CN103426494A

CN103426494A - 石墨烯和金属纳米线复合的导电膜、制备方法及其用于制备透明导电膜的用途

Info

Publication number: CN103426494A
Application number: CN2012101535955A
Authority: CN
Inventors: 李维实; 赵福刚
Original assignee: Shanghai Institute of Organic Chemistry of CAS
Current assignee: Shanghai Institute of Organic Chemistry of CAS
Priority date: 2012-05-15
Filing date: 2012-05-15
Publication date: 2013-12-04
Also published as: WO2013170755A1; CN104303241A

Abstract

本发明涉及一种石墨烯和金属纳米线复合的导电膜、制备方法及其用于制备透明导电膜的用途，系利用具有二维平面导电能力的石墨烯和具有一维导电能力的铜、银或金的金属纳米线，通过溶液复合、微孔滤膜过滤而制备。通过将复合导电膜转移至玻璃或透明聚合物基底上可以用于制备透明导电膜。所得的透明导电膜兼具良好的光透过性和优异的导电性，550nm下光透过率大于80％，表面方块电阻小于15Ω/□，还具有非常优异的柔软性，综合性能优于市售的ITO-PET薄膜。由于原料价廉易得，透明导电膜的制备工艺简易，有望在大面积、柔性的平板显示器、发光二极管、触摸控制屏、低辐射视窗、以及薄膜太阳能电池等方面获得实际应用。

Description

石墨烯和金属纳米线复合的导电膜、制备方法及其用于制备透明导电膜的用途

技术领域

本发明涉及一种可用于制备透明导电膜的复合导电膜、制备方法以及用于制备透明导电膜的用途。

背景技术

透明导电膜是一类兼有透明性和导电性双重功能的膜材料，广泛应用于光电器件领域，如平板显示器、发光二极管、触摸控制屏、低辐射视窗、以及薄膜太阳能电池等。目前，商品化的透明导电薄膜主要是基于氧化铟锡（ITO）材料，通过磁控溅射沉积在玻璃或透明聚合物基底上制得的，具有较低的表面方块电阻（Rs~10Ω/□）和较高的可见光透过率（550nm下光透过率>80%）。但是，ITO中所用的金属铟是稀缺元素，自然储量有限，即将消耗殆尽，更不用说随着近期平板显示、触摸屏和薄膜太阳能电池组件市场的快速扩张，更加剧了这一趋势。这些因素导致了ITO价格高昂，在近几年更是节节攀升，在2002至2010年间涨了近八倍。此外，ITO材料质硬性脆，不耐弯曲；成熟的制备方法需要高真空条件，设备要求高，效率低(如磁控溅射法的效率仅为30％)，不利于在大面积和柔性薄膜器件中的应用。因此，开发一种不受资源控制，价廉易得，高性能的透明导电材料及其导电膜的制备方法对于光电器件领域的可持续发展至关重要，具有重大的科学、经济和社会意义。

迄今为止，已有开发出多种可用于制备透明导电膜的材料体系，比如Al掺杂的ZnO材料(AZO)、碳纳米管、石墨烯、导电高分子、金属纳米线等。但是，基于这些材料体系制备的透明导电膜的综合性能还不能和ITO膜相媲美。比如，AZO膜具有较好的透明度和较低的表面方块电阻，但是和ITO材质一样同样存在硬脆和需要高设备条件等弱点，更重要的是其化学和环境稳定性较差。碳纳米管和石墨烯是碳纳米材料的典型代表。碳纳米管是一维导电的材料，有金属性和半导体性之分。目前的制备方法基本得到的是金属性和半导体性混杂的碳纳米管，两者难以分离，导致体系复杂，表面方块电阻较大。而且，一般制备得到的碳纳米管相互缠结在一起，需要通过物理或化学的方法将其分离，才能制备获得透明的导电膜。石墨烯是单原子层厚二维平面性碳材料，具有非常优异的电学性能和透明性，室温下具有极高的双极性载流子迁移率。理想的大面积连续石墨烯单层膜具有很好的导电性和透明度，但目前还没有技术可以制备获得。因此，目前用于透明导电膜制备的石墨烯是通过基于化学沉积法制备、化学氧化还原法、溶液法剥离制备的，单片层尺寸都在微米级以下。因此，石墨烯透明导电膜基本上需要通过石墨烯片层间相互配合而导电的，由于片层间存在较大缺陷，接触电阻大，导致石墨烯的透明导电膜同时难以实现较低的表面方块电阻和较高的透明度。比如，公开的专利（公开号CN101859858，CN101901640A）中所描述的石墨烯透明电极当光透过率大于80％时，表面方块电阻都大于1kΩ/□。最近，基于金属纳米线的研究成果是此领域的重大突破。基于Ag纳米线的透明导电膜，可以实现80％的550nm下光透过率，同时表面方块电阻低于50Ω/□(Can-Zhong Lu,et al.Adv.Mater.2010,22,4484;John C.Mello,et al.Adv.Mater.2011,23,4371;Yi Cui,et al.ACS Nano 2010,4,2955;Jonathan N.Coleman,et al.ACS Nano2009,3,1767.)。但是，Ag本身也是一种贵金属，价格成本高。而较廉价的Cu纳米线透明导电膜，当550nm光透过率为80%时，表面方块电阻为50-100Ω/□或者更高(Benjamin J.Wiley，et al.Adv.Mater.2010,22,3558；Adv.Mater.2011,23,4798.)，不能满足实际应用。因此，寻找一种性能和ITO膜相当，同时价格低廉的透明导电膜是此领域具有挑战性的课题。

发明内容

针对上述技术现状和技术难题，本发明首先提供一种性能优异的可用于制备透明电极导电膜的复合导电膜。

本发明其次提供上述复合导电膜的简单易行的制备方法。

本发明还提供上述复合导电膜的用途。

本发明首先提供一种性能优异的可用于制备透明电极导电膜的复合导电膜，由两种或两种以上价廉易得的导电材料溶液复合而成的，其中一种或一种以上是具有二维平面导电能力的导电材料，典型代表是石墨烯，另一种或一种以上是具有一维导电能力的金属纳米线，典型代表是铜、银和金的纳米线。两者的复合重量比为石墨烯:金属纳米线＝1:0.001~1000，优选比例为1:0.01~100。

本发明的复合导电膜的制备方法是将分别制备石墨烯和金属纳米线的分散液，然后通过溶液复合，减压微孔膜过滤制得的，具体包括以下几个步骤：

(1)将石墨烯分散于合适的溶剂中。分散溶剂选择范围包括水、醇类、酮类、酰胺类、酯类、烷烃类、芳烃类、卤代烃类、卤代芳烃类等，优选溶剂是水、醇类。分散浓度不限，优选范围为0.00001～100mg/mL。为了稳定分散液，可以在分散液中加入胺类、肼类、表面活性剂、聚合物等作为稳定剂。

(2)将金属纳米线分散于合适的溶剂中。分散溶剂选择范围包括水、醇类、酮类、酰胺类、酯类、烷烃类、芳烃类、卤代烃类、卤代芳烃类等。优选溶剂是水和醇类。分散浓度不限，优选范围为0.00001～100mg/mL。为了稳定分散液，可以在分散液中加入胺类、肼类、表面活性剂、聚合物等作为稳定剂。

(3)混合石墨烯和金属纳米线的分散液，混合比例为分散液中石墨烯与金属纳米线的固含量重量比为1:0.001~1000，优选比例为1:0.01~100。

(4)通过微孔滤膜过滤步骤(3)所制备的混合分散液，洗涤除去分散液中其他成分，得到滤膜材料支撑的复合导电膜。微孔虑膜材料选择范围包括氧化铝膜、纤维素酯膜、尼龙膜、聚醚砜膜、聚碳酸酯膜、聚四氟乙烯膜、聚偏氟乙烯膜等，微孔直径为0.2~0.8μm，滤膜厚度不限。

本发明还提供一种基于上述复合导电膜的用途，即用于制备透明导电膜。将上述得到的滤膜材料支撑的复合导电膜转移至玻璃或聚合物等透明基底上。基底厚度不限，可见光透光度要求不低于40％，优选大于80％。聚合物基底的选择包括聚烯烃、聚酯、聚酰胺、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚芳醚酮、聚卤代烯烃、聚丙烯酸酯类、环氧树脂、酚醛树脂、聚砜类、不饱和树脂、聚胺酯塑料等材料的薄膜，优选对苯二甲酸乙二醇酯（PET）膜、无色透明聚酰亚胺(PI)膜、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)膜、聚氯乙烯(PVC)膜、聚乙烯(PE)膜，聚丙烯(PP)膜等。复合导电膜的转移方法根据滤膜材料的不同而不同：

(1)氧化铝材料的滤膜采用碱液蚀刻的方法。将上述利用氧化铝滤膜过滤制备得到的复合导电膜小心置于碱液中，待滤膜溶解后，将漂浮在溶液中复合导电膜小心转移至选用的透明基底上，得到透明导电膜。碱液选择范围包括氢氧化钠和氢氧化钾的水溶液，浓度范围0.0001～10M，优选0.001～1M。

(2)无氟聚合物材质的滤膜采用溶剂蒸汽蚀刻的办法。将上述利用无氟聚合物材质滤膜过滤制备得到的复合导电膜小心将导电膜面铺展在选用的透明基底上，置于溶剂蒸汽中，待上层的滤膜溶解蚀刻后，用溶剂小心洗涤透明导电膜。溶剂的选择根据滤膜材料的不同而不同。纤维素酯膜优选丙酮，聚碳酸酯膜优选二氯甲烷。

(3)聚四氟乙烯和聚偏氟乙烯等含氟聚合物材质的滤膜采用醇类蒸汽湿润剥离的方法。将上述利用聚四氟乙烯和聚偏氟乙烯等含氟聚合物材质滤膜过滤制备得到的复合导电膜小心将导电膜面铺展在选用的透明基底上，置于醇类溶剂蒸汽中，待膜层充分湿润后，撕去滤膜，得到透明导电膜。醇类溶剂优选甲醇和乙醇。

总之，本发明提供的导电膜材料由两种或两种以上各具特色的导电材料复合而成。石墨烯片层具有非常优异的二维导电能力，可以很好的沟通金属纳米线与线之间的电通导；而一维导电的金属纳米线，也可以很好的连接石墨烯片层间的电通导，从而在制备透明导电膜时，达到减少整体导电材料用量的目的，可以同时获得良好的可见光透过性和低表面方块电阻的效果。此复合导电材料不但原料价廉易得，制备方法也简单易行，并且可成功用于制备高性能的透明导电膜（550nm光下光透过率大于80％，表面方块电阻小于15Ω/□），综合性能可以和市售ITO透明导电膜相媲美。因此，本发明提供的复合导电材料有望在大面积、柔性的平板显示器、发光二极管、触摸控制屏、低辐射视窗、以及薄膜太阳能电池等方面获得实际应用。

附图说明

图1和图2为实施例1所制备的石墨烯/铜纳米线复合导电材料的扫描电子显微镜照片。

图3和图4为实施例8所制备的石墨烯/铜纳米线复合导电材料的扫描电子显微镜照片。

图5和图6为实施例12所制备的石墨烯/银纳米线复合导电材料的扫描电子显微镜照片。

图7为实施例14所制备的玻璃基底石墨烯/铜纳米线复合透明导电膜的照片。

图8为实施例21所制备的玻璃基底石墨烯/铜纳米线复合透明导电膜的照片。

图9为实施例25所制备的玻璃基底石墨烯/银纳米线复合透明导电膜的照片。

具体实施方式

以下结合附图实施例对本发明作进一步的阐述。

实施例1：

根据文献（Byeong-Su Kim,et al.ACS Nano 2010,4,3861.），利用石墨的氧化还原法制备石墨烯，并将其配成0.0004mg/mL的石墨烯水分散液。根据文献(Benjamin J.Wiley，et al.Adv.Mater.2010,22,3558;Adv.Mater.2011,23,4798.)制备铜纳米线，并将其分散于3wt%水合肼溶液中，浓度为0.01mg/mL。

取250mL上述石墨烯溶液(0.0004mg/mL)，向其中加入2mL上述铜纳米线水合肼分散液(0.01mg/mL)，超声10min使二者充分混匀。经过孔径为0.22μm、直径为47mm的氧化铝膜过滤后，得到氧化铝膜支撑的石墨烯/铜纳米线复合导电膜，其中所含石墨烯和铜纳米线的重量比为1:0.2。

实施例2：

取125mL实施例1中相同的石墨烯溶液(0.0004mg/mL)，向其中加入1mL实施例1中相同的铜纳米线水合肼分散液(0.01mg/mL)，超声10min使二者充分混匀。经过孔径为0.22μm、直径为25mm的聚碳酸酯膜后，得到聚碳酸酯膜支撑的石墨烯/铜纳米线复合导电膜，其中所含石墨烯和铜纳米线的重量比为1:0.2。

实施例3：

制备方法基本同实施例2，不同之处在于过滤膜采用孔径为0.22μm、直径为25mm的聚四氟乙烯膜。经过超声复合、过滤洗涤后，得到聚四氟乙烯膜支撑的石墨烯/铜纳米线复合导电膜，其中所含石墨烯和铜纳米线的重量比为1:0.2。

实施例4：

制备方法基本同实施例1，不同之处在于铜纳米线水合肼分散液(0.01mg/mL)的用量为3mL。经过超声复合、过滤洗涤后，得到氧化铝膜支撑的石墨烯/铜纳米线复合导电膜，其中所含石墨烯和铜纳米线的重量比为1:0.3。

实施例5：

制备方法基本同实施例1，不同之处在于铜纳米线水合肼分散液(0.01mg/mL)的用量为7mL。经过超声复合、过滤洗涤后，得到氧化铝膜支撑的石墨烯/铜纳米线复合导电膜，其中所含石墨烯和铜纳米线的重量比为1:0.7。

实施例6：

制备方法基本同实施例1，不同之处在于石墨烯分散液浓度为0.01mg/mL，用量为1mL，以及铜纳米线的浓度为0.0012mg/mL，用量为250mL。经过超声复合、过滤洗涤后，得到氧化铝膜支撑的石墨烯/铜纳米线复合导电膜，其中所含石墨烯和铜纳米线的重量比为1:30。

实施例7：

制备方法基本同实施例1，不同之处在于石墨烯分散液浓度为0.01mg/mL，用量为2mL，以及铜纳米线的浓度为0.0012mg/mL，用量为250mL，还在于所用的过滤膜是孔径为0.22μm、直径为47mm的纤维素酯膜。经过超声复合、过滤洗涤后，得到纤维素酯膜支撑的石墨烯/铜纳米线复合导电膜，其中所含石墨烯和铜纳米线的重量比为1:15。

实施例8：

制备方法基本同实施例1，不同之处在于石墨烯分散液浓度为0.01mg/mL，用量为4mL，以及铜纳米线的浓度为0.0012mg/mL，用量为250mL。经过超声复合、过滤洗涤后，得到氧化铝膜支撑的石墨烯/铜纳米线复合导电膜，其中所含石墨烯和铜纳米线的重量比为1:7.5。

实施例9：

制备方法基本同实施例1，不同之处在于石墨烯分散液浓度为0.01mg/mL，用量为7mL，以及铜纳米线的浓度为0.0012mg/mL，用量为250mL。经过超声复合、过滤洗涤后，得到氧化铝膜支撑的石墨烯/铜纳米线复合导电膜，其中所含石墨烯和铜纳米线的重量比为1:4.3。

实施例10：

制备方法基本同实施例1，不同之处在于铜纳米线水合肼分散液改用银纳米线异丙醇分散液（0.01mg/mL），用量为4mL。银纳米线根据文献(Yi Cui,et al.ACS Nano 2010,4,2955.)制备，配成0.01mg/mL的异丙醇溶液。经过超声复合、过滤洗涤后，得到氧化铝膜支撑的石墨烯/银纳米线复合导电膜，其中所含石墨烯和银纳米线的重量比为1:0.4。

实施例11：

制备方法基本同实施例1，不同之处在于铜纳米线水合肼分散液改用银纳米线异丙醇分散液（0.01mg/mL），用量为6mL。经过超声复合、过滤洗涤后，得到氧化铝膜支撑的石墨烯/银纳米线复合导电膜，其中所含石墨烯和银纳米线的重量比为1:0.6。

实施例12：

制备方法基本同实施例1，不同之处在于铜纳米线水合肼分散液改用银纳米线异丙醇分散液（0.0008mg/mL），用量为250mL。不同之处还在于石墨烯分散液的浓度为0.01mg/mL，用量为3mL。经过超声复合、过滤洗涤后，得到氧化铝膜支撑的石墨烯/银纳米线复合导电膜，其中所含石墨烯和银纳米线的重量比为1:6.7。

实施例13：

制备方法基本同实施例1，不同之处在于铜纳米线水合肼分散液改用银纳米线异丙醇分散液（0.0008mg/mL），用量为250mL。不同之处还在于石墨烯分散液的浓度为0.01mg/mL，用量为6mL。经过超声复合、过滤洗涤后，得到氧化铝膜支撑的石墨烯/银纳米线复合导电膜，其中所含石墨烯和银纳米线的重量比为1:3.3。

实施例14：

将实施例1中得到的氧化铝膜支撑的石墨烯/铜纳米线复合导电膜小心置入稀氢氧化钠溶液进行刻蚀，1h后溶液表层漂浮着石墨烯/铜纳米线薄膜，随之将其转移至玻璃上，真空干燥，使石墨烯/铜纳米线膜牢牢地负载到玻璃上。用去离子水浸洗2次，120℃下真空干燥12h后得到玻璃基底的石墨烯/铜纳米线复合的透明导电膜。该膜在550nm处的光透过率为85%，表面方块电阻为3050Ω/□。

实施例15：

将实施例2中得到的聚碳酸酯膜支撑的石墨烯/铜纳米线复合导电膜反面朝上，正面与玻璃接触，置于二氯甲烷蒸汽下进行刻蚀。1h后聚碳酸酯膜溶解，然后再将其在二氯甲烷溶液中浸洗3次，120℃下真空干燥12h后得到玻璃基底的石墨烯/铜纳米线复合透明导电膜。该膜在550nm处光透过率为82%，表面方块电阻为3018Ω。

实施例16：

将实施例3中得到的聚四氟乙烯膜支撑的石墨烯/铜纳米线复合导电膜反面朝上，正面与玻璃接触，再在膜上施加50kg重物5h，然后置于甲醇蒸汽下10min，小心将聚四氟乙烯膜撕去，经120℃下真空干燥12h后得到玻璃基底的石墨烯/铜纳米线复合透明导电膜。该膜在550nm处光透过率为88%，表面方块电阻为4826Ω。

实施例17：

将实施例4中得到的氧化铝膜支撑的石墨烯/铜纳米线复合导电膜小心置入稀氢氧化钠溶液进行刻蚀，1h后溶液表层漂浮着石墨烯/铜纳米线薄膜，随之将其转移至PET上，真空干燥，使石墨烯/铜纳米线膜牢牢地负载到PET上。用去离子水浸洗2次，120℃下真空干燥12h后得到PET基底的石墨烯/铜纳米线复合透明导电膜。该膜在550nm处的光透过率为80%，表面方块电阻为950Ω/□。

实施例18：

制备方法基本同实施例17，不同之处在于氧化铝膜支撑石墨烯/铜纳米线复合导电膜是实施例5所制备得到的。经过刻蚀、转移、浸洗、真空干燥等步骤即可得到石墨烯/铜纳米线复合的PET透明导电膜。该膜在550nm处光透过率为74%，表面方块电阻为540Ω/□。

实施例19：

制备方法基本同实施例17，不同之处在于氧化铝膜支撑石墨烯/铜纳米线复合导电膜是实施例6所制备得到的。经过刻蚀、转移、浸洗、真空干燥等步骤即可得到石墨烯/铜纳米线复合的PET透明导电膜。该膜在550nm处光透过率为88%，表面方块电阻为84Ω/□。

实施例20：

将实施例7中得到的纤维素酯膜支撑的石墨烯/铜纳米线复合导电膜反面朝上，正面与玻璃接触，置于丙酮蒸汽下进行刻蚀。1h后纤维素酯膜溶解，然后再将其在丙酮溶液中浸洗3次，120℃下真空干燥12h后得到玻璃基底的石墨烯/铜纳米线复合透明导电膜。该膜在550nm处光透过率为88%，表面方块电阻为218Ω。

实施例21：

制备方法基本同实施例17，不同之处在于氧化铝膜支撑石墨烯/铜纳米线复合导电膜是实施例8所制备得到的。经过膜过滤、膜刻蚀、转移、浸洗、真空干燥等步骤即可得到PET基底的石墨烯/铜纳米线复合透明导电膜。该膜在550nm处的光透过率为81%，表面方块电阻为28Ω/□。

实施例22：

制备方法基本同实施例17，不同之处在于氧化铝膜支撑石墨烯/铜纳米线复合导电膜是实施例9所制备得到的。经过膜过滤、膜刻蚀、转移、浸洗、真空干燥等步骤即可得到PET基底的石墨烯/铜纳米线复合透明导电膜。该膜在550nm处的光透过率为63%，表面方块电阻为13Ω/□。

实施例23：

制备方法基本同实施例17，不同之处所用的导电膜是实施例10所制备的氧化铝膜支撑石墨烯/银纳米线复合导电膜。经过膜过滤、膜刻蚀、转移、浸洗、真空干燥等步骤即可得到PET基底的石墨烯/银纳米线复合透明导电膜。该膜在550nm处的光透过率为84%，表面方块电阻为570Ω/□。

实施例24：

制备方法基本同实施例17，不同之处所用的导电膜是实施例11所制备的氧化铝膜支撑石墨烯/银纳米线复合导电膜。经过膜过滤、膜刻蚀、转移、浸洗、真空干燥等步骤即可得到PET基底的石墨烯/银纳米线复合透明导电膜。该膜在550nm处的光透过率为78%，表面方块电阻为120Ω/□。

实施例25：

制备方法基本同实施例17，不同之处所用的导电膜是实施例12所制备的氧化铝膜支撑石墨烯/银纳米线复合导电膜。经过膜过滤、膜刻蚀、转移、浸洗、真空干燥等步骤即可得到PET基底的石墨烯/银纳米线复合透明导电膜。该膜在550nm处的光透过率为85%，表面方块电阻为28Ω/□。

实施例26：

制备方法基本同实施例17，不同之处所用的导电膜是实施例13所制备的氧化铝膜支撑石墨烯/银纳米线复合导电膜。经过膜过滤、膜刻蚀、转移、浸洗、真空干燥等步骤即可得到PET基底的石墨烯/银纳米线复合透明导电膜。该膜在550nm处的光透过率为80%，表面方块电阻为9.8Ω/□。

Claims

1.一种复合导电膜，其特征是由石墨烯与金属纳米线溶液复合而成，所述的石墨烯和金属纳米线的重量比为1:0.001~1000。

2.根据权利要求1所述的复合导电膜的材料，其特征是石墨烯和金属纳米线的重量比为1:0.01~100。

3.根据权利要求1所述的复合导电膜的材料，其特征是所述的金属纳米线指铜、银或金的金属纳米线。

4.一种根据权利要求1所述的复合导电膜的制备方法，其特征是通过下述步骤获得：

(1)将石墨烯分散于溶剂中。

(2)将金属纳米线分散于溶剂中。

(3)混合步骤（1）的石墨烯溶液和（2）的金属纳米线溶液，石墨烯和金属纳米线固含量重量比为1:0.001~1000；优选比例为1:0.01~100。

(4)微孔滤膜下过滤步骤（3）的溶液。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征是步骤（1）或（2）中所述的溶剂为水、醇类、酮类、酰胺类、酯类、烷烃类、芳烃类、卤代烃类或卤代芳烃类。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征是步骤（3）中所述的石墨烯和金属纳米线固含量重量比为1:0.01~100。

7.根据权利要求4所述的方法，其特征是步骤（4）中所述的微孔滤膜为氧化铝膜、纤维素酯膜、尼龙膜、聚醚砜膜、聚碳酸酯膜、聚四氟乙烯膜或聚偏氟乙烯膜，微孔直径为0.2~0.8μm。

8.一种如权利要求1所述的复合导电膜用于制备透明导电膜。

9.根据权利要求8所述的复合导电膜的用途，其特征是将权利要求1获得的滤膜材料支撑的复合导电膜过滤物经过蚀刻，蚀掉微孔滤膜后，转移至玻璃或聚合物的透明基底上。

10.根据权利要求9所述的用途，其特征是所述的透明聚合物包括聚烯烃、聚酯、聚酰胺、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚芳醚酮、聚卤代烯烃、聚丙烯酸酯类、环氧树脂、酚醛树脂、聚砜类、不饱和树脂或聚胺酯塑料。

11.根据权利要求10所述的用途，其特征是所述的透明聚合物为对苯二甲酸乙二醇酯、无色透明聚酰亚胺、聚甲基丙烯酸甲酯、聚氯乙烯、聚乙烯，聚丙烯。

12.根据权利要求8的用途，其特征是所述的蚀刻和转移方法，根据权利要求7所述的微孔滤膜的不同而不同：

(1)微孔滤膜为氧化铝滤膜时，将氧化铝膜支撑的复合导电膜小心置于碱液中，待滤膜溶解后，将漂浮在溶液中复合导电膜转移至玻璃或透明聚合物基底上，得到透明导电膜；所述的碱液为氢氧化钠或氢氧化钾溶液，浓度范围0.0001～10M；

(2)微孔滤膜为无氟聚合物滤膜时，将聚合物滤膜支撑的复合导电材料导电膜面铺展在玻璃或透明聚合物基底上，置于溶剂蒸汽中，待上层的滤膜溶解蚀刻后，溶剂小心洗涤透明导电膜；所述的溶剂优选丙酮或二氯甲烷；

(3)微孔滤膜为含氟聚合物时，将导电膜面铺展在选用的透明基底上，置于醇类溶剂蒸汽中，待膜层充分湿润后，撕去滤膜，得到透明导电膜；所述的醇类溶剂优选甲醇或乙醇。