CN103472380A - 陶瓷贴片式封装半导体功率器件的老炼装置 - Google Patents
陶瓷贴片式封装半导体功率器件的老炼装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103472380A CN103472380A CN2013104251625A CN201310425162A CN103472380A CN 103472380 A CN103472380 A CN 103472380A CN 2013104251625 A CN2013104251625 A CN 2013104251625A CN 201310425162 A CN201310425162 A CN 201310425162A CN 103472380 A CN103472380 A CN 103472380A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- plate
- semiconductor power
- location
- substrate
- encapsulated semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
本发明涉及半导体器件制造设备技术领域,具体是一种陶瓷贴片式封装半导体功率器件的老炼装置;其包括电路板、数个顶针及通过固定件设置于电路板上的散热板,所述散热板包括基板及数个定位板,所述基板上设置有数个电极孔,定位板上设置有数个定位孔,定位板设置于基板上且每一定位孔处对应的基板上有两个电极孔,每一电极孔对应设置一顶针;本发明不仅使得散热效果好,而且由于每一定位孔放置一个三极管,所以可以一次性对多个三极管进行筛选,筛选效率高,老炼效果好,此外,本发明还具有不易短路,绝缘效果好,稳定性高。
Description
技术领域
本发明涉及半导体器件制造设备技术领域,具体是一种陶瓷贴片式封装半导体功率器件的老炼装置。
背景技术
半导体器件在使用的初期,在使用大约1000小时的时间内容易产生早期失效,过了早期失效期后又会很稳定的工作很长一段时间即进入稳定期,而后进入晚期失效;半导体器件广泛地应用在农业、工业、航天等重要行业,半导体器件的质量对各行业来说都是很重要的保障,所以在半导体器件生产出来后要进行筛选,淘汰掉早期失效的半导体器件,保留早期未失效的器件,而采用设备对半导体器件进行筛选的过程称为老炼,进行功率老炼筛选主要目的是加速早期失效,使器件在出厂时就进入到正常使用的稳定期,筛选掉早期失效的元器件。现有技术中,三极管在使用时,C极即集电极的温度125℃左右,若在老炼时没有很好的进行散热就会导致半导体器件大量损坏,不仅导致企业投入大量生产,而且大大增加生产成本。
发明内容
针对上述现有技术中的不足之处,本发明旨在提供一种散热效果很好的陶瓷贴片式封装半导体功率器件的老炼装置。
为解决上述技术问题,本发明的陶瓷贴片式封装半导体功率器件的老炼装置,其包括电路板、数个顶针及通过固定件设置于电路板上的散热板,所述散热板包括基板及数个定位板,所述基板上设置有数个电极孔,定位板上设置有数个定位孔,定位板设置于基板上且每一定位孔处对应的基板上有两个电极孔,每一电极孔对应设置一顶针。
具体的,所述基板上具有上台阶面及下台阶面,电极孔设置于下台阶面上,定位板与上台阶面接触且每一定位孔处对应形成一具有台阶的限位槽。
所述基板上还设置有数个散热片。
定位板的数量为两个且每一定位板上均设置有10个定位孔。
所述定位板上还设置有盖板。
所述电路板上设置有数个指示灯。
所述顶针为弹性顶针,该弹性顶针的一端与电路板焊接连接,另一端穿过电极孔。
所述顶针在电极孔处设置有热缩套管。
所述基板、定位板及盖板均采用铜制作而成。
本发明的陶瓷贴片式封装半导体功率器件的老炼装置,由于电路板上设置有数个老炼电路单元,每一个老炼电路单元中都会接一个半导体器件,该半导体器件为贴片式三极管,将三极管放置在定位板上的定位孔,由于每个定位孔对应两个电极孔,所以通过顶针穿过定位孔与三极管B极即基极、E极即发射极连接,散热板不仅用于散热,而且还用作连接三极管的C极即集电极,所以在电路板通电使三极管工作后,不仅使得散热效果好,而且由于每一定位孔放置一个三极管,所以可以一次性对多个三极管进行筛选,筛选效率高,老炼效果好,此外,本发明还具有不易短路,绝缘效果好,稳定性高的优点。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明陶瓷贴片式封装半导体功率器件的老炼装置的俯视示意图;
图2为图1中A-A面的剖视示意图;
图3为图1中D部分的放大图;
图4为图2中F部分的放大图;
图5为图2中顶针的结构示意图;
图6为图2中定位板的结构示意图;
图7为本发明陶瓷贴片式封装半导体功率器件的老炼装置盖板的结构示意图;
图8为本发明半导体功率器件的结构示意图;
图9为图1中电路板上的电路原理图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
如图1-图7所示,本发明的陶瓷贴片式封装半导体功率器件的老炼装置,其包括电路板1、数个顶针2及通过固定件3设置于电路板1上的散热板4,所述散热板4包括基板41及数个定位板42,所述基板41上设置有数个电极孔411,定位板42上设置有数个定位孔421,定位板42设置于基板41上且每一定位孔421处对应的基板41上有两个电极孔411,每一电极孔411对应设置一顶针2。本发明由于电路板1上设置有数个老炼电路单元,每一个老炼电路单元中都会接一个半导体器件,该半导体器件为贴片式三极管,将三极管放置在定位板42上的定位孔421,由于每个定位孔421对应两个电极孔411,所以通过顶针2穿过定位孔421与三极管B极即基极、E极即发射极连接,散热板4不仅用于散热,而且还用作连接三极管的C极即集电极,所以在电路板1通电使三极管工作后,不仅使得散热效果好,而且由于每一定位孔放置一个三极管,所以可以一次性对多个三极管进行筛选,具有筛选效率高,老炼效果好的优点。
具体的,所述基板41上具有上台阶面412及下台阶面413,电极孔411设置于下台阶面413上,定位板42与上台阶面412接触且每一定位孔421处对应形成一具有台阶的限位槽5。三极管在通电后,发热部主要是集中在C极,所以设置上台阶面412用于与C极充分接触,同时保证B极、E极能够通过顶针2很好的与电路板连接,而且C极紧贴上台阶面412导热效果更好。
所述基板41上还设置有数个散热片6。设置散热片6主要是为了增加散热面积,更好地进行散热。
定位板42的数量为两个且每一定位板42上均设置有10个定位孔421。定位板42的数量可以根据实际情况增加。
所述定位板42上还设置有盖板7。设置盖板7不仅可以使得C极与上台阶面412紧密接触,方便导热,而且使得顶针2很好与B、E极顶得更紧,接触紧密。
所述电路板1上设置有数个指示灯8。指示灯8若在通电后不亮则可以判定三极管早期失效,可以筛选出去,更好的判别三极管损坏,方便筛选。
所述顶针2为弹性顶针,该弹性顶针的一端与电路板1焊接连接,另一端穿过电极孔411。弹性顶针主要使得盖板7设置在定位板42上后与B、E极顶得更紧。
所述顶针在电极孔411处设置有热缩套管9。热缩套管9主要是为了避免顶针2与散热板4接触。
所述基板41、定位板42及盖板7均采用铜制作而成。铜制作而成的基板41、定位板42及盖板7散热效果好,更加适于使用。
如图8及图9所示,本发明在使用时,首先将三极管器件放入限位槽5中,C极与上台阶面412紧密接触,B、E极通过顶针2与电路板1连接,然后将盖板7与定位板42连接,将三极管压紧,然后电路板1通电,电路原理图如图9所示,若通电后指示灯8不亮则可能是接触不良,或者三极管损坏,检查后,可以进行初步筛选,通电一段时间,若指示灯8不亮,则三极管早期失效,将其遗弃,若通电一段时间后,指示灯8仍然亮着,则老炼过程完成。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种陶瓷贴片式封装半导体功率器件的老炼装置,其特征在于:包括电路板(1)、数个顶针(2)及通过固定件(3)设置于电路板(1)上的散热板(4),所述散热板(4)包括基板(41)及数个定位板(42),所述基板(41)上设置有数个电极孔(411),定位板(42)上设置有数个定位孔(421),定位板(42)设置于基板(41)上且每一定位孔(421)处对应的基板(41)上有两个电极孔(411),每一电极孔(411)对应设置一顶针(2)。
2.根据权利要求1所述的陶瓷贴片式封装半导体功率器件的老炼装置,其特征在于:所述基板(41)上具有上台阶面(412)及下台阶面(413),电极孔(411)设置于下台阶面(413)上,定位板(42)与上台阶面(412)接触且每一定位孔(421)处对应形成一具有台阶的限位槽(5)。
3.根据权利要求1或2所述的陶瓷贴片式封装半导体功率器件的老炼装置,其特征在于:所述基板(41)上还设置有数个散热片(6)。
4.根据权利要求3所述的陶瓷贴片式封装半导体功率器件的老炼装置,其特征在于:定位板(42)的数量为两个且每一定位板(42)上均设置有10个定位孔(421)。
5.根据权利要求4所述的陶瓷贴片式封装半导体功率器件的老炼装置,其特征在于:所述定位板(42)上还设置有盖板(7)。
6.根据权利要求5所述的陶瓷贴片式封装半导体功率器件的老炼装置,其特征在于:所述电路板(1)上设置有数个指示灯(8)。
7.根据权利要求6所述的陶瓷贴片式封装半导体功率器件的老炼装置,其特征在于:所述顶针(2)为弹性顶针,该弹性顶针的一端与电路板(1)焊接连接,另一端穿过电极孔(411)。
8.根据权利要求7所述的陶瓷贴片式封装半导体功率器件的老炼装置,其特征在于:所述顶针在电极孔(411)处设置有热缩套管(9)。
9.根据权利要求8所述的陶瓷贴片式封装半导体功率器件的老炼装置,其特征在于:所述基板(41)、定位板(42)及盖板(7)均采用铜制作而成。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310425162.5A CN103472380B (zh) | 2013-09-17 | 2013-09-17 | 陶瓷贴片式封装半导体功率器件的老炼装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310425162.5A CN103472380B (zh) | 2013-09-17 | 2013-09-17 | 陶瓷贴片式封装半导体功率器件的老炼装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103472380A true CN103472380A (zh) | 2013-12-25 |
CN103472380B CN103472380B (zh) | 2015-10-28 |
Family
ID=49797303
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201310425162.5A Active CN103472380B (zh) | 2013-09-17 | 2013-09-17 | 陶瓷贴片式封装半导体功率器件的老炼装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN103472380B (zh) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108257895A (zh) * | 2018-01-18 | 2018-07-06 | 深圳市振华微电子有限公司 | 半导体功率模块的功率老炼方法及老炼装置 |
CN109342912A (zh) * | 2018-09-30 | 2019-02-15 | 西安微电子技术研究所 | Smd表贴封装器件老炼的工装夹具 |
CN109738775A (zh) * | 2018-12-21 | 2019-05-10 | 贵州航天计量测试技术研究所 | 一种封装二极管老化试验夹具及方法 |
CN111337810A (zh) * | 2020-03-23 | 2020-06-26 | 上海精密计量测试研究所 | Smd-3封装功率器件热阻测试装置 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1258096A (zh) * | 1998-12-18 | 2000-06-28 | 富士通株式会社 | 半导体器件接触器、采用它的检测装置和方法及清洗方法 |
CN2494034Y (zh) * | 2001-08-13 | 2002-05-29 | 吴志成 | 用于测试半导体封装元件的治具 |
CN2525523Y (zh) * | 2002-01-24 | 2002-12-11 | 威盛电子股份有限公司 | 具有弹性探针的集成电路测试插座 |
US6630838B1 (en) * | 2001-01-23 | 2003-10-07 | Xilinx, Inc. | Method for implementing dynamic burn-in testing using static test signals |
JP2006090805A (ja) * | 2004-09-22 | 2006-04-06 | Espec Corp | バーンイン装置 |
CN201007722Y (zh) * | 2006-12-27 | 2008-01-16 | 中茂电子(深圳)有限公司 | 具挠性缓冲导热下压座体的半导体构件测试机台 |
CN201449400U (zh) * | 2009-08-12 | 2010-05-05 | 广东省粤晶高科股份有限公司 | 半导体三极管sot系列贴片产品测试夹具 |
CN201897631U (zh) * | 2010-10-19 | 2011-07-13 | 致茂电子(苏州)有限公司 | 具有散热装置的半导体晶片测试装置及检测*** |
CN202393794U (zh) * | 2011-12-19 | 2012-08-22 | 贵阳航空电机有限公司 | 三极管测试夹具 |
-
2013
- 2013-09-17 CN CN201310425162.5A patent/CN103472380B/zh active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1258096A (zh) * | 1998-12-18 | 2000-06-28 | 富士通株式会社 | 半导体器件接触器、采用它的检测装置和方法及清洗方法 |
US6630838B1 (en) * | 2001-01-23 | 2003-10-07 | Xilinx, Inc. | Method for implementing dynamic burn-in testing using static test signals |
CN2494034Y (zh) * | 2001-08-13 | 2002-05-29 | 吴志成 | 用于测试半导体封装元件的治具 |
CN2525523Y (zh) * | 2002-01-24 | 2002-12-11 | 威盛电子股份有限公司 | 具有弹性探针的集成电路测试插座 |
JP2006090805A (ja) * | 2004-09-22 | 2006-04-06 | Espec Corp | バーンイン装置 |
CN201007722Y (zh) * | 2006-12-27 | 2008-01-16 | 中茂电子(深圳)有限公司 | 具挠性缓冲导热下压座体的半导体构件测试机台 |
CN201449400U (zh) * | 2009-08-12 | 2010-05-05 | 广东省粤晶高科股份有限公司 | 半导体三极管sot系列贴片产品测试夹具 |
CN201897631U (zh) * | 2010-10-19 | 2011-07-13 | 致茂电子(苏州)有限公司 | 具有散热装置的半导体晶片测试装置及检测*** |
CN202393794U (zh) * | 2011-12-19 | 2012-08-22 | 贵阳航空电机有限公司 | 三极管测试夹具 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108257895A (zh) * | 2018-01-18 | 2018-07-06 | 深圳市振华微电子有限公司 | 半导体功率模块的功率老炼方法及老炼装置 |
CN108257895B (zh) * | 2018-01-18 | 2024-04-12 | 深圳市振华微电子有限公司 | 半导体功率模块的功率老炼方法及老炼装置 |
CN109342912A (zh) * | 2018-09-30 | 2019-02-15 | 西安微电子技术研究所 | Smd表贴封装器件老炼的工装夹具 |
CN109738775A (zh) * | 2018-12-21 | 2019-05-10 | 贵州航天计量测试技术研究所 | 一种封装二极管老化试验夹具及方法 |
CN111337810A (zh) * | 2020-03-23 | 2020-06-26 | 上海精密计量测试研究所 | Smd-3封装功率器件热阻测试装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103472380B (zh) | 2015-10-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103472380A (zh) | 陶瓷贴片式封装半导体功率器件的老炼装置 | |
JP6151449B2 (ja) | 高出力ledランプ冷却デバイス及びその製造方法 | |
CN102593111B (zh) | Igbt模块及其制作方法 | |
Trivellin et al. | Failures of LEDs in real-world applications: A review | |
WO2009082868A1 (fr) | Panneau de cellules solaires et son procédé de fabrication | |
CN102790161B (zh) | 发光二极管载具 | |
CN103915544A (zh) | 立体发光led芯片灯丝及led灯泡 | |
CN202190446U (zh) | Led灯电源 | |
CN103438370A (zh) | 一种led灯及led灯的电路连接方法 | |
CN105277863A (zh) | 一种功率放大器老化装置 | |
KR101448165B1 (ko) | 금속 본딩 회로 패턴을 독립적으로 구성하고,어레이가 형성되어 직병렬 연결 구조가 가능하게 한 cob 또는 com 형태의 led 모듈 | |
CN204464275U (zh) | 一种新型led灯丝的密封装置 | |
CN103323792A (zh) | 发光二极管灯条测试治具 | |
CN102466774A (zh) | 集成电路辅助测试装置 | |
CN209245810U (zh) | 一种环形光源铜基板 | |
CN204903583U (zh) | 一种带散热功能的大功率二极管老化试验夹具 | |
CN204028296U (zh) | 一种用于大功率二极管电老练试验的装置 | |
KR101386224B1 (ko) | 자동 테스트 장치용 디에스에이 보드 플로팅 장치 및 이를 포함하는 하이픽스 보드 | |
KR20120003558U (ko) | 개선된 엘이디리드프레임의 조명장치 | |
CN202493949U (zh) | Led灯管 | |
CN102235592B (zh) | 大功率led灯 | |
CN101872833B (zh) | Led信号灯pcb基板结构、光源组件及led信号灯 | |
CN108258036A (zh) | 一种贴片三极管 | |
CN220525709U (zh) | 一种用于表面贴装式mosfet的结壳热阻测试装置 | |
CN203811720U (zh) | 二极管芯片测试电路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |