CN103456649A - 半导体封装方法 - Google Patents

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heating
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张童龙
沈海军
张卫红
洪胜平
周锋
严小龙
卢海伦
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Nantong Fujitsu Microelectronics Co Ltd
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Nantong Fujitsu Microelectronics Co Ltd
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    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body

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Abstract

本发明提供一种半导体封装方法，包括：步骤1，将非导电胶涂敷基板上；步骤2，对涂敷有所述非导电胶的基板加热；步骤3，将芯片焊接到加热的所述基板上。通过加热平台对基板的加热，涂敷于基板上的非导电胶受热，提高了其粘度，并且，保证在芯片和基板焊接时，处于二者之间的非导电胶中气泡能够消除或减少，从而提高产品的可靠性。

Description

半导体封装方法
技术领域
本发明涉及半导体件制造技术方法领域，尤其是半导体封装方法。
背景技术
在传统的芯片封装过程中，非导电胶在流动挤压中容易导致气泡的产生，气泡会影响上胶量，尤其在胶的表面如果存在气泡，使胶的有效粘接面积减少，从而影响粘接的牢固程度，降低了产品的可靠性。
发明内容
在下文中给出关于本发明的简要概述，以便提供关于本发明的某些方面的基本理解。应当理解，这个概述并不是关于本发明的穷举性概述。它并不是意图确定本发明的关键或重要部分，也不是意图限定本发明的范围。其目的仅仅是以简化的形式给出某些概念，以此作为稍后论述的更详细描述的前序。
本发明的目的在于提供一种半导体封装方法，消除或减少其在芯片和基板之间的气泡，以提高产品可靠性。
为实现上述目的，本发明提供的一种半导体封装方法，包括：步骤1，将非导电胶涂敷基板上；步骤2，对涂敷有所述非导电胶的基板加热；步骤3，将芯片焊接到加热的所述基板上。
相比于现有技术，本发明的有益效果为：对基板的加热，涂敷于基板上的非导电胶受热，保证在芯片和基板焊接时，处于二者之间的非导电胶中气泡能够消除或减少，从而提高产品的可靠性。
附图说明
参照下面结合附图对本发明实施例的说明，会更加容易地理解本发明的以上和其它目的、特点和优点。附图中的部件只是为了示出本发明的原理。在附图中，相同的或类似的技术特征或部件将采用相同或类似的附图标记来表示。
图1为本发明导体封装方法的流程示意图。
图2为本发明对基板加热的示意图。
具体实施方式
下面参照附图来说明本发明的实施例。在本发明的一个附图或一种实施方式中描述的元素和特征可以与一个或更多个其它附图或实施方式中示出的元素和特征相结合。应当注意，为了清楚的目的，附图和说明中省略了与本发明无关的、本领域普通技术人员已知的部件和处理的表示和描述。
参见图1和2，本发明提供一种半导体封装方法，包括步骤1（S1），将非导电胶（NCP）涂敷基板402上；步骤2(S2)，对涂敷有非导电胶403的基板402加热；步骤3(S3)，将芯片焊接到加热的基板402上。
通过加热平台对基板402的加热，涂敷于基板402上的非导电胶403受热，能够保证在芯片和基板402焊接时，处于二者之间的非导电胶403中气泡能够消除或减少，从而提高产品的可靠性。
进一步，为了实现上述芯片与基板402的焊接，在芯片上形成有用于焊接的凸点，在基板402上形成焊盘，凸点和焊盘可选的一一对应，以实现焊接。
在本发明的实施例中，焊接方式可选的为热压焊（TCB）方式。
在一种可选的实施方式中，对涂敷有非导电胶403的基板402加热时间在1-600分钟，加热温度在90-200摄氏度。应该理解，对基板402加热的目的是加热涂敷于其上的非导电胶403，从而达到非导电胶403的粘度增加，并消除或减少在芯片与基板402焊接时非导电胶403中气泡的效果，加热的时间和温度是为了使上述效果能够更好，因此，上述的加热时间和温度并不用于限制本发明，其它温度和时间，只要能够保证非导电胶403达到预期效果就可以适用于本发明。参见图2，同样为了保证非导电胶403的效果，将涂敷有非导电胶403的基板402，放置于加热平台401均匀加热，使非导电胶403受热均匀。非导电胶403受热均匀，能够保证非导电胶内各部分的气泡均因受热而减少或消除，保证非导电胶整体的的气泡减少或消除，因此还能提高了非导电胶的粘度。
另外，非导电胶403可以涂满所述基板402、也可以只涂敷与基板402的焊盘上，或者以其他需要的方式涂敷，以满足不同的焊接需求。
继续参见图2，本发明的半导体封装方法，还包括步骤4(S4)，对上述非导电胶固化成型；步骤5(S5)，对封装在一起的半导体和基板402进行激光打印、植球、切割、包装中至少一种后续工序。上述对非导电胶固化成型的方式很多，如降温、紫外线照射等方法，当然，使非导电胶静置自然固化也可以。为了产品的可靠性更高，等非导电胶固化后再进行后续工序。
下面，完整的描述本发明半导体封装方法：
先将非导电胶403涂敷于基板402上，将涂敷有非导电胶的基板放置到加热平台上加热，加热温度为100摄氏度，加热时间60分钟（通过加热，非导电胶内的气泡减少或消除，尤其是非导电胶表面上的气泡消除，可以增加非导电胶的有效粘接面积，从而提高了非导电胶的粘度）。将芯片的凸点对准基板上焊盘，通过热压焊的方式将芯片和基板焊接。将焊接好的芯片和基板置于空气中冷却，以使非导电胶固化成型，当然，根据不同非导电胶的特性，也可以通过吹风、紫外线照射等方式，加快非导电胶的固化。最后，待非导电胶固化后，对焊接封装在一起的芯片和基板进行激光打印、植球、切割、包装中至少一种后续工序。最终完成封装。
虽然已经详细说明了本发明及其优点，但是应当理解在不超出由所附的权利要求所限定的本发明的精神和范围的情况下可以进行各种改变、替代和变换。而且，本申请的范围不仅限于说明书所描述的过程、设备、手段、方法和步骤的具体实施例。本领域内的普通技术人员从本发明的公开内容将容易理解，根据本发明可以使用执行与在此所述的相应实施例基本相同的功能或者获得与其基本相同的结果的、现有和将来要被开发的过程、设备、手段、方法或者步骤。因此，所附的权利要求旨在在它们的范围内包括这样的过程、设备、手段、方法或者步骤。

Claims (9)

1.一种半导体封装方法，其特征在于，包括： 
步骤1，将非导电胶涂敷于基板上； 
步骤2，对涂敷有所述非导电胶的基板加热； 
步骤3，将芯片焊接到加热的所述基板上。 
2.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于， 
对所述涂敷有非导电胶的基板加热时间在1-600分钟。 
3.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于， 
对所述涂敷有非导电胶的基板加热温度在90-200摄氏度。 
4.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于， 
还包括：步骤4，对上述非导电胶固化成型。 
5.根据权利要求4所述的半导体封装方法，其特征在于， 
还包括：步骤5，对焊接封装在一起的所述半导体和基板进行激光打印、植球、切割、包装中至少一种后续工序。 
6.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于， 
所述涂敷有非导电胶的基板，放置于加热平台均匀加热。 
7.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于， 
在所述基板上形成有焊盘，在所述芯片上形成有凸点； 
焊接时，所述焊盘和所述凸点彼此相对，作为焊接点。 
8.根据权利要求1-7中任意一项所述的半导体封装方法，其特征在于， 
采用热压焊将所述芯片焊接到所述基板。 
9.根据权利要求1-7中任意一项所述的半导体封装方法，其特征在于， 
所述非导电胶涂满所述基板。 
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105428263A (zh) * 2015-12-16 2016-03-23 南通富士通微电子股份有限公司 半导体封装方法
CN108733243A (zh) * 2017-04-17 2018-11-02 蓝思科技（长沙）有限公司 一种基于纳米银薄膜的触摸屏的制作方法
CN111370318A (zh) * 2018-12-25 2020-07-03 东莞新科技术研究开发有限公司 一种半导体消除内应力的方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN201163615Y (zh) * 2008-01-08 2008-12-10 印能科技有限公司 半导体封装加工的除泡烤箱装置
CN101477979A (zh) * 2008-01-03 2009-07-08 三星电子株式会社 多芯片封装体
CN101533786A (zh) * 2008-03-11 2009-09-16 印能科技有限公司 半导体封装的芯片粘着胶层气泡排除方法
KR20100090561A (ko) * 2009-02-06 2010-08-16 이지스코 주식회사 이종 물질 간 접합구조를 갖는 정전척 및 그 제조방법
CN102903646A (zh) * 2011-07-25 2013-01-30 上海祯显电子科技有限公司 一种芯片的焊接方法
CN103050465A (zh) * 2012-12-12 2013-04-17 华天科技（西安）有限公司 一种带有铜柱的晶圆减薄的单芯片封装件及其制作工艺

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101477979A (zh) * 2008-01-03 2009-07-08 三星电子株式会社 多芯片封装体
CN201163615Y (zh) * 2008-01-08 2008-12-10 印能科技有限公司 半导体封装加工的除泡烤箱装置
CN101533786A (zh) * 2008-03-11 2009-09-16 印能科技有限公司 半导体封装的芯片粘着胶层气泡排除方法
KR20100090561A (ko) * 2009-02-06 2010-08-16 이지스코 주식회사 이종 물질 간 접합구조를 갖는 정전척 및 그 제조방법
CN102903646A (zh) * 2011-07-25 2013-01-30 上海祯显电子科技有限公司 一种芯片的焊接方法
CN103050465A (zh) * 2012-12-12 2013-04-17 华天科技（西安）有限公司 一种带有铜柱的晶圆减薄的单芯片封装件及其制作工艺

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105428263A (zh) * 2015-12-16 2016-03-23 南通富士通微电子股份有限公司 半导体封装方法
CN108733243A (zh) * 2017-04-17 2018-11-02 蓝思科技（长沙）有限公司 一种基于纳米银薄膜的触摸屏的制作方法
CN111370318A (zh) * 2018-12-25 2020-07-03 东莞新科技术研究开发有限公司 一种半导体消除内应力的方法
CN111370318B (zh) * 2018-12-25 2024-04-09 东莞新科技术研究开发有限公司 一种半导体消除内应力的方法

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