。
本发明的固化性硅酮树脂组合物及固化性改质硅酮树脂组合物,作为发光二极管、LED元件密封材料等光学用涂层材料发挥作用,如果是固化性硅酮树脂组合物,那么优选为如下例示的组合物,但是并不限定于此。
固化性硅酮树脂组合物
优选为,以下,对本发明有效的固化性硅酮树脂组合物包含以下(A)~(C)成分,进一步包含(D)成分。对此各成分进行详细说明。
(A)成分
本发明中使用的(A)成分,是主链上具有重复的二芳基硅氧烷单元的直链状二有机聚硅氧烷。(A)成分的有机聚硅氧烷可以单独使用一种,或并用分子量、键结于硅原子上的有机基的种类等不同的两种以上。
(A)化合物,所述化合物具有由下述式(1)所表示的结构:
Figure BDA00003387770700131
(式中,R1是脂肪族不饱和基,R2是相同或不同种类的未被取代或取代的一价烃基,Ar是相同或不同种类的也可以具有杂原子的芳基,n是1以上的整数)。
在(A)成分中,作为式(1)中的Ar的芳基,是苯基、萘基等芳香族烃基,或包含呋喃基等杂原子(O,S,N)的芳香族基,进一步该芳基也可以具有卤素原子(例如,氯原子、溴原子、及氟原子)等取代基。Ar优选为未被取代的芳香族烃基,尤其优选为苯基。
作为(A)成分的式(1)中的R2的未被取代的或取代的一价烃基,可以列举下述脂肪族不饱和基、及此脂肪族不饱和基以外的一价烃基,例如,甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、仲丁基、及叔丁基等碳原子数为1~6的烷基;氯甲基、3,3,3-三氟丙基等碳原子数为1~4的卤代烷基;及苯基、甲苯基等碳原子数为6~10的芳基。在脂肪族不饱和基以外的一价烃基中,优选为碳原子数为1~6的烷基、苯基、及乙烯基,尤其优选为甲基。
作为式(1)中的R1的脂肪族不饱和基,是在加成反应开始前,可以将本发明组合物稳定地维持为未固化状态,并在加成反应开始后,可以容易地将该组合物固化即可,可以列举例如,乙烯性不饱和基、及乙炔性不饱和基。前述脂肪族不饱和基可以相同或不同,且1分子中含有至少2个。如此一来,(A)成分更优选为两末端包含脂肪族不饱和基。
并且,前述固化性硅组合物的(A)具有由下述通式(1’)所表示的结构,并包含每1分子具有至少2个脂肪族不饱和基的化合物。
Figure BDA00003387770700141
(式中,R是相同或不同种类的未被取代或取代的一价烃基,Ar是相同或不同种类的也可以具有杂原子的芳基,m是0或1以上的整数,n’是1以上的整数)。
在(A)成分中,作为式(1’)中的Ar的芳基,可以是苯基、萘基等芳香族烃基,或包含呋喃基等杂原子(O,S,N)的芳香族基,进一步该芳基也可以具有卤素原子(例如,氯原子、溴原子、及氟原子)等取代基。Ar优选为未被取代的芳香族烃基,尤其优选为苯基。
作为(A)成分的式(1’)中的R的未被取代的或取代的一价烃基,可以列举下述脂肪族不饱和基、及此脂肪族不饱和基以外的一价烃基,例如,甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、仲丁基、及叔丁基等碳原子数为1~6的烷基;氯甲基、3,3,3-三氟丙基等碳原子数为1~4的卤代烷基;苯基、甲苯基等碳原子数为6~10的芳基。在脂肪族不饱和基以外的一价烃基中,优选为碳原子数为1~6的烷基、苯基,尤其优选为甲基。
作为式(1’)中的R的脂肪族不饱和基,是在加成反应开始前,可以将本发明组合物稳定地维持为未固化状态,并在加成反应开始后,可以容易地将该组合物固化即可,可以列举例如,乙烯性不饱和基、及乙炔性不饱和基。前述脂肪族不饱和基可以相同或不同,1分子中含有至少2个。如此一来,(A)成分更优选为在两末端包含脂肪族不饱和基。
此处,“乙烯性不饱和基”是指,包含碳-碳双键,并进一步包含或不包含氧原子、氮原子等杂原子的有机基,作为它的具体例,可以列举:乙烯基、烯丙基、5-己烯基、丙烯基、及丁烯基等碳原子数为2~20、优选为2~10的烯基;1,3-丁二烯基等碳原子数为4~10的链二烯基;丙烯酰氧基(-O(O)CCH=CH2)、甲基丙烯酰氧基(-O(O)CC(CH3)=CH2)等前述烯基与羰氧基的组合;及丙烯酰胺基(-NH(O)CCH=CH2)等前述烯基与羰基胺基的组合。
并且,“乙炔性不饱和基”是指,包含碳-碳三键,并进一步包含或不包含氧原子、氮原子等杂原子的有机基,作为它的具体例,可以列举:乙炔基、炔丙基等碳原子数为2~20、优选为2~10的炔基;及乙炔氧羰(ethynylcarbonyl oxy)基(-O(O)CC≡CH)等前述炔基与羰氧基的组合。
其中,从获得(A)成分的原料时的生产性及成本、(A)成分的反应性等观点来看,前述脂肪族不饱和基优选为前述烯基,更优选为乙烯基、烯丙基及5-己烯基,尤其优选为乙烯基。
在(A)成分中,二芳基硅氧烷单元的聚合度n及n’是1以上的整数,优选为1~100的整数,更优选为1~20的整数,进一步优选为2~10的整数。
(A)成分可以通过例如,在将二苯基二氯硅烷或二烷氧基二苯基硅烷等双官能团硅烷水解/缩合后、或在水解/缩合的同时,利用含有脂肪族不饱和基的末端密封剂来密封末端而获得。
(B)成分
(B)成分是每1分子具有至少2个键结于硅原子上的氢原子(即,SiH基),并且不具有脂肪族不饱和基的有机硅化合物(含有SiH基的有机硅化合物),它与(A)成分进行氢化硅烷化加成反应,作为交联剂来发挥作用。(B)成分可以单独使用一种,或并用两种以上。(B)成分可以使用公知的任何化合物,只要是每1分子具有至少2个SiH基的硅化合物即可。
(B)成分中的键结于硅原子上的有机基,是不具有脂肪族不饱和基的未被取代的一价烃基或以卤素原子(例如,氯原子、溴原子、及氟原子)、含有环氧基的基团(例如,环氧基、缩水甘油基、及缩水甘油氧基)、及烷氧基(例如,甲氧基、乙氧基、丙氧基、及丁氧基)等取代的一价烃基。这种一价烃基可以列举例如,作为(A)成分的式(1)中的R2及式(1’)中的R的未被取代的或取代的一价烃基,而具体例示的碳原子数为1~6的烷基;碳原子数为1~4的卤代烷基;及碳原子数为6~10的芳基。该有机基优选为碳原子数为1~6的烷基、或碳原子数为6~10的芳基,更优选为甲基或苯基。并且,一价烃基的取代基具有含有环氧基的基团及/或烷氧基时,可以赋予本发明组合物的固化物以粘着性。
(B)成分为每1分子具有至少2个SiH基的有机氢聚硅氧烷即可,该有机氢聚硅氧烷的分子结构并无特别限制,可以使用例如,直链状、环状、支链状、及三维网状结构(树脂状)等先前制造的各种有机氢聚硅氧烷。
前述有机氢聚硅氧烷的1分子中具有至少2个(通常为2~300个左右)、优选为3个以上(通常为3~200个,优选为4~100个左右)的SiH基。当前述有机氢聚硅氧烷具有直链状结构或支链状结构时,这些SiH基可以仅位于分子链末端及分子链非末端部分中的任意一者上,也可以位于两者上。
前述有机氢聚硅氧烷的1分子中的硅原子的个数(聚合度)优选为2~1,000个,更优选为3~200个,进一步更优选为4~100个左右。进一步,前述有机氢聚硅氧烷优选为在25℃下为液状,且利用旋转粘度计测定的25℃下的粘度优选为1~1,000mPa.s,更优选为10~100mPa.s左右。
前述有机氢聚硅氧烷,可以使用例如,由下述平均组成式(2)所表示的有机氢聚硅氧烷
R3 aHbSiO(4-a-b)/2  (2)
(式中,R3是前述脂肪族不饱和基以外的彼此相同或不同种类的未被取代或取代的键结于硅原子上的一价烃基,a及b是满足0.7≤a≤2.1、0.001≤b≤1.0、且0.8≤a+b≤3.0,优选为满足1.0≤a≤2.0、0.01≤b≤1.0、且1.5≤a+b≤2.5的正数)。
上述R3可以列举例如,作为(A)成分中的式(1)中的、脂肪族不饱和基以外的未被取代的或取代的一价烃基而具体例示的碳原子数为1~6的烷基或碳原子数为1~4的卤代烷基、及碳原子数为6~10的芳基。R3优选为碳原子数为1~6的烷基、或碳原子数为6~10的芳基,更优选为甲基或苯基。
由上述平均组成式(2)所表示的有机氢聚硅氧烷可以列举例如,包含至少四个由式:R3HSiO所表示的有机氢硅氧烷单元的环状化合物、由式:R3 3SiO(HR3SiO)sSiR3 3所表示的化合物、由式:HR3 2SiO(HR3SiO)sSiR3H所表示的化合物、及由式:HR3SiO(HR3SiO)s(R3 2SiO)tSiR3 2H所表示的化合物等。在上述式中,R3如前述,s及t是1以下的正数。
或者,由上述平均组成式(2)所表示的有机氢硅氧烷,也可以包含由式:HSiO1.5所表示的硅氧烷单元、由式:R3HSiO所表示的硅氧烷单元、及/或由式:R3 2HSiO0.5所表示的硅氧烷单元。该有机氢硅氧烷也可以包含:不包含SiH基的单有机硅氧烷单元、二有机硅氧烷单元、三有机硅氧烷单元、及/或SiO4/2单元。上述式中的R3如前述。
(B)成分的具体例可以列举:1,1,3,3-四甲基二硅氧烷;1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷;三(二甲基氢硅氧基)甲基硅烷;三(二甲基氢硅氧基)苯基硅烷;甲基氢环聚硅氧烷(methylhydrogencyclosiloxane);甲基氢硅氧烷/二甲基硅氧烷环状共聚物;分子链两末端由三甲基硅氧基封端的甲基氢聚硅氧烷;分子链两末端由三甲基硅氧基封端的二甲基硅氧烷/甲基氢硅氧烷共聚物;分子链两末端由三甲基硅氧基封端的二苯基硅氧烷/甲基氢硅氧烷共聚物;分子链两末端由三甲基硅氧基封端的甲基苯基硅氧烷/甲基氢硅氧烷共聚物;分子链两末端由三甲基硅氧基封端的二甲基硅氧烷/甲基氢硅氧烷/甲基苯基硅氧烷共聚物;分子链两末端由三甲基硅氧基封端的二甲基硅氧烷/甲基氢硅氧烷/二苯基硅氧烷共聚物;分子链两末端由二甲基氢硅氧基封端的甲基氢聚硅氧烷;分子链两末端由二甲基氢硅氧基封端的二甲基聚硅氧烷;分子链两末端由二甲基氢硅氧基封端的二甲基硅氧烷/甲基氢硅氧烷共聚物;分子链两末端由二甲基氢硅氧基封端的二甲基硅氧烷/甲基苯基硅氧烷共聚物;分子链两末端由二甲基氢硅氧基封端的二甲基硅氧烷/二苯基硅氧烷共聚物;分子链两末端由二甲基氢硅氧基封端的甲基苯基聚硅氧烷;分子链两末端由二甲基氢硅氧基封端的二苯基聚硅氧烷;分子链两末端由二甲基氢硅氧基封端二苯基硅氧烷/甲基氢硅氧烷共聚物;在这些各例示化合物中,以乙基、丙基等其他烷基取代甲基的一部份或全部的有机氢聚硅氧烷;由式:R3 3SiO0.5所表示的硅氧烷单元、由式:R3 2HSiO0.5所表示的硅氧烷单元、及由式:SiO2所表示的硅氧烷单元所组成的有机硅氧烷共聚物;由式:R3 2HSiO0.5所表示的硅氧烷单元、及由式:SiO2所表示的硅氧烷单元所组成的有机硅氧烷共聚物;由式:R3HSiO所表示的硅氧烷单元、由式:R3SiO1.5所表示的硅氧烷单元、及由式:HSiO1.5所表示的硅氧烷单元中的任一者或两者所组成的有机硅氧烷共聚物;以及,这些有机聚硅氧烷的两种以上所组成的混合物。上述式中的R3,具有与前述相同的含义。
(B)成分的调配量,是在(C)成分的氢化硅烷化催化剂的存在下,将本组合物固化的充足的量,通常相对于(A)成分中的脂肪族不饱和基,(B)成分中的SiH基的摩尔比为0.2~5,优选为0.5~2的量。
(C)成分
(C)成分的铂族金属系氢化硅烷化催化剂,可以使用任何催化剂,只要促进(A)成分中的键结于硅原子上的脂肪族不饱和基与(B)成分中的SiH基的氢化硅烷化加成反应即可。(C)成分可以单独使用一种,或并用两种以上。(C)成分可以列举例如:铂、钯、及铑等铂族金属;或氯铂酸、乙醇改质氯铂酸、氯铂酸与烯烃类、乙烯基硅氧烷或乙炔化合物的配位化合物;以及,四(三苯基膦)钯、三(三苯基膦)氯化铑等铂族金属化合物;尤其优选为铂化合物。
(C)成分的调配量,为作为氢化硅烷化催化剂的有效剂量即可,优选为相对于(A)及(B)成分的合计质量,铂族金属元素的质量换算为0.1~1,000ppm的范围,更优选为1~500ppm的范围。
(D)成分
有效用于本发明的固化性硅酮树脂组合物也可以添加(D)成分,以获得固化后的硬度。
所使用的(D)成分,是由下述平均组成式(3)所表示的支链状或三维结构的有机聚硅氧烷
R0 c(C6H5)dSiO(4-c-d)/2(3)
[式中,R0是相同或不同的取代或未被取代的一价烃基、烷氧基、或羟基,全部R0中的0.1~80mol%为烯基,c、d是满足1≤c+d≤2、0.20≤d/(c+d)≤0.95的正数]。
从平均组成式(1)中的1≤c+d≤2可以理解以下事项,此有机聚硅氧烷,是分子中含有R0SiO3/2单元、(C6H5)SiO3/2单元、及SiO2单元中的一种或两种以上的支链或三维网状结构。
此处,在式(3)中,C6H5是苯基,R0是苯基除外的取代或未被取代的一价烃基、烷氧基或羟基,优选为碳数为1~20、尤其优选为1~10的未被取代的或取代的一价烃基、烷氧基或羟基,这种烃基具体可以列举:甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、环己基、及庚基等烷基;甲苯基、二甲苯基、萘基等苯基除外的芳基;苄基、苯乙基等芳烷基;乙烯基、烯丙基、丁烯基、戊烯基、己烯基、庚烯基等烯基等的不饱和烃基;及氯甲基、3-氯丙基、3,3,3-三氟丙基等卤代烷基等;烷氧基可以列举:甲氧基、乙氧基、丙氧基、苯氧基等未被取代的烷氧基,除此以外,还可以列举:甲氧基乙氧基、乙氧基乙氧基等烷氧基取代烷氧基等。
本发明优选为,全部这些R0中的0.1~80摩尔%、优选为0.5~50摩尔%为烯基。如果烯基的含量为0.1摩尔%以上,那么可以获得作为硅酮树脂所需的硬度,如果为80摩尔%以下,那么由于交联点过多,因此无需担心硅酮树脂变脆。并且,c、d是满足1≤c+d≤2、优选为满足1.2≤c+d<1.9,并满足0.2≤d/(c+d)≤0.95、优选为满足0.25≤d/(c+d)≤0.90的正数,如果c+d为1以上且2以下,那么可以获得所需硬度/强度。并且,如果苯基的含量在这种范围内,那么可以获得作为硅酮树脂所需的硬度/强度。烯基优选为乙烯基。
(D)成分的调配量,是固化后的树脂组合物的硬度达到目标值所需的充足的量,通常,相对于(A)成分100质量份,(D)成分为0质量份~500质量份的量。
固化性改质硅酮树脂组合物
详细说明对本发明有效的固化性改质硅酮树脂组合物的各成分。
(E)成分
(E)成分是含有多环式烃基的有机硅化合物,所述含有多环式烃基的有机硅化合物,是(X)有机硅化合物、与(Y)多环式碳化氢化合物的加成反应生成物,且1分子中具有2个键结于硅原子上的碳-碳双键,其中,所述(X)有机硅化合物1分子中具有2个键结于硅原子上的氢原子,所述(Y)多环式碳化氢化合物1分子中具有2个氢化硅烷化反应性碳-碳双键。
(X)成分
是此(E)成分的反应原料,(X)是具有至少2个SiH基的化合物,优选为,(X)下述通式(4):
Figure BDA00003387770700201
[式中的A是选自由下述通式(5):
Figure BDA00003387770700202
(式中,R’独立,是未被取代或取代的碳原子数为1~12的一价烃基或碳原子数为1~6的烷氧基,r’是0~100的整数)
所表示的基团及由下述结构式(6):
Figure BDA00003387770700203
所表示的基团所组成的群组的二价基;
R”是独立的未被取代或取代的碳原子数为1~12的一价烃基或碳原子数为1~6烷氧基]。
在(X)由上述通式(4)所表示的1分子中具有2个键结于硅原子上的氢原子(以下,有时称作“SiH”)的化合物中,当上述通式(4)中的A为由上述通式(5)所表示的二价基时,该化合物可以列举,由下述通式(7)所表示的化合物:
Figure BDA00003387770700211
(式中,R”及R’分别独立,是未被取代或取代的碳原子数为1~12、优选为1~6的一价烃基,或碳原子数为1~6、优选为1~4的烷氧基,r’是0~100、优选为0~10的整数)。
上述式中,R”,R’为上述一价烃基时,可以列举例如,甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、叔丁基、戊基、异戊基、己基、及仲己基等烷基;环戊基、环己基等环烷基;苯基、邻、间、对甲苯基等芳基;苄基、2-苯基乙基等芳烷基;乙烯基、烯丙基、1-丁烯基、1-己烯基等烯基;对乙烯基苯基等烯基芳基;以及,以卤素原子、氰基、含有环氧环的基团等取代这些基团中的键结于碳原子上的1个以上的氢原子,例如,氯甲基、3-氯丙基、3,3,3-三氟丙基等卤代烷基;2-氰基乙基;及3-环氧丙氧基丙基等。
并且,当R”、R’为上述烷氧基时,可以列举例如:甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、仲丁氧基、及叔丁氧基等。
上述中,上述R”及R’优选为烯基及烯基芳基以外的基,从容易进行工业化制造,且容易获取的观点来看,尤其优选为全部为甲基。
此由上述通式(7)所表示的化合物的适宜具体例的结构式如下,但前述化合物并不限定于下述结构式。另外,以下,“Me”表示甲基。
HMe2SiOSiMe2H
HMe2SiO(Me2SiO)SiMe2H
HMe2SiO(Me2SiO)4SiMe2H
HMe2SiO(Me2SiO)8SiMe2H
HMe2SiO(Me2SiO)12SiMe2H
另外,此由上述通式(4)所表示的化合物可以单独使用一种,或组合两种以上使用。
在该(E)成分的反应原料,即(X)由上述通式(4)所表示的1分子中具有2个SiH的化合物中,当上述通式(4)中的A为由上述结构式(6)所表示的二价基时,该化合物可以列举由下述通式(8):
Figure BDA00003387770700221
(式中,R”与有关上述通式(7)的定义相同)
所表示的化合物。
上述通式(8)中的R”可以列举:有关上述通式(7)中的R”所述内容相同的基团,优选为烯基及烯基芳基以外的基,尤其优选为全部为甲基。
此由上述通式(8)所表示的化合物可以列举例如:
由结构式:HMe2Si-p-C6H4-SiMe2H
所表示的1,4-双(二甲基甲硅烷基)苯、
及由结构式:HMe2Si-m-C6H4-SiMe2H
所表示的1,3-双(二甲基甲硅烷基)苯等的硅亚苯基(silphenylene)化合物。
另外,此由上述通式(8)所表示的化合物可以单独使用一种,或组合两种以上使用。
进一步,此(E)成分的反应原料,即上述(X)成分可以单独使用一种,或组合两种以上使用。
(Y)成分
在此(E)成分的反应原料,即(Y)1分子中具有2个加成反应性(氢化硅烷化反应性)碳-碳双键的多环式碳化氢中,前述“加成反应性”是指,接受键结于硅原子上的氢原子的加成(作为氢化硅烷化反应周知)而获得的性质。
并且,前述(Y)成分可以是以下任意一种:(i)在形成多环式碳化氢的多环骨架的碳原子中,相邻接的2个碳原子间形成有加成反应性碳-碳双键;(ii)利用含有加成反应性碳-碳双键的基团,取代键结于形成多环式碳化氢的多环骨架的碳原子上的氢原子;或、(iii)在形成多环式碳化氢的多环骨架的碳原子中,相邻接的2个碳原子间形成有加成反应性碳-碳双键,且,利用含有加成反应性碳-碳双键的基团,取代键结于形成多环式碳化氢的多环骨架的碳原子上的氢原子。
此(Y)成分可以列举例如,由下述结构式(x):
Figure BDA00003387770700231
所表示的5-乙烯基二环[2.2.1]庚-2-烯、
由下述结构式(y):
Figure BDA00003387770700232
所表示的6-乙烯基二环[2.2.1]庚-2-烯、这两者的组合(以下,无需区别这三者时,有时会总称为“乙烯降冰片烯”);及由下述结构式(z):
Figure BDA00003387770700233
所表示的双环戊二烯等。
另外,前述乙烯降冰片烯的乙烯基的取代位置可以是,顺式构型(外型)或反式构型(内型)中的任一种,并且,由于该成分的反应性等,不会根据前述构型的不同而有特别的差异,因此,也可以是这两种配置的异构物的组合。
(E)成分的制备
相对于1分子中具有2个SiH的上述(X)成分的1摩尔,本发明组合物的(E)成分通过将1分子中具有2个加成反应性碳-碳双键的上述(Y)成分的1摩尔以上且10摩尔以下、优选为1摩尔以上且5摩尔以下的过剩量,在氢化硅烷化反应催化剂的存在下使其加成反应,可以获得不具有SiH的加成反应生成物。
如此获得的(E)成分,除了来自于(Y)成分的加成反应性碳-碳双键以外,还包含并获得来自于(X)成分的(具体来说,来自于通式(4)中的R”及/或通式(5)中的R’)加成反应性碳-碳双键,因此,1分子中包含至少2个加成反应性碳-碳双键,此数量优选为2~6个,更优选为2个。如果此加成反应性碳-碳双键过多,那么将本发明的组合物固化所获得的固化物容易产生破损。
作为前述氢化硅烷化反应催化剂,先前公知的氢化硅烷化反应催化剂全部可以使用。可以列举例如:担载铂金属的碳粉、铂黑、氯化铂、氯铂酸、氯铂酸与一元醇的反应生成物、氯铂酸与烯烃类的络合物、及铂双乙酰乙酸盐等铂系催化剂;钯系催化剂;及铑系催化剂等铂族金属系催化剂。并且,关于加成反应条件、溶剂的使用等,并无特别限定,如常即可。
如前述,制备(E)成分时,相对于上述(X)成分,使用过剩摩尔量的上述(Y)成分,因此,前述(E)成分1分子中具有2个来自于上述(Y)成分结构的加成反应性碳-碳双键。并且,(E)成分具有来自于上述(X)成分的残基,虽然此残基来自于上述(Y)成分结构,但是也可以包含通过不具有加成反应性碳-碳双键的多环式碳化氢的二价残基而键结的结构。
即,(E)成分可以列举例如,由下述通式(9):
N-M-(N’-M)p-N  (9)
(式中,M是上述(X)成分的化合物的二价残基,N是上述(Y)成分的多环式碳化氢的一价残基,N’是上述(Y)成分的二价残基,p是0~10、优选为0~5的整数)
所表示的化合物。
另外,可以通过调整相对于上述(X)成分1摩尔反应的上述(Y)成分的过剩摩尔量,来设定p的值,所述p的值即上述(N’-M)所表示的重复单元的数量。
上述通式(9)中的N具体可以列举例如,由下述结构式:
Figure BDA00003387770700251
所表示的一价残基(以下,无需区别此六者时,将这些总称为“NB基”,并且,不区别前述六者的结构简略记作“NB”。);
Figure BDA00003387770700252
所表示的一价残基(以下,无需区别此七者时,将这些结构简略记作“DCP”)。
上述通式(9)中的N’具体可以列举例如,由下述结构式:
Figure BDA00003387770700253
所表示的二价残基。
其中,由上述结构式所表示的非对称二价残基的左右方向如上所述,并无限定,上述结构式实质上也包含并例示,将各上述结构在纸面上旋转180度的结构。
以下例示由上述通式(9)所表示的(E)成分的适宜具体例,但并不限定于此(另外,“NB”及“DCP”的含义如上所述)
NB-Me2SiOSiMe2-NB
NB-Me2SiO(Me2SiO)SiMe2-NB
NB-Me2SiO(Me2SiO)4SiMe2-NB
NB-Me2SiO(Me2SiO)8SiMe2-NB
NB-Me2SiO(Me2SiO)12SiMe2-NB
NB-Me2Si-p-C6H4-SiMe2-NB
NB-Me2Si-m-C6H4-SiMe2-NB
Figure BDA00003387770700261
(式中,p是1~10的整数)
Figure BDA00003387770700262
(式中,p是1~10的整数)
DCP-Me2SiOSiMe2-DCP
DCP-Me2SiO(Me2SiO)SiMe2-DCP
DCP-Me2SiO(Me2SiO)4SiMe2-DCP
DCP-Me2SiO(Me2SiO)8SiMe2-DCP
DCP-Me2SiO(Me2SiO)12SiMe2-DCP
DCP-Me2Si-p-C6H4-SiMe2-DCP
DCP-Me2Si-m-C6H4-SiMe2-DCP
Figure BDA00003387770700263
(式中,p是1~10的整数)
Figure BDA00003387770700264
(式中,p是1~10的整数)
并且,本发明的(E)成分可以单独使用一种,或组合两种以上使用。
(F)成分
本发明的(F)成分是1分子中具有3个以上SiH的硅氧烷化合物或有机改质硅氧烷化合物。该(F)成分中的SiH,通过与上述(E)成分的1分子中具有至少2个的加成反应性碳-碳双键氢化硅烷化反应并加成,来形成三维网状结构的固化物。
该(F)成分可以列举例如,由下述通式(10):
(式中,R4独立,是氢原子或烯基以外的未被取代或取代的碳原子数为1~12、优选为1~6的一价烃基,q是3~10、优选为3~8的整数,r是0~7、优选为0~2的整数,且q+r的和为3~10、优选为3~6的整数)
所表示的环状硅氧烷系化合物。
当上述通式(10)中的R4为烯基以外的未被取代或取代的一价烃基时,可以列举例如,甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、叔丁基、戊基、异戊基、己基、及仲己基等烷基;环戊基、环己基等环烷基;苯基、邻、间、对甲苯基等芳基;苄基、2-苯基乙基等芳烷基;对乙烯基苯基等烯基芳基;以及,以卤素原子、氰基、含有环氧环的基团等取代这些基中的键结于碳原子上的1个以上的氢原子,例如,氯甲基、3-氯丙基、3,3,3-三氟丙基等卤代烷基;2-氰基乙基;及3-环氧丙氧基丙基等。
上述中,从容易进行工业化制造,且容易获取的观点来看,前述R4尤其优选为全部为甲基(例如,(F)成分为1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷)。
并且,该(F)成分可以列举例如,使上述乙烯降冰片烯(5-乙烯基二环[2.2.1]庚-2-烯、6-乙烯基二环[2.2.1]庚-2-烯)中的一种或两种与1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷,进行氢化硅烷化反应而获得的1分子中具有3个以上SiH的加成反应生成物;例如,由下述通式(11)
Figure BDA00003387770700281
(式中,s是1~100、优选为1~10的整数)
所表示的化合物。
上述(F)成分的适宜具体例如下,但并不限定于此。
(HMeSiO)3
(HMeSiO)4
(HMeSiO)3(Me2SiO)
(HMeSiO)4(Me2SiO)
HMe2SiO(Ph2SiO)2(MeHSiO)2SiMe2H
(HMe2SiO)3SiPh
本发明的(F)成分可以单独使用一种,或组合两种以上使用。
优选为,(F)成分的调配量如下设定。如后所述,本发明的组合物可以含有,(F)成分以外的具有键结于硅原子上的氢原子的成分、及/或(E)成分以外的具有键结于硅原子上的加成反应性碳-碳双键的成分。因此,相对于本组合物中的键结于硅原子上的加成反应性碳-碳双键1摩尔,本组合物中的键结于硅原子上的氢原子的量通常为0.5~2.0摩尔,优选为0.8~1.5摩尔。并且,前述(F)成分中的键结于硅原子上的氢原子,所占本组合物中的键结于硅原子上的氢原子的比例,通常为20~100摩尔%,优选为40~100摩尔%。并且,前述(E)成分中的加成反应性碳-碳双键,所占本组合物中的键结于硅原子上的加成反应性碳-碳双键的比例,通常为20~100摩尔%,优选为40~100摩尔%。如果(F)成分的调配量满足这种条件,那么应用于涂层材料等用途时,可以获得具有充分硬度的固化物。
当不包含除上述(F)成分以外的具有键结于硅原子上的氢原子的成分,及除(E)成分以外的具有键结于硅原子上的加成反应性碳-碳双键的成分时,(F)成分在本发明组合物中的调配量优选为,相对于上述(E)成分中的加成反应性碳-碳双键1摩尔,该(F)成分中的键结于硅原子上的氢原子通常为0.5~2.0摩尔、优选为0.8~1.5摩尔的量。
(C)成分
本发明的(C)成分,即氢化硅烷化反应催化剂,与上述固化性硅酮树脂组合物中所述的氢化硅烷化反应催化剂相同。
(C)成分在本发明组合物中的调配量并无特别限制,只要是作为催化剂的有效剂量即可,相对于上述(E)成分与(F)成分的合计质量,通常调配1~500ppm,尤其优选为调配2~100ppm左右的量。如果调配量在前述范围内,那么固化反应所需时间适度,不会产生固化物着色等问题。
本发明的包含(A)~(C)成分的组合物优选为,加热固化后的氧穿透率为1,000cm3/m2/24h/atm以下。如果加热固化后的氧穿透率为1,000cm3/m2/24h/atm以下,那么可以有效地获得本发明的效果,即抑制硫氧化物等的气体穿透,向部分结构上实施过镀银的封装体上,填充密封剂并使其固化而形成LED装置,对此LED装置进行硫黄暴露试验时,并无硫黄穿透到密封树脂中,产生镀银硫化的问题,因此,无需担心会变成黑色的硫化银。优选为,500cm3/m2/24h/atm以下。因此,可以良好地维持LED装置的亮度。氧穿透率的下限值并无特别限制,通常为0cm3/m2/24h/atm以上。氧穿透率的测定方法如后所述。
其他成分
除了前述(A)、(B)、(C)、(D)、(E)、(F)成分、及无机荧光体粒子、纳米粒子以外,还可以向本发明的组合物中调配其他任意成分。作为具体例,可以列举以下成分。这些其他成分分别可以单独使用一种,或并用两种以上。
(A)或(E)成分以外的含有脂肪族不饱和基的化合物
也可以向本发明的组合物中,调配与(B)成分或(F)成分加成反应的含有脂肪族不饱和基的化合物。这种含有脂肪族不饱和基的化合物优选为参与固化物的形成者,可以列举,每1分子具有至少2个脂肪族不饱和基的有机聚硅氧烷。它的分子结构可以是例如,直链状、环状、支链状、及三维网状等中的任一种。
该含有脂肪族不饱和基的化合物的具体例,可以列举:由丁二烯、多官能性醇衍生而成的二丙烯酸酯等的单体;聚乙烯、聚丙烯或苯乙烯与其他乙烯性不饱和化合物(例如,丙烯腈或丁二烯)的共聚物等聚烯烃;及由丙烯酸、甲基丙烯酸、或马来酸的酯等官能性取代有机化合物衍生而成的低聚物或聚合物。此含有脂肪族不饱和基的化合物在室温下可以是液体或固体。
加成反应控制剂
可以向本发明的组合物中调配加成反应控制剂,以确保适用期(potlife)。加成反应控制剂并无特别限定,只要是对上述(C)成分的氢化硅烷化催化剂具有固化抑制效果的化合物即可,也可以使用先前公知的加成反应控制剂。它的具体例可以列举:三苯基膦等含有膦的化合物;三丁胺、四甲基乙二胺、及苯并***等含有氮的化合物;含有硫黄的化合物;乙炔醇类(例如,1-乙炔基环己醇、3,5-二甲基-1-己炔-3-醇)等乙炔系化合物;包含2个以上烯基的化合物;过氧化氢化合物;及马来酸衍生物等。
加成反应控制剂的固化抑制效果的程度,根据该加成反应控制剂的化学结构而有所不同。因此,优选为,将使用的各加成反应控制剂的添加量调整为最适宜的剂量。通过添加最适宜剂量的加成反应控制剂,组合物在室温下的长期贮存稳定性及加热固化性优异。
硅烷耦合剂
并且,本组合物也可以含有用以提升其粘着性的增粘剂。此增粘剂可以列举,硅烷耦合剂和它的水解缩合物等。硅烷耦合剂使用有:含有环氧基的硅烷耦合剂、含有(甲基)丙烯基的硅烷耦合剂、含有异氰酸酯基的硅烷耦合剂、含有异氰脲酸酯基的硅烷耦合剂、含有胺基的硅烷耦合剂、及含有巯基的硅烷耦合剂等公知的硅烷耦合剂;相对于(A)成分与(B)成分的合计100质量份、或(E)成分与(F)成分的合计100质量份,可以优选使用0.1~20质量份、更优选使用0.3~10质量份。
抗氧化剂
本发明的固化性树脂组合物的固化物中,上述(E)成分中的加成反应性碳-碳双键有时会未反应而直接残留,或有时会包含:
通过由下述结构式(i):
所表示的2-(二环[2.2.1]庚-2-烯-5-基)乙基及/或
由下述结构式(ii):
Figure BDA00003387770700312
所表示的2-(二环[2.2.1]庚-2-烯-6-基)乙基的开环复分解反应,而产生的碳-碳双键。前述碳-碳双键通过大气中的氧带来的氧化,引起前述固化物的着色。因此,本发明可以在固化树脂组合物中调配抗氧化剂,以防前述着色于未然。
此抗氧化剂可以使用先前公知的所有抗氧化剂,可以列举例如,2,6-二叔丁基-4-甲基苯酚、2,5-二叔戊基对苯二酚、2,5-二叔丁基对苯二酚、4,4’-亚丁基双(3-甲基-6-叔丁基苯酚)、2,2’-亚甲基双(4-甲基-6-叔丁基苯酚)、及2,2’-亚甲基双(4-乙基-6-叔丁基苯酚)等。这些可以单独使用一种,或组合两种以上使用。
另外,当使用此抗氧化剂时,它的调配量并无特别限制,只要是作为抗氧化剂的有效剂量即可,相对于上述(E)成分与(F)成分的合计质量,通常调配10~10,000ppm,尤其优选为调配100~1,000ppm左右。如果为前述范围内的调配量,那么抗氧化能力将得以充分发挥,从而可以获得无着色、白浊、及氧化劣化等产生,且光学特性优异的固化物。
光稳定剂
进一步,也可以使用光稳定剂,以赋予对太阳光线、荧光灯等光能造成的光劣化以抵抗性。作为此光稳定剂,捕捉由光氧化劣化生成的自由基的受阻胺系稳定剂较为合适,通过与抗氧化剂并用,抗氧化效果进一步提升。作为光稳定剂的具体例,可以列举:双(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)癸二酸酯、及4-苯甲酰-2,2,6,6-四甲基哌啶等。
可以进一步向本发明组合物中调配气相二氧化硅、纳米氧化铝等无机质填充剂,以提升强度,并抑制粒子的沉降,也可以视需要,向本发明组合物中调配染料、颜料、及阻燃剂等。
固化物
本发明的固化性树脂组合物可以在公知的固化条件下,利用公知的固化方法进行固化。具体来说,可以通过以通常80~200℃、优选为以100~160℃加热,使该组合物固化。加热时间可以是0.5分钟~5小时左右,或1分钟~3小时左右。当要求LED密封用等精度时,优选延长固化时间。获得的固化物的形态并无限制,也可以是例如,胶状固化物、弹性体固化物及树脂固化物中的任一种。
光半导体装置
本发明的固化性树脂组合物的固化物,与通常的加成固化性硅组合物的固化物一样耐热性、耐寒性、及电气绝缘性优异。图1是表示使用本发明的组合物的光半导体装置的示例。光半导体元件3利用线2得以焊线,可以在该光半导体元件3上涂布由本发明的组合物所组成的密封材料1,并在公知的固化条件下,利用公知的固化方法,具体如上所述地使所涂布的密封剂1固化,从而密封。
利用由本发明的组合物所组成的密封材料1来密封的光半导体元件3,可以列举例如:LED、半导体激光器、光电二极管、光电晶体管、太阳能电池、及电荷耦合装置(charge-coupled device,CCD)等。
[实施例]
以下,示出实施例及比较例,具体地说明本发明,但本发明并不限制于下述实施例等。另外,在下述例中,表示硅油或硅酮树脂的平均组成的符号,表示如下单元。并且,各硅油或各硅酮树脂的摩尔数,表示各成分中所含有的乙烯基或SiH基的摩尔数。
MH:(CH3)2HSiO1/2
M:(CH3)3SiO1/2
MVi:(CH2=CH)(CH3)2SiO1/2
MVi3:(CH2=CH)3SiO1/2
DH:(CH3)HSiO2/2
Dφ:(C6H6)2SiO2/2
D:(CH3)2SiO2/2
DVi:(CH2=CH)(CH3)SiO2/2
Tφ:(C6H6)SiO3/2
Q:SiO4/2
(调配例1)
将((A)成分)平均组成式:MVi 2Dφ 2.8的硅油:100质量份;
((B)成分)甲基氢硅氧烷:51.3质量份,所述甲基氢硅氧烷由平均组成式:MHDH 2Dφ 2MH所表示;
((C)成分)甲苯溶液:0.06质量份,所述甲苯溶液含有作为铂原子含量为1质量%的氯铂酸/1,3-二乙烯基四甲基二硅氧烷络合物;
乙炔基环己醇:0.05质量份;及,
γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷:3质量份
搅拌均匀,从而制备硅组合物1。
测定组合物1在室温下的粘度,为700mPa.s。
(合成例1)
(E)成分的制备
在具备搅拌装置、冷却管、滴液漏斗及温度计的500mL的四口烧瓶中,加入乙烯降冰片烯(商品名:V0062,日本东京化成(股)公司(TokyoChemical Industry Co.,Ltd.)制造;5-乙烯基二环[2.2.1]庚-2-烯与6-乙烯基二环[2.2.1]庚-2-烯的略等摩尔量的异构物混合物)60g(0.5摩尔),使用油浴加热至85℃。向其中添加担载有5质量%铂金属的碳粉0.02g,边搅拌,边花费25分钟滴入1,4-双(二甲基甲硅烷基)苯38.8g(0.2摩尔)。滴入完成后,进一步以90℃进行加热搅拌24小时,之后,冷却至室温。之后,过滤去除担载有铂金属的碳,减压馏出过剩的乙烯降冰片烯,从而获得无色透明的油状反应生成物(25℃下的粘度:1220mm2/s)79g。
由利用傅里叶变换红外光谱(Fourier Transform Infrared,FT-IR)、核磁共振(Nuclear Magnetic Resonance,NMR)、及凝胶渗透色谱(Gel PermeationChromatography,GPC)等分析反应生成物的结果可知,此生成物是:
(1)具有1个对亚苯基的化合物:NBMe2Si-p-C6H4-SiMe2NB:约72摩尔%;
(2)具有2个对亚苯基的化合物:约24摩尔%(以下表示代表性结构式的一例);
Figure BDA00003387770700341
及、(3)具有3个对亚苯基的化合物:约4摩尔%(以下表示代表性结构式的一例)
Figure BDA00003387770700342
的混合物。并且,作为前述混合物整体的加成反应性碳-碳双键的含有比例为0.40摩尔/100g。
(合成例2)
(F)成分的制备
在具备搅拌装置、冷却管、滴液漏斗及温度计的500mL的四口烧瓶中,加入甲苯80g及1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷115.2g(0.48摩尔),并使用油浴加热至117℃。向其中添加担载有5质量%铂金属的碳粉0.05g,边搅拌,边花费16分钟滴入乙烯降冰片烯(商品名:V0062,日本东京化成(股)公司制造;5-乙烯基二环[2.2.1]庚-2-烯与6-乙烯基二环[2.2.1]庚-2-烯的略等摩尔量的异构物混合物)48g(0.4摩尔)。滴入完成后,进一步以125℃进行加热搅拌16小时后,冷却至室温。之后,过滤去除担载有铂金属的碳,减压馏出甲苯,从而获得无色透明的油状反应生成物(25℃下的粘度:2,500mm2/s)152g。
由利用FT-IR、NMR、及GPC等分析反应生成物的结果可知,此生成物是:(1)具有1个四甲基环四硅氧烷环的化合物:约6摩尔%(以下表示代表性结构式的一例);
Figure BDA00003387770700351
(2)具有2个四甲基环四硅氧烷环的化合物:约25摩尔%(以下表示代表性结构式的一例);
Figure BDA00003387770700352
(3)具有3个四甲基环四硅氧烷环的化合物:约16摩尔%(以下表示代表性结构式的一例);
Figure BDA00003387770700361
(4)具有四个四甲基环四硅氧烷环:约11摩尔%(以下表示代表性结构式的一例);
Figure BDA00003387770700362
及、(5)具有5~12个四甲基环四硅氧烷环的化合物:剩余量(以下表示代表性结构式的一例)
Figure BDA00003387770700363
(式中,n是4~11的整数)
的混合物。另外,作为前述混合物整体的SiH的含有比例为0.63摩尔/100g。
(调配例2)
将((E)成分)合成例1中所获得的反应生成物:60质量份;
((F)成分)合成例2中所获得的反应生成物:30质量份;
((C)成分)甲苯溶液:0.06质量份,所述甲苯溶液含有作为铂原子含量为1质量%的氯铂酸/1,3-二乙烯基四甲基二硅氧烷络合物;
乙炔基环己醇:0.05质量份;及,
γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷:3质量份
搅拌均匀,从而制备硅组合物2。
测定组合物2的室温下的粘度,为300mPa.s。
(调配例3)
将((A)成分)平均组成式:MD3.4Dvi 6.5Dφ 8.6M的硅油:23质量份、平均组成式:MVi 2Dφ 2.8的硅油:80质量份;
((B)成分)甲基氢硅氧烷:30质量份,所述甲基氢硅氧烷由平均组成式:MHDH 2Dφ 2MH所表示;
((C)成分)甲苯溶液:0.06质量份,所述甲苯溶液含有作为铂原子含量为1质量%的氯铂酸/1,3-二乙烯基四甲基二硅氧烷络合物;
乙炔基环己醇:0.05质量份;及,
γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷:3质量份
搅拌均匀,从而制备硅组合物3。
测定组合物3的室温下的粘度,为3000mPa.s。
(调配例4)
将((A)成分)平均组成式:Mvi 2Dφ 2.8的硅油:31质量份;
((B)成分)甲基氢硅氧烷:6.4质量份,所述甲基氢硅氧烷由平均组成式:MHDH 2Dφ 2MH所表示;
((C)成分)甲苯溶液:0.06质量份,所述甲苯溶液含有作为铂原子含量为1质量%的氯铂酸/1,3-二乙烯基四甲基二硅氧烷络合物;
乙炔基环己醇:0.05质量份;及,
((D)成分)支链状有机聚硅氧烷(25℃下为固体状,键结于硅原子上的乙烯基的含有率=20摩尔%,硅原子键全部有机基中的硅原子键苯基的含有率=50摩尔%,标准苯乙烯换算的重量平均分子量=1600):59质量份,所述支链状有机聚硅氧烷由Tφ 0.75Dvi 0.25所表示、
γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷:3质量份
搅拌均匀,从而制备硅组合物4。
测定组合物4的室温下的粘度,为3200mPa.s。
(调配例5)
将((A)成分):将硅酮树脂65质量份与平均组成式:Mvi 3D298Mvi 3的硅油35质量份混合,室温下成为粘稠的液体,所述硅酮树脂由M单元、Mvi单元、及Q单元构成,M单元比上Mvi单元的摩尔比为6.25,M单元与Mvi单元的合计比上Q单元的摩尔比为0.8;
((B)成分)甲基氢硅氧烷:8质量份,所述甲基氢硅氧烷由平均结构式:由MDH 80M所表示;
((C)成分)甲苯溶液:0.06质量份,所述甲苯溶液含有作为铂原子含量为1质量%的氯铂酸/1,3-二乙烯基四甲基二硅氧烷络合物;
乙炔基环己醇:0.05质量份;及,
γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷:3质量份
搅拌均匀,从而制备硅组合物5。
测定组合物5的室温下的粘度,为15000mPa.s。
(实施例1)
使用具备真空脱气机制的自转公转式搅拌机(日本新基(股)公司(Thinky Corporation)制造产品名:ARV-310),作为纳米粒子,将纳米氧化铝(日本AEROSIL(股)公司制造,产品名:AEROXIDE AluC805,平均一次粒径为13nm)1.5质量份均匀地分散于100质量份调配例1的组合物1中,并测定此时二次凝集的纳米粒子的粒径。进一步,同样地使用具备真空脱气机制的自转公转式搅拌机,将比重为5g/cm3的YAG系无机荧光体粒子8质量份均匀地分散,从而制备组合物(a)。
(实施例2)
使用具备真空脱气机制的自转公转式搅拌机(日本新基(股)公司制造产品名:ARV-310),作为纳米粒子,将纳米二氧化硅(日本德山(股)公司(Tokuyama Corporation)制造,产品名:REOLOSIL DM30S(疏水性气相法白炭黑(二氧化硅)),平均一次粒径为7nm)1质量份均匀地分散于100质量份调配例2的组合物2中,并测定此时二次凝集的纳米粒子的粒径。进一步,同样地使用具备真空脱气机制的自转公转式搅拌机,将比重为5g/cm3的YAG系无机荧光体粒子8质量份均匀地分散,从而制备组合物(b)。
(实施例3)
使用具备真空脱气机制的自转公转式搅拌机(日本新基(股)公司制造产品名:ARV-310),作为纳米粒子,将纳米氧化铝(日本AEROSIL(股)公司制造,产品名:AEROXIDE AluC805,平均一次粒径为13nm)7.5质量份均匀地分散于100质量份调配例3的组合物3中,并测定此时二次凝集的纳米粒子的粒径。进一步,同样地使用具备真空脱气机制的自转公转式搅拌机,将比重为5g/cm3的YAG系无机荧光体粒子8质量份均匀地分散,从而制备组合物(c)。
(实施例4)
使用具备真空脱气机制的自转公转式搅拌机(日本新基(股)公司制造产品名:ARV-310),作为纳米粒子,将利用含有(甲基)丙烯基的硅烷耦合剂稍稍进行表面处理,以缓和二次凝集的纳米氧化铝(日本AEROSIL(股)公司制造,产品名:AEROXIDE AluC805,平均一次粒径为13nm)1.5质量份,均匀地分散于100质量份调配例1的组合物1中,并测定此时二次凝集的纳米粒子的粒径。进一步,同样地使用具备真空脱气机制的自转公转式搅拌机,将比重为5g/cm3的YAG系无机荧光体粒子8质量份均匀地分散,从而制备组合物(d)。
(实施例5)
使用具备真空脱气机制的自转公转式搅拌机(日本新基(股)公司制造产品名:ARV-310),作为纳米粒子,将纳米氧化铝(日本AEROSIL(股)公司制造,产品名:AEROXIDE AluC805,平均一次粒径为13nm)1.5质量份,均匀地分散于100质量份调配例4的组合物4中,并测定此时二次凝集的纳米粒子的粒径。进一步,同样地使用具备真空脱气机制的自转公转式搅拌机,将比重为5g/cm3的YAG系无机荧光体粒子8质量份均匀地分散,从而制备组合物(e)。
(比较例1)
不添加纳米粒子,直接使用调配例1的组合物1,并使用具备真空脱气机制的自转公转式搅拌机将比重为5g/cm3的YAG系无机荧光体粒子8质量份均匀地分散,从而制备组合物(f)。
(比较例2)
使用具备真空脱气机制的自转公转式搅拌机(日本新基(股)公司制造产品名:ARV-310),作为纳米粒子,将纳米二氧化硅((股)日本德山公司制造,产品名:REOLOSIL DM30S,平均一次粒径为7nm)1质量份均匀地分散于100质量份调配例5的组合物5中,并测定此时二次凝集的纳米粒子的粒径。进一步,同样地使用具备真空脱气机制的自转公转式搅拌机,将比重为5g/cm3的YAG系无机荧光体粒子8质量份均匀地分散,从而制备组合物(g)。
(比较例3)
使用具备真空脱气机制的自转公转式搅拌机(日本新基(股)公司制造产品名:ARV-310),作为纳米粒子,将利用含有(甲基)丙烯基的硅烷耦合剂充分进行表面处理,以防止二次凝集的纳米氧化铝(日本AEROSIL(股)公司制造,产品名:AEROXIDE AluC805,平均一次粒径为13nm)1.5质量份,均匀地分散于100质量份调配例1的组合物1中,并测定此时二次凝集的纳米粒子的粒径。进一步,同样地使用具备真空脱气机制的自转公转式搅拌机,将比重为5g/cm3的YAG系无机荧光体粒子8质量份均匀地分散,从而制备组合物(h)。
将在上述实施例及比较例中制备的固化性树脂组合物(a)~(h)中的评估,依下述要领进行。
纳米粒径分布测定
使用日本岛津制作所(Shimadzu Corporation)制造的SALD-7100,进行纳米粒径分布测定。测定溶液无需特别稀释,使用分散有纳米粒子的原液。将测定溶液的一部份提取至50μm的凹坑单元中,在它的上面盖以载片,来作为试料单元,并将它安装在测定部来进行测定。以相同程序进行3次测定。以体积换算Q3测定从10nm到300μm的粒径分布,并求得此平均粒径(d50)的值的平均值。
总光通量值(Lm)、色度坐标(x)测定
光半导体元件是使用如图1所示的发光半导体装置,所述发光半导体装置具有由InGaN所组成的发光层,将主发射峰为450nm的LED晶片3分别搭载于SMD5050封装体(台湾一诠精密工业股份有限公司(I-CHIUNPRECISION INDUSTRY CO.,LTD.)制造,树脂部PPA)上,并利用线2进行焊线。
密封树脂是在各实施例、比较例中,相对于制成的固化性树脂组合物10g,计量1g无机荧光体粒子,进行均匀混合后,以不存在无机荧光体粒子沉降影响的方式,立即向分配用10cc注射器中转移5cc的量,不留等待时间即涂布规定量至前述SMD5050封装体上,持续进行涂布,直至5cc的密封剂1成为1cc,以此作为一系列工序。将利用一系列工序填充有密封剂的封装体,以150℃加热固化4小时后,作为光半导体封装体,并任意取样在此涂布工序初期与涂布工序后期中所获得的各光半导体装置10个。使用总光通量测定***HM-9100(日本大冢电子(股)公司(OTSUKA ELECTRONICS CO.,LTD)制造),来测定此10个发光半导体装置的总光通量值(Lm)、及色度坐标(x),并求得平均值(施加电流IF=20mA)。比较涂布工序初期与涂布工序后期的色度坐标(x)的值。
表1
如上表所示,实施例1~实施例5中,密封剂即使在分散有无机荧光体粒子后经过6小时,也未确认有无机荧光体粒子的沉降,分配工序初期与后期的总光通量值及颜色坐标的差异也较少,所述密封剂在分散有二次凝集为100nm以上且20μm以下大小的纳米粒子的树脂组合物中,分散有无机荧光体粒子。即,通过工序,颜色不均程度较小,从而可以制造良好的光半导体装置。尤其,即使如实施例2为低粘度,分配工序初期与后期的总光通量值及颜色坐标的差异也较少。
另一方面,在未向实施例1所示的固化树脂组合物分散纳米粒子的比较例1中,确认有无机荧光体粒子的沉降,并且,通过工序,总光通量值及颜色坐标的差异较大,因此,颜色不均程度较大。
在使用树脂组合物的粘度较高的材料的比较例2中,分散后的纳米粒子的二次粒径较大,为25μm,虽然无机荧光体粒子无沉降,但是,在分配工序中产生喷嘴堵塞,从而无法制造良好的光半导体装置。
并且,在向实施例1所示的固化树脂组合物分散充分进行过表面处理的纳米粒子的比较例3中,纳米粒子的二次凝集得以抑制,因此二次粒径较小,为70nm。因此,分散无机荧光体粒子后,确认有粒子的沉降,通过工序,总光通量值及颜色坐标的差异较大,因此,颜色不均程度较大。
(调配例6)
将((A)成分)平均组成式:MVi 2Dφ 2.8的硅油:100质量份;
((B)成分)甲基氢硅氧烷:51.3质量份,所述甲基氢硅氧烷由平均组成式:MHDH 2Dφ 2MH所表示;
((C)成分)甲苯溶液:0.06质量份,所述甲苯溶液含有作为铂原子含量为1质量%的氯铂酸/1,3-二乙烯基四甲基二硅氧烷络合物;
乙炔基环己醇:0.05质量份;及
γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷:3质量份
搅拌均匀,从而制备硅组合物6。
测定组合物6的室温下的粘度,为700mPa.s。
测定组合物6固化后的氧穿透率,为210cm3/m2/24h/atm。
(调配例7)
将((A)成分)平均组成式:MD3.4Dvi 6.5Dφ 8.6M的硅油:23质量份、平均组成式:MVi 2Dφ 2.8的硅油:80质量份;
((B)成分)甲基氢硅氧烷:30质量份,所述甲基氢硅氧烷由平均组成式:MHDH 2Dφ 2MH所表示;
((C)成分)甲苯溶液:0.06质量份,所述甲苯溶液含有作为铂原子含量为1质量%的氯铂酸/1,3-二乙烯基四甲基二硅氧烷络合物;
乙炔基环己醇:0.05质量份;及
γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷:3质量份
搅拌均匀,从而制备硅组合物7。
测定组合物7的室温下的粘度,为3000mPa.s。
测定组合物7固化后的氧穿透率,为400cm3/m2/24h/atm。
(调配例8)
将((A)成分)平均组成式:Mvi 2Dφ 2.8的硅油:31质量份;
((D)成分)支链状有机聚硅氧烷(25℃下为固体状,键结于硅原子上的乙烯基的含有率=20摩尔%,硅原子键全部有机基中的硅原子键苯基的含有率=50摩尔%,标准苯乙烯换算的重量平均分子量=1600):59质量份,所述支链状有机聚硅氧烷由Tφ 0.75DVi 0.25所表示;
((B)成分)甲基氢硅氧烷:6.4质量份,所述甲基氢硅氧烷由平均组成式:MHDH 2Dφ 2MH所表示;
((C)成分)甲苯溶液:0.06质量份,所述甲苯溶液含有作为铂原子含量为1质量%的氯铂酸/1,3-二乙烯基四甲基二硅氧烷络合物;
乙炔基环己醇:0.05质量份;及
γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷:3质量份
搅拌均匀,从而制备硅组合物8。
测定组合物8的室温下的粘度,为3200mPa.s。
测定组合物8固化后的氧穿透率,为250cm3/m2/24h/atm。
(实施例6)
使用具备真空脱气机制的自转公转式搅拌机(日本新基(股)公司制造产品名:ARV-310),作为纳米粒子,将纳米氧化铝(日本AEROSIL(股)公司制造,产品名:AEROXIDE AluC805,平均一次粒径为13nm)2质量份,均匀地分散于100质量份调配例6的组合物6中,并测定此时二次凝集的纳米粒子的粒径。接着,同样地使用具备真空脱气机制的自转公转式搅拌机将硅酮树脂粉末(日本信越化学工业(股)公司制造,品名X-52-1621,平均粒径为5μm)5质量份均匀混合。进一步,同样地使用具备真空脱气机制的自转公转式搅拌机,将比重为5g/cm3的YAG系荧光体粒子8质量份均匀地分散,从而制备固化性树脂组合物(a’)。
(实施例7)
使用具备真空脱气机制的自转公转式搅拌机(日本新基(股)公司制造产品名ARV-310),作为纳米粒子,将纳米二氧化硅((股)日本德山公司制造,产品名:REOLOSIL DM30S,平均一次粒径为7nm)2质量份,均匀地分散于100质量份调配例7的组合物7中,测定此时二次凝集的纳米粒子的粒径。接着,同样地使用具备真空脱气机制的自转公转式搅拌机,将硅复合粉末(日本信越化学工业(股)公司制造,品名KMP-600,平均粒径为5μm)5质量份均匀混合。进一步,同样地使用具备真空脱气机制的自转公转式搅拌机,将比重为5g/cm3的YAG系荧光体粒子8质量份均匀地分散,从而制备固化性树脂组合物(b’)。
(实施例8)
使用具备真空脱气机制的自转公转式搅拌机(日本新基(股)公司制造产品名:ARV-310),作为纳米粒子,将纳米氧化铝(日本AEROSIL(股)公司制造,产品名:AEROXIDE AluC805,平均一次粒径为13nm)2质量份均匀地分散于100质量份调配例8的组合物8中,测定此时二次凝集的纳米粒子的粒径。接着,同样地使用具备真空脱气机制的自转公转式搅拌机,将硅酮树脂粉末(日本信越化学工业(股)公司制造,品名X-52-1621,平均粒径为5μm)5质量份均匀混合。进一步,同样地使用具备真空脱气机制的自转公转式搅拌机,将比重为5g/cm3的YAG系荧光体粒子8质量份均匀地分散,从而制备固化性树脂组合物(c’)。
(实施例9)
使用具备真空脱气机制的自转公转式搅拌机(日本新基(股)公司制造产品名:ARV-310),作为纳米粒子,将利用含有(甲基)丙烯基的硅烷耦合剂稍稍进行表面处理,以缓和二次凝集的纳米氧化铝(日本AEROSIL(股)公司制造,产品名:AEROXIDE AluC805,平均一次粒径为13nm)2质量份,均匀地分散于100质量份调配例6的组合物6中,并测定此时二次凝集的纳米粒子的粒径。接着,同样地使用具备真空脱气机制的自转公转式搅拌机,将硅酮树脂粉末(日本信越化学工业(股)公司制造,品名X-52-1621,平均粒径为5μm)5质量份均匀混合。进一步,同样地使用具备真空脱气机制的自转公转式搅拌机,将比重为5g/cm3的YAG系荧光体粒子8质量份均匀地分散,从而制备固化性树脂组合物(d’)。
(比较例4)
未添加纳米粒子及硅酮粉末,除此以外,用与实施例6相同的操作制备组合物(e’)。
(比较例5)
未添加纳米粒子及硅酮粉末,除此以外,用与实施例7相同的操作制备组合物(f’)。
(比较例6)
未添加纳米粒子及硅酮粉末,除此以外,用与实施例8相同的操作制备组合物(g’)。
(比较例7)
未添加纳米粒子,除此以外,用与实施例6相同的操作制备组合物(h’)。
(比较例8)
未添加硅酮粉末,除此以外,用与实施例6相同的操作制备组合物(i’)。
(比较例9)
作为纳米粒子,使用以含有(甲基)丙烯基的硅烷耦合剂充分进行表面处理,以防止二次凝集的纳米氧化铝(日本AEROSIL(股)公司制造,产品名:AEROXIDE AluC805,平均一次粒径为13nm)2质量份,除此以外,用与实施例6相同的操作制备组合物(j’)。
(比较例10)
作为硅酮树脂粉末,使用将日本信越化学工业(股)公司制造,品名为X-52-854的粗粒切割,成为平均粒径为0.4μm的硅酮树脂粉末5质量份,除此以外,用与实施例6相同的操作制备组合物(k’)。
依下述要领,进行在上述实施例及比较例中制备的固化性树脂组合物(a’)~(k’)中的评估。
荧光体粒子的分散状态的确认
以目测确认搅拌混合荧光体6小时后的分散状态。
纳米粒径分布测定
使用日本岛津制作所制造的SALD-7100,进行纳米粒径分布测定。测定溶液无需特别稀释,使用分散有纳米粒子的原液。将测定溶液的一部份提取至50μm的凹坑单元中,在它的上面盖以载片,作为试料单元,并将它安装在测定部来进行测定。以相同程序进行3次测定。以体积换算Q3测定从10nm到300μm的粒径分布,并求得此平均粒径(d50)的值的平均值。
氧穿透率的测定
氧穿透率是按照JIS-K7126-2进行测定(测定温度为23℃,样品厚度为1mm)。
色度坐标(x)测定
光半导体元件是使用如图1所示的发光半导体装置,所述发光半导体装置具有由InGaN所组成的发光层,将主发射峰为450nm的LED晶片3分别搭载于SMD5050封装体(台湾一诠精密工业股份有限公司制造,树脂部PPA)上,并利用线2进行焊线。
密封树脂是在各实施例、比较例中,相对于制作的固化性树脂组合物10g,计量1g荧光体粒子,进行均匀混合后,以不存在荧光体粒子沉降影响的方式,立即向分配用10cc注射器中转移5cc的量,不留等待时间即涂布规定量至前述SMD5050封装体上,持续进行涂布,直至5cc的密封剂1成为1cc,以此作为一系列工序。将利用一系列工序填充有密封剂的封装体,以150℃加热固化4小时后,作为光半导体封装体,并任意取样在此涂布工序初期与涂布工序后期中所获得的各光半导体装置10个。使用总光通量测定***HM-9100(日本大冢电子(股)公司制造),来测定此10个发光半导体装置的色度坐标(x),并求得平均值(施加电流IF=20mA)。比较涂布工序初期与涂布工序后期的色度坐标(x)的值。
总光通量值(Lm)测定
光半导体元件是使用如图1所示的发光半导体装置,所述发光半导体装置具有由InGaN所组成的发光层,将主发射峰为450nm的LED晶片分别搭载于SMD5050封装体(台湾一诠精密工业股份有限公司制造,树脂部PPA)上,并进行焊线。
为防止产生荧光体沉降的影响,不添加荧光体,将在各实施例、比较例中制成的固化性树脂组合物填充至上述封装体,与前述相同,以150度加热固化4小时后,作为光半导体封装体,任意取样在此工序中所获得的各光半导体装置10个,使用总光通量测定***HM-9100(日本大冢电子(股)公司制造)来测定总光通量(Lm),求得平均值(施加电流IF=20mA),比较总光通量的值(下式),来求得通过添加各硅酮粉末所带来的光萃取效率的好坏程度。
(光萃取效率)={(粉末添加后的总光通量值)/(粉末添加前的总光通量值)}×100-100(%)
并且,将上述中测定的10个发光半导体装置静置在180℃的干燥机中24小时。之后,同样地使用总光通量测定***,测定总光通量值,并求得平均值(施加电流IF=20mA)。比较此时的值,求得耐热试验后的总光通量残存率(%)(下式)。
(耐热试验后的总光通量残存率)={(以180℃加热24小时后的总光通量值)/(初期的总光通量值)}×100(%)
比较此处求得的耐热试验后的总光通量残存率,求得通过添加各硅酮粉末所带来的耐热性提升的好坏程度。
(耐热试验后的总光通量残存率比)={(添加粉末样品的耐热试验后的总光通量残存率)/(添加粉末前样品的耐热试验后的总光通量残存率)}×100-100(%)
通过上式,光萃取效率、总光通量残存率比均为,得出正值时,意味着比基准明亮,而得出负值时,意味着比基准暗。
温度循环试验(TCT)条件
温度:﹣40℃~125℃
循环数:1,000
将10个制作的发光半导体装置投入温度循环试验机中,将1,000次循环后的不亮LED封装体的数量作为不良(NG)并进行计数。即,意味着,当表2中的数值为0时,封装体可以亮灯,从而可靠性优异,为10时,封装体全部不亮,可靠性较差。
封装体的硫化试验
向100mL透明玻璃瓶中,加入硫黄粉末0.2g、及利用各组合物密封的LED封装体,并加以密封。密闭后,放入70℃的干燥机,24小时后取出,利用显微镜确认封装体镀银部分的变色情况。将变黑的封装体记为有变色(不良(NG))。
表2
Figure BDA00003387770700491
如上表所示,向分散有二次凝集为粒径100nm以上且20μm以下大小的纳米粒子、及硅酮粉末的树脂组合物中,分散荧光体粒子的树脂组合物(实施例6~实施例9),即使在分散荧光体粒子后经过6小时,也未确认有荧光体粒子的沉降,且分配工序初期与后期的总光通量值及颜色坐标的差异也较少。即,通过工序,颜色不均程度较小,从而可以制造良好的光半导体装置。
另一方面,在从实施例6~实施例8中所示的树脂组合物将纳米粒子与硅酮粉末除外的比较例4~比较例6中,与实施例相比光萃取效率较低,并且,确认有荧光体的沉降,通过工序,颜色坐标的差异较大,且颜色不均程度较大,进一步耐热冲击较差。
并且,在从实施例6的组成将纳米粒子除外的比较例7中,虽然耐热冲击性优异,但是确认有荧光体的沉降,并且,通过工序,颜色坐标的差异较大,且颜色不均程度较大,从而无法制造良好的光半导体装置。
并且,在从实施例6的组成将硅酮粉末除外的比较例8中,虽然分配工序初期与后期的颜色坐标的差异较少,但是,耐热冲击较差,从而无法制造良好的光半导体装置。
并且,在添加充分进行过表面处理的纳米粒子,来代替实施例6的组成的纳米粒子的比较例9中,由于纳米粒子的二次凝集得以抑制,因此,二次粒径较小,为70nm。因而,在混合搅拌荧光体后,确认有荧光体的沉降,通过工序,颜色坐标的差异较大,因此,颜色不均程度较大。
并且,在添加平均粒径较小的硅酮粉末,来代替实施例6的组成的硅酮粉末的比较例10中,虽然耐热冲击优异,但是,添加硅酮粉末后的光萃取效率及耐热试验后的总光通量残存率均有所降低。
另外,本发明并不限定于上述实施方式。上述实施方式为例示,具有和本发明的权利要求书所述的技术思想实质相同的结构,并发挥相同作用效果的技术方案,均包含在本发明的技术范围内。

Claims (20)

1.一种固化性树脂组合物,其特征在于,其至少添加有荧光体粒子与一次粒径为1nm以上~不足100nm的纳米粒子;并且,前述纳米粒子,是以体积换算Q3下,平均粒径为100nm以上且20μm以下的二次凝集粒子的形态加以分散。
2.如权利要求1所述的固化性树脂组合物,其中,在前述固化性树脂组合物中分散有平均粒径为0.5~100μm的硅酮粉末。
3.如权利要求1所述的固化性树脂组合物,其中,前述固化性树脂组合物,包含硅酮树脂、改质硅酮树脂、环氧树脂及改质环氧树脂中的至少一种,且前述固化性树脂组合物的室温下的粘度为100mPa.s以上且10000mPa.s以下。
4.如权利要求2所述的固化性树脂组合物,其中,前述固化性树脂组合物,包含硅酮树脂、改质硅酮树脂、环氧树脂及改质环氧树脂中的至少一种,且前述固化性树脂组合物的室温下的粘度为100mPa.s以上且10000mPa.s以下。
5.如权利要求1所述的固化性树脂组合物,其中,前述固化性树脂组合物中包含硅酮树脂或改质硅酮树脂。
6.如权利要求2所述的固化性树脂组合物,其中,前述固化性树脂组合物中包含硅酮树脂或改质硅酮树脂。
7.如权利要求3所述的固化性树脂组合物,其中,前述固化性树脂组合物中包含硅酮树脂或改质硅酮树脂。
8.如权利要求4所述的固化性树脂组合物,其中,前述固化性树脂组合物中包含硅酮树脂或改质硅酮树脂。
9.如权利要求1至8中的任一项所述的固化性树脂组合物,其中,前述固化性树脂组合物是固化性硅组合物,所述固化性硅组合物包含:
(A)化合物,所述化合物具有由下述通式(1)所表示的结构:
Figure FDA00003387770600011
式(1)中,R1是脂肪族不饱和基,R2是相同或不同种类的未被取代或取代的一价烃基,Ar是相同或不同种类的也可以具有杂原子的芳基,n是1以上的整数;
(B)化合物,所述化合物具有由下述平均组成式(2)所表示的结构,且1分子中具有至少2个SiH基:
R3 aHbSiO(4-a-b)/2 (2)
式(2)中,R3是彼此相同或不同种类的未被取代或取代的键结于硅原子上的一价烃基,其中,脂肪族不饱和基除外,a及b是满足0.7≤a≤2.1、0.001≤b≤1.0,且0.8≤a+b≤3.0的正数;及
(C)氢化硅烷化催化剂,所述氢化硅烷化催化剂包含铂族金属。
10.如权利要求9所述的固化性树脂组合物,其中,前述固化性硅组合物的(A),具有由下述通式(1’)所表示的结构,且包含每1分子具有至少2个脂肪族不饱和基的化合物,
Figure FDA00003387770600021
式(1’)中,R是相同或不同种类的未被取代或取代的一价烃基,Ar是相同或不同种类的也可以具有杂原子的芳基,m是0或1以上的整数,n’是1以上的整数。
11.如权利要求9所述的固化性树脂组合物,其中,由前述通式(1)或通式(1’)所表示的(A)成分中,Ar是苯基,n或n’是1~100的整数。
12.如权利要求9所述的固化性树脂组合物,其中,前述固化性树脂组合物中包含下述(D)成分,
所述(D)成份是具有由下述平均组成式(3)所表示的结构的化合物:
R0 c(C6H5)dSiO(4-c-d)/2(3)
式(3)中,R0是相同或不同的取代或未被取代的一价烃基或烷氧基及羟基中的任一种,其中,苯基除外;全部R0中的0.1~80mol%为烯基,c、d是满足1≤c+d≤2、0.20≤d/(c+d)≤0.95的正数。
13.如权利要求9所述的固化性树脂组合物,其中,将前述固化性硅酮树脂组合物进行固化而获得的固化物的氧穿透率为1,000cm3/m2/24h/atm以下。
14.如权利要求1至8中的任一项所述的固化性树脂组合物,其中,前述固化性树脂组合物是固化性改质硅组合物,所述固化性改质硅组合物包含:
(E):含有多环式烃基的有机硅化合物,所述含有多环式烃基的有机硅化合物,是(X)有机硅化合物、与(Y)多环式碳化氢化合物的加成反应生成物,且1分子中具有2个键结于硅原子上的碳-碳双键,其中,所述(X)有机硅化合物1分子中具有2个键结于硅原子上的氢原子,所述(Y)多环式碳化氢化合物1分子中具有2个氢化硅烷化反应性碳-碳双键;
(F):硅氧烷化合物或有机改质硅氧烷化合物及两者的组合中的任一种,所述硅氧烷化合物1分子中具有3个以上键结于硅原子上的氢原子;及
(C):氢化硅烷化催化剂,所述氢化硅烷化催化剂包含铂族金属。
15.如权利要求14所述的固化性树脂组合物,其中,前述(E)成分中的(X)成分是由下述通式(4)表示:
Figure FDA00003387770600031
式(4)中的A是选自由下述通式(5)所表示的基团、及由下述结构式(6)所表示的基团所组成的群组的二价基,R”是独立的未被取代或取代的碳原子数为1~12的一价烃基或碳原子数为1~6的烷氧基,
Figure FDA00003387770600032
式(5)中,R’是独立的未被取代或取代的碳原子数为1~12的一价烃基或碳原子数为1~6的烷氧基,r’是0~100的整数,
Figure FDA00003387770600041
16.如权利要求14所述的固化性树脂组合物,其中,前述(Y)成分的多环式碳化氢化合物是5-乙烯基二环[2.2.1]庚-2-烯、6-乙烯基二环[2.2.1]庚-2-烯或前述两者的组合。
17.如权利要求14所述的固化性树脂组合物,其中,前述(F)成分是1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷。
18.如权利要求14所述的固化性树脂组合物,其中,前述(F)成分,是5-乙烯基二环[2.2.1]庚-2-烯、6-乙烯基二环[2.2.1]庚-2-烯或前述两者的组合、与1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷的加成反应生成物。
19.一种固化物,其是将权利要求1所述的固化性树脂组合物固化而成。
20.一种光半导体装置,其特征在于,其使用权利要求19所述的固化物。
CN201310249955.6A 2012-06-22 2013-06-21 固化性树脂组合物、它的固化物及使用该固化物的光半导体装置 Active CN103509345B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012-140448 2012-06-22
JP2012140448A JP5739380B2 (ja) 2012-06-22 2012-06-22 硬化性樹脂組成物、その硬化物及びそれを用いた光半導体デバイス
JP2012172513A JP5788839B2 (ja) 2012-08-03 2012-08-03 硬化性樹脂組成物、その硬化物及びそれを用いた光半導体デバイス
JP2012-172513 2012-08-03

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103509345A true CN103509345A (zh) 2014-01-15
CN103509345B CN103509345B (zh) 2016-03-30

Family

ID=49774956

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310249955.6A Active CN103509345B (zh) 2012-06-22 2013-06-21 固化性树脂组合物、它的固化物及使用该固化物的光半导体装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8822593B2 (zh)
KR (1) KR101554887B1 (zh)
CN (1) CN103509345B (zh)
TW (1) TWI507465B (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105940055A (zh) * 2014-01-28 2016-09-14 信越化学工业株式会社 有机改性硅酮树脂组合物
CN107849351A (zh) * 2015-07-21 2018-03-27 住友电木株式会社 导热性树脂组合物、导热片和半导体装置
TWI645585B (zh) * 2017-03-03 2018-12-21 光感動股份有限公司 光半導體裝置與光半導體裝置的封裝件
CN109929252A (zh) * 2017-12-19 2019-06-25 信越化学工业株式会社 紫外线固化型树脂组合物、粘接剂和固化物
CN110229524A (zh) * 2018-03-05 2019-09-13 信越化学工业株式会社 光反射材料用固化性硅酮组合物、硅树脂固化物、反射器及led装置
CN110373176A (zh) * 2018-04-12 2019-10-25 三星电子株式会社 发光复合物和发光结构体与光学片材及电子装置
CN111417687A (zh) * 2017-12-25 2020-07-14 陶氏东丽株式会社 硅橡胶组合物和使用其获得的复合材料
WO2021128691A1 (zh) * 2019-12-26 2021-07-01 广东盈骅新材料科技有限公司 环氧改性硅树脂组合物及其应用

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI557183B (zh) 2015-12-16 2016-11-11 財團法人工業技術研究院 矽氧烷組成物、以及包含其之光電裝置
JP6521943B2 (ja) * 2014-02-19 2019-05-29 信越化学工業株式会社 シリコーン変性エポキシ樹脂および該エポキシ樹脂を含む組成物並びにその硬化物
JP6359889B2 (ja) * 2014-06-23 2018-07-18 出光興産株式会社 熱硬化性組成物、及び熱硬化樹脂の製造方法
TWI690564B (zh) * 2014-08-26 2020-04-11 日商琳得科股份有限公司 硬化性組合物、硬化性組合物之製造方法、硬化物、硬化性組合物之使用方法以及光裝置
US10106666B2 (en) 2016-03-02 2018-10-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Curable silicone resin composition containing inorganic oxide and optical member using same
WO2018014959A1 (en) * 2016-07-21 2018-01-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic light emitting unit
EP3450516A1 (de) * 2017-09-04 2019-03-06 EBC-Consulting AG Zusammensetzung zur veredelung eines substrats, insbesondere von glas
US10662310B2 (en) * 2018-04-24 2020-05-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component having a conversation element with a high refractive index

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101101930A (zh) * 2007-08-01 2008-01-09 上海芯光科技有限公司 一种高效太阳能电池光波转换纳米复合材料
CN101197413A (zh) * 2007-12-20 2008-06-11 宁波安迪光电科技有限公司 白光发光二极管
CN101649114A (zh) * 2008-08-12 2010-02-17 中国科学院理化技术研究所 含纳米ZnO量子点的硅树脂复合材料及其制法和用途
CN101921456A (zh) * 2009-06-12 2010-12-22 信越化学工业株式会社 光半导体密封用树脂组成物
US20110098420A1 (en) * 2008-03-28 2011-04-28 Mitsubishi Chemical Corporation Curable polysiloxane composition, and polysiloxane cured product, optical member, member for aerospace industry, semiconductor light-emitting device, illuminating device and image display device using the same
CN102212246A (zh) * 2010-04-07 2011-10-12 信越化学工业株式会社 光半导体密封用环氧组成物及其制造方法,及硬化物
JP2011252070A (ja) * 2010-06-01 2011-12-15 Kaneka Corp 反応性官能基を有する化合物中に含まれる揮発分の脱揮方法および光学材料用硬化性組成物

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5472300A (en) 1977-11-21 1979-06-09 Shin Etsu Chem Co Ltd Preparation of polymethylsilsesquioxane
JPS6013813A (ja) 1983-07-05 1985-01-24 Toshiba Silicone Co Ltd ポリメチルシルセスキオキサンの製造方法
JPH0633334B2 (ja) 1990-02-22 1994-05-02 信越化学工業株式会社 シリコーン粉末の製造方法
JPH0488023A (ja) 1990-07-30 1992-03-19 Toray Ind Inc 球状シリコーン微粒子の製造法
JP2832143B2 (ja) 1993-12-28 1998-12-02 信越化学工業株式会社 シリコーン微粒子およびその製造方法
WO2003093393A1 (de) 2002-05-06 2003-11-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wellenlängenkonvertierende reaktionsharzmasse und leuchtdiodenbauelement
TWI226357B (en) 2002-05-06 2005-01-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wavelength-converting reaction-resin, its production method, light-radiating optical component and light-radiating semiconductor-body
JP4016917B2 (ja) 2003-09-16 2007-12-05 株式会社デンソー 半導体冷却ユニット
JP4591690B2 (ja) 2005-06-06 2010-12-01 信越化学工業株式会社 蛍光物質入りled発光装置
JP2008013623A (ja) * 2006-07-04 2008-01-24 Shin Etsu Chem Co Ltd 光関連デバイス封止用樹脂組成物およびその硬化物
TW201119944A (en) * 2009-10-20 2011-06-16 Nippon Catalytic Chem Ind Amorphous silica and process for producing same

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101101930A (zh) * 2007-08-01 2008-01-09 上海芯光科技有限公司 一种高效太阳能电池光波转换纳米复合材料
CN101197413A (zh) * 2007-12-20 2008-06-11 宁波安迪光电科技有限公司 白光发光二极管
US20110098420A1 (en) * 2008-03-28 2011-04-28 Mitsubishi Chemical Corporation Curable polysiloxane composition, and polysiloxane cured product, optical member, member for aerospace industry, semiconductor light-emitting device, illuminating device and image display device using the same
CN101649114A (zh) * 2008-08-12 2010-02-17 中国科学院理化技术研究所 含纳米ZnO量子点的硅树脂复合材料及其制法和用途
CN101921456A (zh) * 2009-06-12 2010-12-22 信越化学工业株式会社 光半导体密封用树脂组成物
CN102212246A (zh) * 2010-04-07 2011-10-12 信越化学工业株式会社 光半导体密封用环氧组成物及其制造方法,及硬化物
JP2011252070A (ja) * 2010-06-01 2011-12-15 Kaneka Corp 反応性官能基を有する化合物中に含まれる揮発分の脱揮方法および光学材料用硬化性組成物

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105940055B (zh) * 2014-01-28 2019-10-01 信越化学工业株式会社 有机改性硅酮树脂组合物
TWI616490B (zh) * 2014-01-28 2018-03-01 信越化學工業股份有限公司 有機改性聚矽氧烷樹脂組成物
US10294346B2 (en) 2014-01-28 2019-05-21 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Organic modified silicone resin composition
CN105940055A (zh) * 2014-01-28 2016-09-14 信越化学工业株式会社 有机改性硅酮树脂组合物
CN107849351A (zh) * 2015-07-21 2018-03-27 住友电木株式会社 导热性树脂组合物、导热片和半导体装置
TWI645585B (zh) * 2017-03-03 2018-12-21 光感動股份有限公司 光半導體裝置與光半導體裝置的封裝件
CN109929252A (zh) * 2017-12-19 2019-06-25 信越化学工业株式会社 紫外线固化型树脂组合物、粘接剂和固化物
CN111417687A (zh) * 2017-12-25 2020-07-14 陶氏东丽株式会社 硅橡胶组合物和使用其获得的复合材料
CN111417687B (zh) * 2017-12-25 2022-06-03 陶氏东丽株式会社 硅橡胶组合物和使用其获得的复合材料
CN110229524A (zh) * 2018-03-05 2019-09-13 信越化学工业株式会社 光反射材料用固化性硅酮组合物、硅树脂固化物、反射器及led装置
CN110229524B (zh) * 2018-03-05 2022-03-29 信越化学工业株式会社 光反射材料用固化性硅酮组合物、硅树脂固化物、反射器及led装置
CN110373176A (zh) * 2018-04-12 2019-10-25 三星电子株式会社 发光复合物和发光结构体与光学片材及电子装置
WO2021128691A1 (zh) * 2019-12-26 2021-07-01 广东盈骅新材料科技有限公司 环氧改性硅树脂组合物及其应用

Also Published As

Publication number Publication date
TW201410762A (zh) 2014-03-16
US20130345359A1 (en) 2013-12-26
TWI507465B (zh) 2015-11-11
KR20140000171A (ko) 2014-01-02
CN103509345B (zh) 2016-03-30
KR101554887B1 (ko) 2015-09-22
US8822593B2 (en) 2014-09-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103509345B (zh) 固化性树脂组合物、它的固化物及使用该固化物的光半导体装置
CN102532915B (zh) 低气体渗透性硅氧烷树脂组合物和光电器件
JP6070498B2 (ja) 蛍光体含有層と白色顔料含有層を有する熱硬化性シリコーン樹脂シート、それを使用する発光装置の製造方法及び封止発光半導体装置
CN102732040B (zh) 硅树脂组合物以及采用该组合物的光学半导体装置
CN104151834B (zh) 固化性树脂组合物、其固化物及光半导体器件
KR101688407B1 (ko) 경화성 실리콘 조성물 및 광 반도체 장치
CN103509347A (zh) 有机硅树脂组合物、半固化体片、有机硅固化体的制造方法、发光二极管装置及其制造方法
EP2617791A1 (en) UV-curable adhesive silicone composition, UV-curable adhesive silicone composition sheet, optical semiconductor apparatus and method for manufacturing the same
CN103881388A (zh) 固化性硅酮树脂组合物、其固化物及光半导体装置
TW201305278A (zh) 聚矽氧樹脂組合物、聚矽氧樹脂片材、聚矽氧樹脂片材之製造方法及光半導體裝置
JP6601142B2 (ja) 付加縮合併用硬化性シリコーン樹脂シート、波長変換シート、及び発光装置の製造方法
JP5652410B2 (ja) 蛍光体含有層と白色顔料含有層を有する熱硬化性シリコーン樹脂シート、それを使用する発光装置の製造方法及び封止発光半導体装置
JP5788839B2 (ja) 硬化性樹脂組成物、その硬化物及びそれを用いた光半導体デバイス
WO2015126780A1 (en) Reactive silicone composition, hotmelt material made therefrom, and curable hotmelt composition
JP2014156532A (ja) 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置
JP5965241B2 (ja) シリコーン処理蛍光体、シリコーン処理蛍光体含有シリコーン系硬化性組成物およびこれらの組成物で封止されてなる発光装置
JP5739380B2 (ja) 硬化性樹脂組成物、その硬化物及びそれを用いた光半導体デバイス
JP2019163424A (ja) 硬化性樹脂組成物及び該樹脂組成物を封止剤として用いた光半導体装置。
JP2014214249A (ja) ポリオルガノシロキサン組成物、その硬化物およびそれを用いた発光デバイス
JP6329423B2 (ja) 多面体構造ポリシロキサン骨格を有する変性体、その変性体を添加した硬化性組成物、硬化物および半導体発光装置
KR102367879B1 (ko) 실리콘계 반사재 조성물 및 이를 이용하여 형성된 광학 장치
JP7042126B2 (ja) 硬化性組成物及び該組成物を封止剤として用いた光半導体装置。
US20160002527A1 (en) Phosphor-Containing Curable Silicone Composition and Curable Hotmelt File Made Therefrom
JP6239948B2 (ja) 多面体構造ポリシロキサンを添加した硬化性組成物、硬化物および半導体発光装置、半導体発光装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant