CN1034679C - 全元素离子束材料表面改性方法 - Google Patents
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- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 17
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 title description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 7
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims description 13
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 9
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 16
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 4
- 238000011089 mechanical engineering Methods 0.000 abstract description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 abstract description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 150000001455 metallic ions Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000012788 optical film Substances 0.000 abstract 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 11
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 10
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 238000007737 ion beam deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000002905 metal composite material Substances 0.000 description 1
- 239000007777 multifunctional material Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- -1 titanium carbides Chemical class 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
本发明涉及全元素离子束材料表面改性方法,该方法是在离子溅射源通入氩气,从靶材上溅射下的原子沉积在工件表面,同时离子注入源引出气体离子、金属、碳、硅或硼单一离子束或者同时引出气体和金属离子束注入到工件表面,制备硬质膜、合金膜和功能膜层。本方法可以完成全元素离子束增强沉积、气体离子注入、金属离子注入和复合离子注入。该方法可广泛应用于宇航、石油化工、机械工程的电子工程。
Description
本发明属于材料表面改性方法。
在现有的材料表面改性方法中,通常包括离子注入、离子束辅助沉积、真空离子镀膜等方法。其中,离子注入方法有气体离子注入和金属离子注入方法;离子束辅助沉积局限于气体离子束(如氮气、氩气、氙气等)辅助沉积,只能形成TiN、ZrN等膜或离子束混合膜层;真空镀和离子镀具有较高的沉积效率,但膜层与基体之间过滤区窄、结合力较差。
本发明的目的在于提供一种多功能材料表面改性方法,除完成现有离子注入方法、离子束辅助沉积外,还可完成气体-固体离子复合注入方法、金属离子束增强沉积膜、多层膜和复合膜的表面改性方法。使用范围广,所以称为全元素离子束材料表面改性。
本发明的技术内容:
将清洗的工件(3)放在真空室(1)内的可转动水冷工件台(2)上,真空抽至10-4~10-3Pa。
离子溅射源(5)通入氩气,形成氩离子束,射到原子束溅射靶(6)上,靶材可采用一种材料或多种材料组合靶,从靶材上溅射下原子,沉积在工件(3)表面上。与此同时,由离子注入源(4)引出气体离子束、碳、硅或硼单一离子束,或者同时引出气体和金属离子束注入到工件表面,形成各种功能膜和多层复合膜,如超硬膜、光学膜、电导膜和超导膜等。
向全元素离子注入源(4)中通入气体,如N2、Ar、BH4、CH4,离子化后在引出***作用下,引出气体离子束进行气体离子注入;接通导电固体阴极(如纯金属、石墨碳、化合物)的触发电源,形成真空弧,产生的固体蒸气离化后,在引出***作用下,引出金属或其它离子束,进行金属等离子注入;若触发二个以上导电固体阴极时,进行金属复合离子注入;同时触发气体和固体阴极,进行气体—金属元素复合离子注入。
本发明的技术特点和指标:
1.真空室(1)极限真空度10-4Pa。
2.离子注入源(4)是脉冲全元素离子注入***,可以进行气体离子注入、固体(金属或其它导电体)离子注入、气体—固体离子同时注入,其中固体阴极可为单种材料引出单元素离子束;也可由多种材料组合,同时触发引出多元素离子束。
技术指标:引出电压20~100KV,束流强度:气体离子束流强0~200mA、金属离子束流强0~250mA,脉冲频率10-50Hz可调。
3.离子束溅射源(5)
技术指标:引出电压2-20KV,束流强度400mA。
4.溅射靶(6)为水冷式结构,靶材由单种金属材料或多种材料组合制成。
实现本发明材料表面改性实施例如下:
1.金属离子增强沉积膜
在玻璃或铜基体材料上,铝离子增强沉积铝膜。金属离子注入源:固体阴极纯铝制成,引出电压40-50KV,抑制电压3KV,触发电压200V,脉冲频率50Hz。离子溅射源:引出电压3KV,氩离子束流强度200mA,溅射靶材为纯铝,沉积率2/s。沉积膜厚1000~5000,结合强度大于0.3MPa。
在变更金属离子束和金属沉积原子束种类时,形成不同成分组成的金属离子增强沉积膜,如铝离子增强沉积铜铝合金膜,钼离子增强沉积钼铝合金膜等。
2.复合超硬膜
离子溅射源:引出电压5KV,氩离子束流强250mA,溅射靶为纯钛,沉积率1/s。
a)离子注入源中通入氮气、引出电压50KV,抑制电压2.2KV,触发电压150V,频率50Hz。形成TiN膜,硬度Hk2000~2400。
离子注入源中,固体阴极分别由石墨碳和金属铪组合。
b)同时进行氮离子和碳离子束增强沉积,氮离子束参数同上,石墨碳触发电压220V,气体和固体触发脉冲起始间隔300μs。形成Ti(C.N)过滤膜层。
c)停止氮离子注入***,进行碳离子增强沉积,参数为引出电压50KV,抑制电压2.5KV,触发电压200V,脉冲频率50Hz,形成TiC膜层,硬度Hk3000~3200。
d)同时触发碳和铪,进行碳—铪离子增强沉积,引出电压60KV,抑制电压3KV,触发电压200V,脉冲频率50Hz,形成(Ti、Hf)C膜层,膜层硬度Hk3800~4000。
通过上述工艺过程,形成过渡区200~300的高结合强渡的TiN/Ti(NC)/TiC(Ti·Hf)C复合多层超硬膜。
在变更上述气体及金属离子束种类、注入顺序和金属沉积原子束种类时,能够形成多层复合沉积膜,如碳化钨/碳化钛等复合膜。
本发明技术具有气体离子注入、金属离子注入、离子复合注入、全元素离子束增强沉积等功能,适合于金属材料、光学膜、电导膜、半导体材料等表面改性。
本发明可广泛应用于宇航、石油化工、机械工程、电子工程等领域。
全元素离子束材料表面改性技术说明书附图说明如下:
附图是用于全元素离子束材料表面改性方法的设备图。图中:
(1)真空室;
(2)转动水冷工件台;
(3)工件;
(4)全元素离子注入源,该离子源可单独产生气体离子束、金属离子束和同时产生气体——金属离子束;
(5)离子溅射源;
(6)原子束溅射靶。
Claims (1)
1.全元素离子束材料表面改性方法,是在由真空室(1)、水冷工件台(2)、工件(3)、全元素离子束注入源(4)、离子溅射源(5)、原子溅射靶(6)等组成的设备中完成的,其特征在于:将清洗的工件(3)放在真空室(1)内的可转动水冷工件台(2)上,真空抽至10-4~10-3Pa,离子溅射源(5)通入氩气,形成氩离子束,射到原子束溅射靶(6)上,从靶材上溅射下原子,沉积在工件(3)表面上;与此同时,由离子注入源(4)引出气体离子束、金属、碳、硅或硼单一离子束,或者同时引出气体和金属离子束注入到工件表面,形成各种功能膜和多层复合膜。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN92111475A CN1034679C (zh) | 1992-09-28 | 1992-09-28 | 全元素离子束材料表面改性方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN92111475A CN1034679C (zh) | 1992-09-28 | 1992-09-28 | 全元素离子束材料表面改性方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1084903A CN1084903A (zh) | 1994-04-06 |
CN1034679C true CN1034679C (zh) | 1997-04-23 |
Family
ID=4945360
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN92111475A Expired - Fee Related CN1034679C (zh) | 1992-09-28 | 1992-09-28 | 全元素离子束材料表面改性方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN1034679C (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1045637C (zh) * | 1995-11-15 | 1999-10-13 | 哈尔滨工业大学 | 用于材料表面改性的等离子体浸没离子注入装置 |
CN1868941B (zh) * | 2005-05-25 | 2010-07-14 | 奥林巴斯株式会社 | 光学元件成形模具及其制造方法以及制造装置 |
CN105152689A (zh) * | 2015-06-23 | 2015-12-16 | 核工业西南物理研究院 | 一种陶瓷基覆铜板的制造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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EP0042993A1 (en) * | 1980-06-30 | 1982-01-06 | Kabushiki Kaisha Iseki Kaihatsu Koki | Shield tunneling method and machine therefor |
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EP0206494A1 (en) * | 1985-05-17 | 1986-12-30 | United Kingdom Atomic Energy Authority | Improved cutting edges |
EP0240110A1 (en) * | 1986-02-03 | 1987-10-07 | The Babcock & Wilcox Company | Improving corrosion resistance of zirconium alloys |
-
1992
- 1992-09-28 CN CN92111475A patent/CN1034679C/zh not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Publication number | Publication date |
---|---|
CN1084903A (zh) | 1994-04-06 |
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