CN103509036B - 新型稠环化合物、有机发光装置和有机发光显示仪器 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种由通式1表示的稠环化合物：通式1在通式1中，X1、X2、Y1至Y3、Ar1至Ar3、R1至R11、L1至L3、a、b和c如说明书中所定义。本发明还提供了一种有机发光装置，该装置包括第一电极、第二电极和包含上述稠环化合物的有机层，并且还提供了一种高效率且长寿命的有机发光显示仪器，该仪器包括晶体管和上述有机发光装置。

Description

新型稠环化合物、有机发光装置和有机发光显示仪器
相关专利申请的交叉引用
本申请要求2012年6月27日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2012-0069472的优先权和权益，通过引用将其全部公开内容并入本文。
技术领域
以下说明涉及一种稠环化合物和有机发光装置，更具体地，涉及一种新型稠环化合物、一种包括使用该稠环化合物的有机层的具有改善的寿命（使用寿命）的有机发光装置、和包括该有机发光装置的有机发光显示仪器。
背景技术
有机发光装置（OLED）是自发射装置，具有例如宽视角、优异对比度、快速反应、高亮度和优异的驱动电压特性的优点，并可以提供彩色图像。由于这些特性，OLED受到越来越多的关注。
现有的有机发光装置具有包括顺序依次叠架的置于基板上的阳极、空穴传输层（HTL）)、发射层（EML）、电子传输层（ETL）和阴极的结构。HTL、EML和ETL通常由有机化合物形成。当在阳极和阴极间施加电压时，从阳极注入的空穴经HTL迁移到EML，且从阴极注入的电子经ETL迁移到EML。空穴和电子（载体）在EML内重新结合产生激子。当激子从激发态跃迁到基态时，便发出光来。
影响有机发光装置的发光效率的主要因素为其发光材料。荧光材料被广泛用作发光材料，而基于理论的电致发光机理，也越来越多地使用能够将发光效率提高达4倍的磷光材料。
为了降低有机发光装置的消耗功率，可增加有机发光装置的功率效率。根据“功率效率=(π/电压)x电流效率”的关系，降低电压可导致高功率效率。在实践中，与使用荧光材料的有机发光装置相比，使用常用磷光（主体）材料，例如BAlq或CBP的有机发光装置可具有相当高的电流效率，但也具有更高的驱动电压，因此在功率效率方面并不优越。
使用该现有主体材料的有机发光装置在寿命方面也不令人满意，因此存在着开发具有改善特性的更稳定的主体材料的需要。
发明概述
本发明实施方式的一个方面涉及一种具有与现有发光材料不同的坚固骨架结构的新型稠环化合物。
本发明实施方式的一个方面涉及一种包括用所述稠环化合物形成的有机层的有机发光装置，其中所述有机发光装置具有高发光效率、长寿命和适宜的色彩坐标。
本发明实施方式的一个方面还涉及一种包括所述有机发光装置的高效率、长寿命的有机发光显示仪器。
根据本发明的实施方式，提供了一种由以下通式1表示的稠环化合物：
通式1
其中，在通式1中，
X1为氮原子（N）；
X2为S、O、Si(R12)(R13)和N(R14)中的一种；
Y1至Y3各自独立地为C和N中的一种，其中Y1至Y3中至少一个为N；
Ar1至Ar3各自独立地选自取代或未取代的C6至C40芳基、取代或未取代的C6至C40芳烷基、取代或未取代的C6至C40芳氧基、取代或未取代的C6至C40芳硫基、取代或未取代的C6至C40芳氨基和取代或未取代的C2至C40杂芳基；
R1至R14各自独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、羟基、氰基、硝基、氨基、羧基、取代或未取代的C1至C40烷基、取代或未取代的C1至C40烷氧基、取代或未取代的C2至C40烯基、取代或未取代的C2至C40炔基、取代或未取代的C3至C40环烷基、取代或未取代的C3至C40环烯基、取代或未取代的C6至C40芳基、取代或未取代的C6至C40芳烷基、取代或未取代的C6至C40芳氧基、取代或未取代的C6至C40芳硫基、取代或未取代的C6至C40芳氨基和取代或未取代的C2至C40杂芳基，其中R1至R14中至少两个相邻基团可选择稠合；
L1至L3各自独立地为取代或未取代的C6至C40亚芳基；且
a、b和c各自独立地为0至3的整数。
根据本发明的另一个实施方式，提供了一种包括第一电极、与所述第一电极相对放置的第二电极和置于所述第一电极和所述第二电极之间的有机层的有机发光装置，所述有机层包含上述稠环化合物。
所述有机层可包含空穴注入层、空穴传输层、具有空穴注入和空穴传输能力的功能层、缓冲层、发射层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和具有电子注入和电子传输能力的功能层中的至少一层。
所述有机层可包含空穴注入层、空穴传输层和具有空穴注入和空穴传输能力的功能层中的至少一层，且所述空穴注入层、所述空穴传输层和具有空穴注入和空穴传输能力的所述功能层中的至少一层包含所述稠环化合物。
所述空穴注入层、所述空穴传输层和所述具有空穴注入和空穴传输能力的功能层中的至少一层可进一步包含电荷产生材料，且所述电荷产生材料可为奎宁衍生物、金属氧化物和含氰基化合物中的至少一种。
所述有机层可包含电子注入层、电子传输层和具有电子注入和电子传输能力的功能层中的至少一层，且所述电子注入层、所述电子传输层和所述具有电子注入和电子传输能力的功能层中的至少一层可包含所述稠环化合物。
所述有机层可包含发射层，且所述发射层可包含所述稠环化合物。
所述稠环化合物可用作磷光主体。
所述有机层可包含发射层，以及电子注入层、电子传输层和具有电子注入和电子传输能力的功能层中的至少一层；且所述发射层可包含芳胺化合物。
根据本发明的另一个实施方式，提供了一种有机发光显示仪器，所述有机发光显示装置包括：包含源极、漏极、栅极和激活层的晶体管；和上述有机发光装置，其中所述晶体管的所述源极和所述漏极中的一个被电连接到所述有机发光装置的所述第一电极上。
附图简述
通过参考附图对本发明示例性实施方式进行详细描述，将使本发明的上述和其它特征和优点更为清楚，其中：
附图是根据本发明实施方式的有机发光装置的结构示意图。
具体实施例
如本文所用，术语“和/或”包括一个或多个相关列举项目的任意和所有组合。当位于一系列元素之前时，表达方式如“至少一种”修饰整列元素，而不修饰列举的单个元素。
根据本发明的一个方面，提供了由以下通式1表示的稠环化合物。
通式1
其中，在通式1中，
X1为氮原子（N）；
X2为S、O、Si(R12)(R13)和N(R14)中的一个；
Y1至Y3各自独立地为C（碳原子）和N中的一个，其中Y1至Y3中的至少一个为N；
Ar1至Ar3各自独立地选自取代或未取代的C6至C40芳基、取代或未取代的C6至C40芳烷基、取代或未取代的C6至C40芳氧基、取代或未取代的C6至C40芳硫基、取代或未取代的C6至C40芳氨基和取代或未取代的C2至C40杂芳基；
R1至R14各自独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、羟基、氰基、硝基、氨基、羧基、取代或未取代的C1至C40烷基、取代或未取代的C1至C40烷氧基、取代或未取代的C2至C40烯基、取代或未取代的C2至C40炔基、取代或未取代的C3至C40环烷基、取代或未取代的C3至C40环烯基、取代或未取代的C6至C40芳基、取代或未取代的C6至C40芳烷基、取代或未取代的C6至C40芳氧基、取代或未取代的C6至C40芳硫基、取代或未取代的C6至C40芳氨基和取代或未取代的C2至C40杂芳基，其中R1至R14中至少两个相邻基团可选择稠合；
L1至L3各自独立地为取代或未取代的C6至C40亚芳基；且
a、b和c各自独立地为0至3的整数。
由以上通式1表示的稠环化合物可具有分子内咔唑与杂芳基的稠合结构，或分子内咔唑与芳硅烷基（silol）的稠合结构。
在通式1中，X1为氮原子（N），且具有X1的部分表示咔唑基。在通式1中，X2为S、O、N(R14)和Si(R12)(R13)中的一个，且具有X2的部分表示由诸如S、O或N的杂原子和碳原子组成的杂芳基，或由Si原子和碳原子组成的芳硅烷基。在通式1的稠环化合物中，包括X1和X2的稠环部分可具有咔唑基和杂芳基的稠合结构、或咔唑基和芳硅烷基的稠合结构。
通式1的稠环化合物可具有含氮的分子内杂环。
在通式1中，Y1至Y3各自独立地为C和N中的一个，其中Y1至Y3中的至少一个为N。在通式1中，包括Y1至Y3的部分表示含N的杂环。即在通式1的稠环化合物中，具有Y1至Y3的基团可表示杂环，例如三嗪基、嘧啶基或吡啶基。
以上通式1的稠环化合物可具有分子内咔唑和杂芳基、或分子内咔唑和芳硅烷基的刚性稠合结构，从而可具有高玻璃化转变温度和高熔点。此外，由于具有含N的分子内杂环，该稠环化合物可在例如电子传输能力方面具有改善的电子特性。
在通式1中，Ar1至Ar3各自表示作为取代基连接到包括Y1至Y3的杂环部分的芳基或杂芳基；且R1至R14各自表示连接到包括X1和X2的稠环部分的取代基。L1至L3各自表示连接部分，所述连接部分可在包括Ar1至Ar3的杂环部分与包括Y1至Y3的杂环部分之间；且a、b和c表示连接部分的数量。如果a为0，则-(L1)a-表示单键。如果a为2或更大，则多个L1可相同或不同。相似地，如果b为0，则-(L2)b-表示单键。如果b为2或更大，则多个L2可相同或不同。如果c为0，则-(L3)c-表示单键。如果c为2或更大，则多个L3可相同或不同。
下文将更详细地描述通式1的稠环化合物。
在通式1中，X1表示氮原子。在通式1中，包括X1的部分表示咔唑基。如果X1为S或O，通式1的稠环化合物的合成会相对困难，因此排除这种情况。
在通式1中，X2为S、O、Si(R12)(R13)和N(R14)中的一个；
例如，X2为S、O和Si(R12)(R13)中的一个。在一个实施方式中，如果X2为S、O和Si(R12)(R13)中的一个，则通式1的稠环化合物不会庞大，从而可易于形成有机层。如果X2为由苯基取代的氮原子（N），则稠环化合物可具有庞大的结构，可能不易于形成利用该稠环化合物的有机发光装置的有机层。
在通式1中，Y1至Y3各自独立地为C和N中的一个，其中Y1至Y3中的至少一个为N。
例如，Y1和Y2可各自为N，而Y3可为C；Y1和Y3可各自为N，而Y2可为C；或Y2和Y3可各自为N，而Y1可为C。在这些情况中，包括Y1至Y3的杂环表示具有两个氮原子和四个碳原子的嘧啶基。在一个实施方式中，Y1、Y2和Y3可各自为N。在该情况中，包括Y1至Y3的杂环代表具有三个氮原子和三个碳原子的三嗪基。
在通式1中，Y1和Y3可各自为N，且Y2可为C。在该情况中，包括Y1至Y3的杂环代表嘧啶基，而嘧啶基中两个氮原子之间的碳原子（Y1和Y3间的碳原子）连接到包括X1和X2的稠环上。
通式1的稠环化合物可由以下通式2a至2f中的一个表示：
通式2a
通式2b
通式2c
通式2d
通式2e
通式2f
在通式2a至2f中，结合通式1定义Ar1至Ar3、R1至R13、L1至L3、a、b和c。
在通式1中，Ar1至Ar3可各自独立地为取代或未取代的C6至C40芳基和取代或未取代的C2至C40杂芳基中的一个；L1至L3可各自独立地为取代或未取代的亚苯基和取代或未取代的亚萘基中的一个；且a、b和c可各自独立地为0和1中的一个。
例如，Ar1至Ar3可各自独立地为取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的菲那基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的并四苯基（tetracenyl）、取代或未取代的四苯基（tetraphenyl）、取代或未取代的苯并蒽基（benzoanthryl）、取代或未取代的苯并菲基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的联三苯基、取代或未取代的茚基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的苯并芴基、取代或未取代的荧蒽基、取代或未取代的苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的苯并萘并噻吩基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的苯并萘并呋喃基、取代或未取代的苯并芳硅烷基（benzosilolyl）、取代或未取代的二苯并芳硅烷基、取代或未取代的苯并萘并芳硅烷基、取代或未取代的吲哚基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的苯并咔唑基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的吖啶基、取代或未取代的异喹啉基和取代或未取代的苯并异喹啉基中的一种。
例如，L1至L3可各自独立地为取代或未取代的亚苯基和取代或未取代的亚萘基中的一种。例如，a、b和c可各自独立地为0至1的整数；
Ar1至Ar3可各自独立地为取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的菲那基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的基、取代或为取代的三亚苯基、取代或未取代的并四苯基、取代或未取代的四苯基、取代或未取代的苯并蒽基、取代或未取代的苯并菲基、取代或未取代的茚基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的苯并芳硅烷基、取代或未取代的二苯并芳硅烷基、取代或未取代的吲哚基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的喹啉基和取代或未取代的吖啶基中的一种。
Ar1至Ar3各自独立地由以下通式3a至3m中的一个表示：
通式3a 通式3b 通式3c
通式3d 通式3e 通式3f
通式3g 通式3h 通式3i
通式3j 通式3k 通式3l
通式3m
在通式3a至3m中，Z1至Z4可各自独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、羟基、氰基、硝基、氨基、羧基、取代或未取代的甲基、取代或未取代的乙基、取代或未取代的丙基、取代或未取代的丁基和取代或未取代的苯基中的一种；且p、q、r和s可各自独立地为1至5的整数。符号*表明与除了由通式3a至3m表示的部分外由通式1表示的稠环化合物的残基结合的位点。
Ar1至Ar3可各自独立地由以下通式4a至4j中的一个表示：
通式4a 通式4b 通式4c
通式4d 通式4e 通式4f
通式4g 通式4h 通式4i
通式4j
在以上通式4a至4j中，Z1和Z2可各自独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、羟基、氰基、硝基、氨基、羧基、取代或未取代的甲基、取代或未取代的乙基、取代或未取代的丙基、取代或未取代的丁基、取代或未取代的苯基中的一种；且*表明与除了由通式4a至4j表示的部分外由通式1表示的稠环化合物的残基的结合位点。
在通式1中，R1至R14可各自独立地为氢原子、氘原子、取代或未取代的甲基、取代或未取代的乙基、取代或未取代的丙基、取代或未取代的丁基和取代或未取代的苯基中的一种。
通式1的稠环化合物可为以下化合物1至96中的一种，但不限于此：
由以上通式1表示的稠环化合物可具有分子内咔唑和杂芳基的稠合结构，或分子内咔唑与芳硅烷基的稠合结构，以及含氮杂环，它们一起形成稠环化合物的刚性骨架，而作为取代基的芳基或杂芳基通过连接部分连接到骨架上。由于该结构，通式1的稠环化合物可具有高玻璃化转变温度和高熔点。
包括通式1的稠环化合物的有机发光装置可具有对储存和/或操作时在有机层间、有机层中、和/或EML与金属电极间产生的焦耳热的高耐热性。因此，包括该稠环化合物的有机发光装置即使在高温环境下随时间也可具有一致的热稳定性，以及高耐久性和长寿命。
使用有机合成可合成通式1的稠环化合物。本领域的普通技术人员可通过将在以下描述的实施例理解通式1的稠环化合物的合成方法。
在有机发光装置的一对电极间可使用通式1的稠环化合物。例如，该稠环化合物可用于发射层中、阳极与发射层之间的层中（例如，空穴注入层、空穴传输层、或具有空穴注入和传输能力的功能层），和/或阴极与发射层之间的层中（例如，电子注入层、电子传输层、或具有电子注入和传输能力的功能层）。
根据本发明的另一方面，有机发光装置包括第一电极、面向第一电极放置的第二电极、和置于第一电极与第二电极之间的有机层，其中有机层包括上述通式1的稠环化合物。
本文所用术语“有机层”是指置于有机发光装置的第一和第二电极间的单层和/或多层。
如本文所用，包括通式1的稠环化合物的有机层可指包括由以上通式1表示的一种或至少两种不同的稠环化合物。
有机层可包括空穴注入层、空穴传输层、具有空穴注入和空穴传输能力的功能层、缓冲层、发射层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和具有电子注入和电子传输能力的功能层中的至少一层。
有机层可包括空穴注入层、空穴传输层和具有空穴注入和空穴传输能力的功能层中的至少一层，且空穴注入层、空穴传输层和具有空穴注入和空穴传输能力的功能层中的至少一层可包括通式1的稠环化合物。
空穴注入层、空穴传输层和具有空穴注入和空穴传输能力的功能层中的至少一层可进一步包括电荷产生材料，该电荷产生材料可为奎宁衍生物、金属氧化物和含氰基化合物中的至少一种。金属氧化物的实例为氧化钼和氧化钒。具有强电子接受能力的电荷产生材料可有助于空穴的注入和传输。
有机层可包括电子注入层、电子传输层和具有电子注入和电子传输能力的功能层中的至少一层，且电子注入层、电子传输层和具有电子注入和电子传输能力的功能层中的至少一层可包括由以上通式1表示的稠环化合物。
有机层可包括发射层，而发射层可进一步包括由上述通式1表示的稠环化合物。
由于稠环化合物的X1和X2上断裂的共轭，通式1的稠环化合物可具有合适的能级以用作形成发射层的材料。
发射层中通式1的稠环化合物可被用作磷光主体。发射层中的稠环化合物可作为发出红光、绿光或蓝光的磷光主体使用，尤其可用作绿光的磷光主体。
有机层可包括发射层，和电子注入层、电子传输层和具有电子注入和电子传输能力的功能层中的至少一层，其中发射层可包括芳胺化合物。芳胺化合物可为任何适用于发射层中的化合物。
下文将参照附图描述根据本发明实施方式的有机发光装置10的结构及其制造方法。然而，本发明不限于此。
附图为根据本发明实施方式的有机发光装置（OLED）10的示意剖面图。
基板11可为用于常规有机发光装置的任何基板，可为具有优异的机械强度、热稳定性、透明度、表面光洁度、操作便利度和耐水性的玻璃基板或透明塑料基板。
通过将第一电极形成材料沉积或喷溅到基板11上可形成第一电极13。当第一电极13构成阳极时，可将具有高功函的材料用作第一电极形成材料以帮助空穴注入。第一电极13可为反射电极或发射电极。具有高导电性的透明材料，例如ITO、IZO、SnO2和ZnO，可被用作第一电极形成材料。在一些实施方式中，使用镁（Mg）、铝（Al）、铝-锂（Al-Li）、钙（Ca）、镁-铟（Mg-In）、镁-银（Mg-Ag）等可形成作为反射电极的第一电极13。第一电极13可具有单层结构或包括至少两层的多层结构。例如，第一电极13可具有ITO:Ag:ITO的三层结构，但不限于此。
有机层15可置于第一电极13上。有机层15可包括空穴注入层（HIL）、空穴传输层（HTL）、缓冲层、发射层（EML）16、电子传输层（ETL）和电子注入层（EIL）。
可使用任何方法在第一电极13上形成HIL，例如真空沉积、旋涂、浇注、Langmuir-Blodgett（LB）沉积等。当用真空沉积形成HIL时，可根据用于形成HIL的化合物及将要形成的HIL的期望结构和热性能改变真空沉积条件。例如，可在约100℃至约500℃的温度、约10-8托至约10-3托的压力下，以约秒至约秒的沉积速度进行真空沉积。然而，沉积条件不限于此。当使用旋涂形成HIL时，可根据用于形成HIL的化合物及将要形成的HIL的期望结构和热性能改变涂布条件。例如，涂布速率可在约2000rpm至约5000rpm的范围内，而在涂布后进行热处理以去除溶剂的温度可在约80℃至约200℃的范围内。然而，涂布条件不限于此。HIL形成材料可为通式1的稠环化合物和适宜的HIL形成材料中的至少一种。合适的HIL形成材料的非限制性实例为N,N’-二苯基-N,N’-双-[4-(苯基-间甲苯基-氨基)-苯基]-联苯基-4,4’-二胺（DNTPD）、诸如铜酞菁的酞菁化合物、4,4’,4’’-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺（m-MTDATA）、N,N’-二(1-萘基)-N,N’-二苯基联苯胺（NPB）、TDATA、2-TNATA、聚苯胺/十二烷基苯磺酸（Pani/DBSA）、聚(3,4-乙烯二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)（PEDOT/PSS）、聚苯胺/樟脑磺酸（Pani/CSA）和聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)（PANI/PSS）。HIL的厚度可为约 至约且在一些实施方式中，可为约至当HIL的厚度在该范围内时，HIL可具有良好的空穴注入能力，而不会大幅增加驱动电压。
之后，可用各种合适的方法在HIL上形成HTL，例如真空沉积、旋涂、浇注、Langmuir-Blodgett（LB）沉积等。当使用真空沉积或旋涂形成HTL时，沉积和涂布的条件可与形成HIL的条件相似，但可根据用于形成HTL的材料改变用于沉积和涂布的条件。HTL形成材料可为通式1的稠环化合物和任何适宜的HTL形成材料中的至少一种。适宜的HTL形成材料的非限制性实例为诸如N-苯基咔唑或聚乙烯基咔唑的咔唑衍生物、N,N’-双(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-[1,1-联苯基]-4,4’-二胺（TPD）、4,4’,4’’-三(N-咔唑基)三苯胺（TCTA）和N,N’-二(1-萘基)-N,N’-二苯基联苯胺（NPB）。HTL的厚度可为约至约且在一些实施方式中，可为约至约当HTL的厚度在该范围内时，HTL可具有良好的空穴传输能力，而不会大幅增加驱动电压。
具有空穴注入和空穴传输能力的功能层可包含通式1的稠环化合物、HIL形成材料和HTL形成材料中的至少一种。具有空穴注入和空穴传输能力的功能层的厚度可为约至约且在一些实施方式中，可为约至约当具有空穴注入和空穴传输能力的功能层的厚度在该范围内时，功能层可具有良好的空穴注入和传输能力，而不会大幅增加驱动电压。
HIL、HTL和具有空穴注入和传输能力的功能层中的至少一层除了上述通式1的稠环化合物、适宜的HIL形成材料和适宜的HTL形成材料外，可进一步包括如上所述的电荷产生材料以改善层的导电性。
缓冲层可放置在HIL、HTL和具有空穴注入和传输能力的功能层中的至少一层与EML16之间。缓冲层可根据EML16发出的光的波长而补偿光的光学距离，从而可提高效率。缓冲层可包括任何适宜的HIL形成材料或HTL形成材料。
之后，可通过真空沉积、旋涂、浇注、Langmuir-Blodget（LB）沉积等在HTL、具有空穴注入和传输能力的功能层或缓冲层上形成EML16。当使用真空沉积或旋涂形成EML16时，沉积和涂布的条件可与形成HIL的条件相似，但可根据用于形成EML16的材料改变用于沉积和涂布的条件，
EML16可包括通式1的稠环化合物作为主体材料。在一些实施方式中，EML16除了通式1的稠环化合物外可进一步包括适宜的主体。适宜主体的非限制性实例为Alq3、4,4’-N,N’-二咔唑-联苯（CBP）、聚(n-乙烯基咔唑)（PVK）、9,10-二(萘-2-基)蒽（AND）、TCTA、1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯（TPBI）、3-叔丁基-9,10-二-2-萘基蒽（TBADN）、E3、二苯乙烯（DSA）和dmCBP。
当有机发光装置10包括红色EML、绿色EML和蓝色EML中的至少一种时，EML16可包括以下掺杂剂（ppy=苯基吡啶）。
蓝色掺杂剂的非限制性实例为由以下通式表示的化合物。
DPAVBi
TBPe
红色掺杂剂的非限制性实例为由以下通式表示的化合物。
绿色掺杂剂的非限制性实例为由以下通式表示的化合物。
用于EML16的掺杂剂的非限制性实例为Pt络合物和Os络合物。
当有机发光装置10的EML16以及EIL、ETL和具有电子注入和传输能力的功能层中的至少一层包括通式1的稠环化合物时，EML16可包括适宜的芳胺化合物。
当EML16同时包括主体和掺杂剂时，基于100重量份的主体，掺杂剂的量可为约0.01重量份至约15重量份。然而，掺杂剂的量并不限于该范围。
EML16的厚度可为约至约且在一些实施方式中，可为约 至约当EML16的厚度在该范围内时，EML16可具有改善的发光能力，而不会大幅增加驱动电压。
之后，可利用诸如真空沉积、旋涂、浇注等各种方法在EML16上形成ETL。当使用真空沉积或旋涂形成ETL时，沉积和涂布的条件可与形成HIL的条件相似，但可根据用于形成ETL的材料改变沉积和涂布的条件。ETL形成材料可为通式1的稠环化合物和能够将从电子注入电极（阴极）中注入的电子稳定传输的任何适宜的ETL形成材料中的至少一种。适宜的ETL形成材料的非限制性实例为喹啉衍生物，例如三(8-羟基喹啉)铝（Alq3）、TAZ、BAlq、双(苯并喹啉-10-羟基)铍（Bebq2）、9,10-二(萘-2基)蒽（AND）、化合物201和化合物202。
化合物201 化合物202
BCP
ETL的厚度可为约至约且在一些实施方式中，可为约至约当ETL的厚度在该范围内时，ETL可具有令人满意的电子传输能力，而不会大幅增加驱动电压。
除了通式1的稠环化合物和适宜的ETL形成材料中的至少一种以外，ETL可进一步包括金属络合物。金属络合物可为锂（Li）络合物。Li络合物的非限制性实例为羟基喹啉锂（LiQ）和以下化合物203：
化合物203
可在ETL上形成帮助电子从阴极注入的EIL。EIL形成材料的实例为本领域中合适的LiF、NaCl、CsF、Li2O和BaO。用于形成EIL的沉积和涂布的条件可与形成HIL的条件相似，但可根据用于形成EIL的材料改变沉积和涂布的条件。EIL的厚度可为约至约且在一些实施方式中，可为约至约当EIL的厚度在该范围内时，EIL可具有令人满意的电子注入能力，而不会大幅增加驱动电压。
第二电极19置于有机层15上。第二电极19可为电子注入电极的阴极。适于形成第二电极19的材料为具有低功函的金属、合金和导电化合物，及其混合物。例如，可使用Li、Mg、Al、Al:Li、Ca、Mg:In、Mg:Ag等以薄膜形式形成作为传输电极的第二电极19。在一些实施方式中，为了制造顶部发光的发射装置，可由氧化铟锡（ITO）或氧化铟锌（IZO）形成传输电极。
当在EML中使用磷光掺杂剂时，可通过使用真空沉积、旋涂、浇注、Langmuir-Blodgett（LB）沉积等在HTL和EML16间或在具有空穴注入和传输能力的功能层与EML16间形成HBL以防止三重态激子或空穴扩散到ETL中。当使用真空沉积或旋涂形成HBL时，用于沉积和涂布的条件可与形成HIL的条件相似，但可根据用于形成HBL的材料改变沉积和涂布的条件。可使用适宜的HBL形成材料形成HBL，例如，噁二唑衍生物、***衍生物、菲咯啉衍生物等，但不限于此。例如，可通过由以下通式表示的BCP（2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉）形成HBL。
HBL的厚度可为约至约且在一些实施方式中，可为约至约当HBL的厚度在该范围内时，HBL可具有改善的空穴阻挡性能，而不会大幅增加驱动电压。
根据本发明的另一方面，有机发光显示仪器包括含以上通式1的稠环化合物的有机发光装置。有机发光显示仪器可包括具有源极、漏极、栅极和激活层的晶体管；以及上述有机发光装置，其中晶体管的源极和漏极中的一个电连接到有机发光装置的第一电极上。晶体管的激活层可为任何形式，例如，为非晶硅层、晶体硅层、有机半导体层或氧化物半导体层。
如本文所用，未取代的C1至C40烷基的实例为C1至C40直链或支链的烷基，如甲基、乙基、丙基、异丁基、仲丁基、戊基、异戊基或己基。取代的C1至C40烷基为C1至C40烷基，其中至少一个氢原子被氘原子、卤素原子、羟基、硝基、氰基、氨基、脒基、肼、腙、羧基或其盐、磺酸或其盐、磷酸或其盐、C1至C40烷基、C2至C40烯基、C2至C40炔基、C6至C40芳基、C2至C40杂芳基、-N(Q101)(Q102)或Si(Q103)(Q104)(Q105)(Q106)-（其中Q101至Q106可各自独立地选自由氢原子、C1至C40烷基、C2至C40烯基、C2至C40炔基、C6至C40芳基和C2至C40杂芳基组成的组中）所取代。
如本文所用，未取代的C1至C40烷氧基是指具有-OA1结构的基团，其中A1为如上所述的未取代的C1至C40烷基。未取代的C1至C40烷氧基的非限制性实例为甲氧基、乙氧基、异丙氧基。取代的C1至C40烷氧基是指C1至C40烷氧基，其中至少一个氢原子被与取代的C1至C40烷基中所述的相同的取代基所取代。
如本文所用，未取代的C2至C40烯基表示在未取代的C2至C40烷基的中央或端基上具有至少一个碳-碳双键的烃链。烯基的非限制性实例为乙烯基、丙烯基和丁烯基。取代的C2至C40烯基是指C2至C40烯基，其中至少一个氢原子被与取代的C1至C40烷基中所述的相同的取代基所取代。
如本文所用，未取代的C2至C40炔基（或C2至C30炔基）为在未取代的C2至C40烷基的中央或端基上具有至少一个碳-碳叁键的C2至C40烷基。未取代的C2至C40炔基的非限制性实例为乙炔基和丙炔基。取代的C2至C40炔基是指C2至C40炔基，其中至少一个氢原子被与取代的C1至C40烷基中所述的相同的取代基所取代。
如本文所用，未取代的C3至C40环烷基是指其中未取代的C3至C40烷基的碳原子形成环的基团。取代的C3至C40环烷基是指C3至C40环烷基，其中至少一个氢原子被与取代的C1至C40烷基中所述的相同的取代基所取代。
如本文所用，未取代的C6至C40芳基是指具有含6至40个碳原子的包括至少一个芳环的碳环芳香体系的单价基团。未取代的C6至C40亚芳基是指具有含6至40个碳原子的包括至少一个芳环的碳环芳香体系的二价基团。当芳基或亚芳基具有至少两个环时，它们可通过单键彼此稠合。取代的C6至C40芳基是指C6至C40芳基，其中至少一个氢原子被与取代的C1至C40烷基中所述的相同的取代基所取代。取代的C6至C40亚芳基是指C6至C40亚芳基，其中至少一个氢原子被与取代的C1至C40烷基中所述的相同的取代基所取代。
如本文所用，取代或未取代的C6至C40芳烷基是指烷基和取代或未取代的C6至C40芳基的结合基团。取代的C6至C40芳烷基是指C6至C40芳烷基，其中至少一个氢原子被与取代的C1至C40烷基中所述的相同的取代基所取代。
如本文所用，未取代的C6至C40芳氧基由-OA2表示（其中A2为取代或未取代的C6至C40芳基）。取代的C6至C40芳氧基为C6至C40芳氧基，其中至少一个氢原子被与取代的C1至C40烷基中所述的相同的取代基所取代。
如本文所用，未取代的C6至C40芳硫基由-SA3表示（其中A3为取代或未取代的C6至C40芳基）。取代的C6至C40芳硫基为C6至C40芳硫基，其中至少一个氢原子被与取代的C1至C40烷基中所述的相同的取代基所取代。
如本文所用，未取代的C6至C40芳氨基由-N(A4)(A5)表示（其中A4和A5各自独立地为取代或未取代的C6至C40芳基）。取代的C6至C40芳氨基为C6至C40芳氨基，其中至少一个氢原子被与取代的C1至C40烷基中所述的相同的取代基所取代。
如本文所用，未取代的C2至C40杂芳基为具有至少一个包括选自N、O、P和S中至少一个杂原子和2至40个碳原子的芳香环的单价基团。未取代的C2至C40亚杂芳基为具有至少一个包括选自N、O、P和S中至少一个杂原子和2至40个碳原子的芳香环的二价基团。就这一点而言，当C2至C40杂芳基或C2至C40亚杂芳基包括至少两个环时，它们可通过单键彼此稠合。取代的C2至C40杂芳基是指C2至C40杂芳基，其中至少一个氢原子被与取代的C1至C40烷基中所述的相同的取代基所取代。取代的C2至C40亚杂芳基是指C2至C40亚杂芳基，其中至少一个氢原子被与取代的C1至C40烷基中所述的相同的取代基所取代。
下文将参考以下合成实施例和其它实施例详细叙述本发明。然而，这些实施例仅出于说明性的目的，而不是旨在限制本发明的范围。
首先，如以下反应方案1所述，从化合物A通过中间体B、C和D制备中间体E。
反应方案1
中间体E的合成
<步骤1>中间体B的合成
将10g（1eq，0.024mol）的2-溴-5-氯-7-苯基-7H-苯并[c]咔唑和4.5g（1.2eq，0.029mol）的2-巯基苯基硼酸溶于400mL甲苯中。向该溶液中加入0.95g（0.02eq，0.001mmol）的Pd(PPh3)4和100mL的2M的K2CO3饱和溶液，之后搅拌加热约12小时。
将反应完全的反应溶液通过硅藻土（Celite）过滤，用柱色谱纯化过滤产物以得到7.57g的中间产物B，产率约72.4%。
GC-Mass（计算：435.2g/mol，实测：434g/mol）
<步骤1-1>中间体C的合成
将10g（1eq，0.022mol）的中间体B放入烧瓶中，并向其中加入100ml的***，并向混合物中缓慢加入25ml的过氧化氢溶液（32%）。在室温下搅拌约5小时后，用过量的去离子水清洗混合物以获得有机相，之后使用MgSO4干燥该有机相，然后通过柱色谱纯化获得5.1g的中间体C，产率约52.1%。
GC-Mass（计算：433.07g/mol，实测：432g/mol）
<步骤1-2>中间体D的合成
在反应容器中将5g（1eq，0.0115mol）的中间体C加入100ml的四氢呋喃（THF）后，将反应容器的温度降低至约-78℃（使用丙酮和干冰）。30分钟后，向反应容器中缓慢加入12.2ml的正丁基锂（n-BuLi）（在Hex中，1.6M）。1小时后，向反应容器中缓慢加入17.3ml的硼酸2-异丙酯。
将温度升至室温，之后保持1小时。
将反应完全的反应溶液用过量去离子水清洗，之后用柱色谱提纯获得3.9g的中间体D，产率约77.6%。
GC-Mass（计算：443.12g/mol，实测：442g/mol）
<步骤1-3>中间体E的合成
将10g（1eq，0.022mol）的中间体D和3.7g（0.9eq，0.02mol）的2,4,6-三氯-1,3,5-三嗪溶于400mL甲苯中。向该溶液中加入0.95g（0.01eq，0.001mmol）的Pd(PPh3)4和100mL的2M的K2CO3饱和溶液，之后搅拌加热约12小时。
将反应完全的反应溶液通过硅藻土过滤，用柱色谱纯化过滤产物以获得6.63g的中间体E，产率约55.1%。
GC-Mass（计算：546.05g/mol，实测：545g/mol）
反应方案2
中间体F的合成
将10g（1eq，0.018mol）的中间体E和2g（0.9eq，0.016mol）的苯基硼酸溶于600mL甲苯中。向该溶液中加入0.5g（0.01eq，0.0005mmol）的Pd(PPh3)4和75mL的2M的K2CO3饱和溶液，之后搅拌加热约12小时。
将反应完全的反应溶液通过硅藻土过滤，通过柱色谱纯化过滤产物以获得5.51g的中间体F，产率约52%。
GC-Mass（计算：598.12g/mol，实测：597g/mol）
化合物1的合成
将10g（1eq，0.018mol）的中间体E和4.8g（2.2eq，0.0396mol）的苯基硼酸溶于1000mL甲苯中。向该溶液中加入0.9g（0.007eq，0.0009mmol）的Pd(PPh3)4和150mL的2M的K2CO3饱和溶液，之后搅拌加热约12小时。
将反应完全的反应溶液通过硅藻土过滤，通过柱色谱纯化过滤产物以获得9.5g的化合物1，产率约84%。
GC-Mass（计算：598.12g/mol，实测：597g/mol）
元素分析：C，81.88；H，4.15；N，8.88；S，5.08
化合物2的合成
使用中间体F和萘-1-基硼酸代替中间体E和苯基硼酸，用与化合物1的合成相同的方式合成8.1g的化合物2（产率：约79.5%）。
GC-Mass（计算：680.82g/mol，实测：679g/mol）
元素分析：C，82.92；H，4.15；N，8.23；S，4.71
化合物5的合成
使用二苯并[b,d]噻吩-4-基硼酸代替萘-1基硼酸，用与化合物2的合成相同的方式合成9.2g的化合物5（产率：约82.1%）。
GC-Mass（计算：736.90g/mol，实测：735g/mol）
元素分析：C，79.86；H，3.83；N，7.60；S，8.71
化合物7的合成
使用9,9-二甲基-9H-芴-2-基硼酸代替萘-1基硼酸，用与化合物2的合成相同的方式合成8.1g的化合物7（产率：约72.2%）。
GC-Mass（计算：746.92g/mol，实测：745g/mol）
元素分析：C，83.62；H，4.59；N，7.50；S，4.29
化合物8的合成
使用9-苯基-9H-咔唑-3-基硼酸代替萘-1基硼酸，用与化合物2的合成相同的方式合成9.3g的化合物8（产率：约75.9%）。
GC-Mass（计算：795.95g/mol，实测：798g/mol）
元素分析：C，82.99；H，4.18；N，8.80；S，4.03
化合物11的合成
使用中间体G用与化合物1的合成相同的方式合成7.9g的化合物11（产率：约71.4%）。
GC-Mass（计算：706.22g/mol，实测：705g/mol）
元素分析：C，83.26；H，4.28；N，7.93；S，4.54
化合物12的合成
使用中间体H用与化合物1的合成相同的方式合成7.2g的化合物12（产率：约70.6%）。
GC-Mass（计算：706.22g/mol，实测：705g/mol）
元素分析：C，83.26；H，4.28；N，7.93；S，4.54
化合物13的合成
使用三亚苯-2-基硼酸代替萘-1-基硼酸，用与化合物2的合成相同的方式合成8.7g的化合物13（产率：约77.9%）。
GC-Mass（计算：780.93g/mol，实测：779g/mol）
元素分析：C，84.59；H，4.13；N，7.17；S，4.11
如反应方案3所示，通过中间体K从中间体J制备中间体L。
反应方案3
中间体L的合成
<步骤2>中间体K的合成
在反应容器中将6.3g（1eq，0.0115mol）的中间体J加入150ml的THF中后，将反应容器的温度降至约-78℃（使用丙酮和干冰）。30分钟后，向反应容器中缓慢加入15.8ml的正丁基锂（在Hex中，1.6M）。1小时后，向反应容器中缓慢加入20.1ml的硼酸2-异丙酯。
将温度升至室温，之后为进行交换保持1小时。
用过量的去离子水再用过量己烷清洗反应完全的反应溶液以获得4.1g的中间体K，产率约72.7%。
GC-Mass（计算：427.14g/mol，实测：426g/mol）
<步骤2-1>中间体L的合成
将10g（1eq，0.022mol）的中间体K和3.7g（0.9eq，0.02mol）的2,4,6-三氯-1,3,5-三嗪溶于400mL的甲苯中。向该溶液中加入0.95g（0.01eq，0.001mmol）的Pd(PPh3)4和100mL的2M的K2CO3饱和溶液，之后搅拌加热约12小时。
将反应完全的反应溶液通过硅藻土过滤，之后用柱色谱纯化过滤产物以获得6.63g的中间体L，产率约55.1%。
GC-Mass（计算：530.07g/mol，实测：529g/mol）
接着如反应方案4所示，从中间体L制备中间体M。
反应方案4
中间体M的合成
用与合成中间体E相同的方式从中间体L合成5.1g中间体M（产率：约47%）。
GC-Mass（计算：572.14g/mol，实测：571g/mol）
化合物17的合成
用与合成化合物1相同的方式从中间体L合成8.7g化合物17（产率：约81%）。
GC-Mass（计算：614.21g/mol，实测：613g/mol）
元素分析：C，84.02；H，4.26；N，9.11；O，2.60
化合物21的合成
用与合成化合物5相同的方式从中间体M合成7.7g化合物21（产率：约73.6%）。
GC-Mass（计算：720.2g/mol，实测：719g/mol）
元素分析：C，81.64；H，3.92；N，7.77；O，2.22；S，4.45
化合物33的合成
用与合成化合物21相同的方式用芘-1-基硼酸合成8.3g化合物33（产率：约79.5%）。
GC-Mass（计算：740.26g/mol，实测：739g/mol）
元素分析：C，85.92；H，4.35；N，7.56；O，2.16
化合物37的合成
用与合成化合物13相同的方式从中间体M合成7.9g化合物37（产率：约69.1%）。
GC-Mass（计算：764.26g/mol，实测：763g/mol）
元素分析：C，86.37；H，4.22；N，7.33；O，2.09
化合物39的合成
使用9,9-二甲基-9H-芴-2基硼酸代替芘-1-基硼酸，用与合成化合物33相同的方式合成8.87g化合物39（产率：约72.5%）。
GC-Mass（计算：730.27g/mol，实测：729g/mol）
元素分析：C，85.46；H，4.69；N，7.67；O，2.19
化合物40的合成
使用二苯并[b,d]呋喃-3-基硼酸代替芘-1-基硼酸，用与合成化合物33相同的方式合成7.14g化合物40（产率：约62.5%）。
GC-Mass（计算：704.22g/mol，实测：703g/mol）
元素分析：C，83.51；H，4.00；N，7.95；O，4.54
实施例1
为了制造阳极，将康宁（corning）15Ω/cm2（）的ITO玻璃基板切割为50mmx50mm x0.5mm的尺寸，之后在异丙醇和纯水中各超声五分钟，之后用超声作用清洁，接着用紫外（UV）照射，并暴露在臭氧中清洗。将所得玻璃基板载入真空沉积装置。
将2-TNATA在ITO玻璃基板上真空沉积以在阳极上形成具有厚度的HIL，之后将NPS在HIL上真空沉积以形成具有厚度的HTL。
以约87:13的重量比将作为绿色磷光掺杂剂的Ir(ppy)3和作为主体的化合物1共沉积到HTL上以形成具有约厚度的绿色EML。
将Alq3在EML上真空沉积以形成具有厚度的ETL。
将Al在ETL上真空沉积以形成具有约厚度的阴极，从而完成有机发光装置的制造。
实施例2
除了使用化合物2代替化合物1形成EML外，用与实施例1相同的方式制造有机发光装置。
实施例3
除了使用化合物5代替化合物1形成EML外，用与实施例1相同的方式制造有机发光装置。
实施例4
除了使用化合物7代替化合物1形成EML外，用与实施例1相同的方式制造有机发光装置。
实施例5
除了使用化合物8代替化合物1形成EML外，用与实施例1相同的方式制造有机发光装置。
实施例6
除了使用化合物11代替化合物1形成EML外，用与实施例1相同的方式制造有机发光装置。
实施例7
除了使用化合物12代替化合物1形成EML外，用与实施例1相同的方式制造有机发光装置。
实施例8
除了使用化合物13代替化合物1形成EML外，用与实施例1相同的方式制造有机发光装置。
实施例9
除了使用化合物17代替化合物1形成EML外，用与实施例1相同的方式制造有机发光装置。
实施例10
除了使用化合物21代替化合物1形成EML外，用与实施例1相同的方式制造有机发光装置。
实施例11
除了使用化合物33代替化合物1形成EML外，用与实施例1相同的方式制造有机发光装置。
实施例12
除了使用化合物37代替化合物1形成EML外，用与实施例1相同的方式制造有机发光装置。
实施例13
除了使用化合物39代替化合物1形成EML外，用与实施例1相同的方式制造有机发光装置。
实施例14
除了使用化合物40代替化合物1形成EML外，用与实施例1相同的方式制造有机发光装置。
实施例15
除了使用化合物53代替化合物1形成EML外，用与实施例1相同的方式制造有机发光装置。
对比例1
除了使用CBP代替化合物1形成EML外，用与实施例1相同的方式制造有机发光装置。
评估例
使用PR650（Spectroscan）源测量单元（可购自PhotoResearch,Inc.）测量根据实施例1至15和对比例1制备的OLED的驱动电压、发光效率、色彩坐标、光度和寿命。结果列于以下表1中。
表1
参照表1，与对比例1的有机发光装置相比，发现实施例1至15的有机发光装置具有更低的驱动电压、改善的发光效率和相当长的寿命。
在结果的定量比较中，与对比例1的有机发光装置相比，实施例1至15的有机发光装置具有低约15%至25%的驱动电压和高约10%至20%的发光效率。特别地，就寿命特性而言，相对于对比例1的有机发光装置，发现实施例1至15的有机发光装置具有约35%至130%的寿命（T95）增长。这是归因于实施例1至15的有机发光装置中使用的通式1的稠环化合物的高的热稳定性。
如上所述，根据本发明的一个或多个实施方式，通式1的稠环化合物具有高耐热性，并在用于有机发光装置的有机层中时可改善有机发光装置的光度和寿命。
与现有的有机发光装置相比，该有机发光装置可具有更高的发光效率，且由于用于有机层中的稠环化合物的改善的寿命特性而具有增长的寿命。
包括该有机发光装置的有机发光显示仪器可具有增长的寿命并随着降低的功率消耗而具有提高的功率效率。
尽管参照其示例性实施方式具体地表示并描述了本发明，但本领域普通技术人员将理解可做出各种形式和细节的改动，而不会背离由后面的权利要求及其等效方案所限定的本发明的精神和范围。

Claims (14)

1.一种由以下通式1表示的稠环化合物：
通式1
其中，在通式1中，
X1为氮原子；
X2为S、O和Si(R12)(R13)中的一种；
Y1至Y3各自独立地为CH和N中的一种，其中Y1至Y3中至少一个为N；
Ar1至Ar3各自独立地由以下通式4a至4j表示：
其中，在通式4a至4j中，
Z1和Z2各自独立地为甲基、乙基、丙基、丁基和苯基中的一种；且
*表明与除了由通式4a至4j表示的部分外由通式1表示的稠环化合物的残基结合的位点；
R1至R11各自独立地为氢原子和氘原子中的一种；
R12和R13各自独立地为甲基、乙基、丙基和丁基中的一种；
L1至L3各自独立地为亚苯基和亚萘基中的一种；且
a、b和c各自独立地为0至3的整数。
2.如权利要求1所述的稠环化合物，其中Y1和Y2各自为N，且Y3为CH；Y1和Y3各自为N，且Y2为CH；Y2和Y3各自为N，且Y1为CH；或Y1、Y2和Y3各自为N。
3.如权利要求1所述的稠环化合物，其中Y1和Y3各自为N，且Y2为CH；或Y1、Y2和Y3各自为N。
4.如权利要求1所述的稠环化合物，其中所述稠环化合物由以下通式2a至2f中的一种表示：
通式2a
通式2b
通式2c
通式2d
通式2e
通式2f
5.如权利要求1所述的稠环化合物，其中所述稠环化合物为以下化合物1至96中的一种：
6.一种有机发光装置，包括第一电极、与所述第一电极相对放置的第二电极、和置于所述第一电极与所述第二电极间的有机层，所述有机层包含根据权利要求1至5中任一项所述的稠环化合物。
7.如权利要求6所述的有机发光装置，其中所述有机层包含空穴注入层、空穴传输层、具有空穴注入和空穴传输能力的功能层、缓冲层、发射层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和具有电子注入和电子传输能力的功能层中的至少一层。
8.如权利要求6所述的有机发光装置，其中所述有机层包含空穴注入层、空穴传输层和具有空穴注入和空穴传输能力的功能层中的至少一层，且所述空穴注入层、所述空穴传输层和所述具有空穴注入和空穴传输能力的功能层中的至少一层包含所述稠环化合物。
9.如权利要求8所述的有机发光装置，其中所述空穴注入层、所述空穴传输层和所述具有空穴注入和空穴传输能力的功能层中的至少一层进一步包含电荷产生材料，且所述电荷产生材料为奎宁衍生物、金属氧化物和含氰基化合物中的至少一种。
10.如权利要求6所述的有机发光装置，其中所述有机层包含电子注入层、电子传输层和具有电子注入和电子传输能力的功能层中的至少一层，且所述电子注入层、所述电子传输层和所述具有电子注入和电子传输能力的功能层中的至少一层包含所述稠环化合物。
11.如权利要求6所述的有机发光装置，其中所述有机层包含发射层，且所述发射层包含所述稠环化合物。
12.如权利要求11所述的有机发光装置，其中所述稠环化合物用作磷光主体。
13.如权利要求6所述的有机发光装置，其中所述有机层包含发射层，以及电子注入层、电子传输层和具有电子注入和电子传输能力的功能层中的至少一层；且所述发射层包含芳胺化合物。
14.一种有机发光显示仪器，包括：包含源极、漏极、栅极和激活层的晶体管；和根据权利要求6至13中任一项所述的有机发光装置，其中所述晶体管的所述源极和所述漏极中的一个电连接到所述有机发光装置的所述第一电极上。
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