CN103488225A - 电源负载电压调整监控电路 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种电源负载调整电压监控电路，设置10个端子，分别为可调参考电压端VR端、参考电压端R端、外部电压检测输入端DV端、保护时间保持设置端ST端、地线端GND、电流传感输入端CS端、负载端电压监控输入端FB端、功率电子保护开关驱动端DR端、VCC电源端和高压供电端HV端；可通过简单的控制电路实现对负载的控制，以达到使***工作在正常状态下的目的。在大容量蓄电池(铅酸电池、胶体电池和锂电池等)、太阳能电池、超级电容、变压器、开关电源、市电等电源***中，用于监控其带载前后和带载过程中的电压变化情况，并提供电源输出的开关控制信号输出功能。可以广泛应用于汽车电子、光伏等场合的供电***监控。

Description

电源负载电压调整监控电路

技术领域

本发明涉及一种对多种电源负载电压的监控与调整电路，属于电路技术领域。

背景技术

对于通常的大容量蓄电池(铅酸电池、胶体电池和锂电池等)、太阳能电池、超级电容、变压器、开关电源、市电等电源***，其输出电压与后端是否带载有关。当接上负载，或负载电阻减小时，会引起输出电流的增大，由于电源具有内阻，内阻上压降也增大，从而造成输出电压的下降。当电源***由于过载而导致输出电压下降，并超过一定范围时，如果不及时切断负载，会造成整个***不能正常工作，甚至损坏。因此，需要对电源负载电压进行监控与调整，以保证***正常稳定地工作。本发明提出来一种用于监控电源***的带载前后和带载过程中的输出电压变化的电路方案，并提供切断电源负载的开关控制信号输出功能。可以广泛应用于汽车电子、光伏等场合的供电***监控。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷，提供一种电源负载调整电压监控电路，可以对电源负载电压进行监控与调整，以保证***正常稳定地工作。

为解决上述技术问题，本发明提供一种电源负载调整电压监控电路。

一种电源负载电压调整监控电路，其特征是，设置10个端子，分别为可调参考电压端VR端、参考电压端R端、外部电压检测输入端DV端、保护时间保持设置端ST端、地线GND、电流传感输入端CS端、负载端电压监控输入端FB端、功率电子保护开关驱动端DR端、VCC电源端和高压供电端HV端；

所述VR端通过第七电流源连接至VCC电源端，

所述参考电压端R端和外部可调参考电压端VR端的电压由设定电路调整，输出一参考电压2.500V；

所述DV端串联一个第一电阻后，分别与第一比较器、第三比较器的同相输入端连接，所述第一比较器反相输入端连接至所述VR端，所述第一比较器输出端与第一二极管的正极连接，所述第一二极管的负极与第二二极管的正极串联，所述第二二极管的负极连接至第三比较器的输出端，所述第三比较器的反相输入端连接至参考电压2.500V；所述第一比较器、第三比较器的输出端分别通过第一电流源、第二电流源连接至所述VCC电源端；

所述ST端连接至第四比较器同相输入端，并与第五二极管的阳极、第三晶体管的漏极、第五稳压二极管的负极相连接，所述第四比较器反相输入端连接至参考电压2.500V，所述第四比较器输出端分别连接第四电流源和第四二极管的负极，所述第四二极管的正极分别与缓冲器的输入端、第一二极管和第三二极管的负极、第二二极管的正极连接，所述第四电流源连接至所述VCC电源端；

所述地线GND与第三晶体管的源极连接，第三晶体管的源极分别经第五稳压管和第五电流源连接至所述VCC电源端，第三晶体管的漏极经第五二极管连接所述VCC电源端，第三晶体管栅极与第五电压比较器的输出端经第八电流源共连至所述VCC电源端；第五电压比较器的反相输入端连接至另一个参考电压0.250V，所述第五电压比较器的同相输入端串联第二电阻后与CS端连接；

所述FB端串联第四电阻后与第二比较器同相输入端连接，所述第二比较器反相向输入端连接至参考电压2.500V，所述第二比较器输出端经由第三电流源连接至VCC电源端，第三电压比较器的输出端还连接第二二极管的负极；

所述DR端分别与第七二极管正极、第七稳压二极管负极连接，所述第七二极管负极连接至VCC电源端，第七稳压二极管正极接地；所述第七二极管的正极、负极还分别与第四晶体管的源极连接；所述第七二极管的正极还与第五晶体管的漏极连接；所述第四晶体管、第五晶体管共栅极连接并与缓冲器的输出端连接。

所述参考电压调整端设定电路包括第一晶体管、第二稳压管、第一电容、第六电流源、第六运算放大器、第二晶体管和第三稳压管；

所述R端同时连接至第一晶体管的源极和第六运算放大器的同相输入端，第一晶体管的栅极输出一参考电压2.500V，第一晶体管的漏极连接至第六运算放大器的反相输入端；第六运算放大器输出端与第二晶体管的栅极连接，第二晶体管的源极接地，第二晶体管的漏极连接至所述VR端；所述第二晶体管的源极、漏极之间并联一第三稳压管。

在VR端和R端之间连接第一电压调整电阻，R端与地线之间连接第二电压调整电阻，实现第一电压比较器的同相端(DV端相连)和反相端(与VR端相连)的输入电压差值设定。

在DV端和第一和第三电压比较器的同相输入端之间串联了一个第一电阻，第一电阻与第一和第三电压比较器的同相输入端之间的连接线与地线GND之间并联了第四稳压二极管和第二电容；其中，第四稳压二极管的负极与第一和第三电压比较器的同相输入端连接，第四稳压二极管的正极与地线GND连接。

在CS端和第五电压比较器的同相端之间串联了第二电阻，第二电阻与第五电压比较器的同相输入端之间的连接线与第六二极管的正极连接，该第六二极管的负极连接地线GND；第二电阻与端口CS之间的连接线上与地线GND之间并联有第三电容和第三电阻。

在FB端和第二电压比较器的同相输入端之间串联了第四电阻，第四电阻与第二电压比较器的同相输入端之间的连接线与一个第六稳压二极管的负极连接，该第六稳压二极管的正极连接地线GND；第四电阻与端口FB之间的连接线上与地线GND之间并联有一个第四电容和第五电阻。

使用电容在ST端设置保护触发信号时间保持电路，包括串联的电容C_T1与C_T，且电容值C_T1≥0.5C_T。

使用电阻和电容同时在ST端设置保护触发信号时间保持电路，电阻R_T与电容C_T1并联后再与电容C_T串联，C_T1≥0.5C_T。

所述电容C_T的两端并联于第六晶体管的源极和漏极，第六晶体管的栅极与两个二极管的负极连接，两个二极管的正极分别连接至第七放大器、第八放大器的输出端；第七放大器的同相输入端连接至所述VR端，第七放大器的反相输入端与连接至DV端；第八放大器的同相输入端连接至所述FB端，第八放大器的反相输入端连接至R端。

电源端VCC供电范围在DC5.0-18.0V，高压供电端HV端输入电压范围为DC18-100V。

HV端输入电压范围为DC18-100V，当该端口提供DC18-100V的电压时，VCC电源端产生DC18V电压，当VCC电源端的电压达到18V时，HV端的输入电流自动关断。

本发明所达到的有益效果：

本发明的电源负载调整电压监控电路，在大容量蓄电池(铅酸电池、胶体电池和锂电池等)、太阳能电池、超级电容、变压器、开关电源、市电等电源***中，用于监控其带载前后和带载过程中的电压变化情况，并提供电源输出的开关控制信号输出功能。可以广泛应用于汽车电子、光伏等场合的供电***监控。

附图说明

图1是电源负载电压调整监控电路图；

图2是图1中的电流源CS1-CS7内部电路图；

图3是图1中的电流源HVCS内部电路图；

图4是图1中的参考电压调整端设定电路；

图5是图1中的电压监测端设定电路；

图6是图1中使用电容设置的保护触发信号时间保持电路；

图7是图1中使用电阻和电容设置的保护触发信号时间保持电路；

图8是图1中电压检测端DV和反馈端FB的保护触发保持时间设定电路；

图9是本发明的电源负载电压监控电路封装形式；

图10是本发明在低压直流输入非隔离式PMOSFET保护开关控制应用；

图11是本发明在低压交流输入非隔离式PMOSFET保护开关控制应用；

图12是本发明在高压交流输入隔离输出***的P-MOSFET保护开关控制应用；

图13是本发明在高压交流输入隔离输出***的N-MOSFET或IGBT保护开关控制应用。

具体实施方式

下面结合附图对本发明作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，而不能以此来限制本发明的保护范围。

如图1所示，电源负载调整电压监控器设置10个端子，VR端为可调参考点压端；R为参考电压端，输出电压R为2.500V；DV端为外部电压检测输入端；ST端为保护时间保持设置端；GND为地线端；CS为电流传感输入端；FB为负载端电压监控输入端；DR为功率电子保护开关驱动端；VCC为电源端，供电范围在DC5.0-18.0V；HV端为高压供电端，输入电压范围为DC18-100V，当该端口提供DC18-100V的电压时，VCC端产生DC18V电压，此时，VCC端应外接1uF的电容。当VCC端的电压达到18V时，HV端的输入电流自动关断。

A1、A2、A3、A4为电压比较器(具备线与功能)，A5为电压比较器，A6为运算放大器。各电压比较器的输出电压分别以H或L表示，其中，H表示高电压，L表示低电压，下面结合各端子电压比较关系，分析电路中的各电压比较器输出电压状态关系，进一步确定G1和DR端的逻辑状态关系。

当V_DV>V_VR：A1=H,A3=H；

V_R<V_DV<V_VR：A1=L,A3=H；

V_DV<V_R：A1=L,A3=L；

V_FB<V_R：A2=L；

V_FB>V_R：A2=H。

A4的由电压比较器和施密特触发器级联构成，其作用是消除瞬态干扰触发，与ST端的外部电路共同完成保护状态输出，并将保护状态维持一定的时间。

在DV端和电压比较器A1、A3的同相输入端之间串联了一个电阻R1，电阻R1与电压比较器A1、A3的同相输入端之间的连接线与地线GND之间并联了稳压二极管4和电容C2；其中，稳压二极管Z4的负极与电压比较器A1、A3的同相输入端连接，稳压二极管Z4的正极与地线GND连接。

在CS端和电压比较器A5的同相端之间串联了电阻R2，电阻R2与电压比较器A5的同相输入端之间的连接线与二极管D6的正极连接，该二极管D6的负极连接地线GND；电阻R2与端口CS之间的连接线上与地线GND之间并联有电容C3和第三电阻R3。

在FB端和电压比较器A2的同相输入端之间串联了电阻R3，电阻R3与电压比较器A2的同相输入端之间的连接线与一个稳压二极管Z6的负极连接，该稳压二极管的正极连接地线GND；电阻R4与端口FB之间的连接线上与地线GND之间并联有一个电容C4和电阻R5。

如图2所示为本发明的电流源CS1-CS7的内部结构，由电阻Ri1和CMOS管M1-M5构成。其中，CMOS管M2和M4可以工作于亚阀值状态或饱和工作状态。电流Io1的值由Ri1的值和CMOS管M2与M4的沟道参数决定。

如图3所示为本发明的电流源HVCS内部结构，包括电阻Ri2和CMOS管M6-M10。其中，CMOS管M7和M9可以工作于亚阀值状态或饱和工作状态。电流Io2的值由电阻Ri2的值和CMOS管M7与M9的沟道参数决定。电阻Ro1、Ro2构成的分压电路，用于检测VCC端电压，当VCC端的电压达到DC18V时，Ro2两端的电压超过2.500V，放大器Ar输出低电平，送入施密特触发器ST，施密特触发器ST输出低电平使CMOS管M11关断；当VCC端的电压低于DC18V时，放大器Ar输出高电平，施密特触发器ST输出高电平，驱动CMOS管M11导通。

如图4所示为参考电压调整端设定电路，三极管T1、稳压二极管Z2、电容C1、电流源CS6、运算放大器A6、三极管T2和稳压二极管Z3构成内部固定参考电压2.500V和外部可调参考电压端VR。R端同时连接至三极管1的源极和运算放大器A6的同相输入端，三极管T1的栅极输出一参考电压2.500V，三极管T2的漏极连接至运算放大器A6的反相输入端；运算放大器A6的反相输入端与地之间连接稳压二极管Z2；运算放大器A6输出端与三极管T2的栅极连接，三极管T2的源极接地，三极管T2的漏极连接至VR端；三极管T2的源极、漏极之间并联稳压二极管Z3。在外部可调参考电压端VR和电压端口R端之间连接电压调整电阻RA1，端口R与地线之间连接电压调整电阻RA2，则可调参考电压端VR的电压表达式为：

$V_R\&cong;R(1+\frac{R_{A1}}{R_{A2}}).$

由于晶体管T1为射极跟随输出，端口R的电压为2.500V，于是VR端的电压表达式为： $V_R\&cong;2.500(1+\frac{R_{A1}}{R_{A2}})$

V_R端可设定的电压区间为(2.500V,V_CC)。

如图5所示为电压监测端设定电路，包括与端口DV连接的100Ω电阻R1，Vin端的电压经过RA3和RA4构成的串联分压器，送入端口DV端。电容CA1和CA2分别与电阻RA3和RA4并联，上电瞬间，Vin端的电压通过电容CA1与CA2构成的分压器，使DV端的电压快速上升，使DV端的电压尽快达到平衡状态。

图6为单独使用电容在ST端设置保护触发信号时间保持电路，电容C_T1与C_T串联，C_T1≥0.5C_T，可以在上电瞬间保证ST端的电压大于2.500V，使图1所示的控制器的DR端能在启动瞬间快速输出有效的高电平信号，驱动功率电子保护开关导通。当出现一次异常保护信号时，晶体管T3触发导通，对电容C_T进行放电，放大器A4输出低电平，图1中的DR端输出异常保护低电平。当晶体管T3从导通进入截止时，5μA恒流源CS5对电容C_T进行充电，则保护触发信号时间保持值的表达式为：

$t_h=\frac{1}{2}{C}_T\&times;{10}^6\left(s\right)$

式中电容C_T取值范围为0.1μF-1μF时，保护触发信号保持时间t_h为0.05-0.5s。

图7为使用电阻和电容同时在ST端设置保护触发信号时间的保持电路，电阻R_T与电容C_T1并联后再与C_T串联，C_T1≥0.5C_T，可以在上电瞬间保证ST端的电压大于2.500V，使图1所示的控制器的DR端能在启动瞬间快速输出有效的高电平信号，驱动功率电子保护开关导通。当出现一次异常保护信号时，晶体管T3触发导通，对电容CT进行放电，放大器A4输出低电平，图1中的DR端输出异常保护低电平。当晶体管T3从导通进入截止时，电阻R_T和电容C_T构成充电单元，在忽略5uA恒流源CS5的情况下，则保护触发信号时间保持值的表达式为：

$t_h\&cong;-R_T{C}_T\&CenterDot;\ln (1-\frac{2.500}{V_{\mathrm{CC}}})$

式中的V_CC为本发明集成电路内部的工作电源电压，范围为5.0-18V；R_T为外部充电电阻，取值范围为100kΩ-510kΩ；C_T为被充电电容，取值范围为2.2μF-10μF。

如图8所示为本发明的DV端和FB端保护触发保持时间设定电路，当输入电压Vin过低时，在图5所示的电阻RA3和RA4构成的分压电路中，电阻RA4上分得的电压DV低于VR端，放大器A7输出高电平，触发晶体管T6导通，使放大器A4输出低电平，DR端输出异常保护驱动低电平信号；当负载端的电压过高时，FB端产生的电压大于R端的电压，放大器A8输出高电平，使晶体管T6导通，放大器A4输出低电平，DR端输出异常保护驱动低电平信号。

如图9所示，本发明封装形式为10-Lead Plastic MSOP或10-Lead PlasticDFN。

如图10-图11所示，本发明的电源负载电压监控电路可以应用于100V以下的低压直流输入、70V以下的低压交流输入非隔离式PMOSFET保护开关控制应用等场合的供电***监控，用于监控其带载前后和带载过程中的电压变化情况，并提供电源输出的开关控制信号输出功能。

如图12所示，本发明的电源负载电压监控电路可以应用于高于100V交流的隔离式PMOSFET保护开关控制应用场合的市电供电***监控。监控器的电源端VCC，由外部提供10-15V的直流电源VCC供电。同时，AC1和AC2输入的交流电经过整流桥BR2整流后的高压VH，通过电阻RP限流，经过储能电容CPA后对HV端供电。VH端连接PMOSFET功率电子开关的QP的源极，QP的漏极连接后端的开关电源***；电源负载调整电压监控器的DR端与场效应管QD的栅极相连，当DR端输出低电平时，场效应管QD关闭，功率电子开关QP的栅极和源极电压相等，QP处于截止态，切断VH端与后级电路的电流。当DR端输出高电平时，QD导通，使功率电子开关QP的栅极电压低于源极电压而快速导通；电容CD1、电阻RD1和二极管DZ构成QP的栅极电平调整电路，上电瞬间，VH通过CD1和RD1对QP的栅极快速充电，使QP快速进入关闭状态。当控制器的DR端输出高电平时，QD导通，QP的栅极通过电阻RD2放电，使其电平快速下降，源极和栅极快速导通，二极管DZ为18V稳压二极管或瞬态抑制管，其作用是防止QP的栅-源极电压超限。

当开关电源控制器US和变压器TR构成的隔离式开关电源的输出端电压VP通过电阻RF3和RF4构成的分压器，送入电压比较器A1的反相端。当电压比较器A1反相端的电压超过RF6、DZ1和CF1设定的电压阀值时，A1输出低电平，使光耦UI1内部的光电二极管导通发光，其内部的光敏三极管导通，电源VCC通过电阻RFv向控制器的FB端注入电流，当FB端的电压超过内部设定的参考电压2.500V时，DR端输出低电平，关断QP。***进入输出端过电压保护状态。

当开光电源的输出端负载电流通过取样电阻RS转变为电压，送入电压比较器A2的反相端，电阻RF7和RF8构成的分压器设定的电流参考电压送入电压比较器A2的同相端，当负载RL上通过的电流超过预先设定的电流时，A2输出低电平光耦UI2内部的三极管导通，控制器的CS端得到超过内部设定的0.250V的电压，DR端输出低电平，使QP关断，进入过流保护状态。过流保护状态持续时间由图7所示的RT和CT参数确定。

如图13所示，本发明的电源负载电压监控电路可以应用于高于100V交流的隔离式NMOSFET或IGBT保护开关控制应用场合的市电供电***监控。图13中的QP为NMOSFET或IGBT功率开关管，二极管DZ为18V稳压二极管或瞬态抑制管，其作用是防止QP的栅极过压。对于NMOSFET，电源D15V的地线15G与漏极相连接；对于IGBT，电源D15V的地线15G与发射极相连接。场效应管QD1和电阻RD4构成反相器，当DR端输出高电平时，QD1导通，QD截止，功率开关QP导通；当DR端输出低电平时，QD1截止，QD导通，功率开关QP截止。其它电路连接的功能原理与图12所述相同。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变形，这些改进和变形也应视为本发明的保护范围。

Claims (11)

1.一种电源负载电压调整监控电路，其特征是，设置10个端子，分别为可调参考电压端VR端、参考电压端R端、外部电压检测输入端DV端、保护时间保持设置端ST端、地线GND、电流传感输入端CS端、负载端电压监控输入端FB端、功率电子保护开关驱动端DR端、VCC电源端和高压供电端HV端；

所述VR端通过第七电流源连接至VCC电源端，

所述参考电压端R端和外部可调参考电压端VR端的电压由设定电路调整，输出一参考电压2.500V；

所述DV端串联一个第一电阻后，分别与第一比较器、第三比较器的同相输入端连接，所述第一比较器反相输入端连接至所述VR端，所述第一比较器输出端与第一二极管的正极连接，所述第一二极管的负极与第二二极管的正极串联，所述第二二极管的负极连接至第三比较器的输出端，所述第三比较器的反相输入端连接至参考电压2.500V；所述第一比较器、第三比较器的输出端分别通过第一电流源、第二电流源连接至所述VCC电源端；

所述ST端连接至第四比较器同相输入端，并与第五二极管的阳极、第三晶体管的漏极、第五稳压二极管的负极相连接，所述第四比较器反相输入端连接至参考电压2.500V，所述第四比较器输出端分别连接第四电流源和第四二极管的负极，所述第四二极管的正极分别与缓冲器的输入端、第一二极管和第三二极管的负极、第二二极管的正极连接，所述第四电流源连接至所述VCC电源端；

所述地线GND与第三晶体管的源极连接，第三晶体管的源极分别经第五稳压管和第五电流源连接至所述VCC电源端，第三晶体管的漏极经第五二极管连接所述VCC电源端，第三晶体管栅极与第五电压比较器的输出端经第八电流源共连至所述VCC电源端；第五电压比较器的反相输入端连接至另一个参考电压0.250V，所述第五电压比较器的同相输入端串联第二电阻后与CS端连接；

所述FB端串联第四电阻后与第二比较器同相输入端连接，所述第二比较器反相向输入端连接至参考电压2.500V，所述第二比较器输出端经由第三电流源连接至VCC电源端，第三电压比较器的输出端还连接第二二极管的负极；

所述DR端分别与第七二极管正极、第七稳压二极管负极连接，所述第七二极管负极连接至VCC电源端，第七稳压二极管正极接地；所述第七二极管的正极、负极还分别与第四晶体管的源极连接；所述第七二极管的正极还与第五晶体管的漏极连接；所述第四晶体管、第五晶体管共栅极连接并与缓冲器的输出端连接。

2.根据权利要求1所述的电源负载电压调整监控电路，其特征是，所述参考电压调整端设定电路包括第一晶体管、第二稳压管、第一电容、第六电流源、第六运算放大器、第二晶体管和第三稳压管；

所述R端同时连接至第一晶体管的源极和第六运算放大器的同相输入端，第一晶体管的栅极输出一参考电压2.500V，第一晶体管的漏极连接至第六运算放大器的反相输入端；第六运算放大器输出端与第二晶体管的栅极连接，第二晶体管的源极接地，第二晶体管的漏极连接至所述VR端；所述第二晶体管的源极、漏极之间并联一第三稳压管。

3.根据权利要求1所述的电源负载电压调整监控电路，其特征是，在VR端和R端之间连接第一电压调整电阻，R端与地线之间连接第二电压调整电阻，实现第一电压比较器的同相端(DV端相连)和反相端(与VR端相连)的输入电压差值设定。

4.根据权利要求1所述的电源负载电压调整监控电路，其特征是，在DV端和第一和第三电压比较器的同相输入端之间串联了一个第一电阻，第一电阻与第一和第三电压比较器的同相输入端之间的连接线与地线GND之间并联了第四稳压二极管和第二电容；其中，第四稳压二极管的负极与第一和第三电压比较器的同相输入端连接，第四稳压二极管的正极与地线GND连接。

5.根据权利要求1所述的电源负载电压调整监控电路，其特征是，在CS端和第五电压比较器的同相端之间串联了第二电阻，第二电阻与第五电压比较器的同相输入端之间的连接线与第六二极管的正极连接，该第六二极管的负极连接地线GND；第二电阻与端口CS之间的连接线上与地线GND之间并联有第三电容和第三电阻。

6.根据权利要求1所述的电源负载电压调整监控电路，其特征是，在FB端和第二电压比较器的同相输入端之间串联了第四电阻，第四电阻与第二电压比较器的同相输入端之间的连接线与一个第六稳压二极管的负极连接，该第六稳压二极管的正极连接地线GND；第四电阻与端口FB之间的连接线上与地线GND之间并联有一个第四电容和第五电阻。

7.根据权利要求1所述的电源负载电压调整监控电路，其特征是，使用电容在ST端设置保护触发信号时间保持电路，包括串联的电容C_T1与C_T，且电容值C_T1≥0.5C_T。

8.根据权利要求1所述的电源负载电压调整监控电路，其特征是，使用电阻和电容同时在ST端设置保护触发信号时间保持电路，电阻R_T与电容C_T1并联后再与电容C_T串联，C_T1≥0.5C_T。

9.根据权利要求8所述的电源负载电压调整监控电路，其特征是，所述电容C_T的两端并联于第六晶体管的源极和漏极，第六晶体管的栅极与两个二极管的负极连接，两个二极管的正极分别连接至第七放大器、第八放大器的输出端；第七放大器的同相输入端连接至所述VR端，第七放大器的反相输入端与连接至DV端；第八放大器的同相输入端连接至所述FB端，第八放大器的反相输入端连接至R端。

10.根据权利要求1所述的电源负载电压调整监控电路，其特征是，电源端VCC供电范围在DC5.0-18.0V，高压供电端HV端输入电压范围为DC18-100V。

11.根据权利要求1所述的电源负载电压调整监控电路，其特征是，HV端输入电压范围为DC18-100V，当该端口提供DC18-100V的电压时，VCC电源端产生DC18V电压，当VCC电源端的电压达到18V时，HV端的输入电流自动关断。

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