CN103476555A - 在衬底中生成高质量的孔或凹进或井的方法 - Google Patents

在衬底中生成高质量的孔或凹进或井的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103476555A
CN103476555A CN201280018819XA CN201280018819A CN103476555A CN 103476555 A CN103476555 A CN 103476555A CN 201280018819X A CN201280018819X A CN 201280018819XA CN 201280018819 A CN201280018819 A CN 201280018819A CN 103476555 A CN103476555 A CN 103476555A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
layer
hole
zone
laser beam
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201280018819XA
Other languages
English (en)
Inventor
克里斯蒂安·施密特
莱安德·迪特曼
阿德里安·柴泽
斯文德·霍耶
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AGC Inc
Original Assignee
Asahi Glass Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Glass Co Ltd filed Critical Asahi Glass Co Ltd
Publication of CN103476555A publication Critical patent/CN103476555A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/38—Removing material by boring or cutting
    • B23K26/382—Removing material by boring or cutting by boring
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
    • B23K26/066—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms by using masks
    • B23K26/0661—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms by using masks disposed on the workpiece
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/14—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using a fluid stream, e.g. a jet of gas, in conjunction with the laser beam; Nozzles therefor
    • B23K26/1423—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using a fluid stream, e.g. a jet of gas, in conjunction with the laser beam; Nozzles therefor the flow carrying an electric current
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/18—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using absorbing layers on the workpiece, e.g. for marking or protecting purposes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/346—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring in combination with welding or cutting covered by groups B23K5/00 - B23K25/00, e.g. in combination with resistance welding
    • B23K26/348—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring in combination with welding or cutting covered by groups B23K5/00 - B23K25/00, e.g. in combination with resistance welding in combination with arc heating, e.g. TIG [tungsten inert gas], MIG [metal inert gas] or plasma welding
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/38—Removing material by boring or cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/38—Removing material by boring or cutting
    • B23K26/382—Removing material by boring or cutting by boring
    • B23K26/386—Removing material by boring or cutting by boring of blind holes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/38—Removing material by boring or cutting
    • B23K26/382—Removing material by boring or cutting by boring
    • B23K26/389—Removing material by boring or cutting by boring of fluid openings, e.g. nozzles, jets
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
    • B23K26/402—Removing material taking account of the properties of the material involved involving non-metallic material, e.g. isolators
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/70—Auxiliary operations or equipment
    • B23K26/702—Auxiliary equipment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B26—HAND CUTTING TOOLS; CUTTING; SEVERING
    • B26F—PERFORATING; PUNCHING; CUTTING-OUT; STAMPING-OUT; SEVERING BY MEANS OTHER THAN CUTTING
    • B26F1/00—Perforating; Punching; Cutting-out; Stamping-out; Apparatus therefor
    • B26F1/26—Perforating by non-mechanical means, e.g. by fluid jet
    • B26F1/28—Perforating by non-mechanical means, e.g. by fluid jet by electrical discharges
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C23/00—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
    • C03C23/0005—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation
    • C03C23/0025—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation by a laser beam
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/53—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use of an energy-accumulating element discharged through the load by a switching device controlled by an external signal and not incorporating positive feedback
    • H03K3/537—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use of an energy-accumulating element discharged through the load by a switching device controlled by an external signal and not incorporating positive feedback the switching device being a spark gap
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/30—Organic material
    • B23K2103/42—Plastics
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B23K2103/52—Ceramics
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24273—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including aperture

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Forests & Forestry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Perforating, Stamping-Out Or Severing By Means Other Than Cutting (AREA)

Abstract

本发明涉及在电绝缘或半导电的衬底中生成孔或井的方法，并且涉及通过该方法在衬底中生成的孔或井。本发明同样涉及通过所述方法在衬底中生成的孔或井的阵列。

Description

在衬底中生成高质量的孔或凹进或井的方法
技术领域
本发明涉及在电绝缘或半导电的衬底中生成孔或井的方法，并且涉及通过所述方法在衬底中生成的孔或井。本发明同样涉及通过所述方法在衬底中生成的孔或井的阵列。
背景技术
WO2005/097439和WO2009/059786公开了一种采用将电压施加到衬底而在衬底中生成各种结构的方法。这些早期应用中的孔，当以阵列形式存在时，典型地需要在相邻孔之间具有大距离（典型地，距离>1毫米），以避免在生产无绝缘层的阵列期间出现闪络。WO2011/038788和WO2010/063462公开了采用将电压施加到衬底而在衬底中生成各种结构的方法，所述方法允许制造具有小间距（典型地，间距<1毫米）的孔的阵列。这些方法有时受牵制于由于定位加工位置所需的激光斑点造成的衬底表面的破坏，或者受牵制于由于材料排出不完全或者再沉积到所生成的孔周围的表面上而造成的表面污染。
因此，现有技术中需要提供改进的方法，以允许在衬底中生成高质量的孔及其致密阵列，并且显著地改善表面质量以及孔参数的可控性。
发明内容
因此，本发明的目的是提供一种用于生成孔的方法，所述方法对于孔的形状以及在孔处和孔周围的表面质量具有较好的可控性。本发明的目的同样是提供这样一种方法，所述方法易于执行并且能够适合大规模生产这种穿孔的衬底。
本发明的目的通过在衬底中生成孔或凹进或井的方法得以实现，所述方法包括如下步骤：
a)提供室温下为电绝缘或半导电的衬底，并将所述衬底放置在被连接到用户控制的电压源的至少两个电极之间，
b)在所述衬底的区域中使衬底材料熔化，在所述区域将要通过使用激光束、优选为聚焦的激光束、以及可选地经由所述电极向所述衬底施加的AC电压来加热所述区域而生成所述孔或凹进或井，
c)借助所述用户控制的电压源和所述电极在所述衬底的所述区域的两端施加用户限定了幅度的电压（典型地为DC电压），所述电压足以引起通过所述衬底或所述区域的电流增加，从而将限定量的电能施加到所述衬底，并从所述衬底耗散电能，
其中，所述衬底夹在第一和第二调整层之间，所述第一和第二调整层位于所述衬底的相反侧面上，所述第一调整层位于在步骤b）中暴露在所述激光束下、优选为所述聚焦的激光束下的所述衬底的一个侧面上，所述第一调整层允许限定将要生成所述孔或凹进或井的所述区域的尺寸、优选为横截面，允许避免表面污染和/或熔化的衬底材料的再沉积，并允许使衬底表面屏蔽热，并且所述第二调整层位于与所述第一调整层位于其上的所述侧面相反的侧面上，所述第二调整层允许避免表面污染和/或熔化的衬底材料的再沉积，并允许使衬底表面屏蔽热。
在一个实施例中，所述第一调整层使所述衬底表面屏蔽热，所述热是由于激光和/或若施加AC电压时生成的交流电弧、和/或通过施加DC电压生成的直流电弧（在步骤c中）。在一个实施例中，所述第二调整层使所述衬底表面屏蔽热，所述热是由于若施加AC电压时生成的交流电弧、和/或通过在步骤c）中施加的DC电压的施加而生成的DC电弧。
在一些实施例中，在所述衬底的两个侧面上使用聚焦的激光束。在这种情况下，第二调整层同样使衬底表面屏蔽热，所述热是由于照射到衬底的该侧面上的激光束引起的。
在一个实施例中，所述第一和第二调整层由具有在固态和液态之间或固态和气态之间转变的材料制成，所述转变发生在从室温到衬底的熔化温度的温度范围内，或者所述转变在步骤b）中所使用的所述聚焦的激光束施加的能量达到限定量时发生。
在一个实施例中，所述激光束、优选为所述聚焦的激光束照射到第一调整层所位于的侧面上。在另一个实施例中，两个激光束、优选为聚焦的激光束照射到衬底的任一侧面上。
在一个实施例中，所述第一和第二调整层由相同的材料或不同的材料制成。
在一个实施例中，所述第一和第二调整层各自独立地由选自以下组的材料制成，所述材料包括聚合物，特别是聚二甲基硅氧烷（PDMS）、聚酰亚胺（PI）、聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）、乙烯丙烯橡胶、无机硅橡胶、带有合成丙烯酸类胶粘剂的PVC。
在一个实施例中，所述第一和第二调整层各自独立地具有厚度处于1微米～1毫米的范围内，优选10微米～500微米，更优选15微米～300微米，更优选20微米～200微米，甚至更优选20微米～100微米。
在一个实施例中，所述第一调整层具有调整区域，所述调整区域邻近并且接触在其中将要生成所述孔或凹进或井的衬底区域，其中，执行步骤b），从而使所述调整层在所述调整区域中被熔化和/或被蒸发，从而允许所述聚焦的激光束进入所述衬底区域，并且其中，在步骤c）期间，所述调整层通过所述电能的耗散被局部或整体地置于所述调整区域中。
在一个实施例中，以这样一种方式将所述第一和第二调整层附接到所述衬底，使得它们在相反的侧面上覆盖步骤a）中的所述衬底。
在一个实施例中，所述激光束为聚焦的激光束，在另一个实施例中为非聚焦的激光束。
在一个实施例中，所述第一调整层用于在步骤b）和/或步骤c）期间在所述衬底上创建掩膜，所述掩膜仅露出将要生成孔或凹进或井的衬底的一个或多个区域。
在一个实施例中，所述第一和/或第二调整层用于限定或调整或限制暴露于步骤b）中的激光束下、优选聚焦的激光束下、和/或步骤b）中的AC电压的热下、和/或在步骤c）中耗散的热下的衬底的表面区域。
在一个实施例中，所述第一和第二调整层用于通过将在步骤c）期间排出的材料吸收到一个或多个所述调整层中并由此避免所述被排出的材料直接再沉积到所述衬底表面上而改善围绕引入的孔或凹进或井的区域的平坦度/表面质量，其中优选地，当在衬底中生成所述孔、凹进或井后，被吸收的材料随后与所述调整层一起被去除。
在一个实施例中，通过吸收由所述调整层吸收的所述激光束的波长的激光辐射、优选地通过吸收由所述调整层吸收的所述聚焦的激光束的波长的激光辐射直接加热所述调整层而执行步骤b）。
在一个实施例中，步骤a）–c）被执行一次，从而在第一衬底区域中生成第一孔、凹进或井，之后将所述衬底相对于所述电极和激光束移动限定的距离，并且第二次执行步骤b）–c），从而在第二衬底区域中生成第二结构。
在一个实施例中，步骤b）–c）被执行n次，从而在所述衬底中生成n个结构的阵列，n为大于1的整数。
在一个实施例中，在步骤c）中施加的所述电能足以在所述衬底中生成通孔或贯通的通道。
本发明的目的也通过根据本发明的所述方法生成的孔或凹进或井或孔、凹进或井的阵列而得以实现。
如本文所用的，术语“调整层”用于指提供掩膜的层，所述掩膜限定了将要生成孔或凹进或井的区域的尺寸、优选为横截面。在优选的实施例中，第一调整层充当在实施所述方法期间优选在步骤b）和/或步骤c）期间在所述衬底上原位生成的掩膜，所述掩膜仅露出将要生成孔或凹进或井的衬底的一个或多个区域。在执行根据本发明的方法之前，没有掩膜，并且调整层具有闭合的表面。当执行步骤b）和/或步骤c）时，从所述调整层生成掩膜。典型地，第一调整层位于步骤b）中施加热的衬底侧面上。所述第一调整层也允许避免表面污染和/或熔化的衬底材料的再沉积。而且，在一个实施例中，第二调整层位于衬底的相反侧面上，即远离步骤b）中施加热的那个侧面。所述第二调整层允许避免表面污染和/或熔化的衬底材料的再沉积。不希望受任何理论的约束，发明人相信一个或多个调整层特别是第二调整层的功能是使从衬底排出的材料不能停止移动并粘到衬底表面，而是沉积到该层上或被合并在其中。优选地，一个或多个调整层的存在改变了材料从衬底排出的方式，从而在生成孔后不形成将粘到孔入口的丝。在生成孔后当去除一个或多个调整层时，所有这些被排出的衬底材料能够和调整层一起被去除，以提供迄今未实现的清洁的衬底表面。
具体实施方式
在一个实施例中，用户限定幅度的电压处于10V～106V的范围内，优选102V～3x105V，更优选103V～30x103V，并且最优选2x103V～15x103V。
在一个实施例中，所述电压源的所述阻抗为阻抗>1欧姆，优选阻抗>10k欧姆，更优选阻抗>100k欧姆，并且甚至更优选阻抗>1M欧姆。
在一个实施例中，所述阻抗处于1欧姆～1G欧姆的范围内，其中优选地，在执行所述方法期间，所述阻抗在所述范围内是可变的。
在一个实施例中，所述电绝缘或半导电的衬底由选自以下组的材料制成，所述材料包括诸如玻璃、石英、氮化硅、二氧化硅的硅基衬底，诸如包括掺杂硅和晶体硅的元素硅、锗的半导体材料，诸如砷化镓、磷化铟的复合半导体，以及诸如氧化铝、尖晶石、蓝宝石的铝基晶体材料，以及诸如氧化锆的陶瓷。
在一个实施例中，所述衬底在室温下是电绝缘的，并且优选由选自以下的衬底材料制成，所述材料包括玻璃、石英、钻石、氧化铝、蓝宝石、氮化铝、氧化锆、陶瓷和尖晶石，更优选石英、玻璃和陶瓷，例如低温共烧结陶瓷（LTCC），其中优选地，所述衬底具有在室温下的电阻率>109欧姆cm。
在一个实施例中，所述衬底在室温下为半导电的，并且优选由选自以下的衬底材料制成，所述材料包括包含掺杂硅和晶体硅的元素硅、锗、诸如砷化镓和磷化铟的复合半导体。优选地，所述衬底具有在室温下的电阻率≤109欧姆cm。
在一个实施例中，使用激光器执行步骤b），优选激光器具有的波长处于至少被所述衬底材料和/或所述调整层部分地吸收的波长范围内。
本发明人已经惊奇地发现，通过使用两个位于衬底的相反侧面上的调整层，能够令人惊讶地改善在衬底中生成的孔、凹进或井的质量。
在WO2005/0974339和WO2009/059786中已经有效地描述了将孔引入衬底中的过程。将电压施加至衬底导致通过衬底的受控制的介质击穿，接着导致从衬底排出材料。根据本发明，调整层的使用因而允许改善通过这种控制介质击穿生成的孔的质量。典型地，用于加热衬底和一个或多个调整层的装置是激光器。在一个实施例中，激光加热调整层。根据衬底和调整层的材料选择特定的激光器。激光器的示例为具有波长为10.6微米或9.3微米的CO2激光器。其它优选的激光器为具有波长处于800nm～1300nm范围内的激光器。应当注意，激光器的波长同样被选择，从而使它被调整层吸收并加热调整层，和/或它被加热调整层的衬底吸收。这允许加热一个或多个调整层。吸收可以是100%或更少，即基本上入射辐射的所有部分都被衬底或一个或多个调整层或者二者吸收。如本文所用的，术语“至少部分被吸收”用于指衬底和/或一个或多个调整层吸收0.1%～100%的入射辐射的任何情况。如本文所用的，术语“调整层”指优选以靠在一起的方式附接到衬底的层，从而一个或多个调整层和衬底是邻近的并且彼此相对。在这种配置中，将在衬底中生成孔的区域有时也被称为“衬底区域”，并且位于与这样的衬底区域相对的调整层中的对应区域也被称为“调整区域”。有效地，所述调整区域位于所述衬底区域的上方（对于第一调整层）或下方（对于第二调整层）。在一个实施例中，调整区域和衬底区域具有基本相同的尺寸，优选具有相同的横截面。在另一个实施例中，所述调整区域比衬底区域的横截面大5%或更大，诸如10%、15%、20%、25%、30%、…、100%。
图1示出了用于在衬底中生成结构的一种基本设置的实施例。待处理的衬底被放置在两个电极之间，并且所述衬底的大块材料被热源熔化。该热源可以是例如激光器或者能够直接加热（导致衬底中的介电损耗）或者间接加热（通过电弧）衬底的高频率源或者这些热源的组合。通过采用两个电极将电压施加到衬底而去除熔化的材料，所述两个电极被连接到电压源，并且被放置在离衬底一段距离处且位于衬底的相反侧面上。
如果热源为激光器，则其波长必须适合衬底的特性，例如吸收、透射率、反射率、厚度。在一个实施例中，所述激光器发射光，当光照射到所述衬底上时，能够穿透所述衬底材料，并且当光照射到所述衬底上时，在所述衬底的表面处不全部被吸收或反射，而是也在所述表面下的衬底区域中穿透。在另一个实施例中，所述激光器发射光，当光照射到所述衬底上时，全部或几乎全部（>90%）在衬底表面处被吸收，并且其中，所述大块材料通过内部热传导而被加热。在任一种情况下，与所述表面下的区域相比，更多的辐射在表面上被吸收（朗伯－比尔定律）。关于激光器，特别是焦斑尺寸、功率和施加时间决定了充分的材料贯通加热和所形成的孔的尺寸。由于该波长（其适合被加工的材料）、激光器的光束质量以及聚焦光学器件的特性的缘故，可实现的最小激光束斑点尺寸受到限制。如果斑点尺寸具有的直径大于将被钻的孔，则衬底表面上的更多材料被加热，当施加电压时，所述材料不被或者不全部被去除。这导致衬底表面上的热过量，致使质量降低，例如表面损坏和衬底中的残留应力。而且，被排出的材料能够再沉积到孔周围的衬底表面上，这导致显著的表面污染并引入了高的残留应力。
根据本发明的实施例，将调整层优选激光束调整层附接到衬底表面的两侧，以调整并限制进入衬底表面的激光，从而降低过量的热以及表面损伤，并且改善围绕孔的表面的质量。调整层的材料特性和厚度取决于衬底材料的特性、厚度、激光施加时间以及激光功率。
在一个实施例中，调整层以这样一种方式调整或限制进入衬底表面的激光光量，该方式使得限定了体积的调整层被从衬底局部去除，以便将衬底表面的限定区域暴露于激光下，所述区域具有限定的尺寸，优选限定的横截面。优选通过在钻孔过程本身期间例如通过激光束施加的能量实现这种局部去除调整层。假定几乎为高斯的光束剖面，则照射到材料上的激光强度并因此能量密度在光束中央是最高的。因此，对于调整层有利的是使用在固态和液态/气态之间具有相变的材料，或者更一般地在某温度下或者通常在某能量或能量密度下具有转化/分解阈值。当激光束被施加到调整层时，在激光斑点中央将到达相变或分解条件，因而导致在该位置处而不是在激光斑点的周边或外部区域局部去除材料，因为能量不足以克服转变阈值（图2）。这种局部去除材料在调整层中生成小于激光斑点尺寸的孔，并且因此限制了激光进入下面的衬底材料。因此，减小了在衬底表面上受照射（并且随后被熔化）的区域，这导致更少或者无过量的热，并且因此更少的表面损坏以及残留应力，这允许例如较小的间距。
当激光照射时，如果调整层材料不服从急剧的转变或分解，或者通常不是热稳定的，则通过使调整层的厚度适合激光脉冲的持续时间和功率，能够调整被去除的调整层材料的量并因此调整被照射的衬底表面的尺寸。对于给定的激光脉冲持续时间，更多的能量被耗散，并且因此在激光强度较高的地方（典型地在斑点中央）材料的去除速率较高。将激光脉冲施加到调整层材料上因此在调整层中生成了凹进，其类似于激光束的强度剖面。当增加调整层的厚度时，能够降低在调整层中生成的孔的尺寸并因此降低被露出的衬底表面区域的尺寸（图3），这导致较少的过量热和表面损伤。
每一个调整层都被附接到衬底的每个侧面。这种夹层结构，即一层位于每一侧面上是优选的，以避免由于被排出的材料造成的表面污染，所述材料可能以例如丝或者球面形式再沉积到围绕孔的衬底表面上。不希望受任何理论的约束，发明人相信当采用调整层时，被排出的材料不能停止移动并粘着到衬底表面，而是沉积到该层上或者与之融合（结合），或者调整层的存在改变了材料被排出的方式（由于改变的几何结构），从而在钻孔后不形成粘住孔入口的丝。当在孔钻后从衬底去除调整层时，所有被排出的材料和调整层一起被去除，因此提供了清洁无污染的衬底表面。
调整层的材料特性和/或厚度可以在每一侧面上不同。例如，在未施加激光束的侧面上，厚度能够被降低，这是由于不需要限制或者调整激光束，并且调整层主要用于避免材料再沉积并且屏蔽/调整来自在步骤b）或步骤c）期间形成的电弧的热。材料特性可以在两个侧面上不同，这是因为调整层中的孔在未施加激光的侧面上必须通过在衬底中开孔的DC高电压放电生成，或者可选地通过在电极之间形成的AC高频率电弧生成。在两种情况下，调整层的材料特性必须允许其在孔的位置处被局部去除，这主要通过电弧（AC或DC或二者）的热效应而得以实现。
所述调整层能够以各种方式被附接到衬底材料，例如采用本身具有粘性的胶带，如
Figure BDA0000396905830000101
Magic Tape，通过由于衬底和层之间的液体例如水或乙醇的薄膜的粘合，或者通过旋涂或喷施一层材料到衬底表面上，或者通过衬底和层之间的静电力，或者确保将层均匀地附接到衬底的每一种其它技术，无变形（如封闭式的空气泡），或者没有阻碍可靠的钻孔过程的厚度改变。
采用调整层材料或方法将它们附接到衬底是有利的，允许在钻孔后容易分离。通过例如机械地剥离或者擦除、例如燃烧或灰化的热分解或者等离子体灰化、化学分解，能够分离调整层。
已被使用的材料例如为
Figure BDA0000396905830000102
Magic Tape、自密封的绝缘带（3M）、PDMS、晶片切割带、各种聚合物，如PET箔、聚酰亚胺、树脂以及复合***。对于170微米厚的玻璃衬底，厚度为20微米～100微米的调整层被成功地使用，无需改变钻孔的过程参数。对于较厚的调整层，有必要增加激光施加时间或激光功率，以提供足够的能量局部去除调整层。
以下参照了附图，附图作为例举的实施例被给出，用于说明而非限制本发明。
图1示出了一种基本实验设置的示例。带有附接到两个侧面上的调整层L的衬底S被放置在两个电极E之间（电极-衬底的间隙距离为0.1～5毫米）。电极被连接到高电压DC电源，包括被高电压源充电的电容器C（Ri为实际电压源的DC阻抗）。对于薄衬底，能够在衬底两端形成附加的寄生电容Cs。过程相关的源阻抗被放置在电路（未示出）中的电抗或电阻元件加以限定，其可以例如是电阻器或电感器或者其组合，同样可选地包括电容。衬底被聚焦的激光辐射局部加热，并且可选地，作为附加热源的高频率高电压（未示出）被施加到电极。当熔化衬底材料时，来自HV DC电源的高DC电压被施加在电极之间，将熔化的材料驱离衬底。为立即向电极提供全操作的电压，电容器C被充电，并且当达到电压施加时间时，经由诸如触发的火花隙的快速开关被连接到电极。
图2说明了激光束的高斯强度剖面图I(r)，激光束具有斑点尺寸D，被定义为I(D/2)/I(0)=1/en，其中，n=1或2。当该光束被导入调整层上达给定的时间周期时，在调整层中被耗散的能量的量正比于激光束的强度。在离光束中央的径向距离r<t的区域内，强度大于某阈值强度It，该能量足够克服例如蒸发温度或分解阈值，从而调整层材料将被去除。以此方式在层材料中生成的直径d=2t的孔口，仅允许一小部分激光束穿过并进入调整层下面的衬底材料。被激光束照射的并且接着被激光加热影响的衬底的表面区域因此被限制到直径d。
图3，如果层的材料特性不允许从固态/液态到蒸发/分解的急剧转变，如图2所描述的，而是取而代之，在施加的激光斑点的整个区域上调整层的材料逐渐被去除，则在调整层中形成的孔口的直径d能够由调整层的厚度限定。（A）应用到厚度h0的调整层的激光束在层中创建凹进，但不创建至衬底下面的开口。（B）调整层的减小的厚度h1允许创建的凹进（相同的激光条件）以便进入下面的衬底，这导致调整层中的直径d1的孔口。（C）进一步减小层厚度至h2导致直径d2的较大的孔口，并且较大的衬底表面区域被暴露于激光照射下。
图4示出了在170微米厚的玻璃中钻的孔的SEM图像，其从施加激光束的侧面观看。（A）未使用第一或任何调整层钻的孔。由于激光束大于钻的孔，孔周围的表面受激光束影响，形成熔化的表面层或者熔坑。被排出的材料沉积在孔周围。（B）示出了调整层，在这里，100微米厚的粘性PET箔在钻孔后仍然附接到衬底上。调整层中的凹进的直径从上至下降低（与图3相比），因此仅将衬底的小表面区域暴露于激光束。（C）在去除调整层后，为与（B）所示的相同的孔的阵列。孔和周围表面为清洁的并且无变形。
图5示出了在170微米厚的玻璃中钻的孔的SEM图像，其从未施加激光束的侧面观看。（A）未使用第二调整层钻的孔，但第一调整层位于相反的侧面上（未示出）。示出了无调整层的侧面。孔周围的区域被用于开孔的高频率电弧和DC放电电弧生成的热熔化和变形。（B）示出了具有第一和第二调整层的实验结果。示出的层为位于未暴露于激光束的侧面上的第二调整层，在这里，40微米厚的粘性PET箔在钻孔后仍然附接到衬底上。（C）在去除调整层后，为与（B）中相同的孔的阵列。孔和周围的表面是清洁的并且无变形。
图6示出了在170微米厚的玻璃中钻的孔的SEM图像，使用了40微米厚的调整层，自粘的
Figure BDA0000396905830000121
Magic Tape位于每一侧面上。在去除该层后拍摄图像。（A）示出了施加激光的侧面。（B）示出了未施加激光的地侧面。
图7示出了第一调整层的不同厚度的效果。使用位于衬底和调整层之间的水的薄膜将无粘性的PET箔附接到衬底的两个侧面上。在170微米厚的玻璃衬底中钻孔。在去除层后拍摄图像。（A）将40微米厚的PET箔附接到施加激光的侧面上。孔间未残留再沉积的材料，但是仍然存在熔坑形状，这是因为在调整层中创建的孔口并因此被暴露于激光的衬底表面区域大于所钻的孔。（B）在施加激光的侧面上使用80微米厚的PET箔导致较直的孔，在入口处无熔坑形状。孔中央的亮点为SEM的金属支撑板，样品被放置于其上以拍摄图像。该通过孔的观察同样显示了圆柱形的孔形状以及清洁的内表面。
图8示出了在施加激光的侧面上的第一调整层的材料特性的差异。拍摄了图像，调整层仍然附接到衬底上。（A）调整层为40微米厚的粘性PET箔。已去除了显著体积的层材料，这导致在调整层中生成圆锥形的凹进形状。由于圆锥形的形状，被露出的衬底表面取决于调整层的厚度，如图3所示。（B）调整层为40微米厚的聚酰亚胺（PI）箔。处理条件与（A）中相同。与PET相比，PI的热稳定性明显较高。例如，PI的玻璃转变温度为大约400℃（PET为70℃），并且它不服从熔点（PET的熔化温度为大约250℃），而是在明显高于玻璃转变温度的温度下分解/蒸发。由于较高的热稳定性，条件较接近于图2中显示的那些，导致与（A）相比，凹进较小并且更接近圆柱形。
在说明书、权利要求书和/或附图中公开的本发明的特征，可以单独地以及以其任何组合方式是用于以其各种形式实现本发明的素材。

Claims (15)

1.一种在衬底中生成孔或凹进或井的方法，所述方法包括如下步骤：
a）提供室温下为电绝缘或半导电的衬底，并将所述衬底放置在被连接到用户控制的电压源的至少两个电极之间，
b）在所述衬底的区域中使衬底材料熔化，在所述区域将要通过使用激光束、优选为聚焦的激光束、以及可选地经由这些电极向所述衬底施加的AC电压来加热所述区域而生成所述孔或凹进或井，
c）借助所述用户控制的电压源和所述电极在所述衬底的所述区域的两端施加用户限定了幅度的电压，所述电压足以引起通过所述衬底或所述区域的电流增加，从而将限定量的电能施加到所述衬底，并从所述衬底耗散电能，
其中，所述衬底夹在第一和第二调整层之间，所述第一和第二调整层位于所述衬底的相反侧面上，所述第一调整层位于在步骤b）中暴露在所述激光束下、优选为所述聚焦的激光束下的所述衬底的一个侧面上，所述第一调整层允许限定将要生成所述孔或凹进或井的所述区域的尺寸、优选为横截面，允许避免表面污染和/或熔化的衬底材料的再沉积，并允许使衬底表面屏蔽热，并且
所述第二调整层位于与所述第一调整层位于其上的所述侧面相反的侧面上，所述第二调整层允许避免表面污染和/或熔化的衬底材料的再沉积，并允许使衬底表面屏蔽热。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一和第二调整层由具有在固态和液态之间或固态和气态之间转变的材料制成，所述转变发生在从室温到所述衬底的熔化温度的温度范围内、或者所述转变在步骤b）中所使用的所述聚焦的激光束施加的能量达到限定量时发生。
3.根据权利要求1-2中任一项所述的方法，其中，所述第一和第二调整层由相同的材料或不同的材料制成。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中，所述第一和第二调整层各自独立地由选自以下组的材料制成，这些材料包括：聚合物，特别是聚二甲基硅氧烷（PDMS）、聚酰亚胺（PI）、聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）、乙烯丙烯橡胶、无机硅橡胶、带有合成丙烯酸类胶粘剂的PVC。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其中，所述第一和第二调整层各自独立地具有的厚度范围为1微米～1毫米，优选10微米～500微米，更优选15微米～300微米，更优选20微米～200微米，甚至更优选20微米～100微米。
6.根据前述任一项权利要求所述的方法，其中，所述第一调整层具有调整区域，所述调整区域邻近将要生成所述孔或凹进或井的所述衬底区域并且与所述衬底区域接触，其中，执行步骤b）使得所述调整层在所述调整区域中被熔化和/或被蒸发，从而允许所述聚焦的激光束进入所述衬底区域，并且
其中，在步骤c）期间，通过所述电能的耗散，使所述调整层被局部或整体地置于所述调整区域中。
7.根据前述任一项权利要求所述的方法，其中，所述第一和第二调整层以这样一种方式被附接到所述衬底上，使得它们在相反的侧面上覆盖步骤a）中的所述衬底。
8.根据前述任一项权利要求所述的方法，其中，所述第一调整层用于在步骤b）和/或步骤c）期间在所述衬底上创建掩膜，所述掩膜仅暴露出将要生成孔或凹进或井的衬底的一个或多个区域。
9.根据前述任一项权利要求所述的方法，其中，所述第一和/或第二调整层用于限定或调整或限制被暴露于所述激光束下、优选步骤b）中的所述聚焦激光束下、和/或暴露于步骤b）中的AC电压的热下、和/或暴露于步骤c）中耗散的热下的所述衬底的表面区域。
10.根据前述任一项权利要求所述的方法，其中，所述第一和第二调整层用于通过将步骤c）期间被排出的材料吸收到一个或多个所述调整层中并由此避免所述被排出的材料直接再沉积到所述衬底表面上来改善围绕所引入的所述孔或凹进或井的区域的平坦度/表面质量，其中优选地，当在所述衬底中生成所述孔、凹进或井后，被吸收的材料随后与所述调整层一起被去除。
11.根据前述任一项权利要求所述的方法，其中，通过吸收由所述调整层吸收的所述激光束的波长的激光辐射、优选通过吸收由所述调整层吸收的所述聚焦的激光束的波长的激光辐射而直接加热所述调整层来执行步骤b）。
12.根据前述任一项权利要求所述的方法，其中，步骤a）–c）被执行一次，从而在第一衬底区域中生成第一孔、凹进或井，之后将所述衬底相对于所述电极和激光束移动限定的距离，并且第二次执行步骤b）–c），从而在第二衬底区域中生成第二结构。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，步骤b）–c）被执行n次，从而在所述衬底中生成n个结构的阵列，n为大于1的整数。
14.根据前述任一项权利要求所述的方法，其中，在步骤c）中施加的所述电能足以在所述衬底中生成通孔或贯通的通道。
15.一种分别根据权利要求1-12或13-14中任一项所述的方法制造的孔或凹进或井或者孔、凹进或井的阵列。
CN201280018819XA 2011-08-31 2012-07-12 在衬底中生成高质量的孔或凹进或井的方法 Pending CN103476555A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP11007083A EP2564999A1 (en) 2011-08-31 2011-08-31 A method of generating a high quality hole or recess or well in a substrate
EP11007083.6 2011-08-31
PCT/EP2012/002939 WO2013029713A1 (en) 2011-08-31 2012-07-12 A method of generating a high quality hole or recess or well in a substrate

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103476555A true CN103476555A (zh) 2013-12-25

Family

ID=46581884

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201280018819XA Pending CN103476555A (zh) 2011-08-31 2012-07-12 在衬底中生成高质量的孔或凹进或井的方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9168614B2 (zh)
EP (1) EP2564999A1 (zh)
JP (1) JP2014527469A (zh)
KR (1) KR20140052981A (zh)
CN (1) CN103476555A (zh)
TW (1) TW201318746A (zh)
WO (1) WO2013029713A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106795044A (zh) * 2014-10-03 2017-05-31 日本板硝子株式会社 带贯通电极玻璃基板的制造方法以及玻璃基板

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010063462A1 (en) * 2008-12-02 2010-06-10 Picodrill Sa A method of introducing a structure in a substrate
DE102010025966B4 (de) * 2010-07-02 2012-03-08 Schott Ag Interposer und Verfahren zum Herstellen von Löchern in einem Interposer
JP2015030016A (ja) * 2013-08-05 2015-02-16 旭硝子株式会社 放電補助式レーザ孔加工方法
US10537963B2 (en) * 2014-04-18 2020-01-21 Apple Inc. Coated substrate and process for cutting a coated substrate
MX2017010824A (es) * 2015-02-24 2018-05-28 Univ Ottawa Localizacion de fabricacion de nanoporo en una membrana mediante iluminacion laser durante ruptura controlada.
TW201704177A (zh) * 2015-06-10 2017-02-01 康寧公司 蝕刻玻璃基板的方法及玻璃基板
JP2017088467A (ja) * 2015-11-16 2017-05-25 旭硝子株式会社 ガラス基板に孔を形成する装置および方法
CN112171756B (zh) * 2020-08-31 2022-09-09 西安立芯光电科技有限公司 一种半导体激光器光匀化片的加工方法及加工装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040140299A1 (en) * 2003-01-09 2004-07-22 Hitachi Via Mechanics, Ltd. Laser drilling method
CN1943050A (zh) * 2004-04-20 2007-04-04 昭和电工株式会社 化合物半导体发光器件晶片的制造方法
EP1905532A1 (en) * 2005-01-14 2008-04-02 Nitto Denko Corporation Method of manufacturing parts by laser using an adhesive having an extinction coefficient at a wavelength of 532 nm of 20 cm-1 or more
WO2010063462A1 (en) * 2008-12-02 2010-06-10 Picodrill Sa A method of introducing a structure in a substrate
WO2011038788A1 (en) * 2009-02-27 2011-04-07 Picodrill Sa A method of generating a hole or recess or well in a substrate, a device for carrying out the method, and a high frequency high voltage source for use in such a device

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5705570A (en) * 1995-06-07 1998-01-06 International Business Machines Corporation Ablatively photodecomposable compositions
US6255621B1 (en) * 2000-01-31 2001-07-03 International Business Machines Corporation Laser cutting method for forming magnetic recording head sliders
US20050015991A1 (en) 2002-04-24 2005-01-27 Eveready Battery Company, Inc. Razor cartridge
WO2005097439A2 (en) 2004-04-01 2005-10-20 Christian Schmidt Manufacturing and use of microperforated substrates
WO2009059786A1 (en) 2007-11-09 2009-05-14 Picodrill Sa Electrothermal focussing for the production of micro-structured substrates

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040140299A1 (en) * 2003-01-09 2004-07-22 Hitachi Via Mechanics, Ltd. Laser drilling method
CN1943050A (zh) * 2004-04-20 2007-04-04 昭和电工株式会社 化合物半导体发光器件晶片的制造方法
EP1905532A1 (en) * 2005-01-14 2008-04-02 Nitto Denko Corporation Method of manufacturing parts by laser using an adhesive having an extinction coefficient at a wavelength of 532 nm of 20 cm-1 or more
WO2010063462A1 (en) * 2008-12-02 2010-06-10 Picodrill Sa A method of introducing a structure in a substrate
WO2011038788A1 (en) * 2009-02-27 2011-04-07 Picodrill Sa A method of generating a hole or recess or well in a substrate, a device for carrying out the method, and a high frequency high voltage source for use in such a device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106795044A (zh) * 2014-10-03 2017-05-31 日本板硝子株式会社 带贯通电极玻璃基板的制造方法以及玻璃基板

Also Published As

Publication number Publication date
US9168614B2 (en) 2015-10-27
TW201318746A (zh) 2013-05-16
KR20140052981A (ko) 2014-05-07
US20130330506A1 (en) 2013-12-12
EP2564999A1 (en) 2013-03-06
JP2014527469A (ja) 2014-10-16
WO2013029713A1 (en) 2013-03-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103476555A (zh) 在衬底中生成高质量的孔或凹进或井的方法
KR101333518B1 (ko) 레이저 가공 방법 및 절단 방법 및 다층 기판을 가지는 구조체의 분할 방법
US8603902B2 (en) Engineering flat surfaces on materials doped via pulsed laser irradiation
SG187317A1 (en) Method for curing defects in a semiconductor layer
TWI493741B (zh) 薄層太陽能模組用的回收方法
US9427885B2 (en) Method of introducing a structure in a substrate
JP7258414B2 (ja) 光デバイスウェーハの加工方法
KR102524214B1 (ko) 태양 전지의 포일 기반 금속화를 위한 두꺼운 손상 버퍼
US20100314723A1 (en) Manufacturing of optical structures by electrothermal focussing
US20160133495A1 (en) Multi-layer laser debonding structure with tunable absorption
TW201543978A (zh) 脈衝模式之直接寫入雷射金屬化
JP5268944B2 (ja) レーザーを用いた金属薄膜形成装置およびその方法
US20050061235A1 (en) Method of manufacturing Er-doped silicon nano-dot array and laser ablation apparatus used therein
US11749765B2 (en) Method of manufacturing a thin-film photovoltaic product
TWI521601B (zh) 多晶矽的製造方法
JP2002231986A (ja) 集積型薄膜太陽電池の製造方法
JP2008027956A (ja) 半導体装置の製造方法
CN113348561A (zh) 在导电层上形成图案化的绝缘层的方法及使用所述方法制造的制品
JP2005021917A (ja) 樹脂層への穴あけ方法
KR102285121B1 (ko) 레이저를 이용한 비정질 반도체 결정화 장치 및 그의 제어방법
US8895451B2 (en) Method for etching micro-electrical films using a laser beam
CN106835062A (zh) 一种利用激光快速制备过渡金属硫族化合物的方法
JP2008188661A (ja) レーザ加工方法
JP6086781B2 (ja) 有機半導体素子の製造方法
KR20240023479A (ko) 웨이퍼의 가공 방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20131225