CN103490766A - 一种高速高精度源极跟随电路 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种高速高精度源极跟随电路，包括第一PMOS管和第二PMOS管，所述第一PMOS管的源极连接直流电源VAA，栅极连接输入电压VIN，漏极连接输出端；所述第二PMOS管2的源极与直流电源VAA连接，栅极与输入电压VIN连接，漏极连接输出端；所述第一PMOS源极上并联有输出电压VOUT。这种高速高精度源极跟随电路使PMOS管的输出阻抗对低频电压的影响变小，低频电压增益变大，线性度好。

Description

一种高速高精度源极跟随电路
技术领域
本发明涉及一种源极跟随电路，尤其涉及一种高速高精度源极跟随电路。
背景技术
缓冲电路一般是指需要驱动大的负载的时候，往往用一个缓冲电路来驱动。该电路将输入信号的波形传递到输出上，并输出足够的电流来驱动输出点的电容和电阻负载。衡量缓冲的性能指标主要有带宽、线性度、低频电压增益，输出电压和输入电压越接近越好，期望增益为1。而源极跟随电路已被广泛的运用到缓冲中。
如附图1所示一种现有的源极跟随电路，其主要缺点是，低频增益为0.8-0.9左右，对高精度的缓冲不适用，输入到输出有直流电压降，线性度比较差，并且依赖于输入电压和电压空间。
为了解决直流压降的问题，可以使用两级源级跟随电路如附图2和附图3所示，但是这种情况下的低频增益为两级的低频增益的乘积，只有0.7左右。
当工艺提供两种不同的阈值电压的MOS管时，可以使用附图4所示电路提高增益。M1为阈值电压较高的MOS管，M2为阈值电压较低的MOS管。M1和M2的阈值电压差为M1的源漏级电压。由于M1，M2的阈值电压差为基本不随输入电压变化，M1的源漏级电压也基本不随输入电压变化，导致M1管的输出阻抗对低频电压的影响变小，低频电压增益变大。主要缺点是工艺需要两种不同的阈值电压，且这种工艺比较昂贵。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是，提供一种能够使低频电压增益变大的高速高精度源极跟随电路。
为了解决上述技术问题，本发明是通过以下技术方案实现的：一种高速高精度源极跟随电路，包括第一PMOS管和第二PMOS管，所述第一PMOS管的源极连接直流电源VAA，栅极连接输入电压VIN，漏极连接输出端；所述第二PMOS管2的源极与直流电源VAA连接，栅极与输入电压VIN连接，漏极连接输出端。
优选的，所述第一PMOS源极上并联有输出电压VOUT。
与现有技术相比，本发明的有益之处是：这种高速高精度源极跟随电路使PMOS管的输出阻抗对低频电压的影响变小，低频电压增益变大，线性度好。
附图说明：
下面结合附图对本发明进一步说明。
图1是已有的源级跟随电路结构示意图；
图2、图3是已有的两级源级跟随电路结构示意图；
图4是采用两种阈值电压的源级跟随电路结构示意图；
图5是本发明一种高速高精度源极跟随电路结构示意图。
图中：1、第一PMOS管；2、第二PMOS管。
具体实施方式：
下面结合附图及具体实施方式对本发明进行详细描述：
图5所示一种高速高精度源极跟随电路，包括第一PMOS管1和第二PMOS管2，所述第一PMOS管1的源极连接直流电源VAA，且源极上还并联有输出电压VOUT，所述第一PMOS管1栅极连接输入电压VIN，漏极连接输出端；所述第二PMOS管2的源极与直流电源VAA连接，栅极与输入电压VIN连接，漏极连接输出端。
这种高速高精度源极跟随电路使第一PMOS管1的源漏级电压差约为第一PMOS管1的阈值电压加上第二PMOS管2的阈值电压，基本和输入电压无关，输出阻抗对低频电压的影响变小，低频电压增益变大，线性度好。
需要强调的是：以上仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (2)

1.一种高速高精度源极跟随电路，其特征在于：包括第一PMOS管（1）和第二PMOS管（2），所述第一PMOS管（1）的源极连接直流电源（VAA），栅极连接输入电压（VIN），漏极连接输出端；所述第二PMOS管（2）的源极与直流电源（VAA）连接，栅极与输入电压（VIN）连接，漏极连接输出端。
2.根据权利要求1所述的高速高精度源极跟随电路，其特征在于：所述第一PMOS管（1）源极上并联有输出电压（VOUT）。
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Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20140101