CN103430088A - 显示装置 - Google Patents

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tft
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神崎庸辅
高西雄大
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Abstract

在玻璃基板（11）上形成TFT（1），并形成覆盖TFT（1）的平坦化树脂膜（17）。接着，形成覆盖平坦化树脂膜（17）的整个表面的防湿性的保护膜（18）。保护膜（18）使用SiO2膜、SiN膜、SiON膜或者它们的叠层膜。将平坦化树脂膜（17）的端面配置在密封件（4）的内侧或者下方，并将平坦化树脂膜（17）的端面设为锥形形状。由此，防止水分向平坦化树脂膜（17）侵入，防止显示劣化。该效果在包含氧化物半导体TFT的显示装置中显著。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及液晶显示装置等的显示装置。
背景技术
近年来，液晶显示装置在多种领域中使用，且在多种环境下也能够使用。液晶显示装置例如在高温高湿的环境也能够使用。但是，在高温高湿的环境下使用液晶显示装置时，受到进入至装置的内部的水分的影响，有可能导致薄膜晶体管（Thin Film Transistor：以下称为TFT）的特性变动，发生显示恶化。
图16是现有的液晶显示装置的截面图。图16所示的液晶显示装置具有将TFT基板81与对置基板82贴合并在2张基板之间封入液晶83而形成的构造。在2张基板相对的部分的周围设置有密封件84。TFT基板81能够通过在玻璃基板85上形成TFT86并在其之上形成保护膜87和平坦化膜88而得到。
平坦化膜88例如使用丙烯酸树脂膜。但是，丙烯酸树脂制的平坦化膜88具有高吸湿性。因此，在高温高湿的环境下使用液晶显示装置的情况下，空气中的水分从密封件84的附近侵入平坦化膜88（参照箭头A1）。侵入的水分在平坦化膜88内扩散，到达TFT86的附近。虽然TFT86被保护膜87覆盖，但在TFT86的表面存在有凹凸部，因此难以用保护膜87完全覆盖TFT86。因此，存在水分透过保护膜87到达至保护膜87与半导体层89的界面的情况。此时，TFT86的特性受到水分的影响而变动较大。
专利文献1中记载有用于解决该问题的液晶显示装置（参照图17和图18）。在图17所示的液晶显示装置中，平坦化膜91的端面被密封件92覆盖。在图18所示的液晶显示装置中，平坦化膜91的端面被保护膜95覆盖。这样，在专利文献1中记载有以平坦化膜91不直接与空气接触的方式构成的液晶显示装置。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平10－232404号公报
发明内容
发明想要解决的问题
但是，图17所示的液晶显示装置中，水分容易从密封件92与栅极绝缘膜93的界面侵入（参照箭头A2）。图18所示的液晶显示装置中，水分容易从密封件92与保护膜95的界面侵入（参照箭头A3）。当从这些界面侵入的水分到达平坦化膜91时，水分在平坦化膜91内扩散，容易到达TFT94的附近。因此，在这些液晶显示装置中，不能够充分防止因平坦化膜的吸湿引起的显示劣化。
因此，本发明的目的在于提供一种能够防止因平坦化膜的吸湿引起的显示劣化的显示装置。
用于解决课题的技术方案
本发明的第一方面是一种显示装置，其具有将2个基板贴合而得到的结构，该显示装置的特征在于，包括：
第一基板，其包括形成在绝缘性基板上的薄膜晶体管和覆盖上述薄膜晶体管的平坦化膜；和
与上述第一基板相对配置的第二基板，
上述第一基板还包括覆盖上述平坦化膜的整个表面的防湿性的保护膜。
本发明的第二方面的特征在于，在本发明的第一方面中，还包括在上述第一基板和上述第二基板相对的部分的周围设置的密封件，
上述平坦化膜的端面配置在由上述密封件围成的区域内或者上述密封件之下。
本发明的第三方面的特征在于，在本发明的第二方面中，上述平坦化膜的端面具有锥形（楔形，taper）形状。
本发明的第四方面的特征在于，在本发明的第二方面中，上述第一基板还包括：设置在隔着上述保护膜与上述平坦化膜相反的一侧的像素电极；和将上述像素电极与上述薄膜晶体管的电极电连接的接触部，
在上述接触部的侧面形成有上述保护膜。
本发明的第五方面的特征在于，在本发明的第二方面中，上述第一基板还包括：设置在上述保护膜的一个面一侧且与上述薄膜晶体管的电极电连接的第一电极；和设置在上述保护膜的另一个面一侧且与共用配线电连接的第二电极。
本发明的第六方面的特征在于，在本发明的第五方面中，上述第一电极具有狭缝形状。
本发明的第七方面的特征在于，在本发明的第二方面中，上述保护膜为SiO2膜、SiN膜、SiON膜和它们的叠层膜中的任一个。
本发明的第八方面的特征在于，在本发明的第二方面中，上述薄膜晶体管具有由氧化物半导体形成的半导体层。
本发明的第九方面的特征在于，在本发明的第二方面中，上述薄膜晶体管具有由非晶硅和结晶硅中的任一个形成的半导体层。
本发明的第十方面的特征在于，在本发明的第二方面中，上述平坦化膜为树脂膜。
发明效果
根据本发明的第一方面，保护膜设置在平坦的面上，所以平坦化膜的被覆性提高。因此，通过使用具有防湿性的保护膜来覆盖平坦化膜的整个表面，能够防止水分向平坦化膜侵入，防止因平坦化膜的吸湿引起的显示劣化。
根据本发明的第二方面，通过将平坦化膜的端面配置在由密封件围成的区域内或者密封件之下，能够防止平坦化膜的端面与空气直接接触，进一步有效地防止因平坦化膜的吸湿引起的显示劣化。
根据本发明的第三方面，通过将平坦化膜的端面设为锥形（楔形，taper）形状，能够提高平坦化膜的端面的被覆性，进一步有效地防止因平坦化膜的吸湿引起的显示劣化。
根据本发明的第四方面，通过在接触部的侧面也形成防湿性的保护膜，能够减少水分向平坦化膜侵入的路径，进一步有效地防止因平坦化膜的吸湿引起的显示劣化。
根据本发明的第五方面，通过在两个电极之间夹入设置为防湿用的保护膜来形成电容，由此，能够将所形成的电容作为辅助电容使用。另外，通过将2个电极设为透明电极，能够使辅助电容具有光透射性，从而提高显示元件的开口率。
根据本发明的第六方面，通过将第一电极设为狭缝形状，能够产生边缘电场（fringe electric field）。因此，在液晶显示装置中，能够使用所产生的边缘电场来控制液晶的取向，改善视野角特性。
根据本发明的第七方面，通过使用具有防湿性的SiO2膜、SiN膜、SiON膜、或者它们的叠层膜来作为保护膜，能够防止水分向平坦化膜侵入，防止因平坦化膜的吸湿引起的显示劣化。该效果在使用具有高防湿性的SiN膜、SiON膜的情况下显著。
根据本发明的第八方面，在包括在受到水分的影响时特性大幅变动的氧化物半导体TFT的显示装置中，能够防止因平坦化膜的吸湿引起的显示劣化。
根据本发明的第九方面，在包括非晶硅TFT或者结晶硅TFT的显示装置中，能够防止因平坦化膜的吸湿引起的显示劣化。
根据本发明的第十方面，即使在使用具有高吸湿性的树脂制的平坦化膜的情况下，通过使用具有防湿性的保护膜来覆盖平坦化膜的整个表面，也能够防止水分向平坦化膜侵入，防止因平坦化膜的吸湿引起的显示劣化。
附图说明
图1是本发明的第一实施方式的液晶显示装置的截面图。
图2A是表示图1所示的液晶显示装置的制造工序的图。
图2B是图2A的后续图。
图2C是图2B的后续图。
图2D是图2C的后续图。
图2E是图2D的后续图。
图2F是图2E的后续图。
图2G是图2F的后续图。
图2H是图2G的后续图。
图2I是图2H的后续图。
图3是表示氧化物半导体TFT的特性变化的例的图。
图4是表示图1所示的液晶显示装置的端子部的第一结构例的截面图。
图5是表示图1所示的液晶显示装置的端子部的第二结构例的截面图。
图6是表示图1所示的液晶显示装置的接触部的第一结构例的截面图。
图7是表示图1所示的液晶显示装置的接触部的第二结构例的截面图。
图8是表示图1所示的液晶显示装置的接触部的第三结构例的截面图。
图9是本发明的第二实施方式的液晶显示装置的截面图。
图10是本发明的第三实施方式的液晶显示装置的截面图。
图11是本发明的第四实施方式的液晶显示装置的截面图。
图12是图11所示的液晶显示装置的平面图。
图13是具备本发明的变形例的蚀刻阻止型TFT的液晶显示装置的截面图。
图14是具备本发明的变形例的底部接触型TFT的液晶显示装置的截面图。
图15是具备本发明的变形例的顶部栅极型TFT的液晶显示装置的截面图。
图16是现有的液晶显示装置的截面图。
图17是现有的液晶显示装置的截面图。
图18是现有的液晶显示装置的截面图。
具体实施方式
（第一实施方式）
图1是本发明的第一实施方式的液晶显示装置的截面图。图1所示的液晶显示装置100具有将TFT基板10与对置基板2贴合并在2个基板之间封入液晶3而得到的结构。TFT基板10与对置基板2相对配置，在2个基板相对的部分的周围设置有树脂制的密封件4。在对置基板2设置有对置电极、彩色滤光片（均未图示）等。
在TFT基板10形成有TFT1和各种配线（栅极配线、数据配线等）。TFT1通过在玻璃基板11上依次形成栅极电极12、栅极绝缘膜13、半导体层14和源极/漏极电极15而形成。在TFT1形成后的基板依次形成保护膜16、树脂制的平坦化膜17（以下称为平坦化树脂膜）和具有防湿性的保护膜18。
保护膜16设置为用于防止TFT1与平坦化树脂膜17直接接触，以保护TFT1。平坦化树脂膜17设置为用于使基板的表面平坦化。平坦化树脂膜17的端面设置于由密封件4围成的区域内（以下，称为密封件4的内侧）。平坦化树脂膜17的尺寸越接近玻璃基板11越大，且平坦化树脂膜17的端面具有锥形形状。为了防止水分向平坦化树脂膜17侵入，保护膜18设置为覆盖平坦化树脂膜17的整个表面。
栅极电极12和源极/漏极电极15使用例如Cu/Ti等而形成。栅极绝缘膜13使用例如SiO2膜、SiN膜、或者它们的叠层膜。半导体层14使用例如非晶硅、结晶硅、或者IGZO（Indium Gallium Zinc Oxide：铟镓锌氧化物）等的氧化物半导体形成。保护膜16使用例如SiO2膜、SiNX膜、SiON膜、或者它们的叠层膜。平坦化树脂膜17具有绝缘性和光透射性，作为容易加工的树脂膜，使用例如丙烯酸树脂膜等。保护膜18使用例如SiO2膜、SiN膜、SiON膜、或者它们的叠层膜。此外，也可以使用其它的绝缘性基板替代玻璃基板11。
参照图2A～图2I，说明具有接触部5的液晶显示装置100的制造方法。为了制作TFT基板10，首先，在玻璃基板11上使用Cu/Ti等形成栅极电极12（图2A）。接着，通过在基板上形成SiO2膜、SiN膜或者它们的叠层膜，形成覆盖基板的表面的栅极绝缘膜13（图2B）。接着，使用非晶硅、结晶硅或者氧化物半导体（例如IGZO）在栅极电极12的上部形成半导体层14（图2C）。例如，在使用氧化物半导体形成半导体层14时，使用溅射法。接着，在基板上使用Cu/Ti等形成与半导体层14相接触的源极/漏极电极15（图2D）。接着，通过在基板上形成SiO2膜、SiNX膜、SiON膜或者它们的叠层膜，形成覆盖基板的整个表面的保护膜16（图2E）。接着，使用丙烯酸树脂等，形成覆盖基板的整个表面的平坦化树脂膜17。然后，通过光刻加工直接进行图案形成，在形成接触部5的位置形成开口（图2F）。
接着，通过在基板上形成SiO2膜、SiN膜、SiON膜、或者它们的叠层膜，形成包含平坦化树脂膜17的整个表面且覆盖基板的表面的保护膜18。然后，通过光刻加工，在形成接触部5的位置形成到达漏极电极15的接触孔（图2G）。接着，使用ITO（Indium Tin Oxide：铟锡氧化物）、IZO（Indium Zinc Oxide：铟锌氧化物）等，形成与漏极电极15接触的透明导电膜19（图2H）。透明导电膜19也形成于接触孔的内部，由此形成接触部5。形成在保护膜18上的透明导电膜19作为像素电极发挥功能。像素电极设置在隔着保护膜18与平坦化树脂膜17相反的一侧，接触部5将像素电极与TFT1的漏极电极15电连接。通过以上的工序，TFT基板10完成。
接着，在TFT基板10的形成TFT1一侧的面和对置基板2的形成对置电极一侧的面设置取向膜（未图示）。然后，使TFT基板10与对置基板2相对地配置（使设置有取向膜的面相对），在2个基板相对的部分的周围设置密封件4，使2个基板隔着间隔物（未图示）地贴合，并在2个基板之间填充液晶3（图2I）。此时，平坦化树脂膜17的端面设置在密封件4的内侧。通过以上的工序，液晶显示装置100完成。
以下说明本实施方式的液晶显示装置100的效果。如上所述，在现有的液晶显示装置中，因平坦化膜的吸湿引起的显示劣化成为问题。为了解决该问题，在液晶显示装置100的TFT基板10设置有覆盖平坦化树脂膜17的整个表面的防湿性的保护膜18。平坦化树脂膜17的端面配置在密封件4的内侧，具有锥形形状。
这样，在液晶显示装置100中，保护膜18设置在平坦的面上，所以平坦化树脂膜17的被覆性提高。因此，即使在空气中的水分侵入到液晶显示装置100的内部的情况下，也能够防止水分侵入平坦化树脂膜17。由此，能够防止水分到达半导体层14与保护膜16的界面，防止TFT1的特性受到水分的影响而发生变动。因此，根据液晶显示装置100，能够防止因平坦化树脂膜17的吸湿引起的显示劣化。
另外，因为平坦化树脂膜17的端面配置在密封件4的内侧，所以平坦化树脂膜17的端面不与空气直接接触。因为树脂制的密封件4具有防湿性，所以利用密封件4的防湿效果，能够减少侵入装置的水分。这样，通过将平坦化树脂膜17的端面配置在密封件4的内侧，能够防止平坦化树脂膜17的端面与空气直接接触，进一步有效地防止因平坦化树脂膜17的吸湿引起的显示劣化。
另外，通过将平坦化树脂膜17的端面设为锥形形状，能够提高平坦化树脂膜17的端面的被覆性。由此，能够进一步有效防止水分向平坦化树脂膜17侵入，进一步有效地防止因平坦化树脂膜17的吸湿引起的显示劣化。
图3是表示氧化物半导体TFT的特性变化的例的图。图3中，横轴表示栅极电压，纵轴表示漏极电流。图3中，对于某氧化物半导体TFT，记载有：初始特性（细虚线）；现有的液晶显示装置的经过2000小时后的特性（粗虚线）；和本实施方式的液晶显示装置100的经过2000小时后的特性（粗实线）。
在现有的液晶显示装置中，因为树脂制的平坦化膜吸收湿空气中的水分，所以氧化物半导体TFT的特性在经过2000小时后与初始特性相比大幅变化。因此，在含有氧化物半导体TFT的现有的液晶显示装置中，发生显示劣化。对此，在液晶显示装置100中，因为平坦化树脂膜17不吸收空气中的水分，所以氧化物半导体TFT的特性即使在经过2000小时后与初始特性相比也几乎不发生变化。从该例可知，根据液晶显示装置100，能够防止因平坦化膜的吸湿引起的显示劣化。
保护膜18能够使用例如SiO2膜、SiN膜、SiON膜或者它们的叠层膜。其中，SiN膜和SiON膜具有高防湿性。从而，在作为保护膜18具备SiN膜和/或SiON膜的液晶显示装置中，上述的效果显著。
另外，非晶硅TFT、结晶硅TFT和氧化物半导体TFT之中，氧化物半导体TFT的特性在受到水分的影响时变化较大。因此，在包含氧化物半导体TFT的液晶显示装置中，上述的效果显著。
此外，在液晶显示装置100中，将平坦化树脂膜17的端面配置在密封件4的内侧，但是也可以将平坦化树脂膜17的端面配置在密封件4之下。即使在将平坦化树脂膜17的端面设置在密封件4之下的情况下，也能够获得与设置在密封件4的内侧的情况下相同的效果。另外，如果仅通过保护膜18就能够获得充分的效果，则也可以将平坦化树脂膜17的端面配置在由密封件4围成的区域的外部。
另外，液晶显示装置100具备保护膜16，但是液晶显示装置也可以不必具备保护膜16。保护膜16设置为用于防止作为有机物的平坦化树脂膜17与半导体层14接触而降低TFT1的可靠性。通过设置保护膜16，能够提高液晶显示装置100的可靠性。
以下，说明液晶显示装置100的端子部和接触部的构成。在使用栅极电极作为端子的情况下，形成到达栅极电极的开口。在由具有腐蚀性的金属形成栅极电极的情况下，如图4所示，通过设置覆盖栅极电极6的透明电极7，能够提高端子的可靠性。同样，在使用源极电极作为端子的情况下，形成到达源极电极的开口。在由具有腐蚀性的金属形成源极电极的情况下，如图5所示，通过设置覆盖源极电极8的透明电极9，能够提高端子的可靠性。
对于连接栅极电极与源极电极的接触部，考虑以下的结构。在第一结构例（图6）中，在栅极绝缘膜13形成开口，在开口部配置源极配线51。由此，形成连接栅极电极12和源极电极的接触部52。
在第二结构例（图7）中，与像素电极53同样地使用ITO、IZO等将栅极电极12与源极电极连接。因为ITO、IZO利用溅射法成膜，所以当使用ITO、IZO形成连接阶梯间的配线时，配线容易发生阶梯切断。于是，将IGZO的图案端配置于比源极配线的图案端更靠外侧的位置，越下层越增大开口的尺寸。根据该方法，仅利用一个开口能够形成接触部54，所以能够提高面积效率。另外，能够对各层一并进行图案形成和蚀刻，所以能够缩短制造工序。
第三结构例（图8）中，分别形成栅极电极12用的接触部55和源极电极56用的接触部57，使用像素电极58连接2个接触部55、57，根据该方法，能够容易形成接触部。
（第二实施方式）
图9是本发明的第二实施方式的液晶显示装置的截面图。图9所示的液晶显示装置200具有将TFT基板20与对置基板2贴合并在2个基板之间封入液晶3的结构。以下，对于所示的各实施方式的构成要素之中的与上述实施方式相同的要素，标注相同的参照符号并省略说明。
与第一实施方式同样，液晶显示装置200的TFT基板20包括：设置在隔着保护膜18与平坦化树脂膜17相反的一侧的像素电极；和将像素电极与TFT1的漏极电极15电连接的接触部5。第一实施方式的液晶显示装置100中，在接触部5的侧面不形成保护膜18（参照图2I）。对此，在本实施方式的液晶显示装置200中，不仅在平坦化树脂膜17上，而且在接触部5的侧面也形成有保护膜18。
为了制造这种液晶显示装置200，需要在图2A～图2I所示的制造工序中追加光刻工序。具体而言，在图2F所示的基板形成保护膜18之后，需要在保护膜18形成比图2F所示的开口稍微小的开口图案。
根据本实施方式的液晶显示装置200，通过在接触部5的侧面也形成防湿性的保护膜18，能够减少水分向平坦化树脂膜17侵入的路径。因此，能够进一步有效地防止因平坦化树脂膜17的吸湿引起的显示劣化。
（第三实施方式）
图10是本发明的第三实施方式的液晶显示装置的截面图。图10所示的液晶显示装置300具有将TFT基板30与对置基板2贴合并在2个基板之间封入液晶3的结构。
在形成栅极绝缘膜13后的基板上形成被施加共用电压的共用配线31。在平坦化树脂膜17上形成与共用配线31电连接的下层电极33。保护膜18形成为覆盖平坦化树脂膜17和下层电极33的整个表面。在保护膜18上，与漏极电极15电连接的上层电极32以隔着保护膜18与下层电极33相对的方式形成。这样，TFT基板30包括：设置在保护膜18的一个面一侧且与TFT1的漏极电极15电连接的上层电极32；和设置在保护膜18的另一个面一侧且与共用配线31电连接的下层电极33。
根据本实施方式的液晶显示装置300，通过在2个电极之间（上层电极32和下层电极33）夹入设置为防湿用的保护膜18来形成电容，从而能够使用所形成的电容作为辅助电容。另外，通过将2个电极设为透明电极，能够使辅助电容具有光透射性，提高显示元件的开口率。
（第四实施方式）
图11是本发明的第四实施方式的液晶显示装置的截面图。图11所示的液晶显示装置400具有将TFT基板40与对置基板2贴合并在2个基板之间封入液晶3的结构。
与第三实施方式同样，在液晶显示装置400的TFT基板40形成有共用配线31、上层电极41和下层电极33。其中，在液晶显示装置400中，上层电极41具有狭缝形状。
图12是液晶显示装置400的平面图。如图12所示，狭缝状的上层电极41与面状的下层电极33在由共用配线31、栅极配线42和数据配线43围成的区域内重叠配置。下层电极33与被施加共用电压的共用配线31连接。由此，能够在上述区域内形成边缘电场。
此外，可以将狭缝状的电极自身作为上层电极41使用，也可以使用一部分设为狭缝状的电极作为上层电极41。另外，在与不为狭缝状的上层电极41对应的部分不设置下层电极33，该部分使用TN（TwistedNematic：扭曲向列型）、垂直取向型的液晶模式。由此，能够构成视野角特性优良的边缘电场模式的液晶显示装置。
根据本实施方式的液晶显示装置400，能够通过在2个电极之间（上层电极32和下层电极33）夹入设置为防湿用的保护膜18来形成电容。另外，通过将上层电极32设为狭缝形状，能够产生边缘电场。由此，能够使用所产生的边缘电场来控制液晶的取向，改善视野角特性。
此外，第二～第四实施方式的液晶显示装置200、300、400的端子部和接触部的结构与第一实施方式的液晶显示装置100相同（参照图4～图8）。
另外，在第一～第四实施方式中，虽然使用底部栅极的沟道蚀刻型TFT，但也可以使用具有其它的结构的TFT。即使在使用以下所示的TFT的情况下，也能够获得与第一～第四实施方式同样的效果。
图13是具备蚀刻阻挡型TFT的液晶显示装置的截面图。在图13所示的TFT中，在沟道上设置有沟道保护膜61。在使用该结构的情况下，虽然工序数增加，但是能够防止蚀刻时的损害，实现稳定的生产。另外，因为存在沟道保护膜61，所以即使受到水分的影响也难以使TFT的特性发生变动。
图14是具备底部接触型TFT的液晶显示装置的截面图。在图14所示的TFT中，在栅极绝缘膜13上形成源极/漏极电极15，并在它们之上形成半导体层14。在使用该结构的情况下，半导体层14在沟道蚀刻时不受到损害。另外，因为半导体层14与平坦化树脂膜17在宽广的面积上相对，所以本发明的效果更加显著。
图15是具备顶部栅极型TFT的液晶显示装置的截面图。在形成图15所示的TFT时，在形成源极/漏极电极15之后形成半导体层14，然后，依次形成栅极绝缘膜13和栅极电极12。在使用该结构的情况下，半导体层14在沟道蚀刻时不受到损害。即使是该结构，也能够获得本发明的效果。
如以上所述，根据本发明的显示装置，能够防止因平坦化膜的吸湿引起的显示劣化。
工业上的可利用性
本发明的显示装置的特征在于能够防止因平坦化膜的吸湿引起的显示劣化，所以能够用于液晶显示装置等具有将2个基板贴合而得到的结构的各种显示装置。
附图标记说明
1…TFT
2…对置基板
3…液晶
4…密封件
5…接触部
10、20、30、40…TFT基板
11…玻璃基板
12…栅极电极
13…栅极绝缘膜
14…半导体层
15…源极/漏极电极
16、18…保护膜
17…平坦化树脂膜
19…透明导电膜
31…共用配线
32、41…上层电极
33…下层电极
100、200、300、400…液晶显示装置

Claims (10)

1.一种显示装置，其具有将2个基板贴合而得到的结构，该显示装置的特征在于，包括：
第一基板，其包括形成在绝缘性基板上的薄膜晶体管和覆盖所述薄膜晶体管的平坦化膜；和
与所述第一基板相对配置的第二基板，
所述第一基板还包括覆盖所述平坦化膜的整个表面的防湿性的保护膜。
2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于：
还包括在所述第一基板和所述第二基板相对的部分的周围设置的密封件，
所述平坦化膜的端面配置在由所述密封件围成的区域内或者所述密封件之下。
3.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于：
所述平坦化膜的端面具有锥形形状。
4.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于：
所述第一基板还包括：设置在隔着所述保护膜与所述平坦化膜相反的一侧的像素电极；和将所述像素电极与所述薄膜晶体管的电极电连接的接触部，
在所述接触部的侧面形成有所述保护膜。
5.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于：
所述第一基板还包括：设置在所述保护膜的一个面一侧且与所述薄膜晶体管的电极电连接的第一电极；和设置在所述保护膜的另一个面一侧且与共用配线电连接的第二电极。
6.如权利要求5所述的显示装置，其特征在于：
所述第一电极具有狭缝形状。
7.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于：
所述保护膜为SiO2膜、SiN膜、SiON膜和它们的叠层膜中的任一个。
8.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于：
所述薄膜晶体管具有由氧化物半导体形成的半导体层。
9.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于：
所述薄膜晶体管具有由非晶硅和结晶硅中的任一个形成的半导体层。
10.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于：
所述平坦化膜为树脂膜。
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