CN103404040B

CN103404040B - 高频开关模块

Info

Publication number: CN103404040B
Application number: CN201280011731.5A
Authority: CN
Inventors: 上嶋孝纪
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2011-03-04
Filing date: 2012-02-27
Publication date: 2016-05-04
Anticipated expiration: 2032-02-27
Also published as: DE112012001091T5; WO2012121037A1; JP5837045B2; DE112012001091B4; JPWO2012121037A1; CN103404040A; US20130309984A1; KR20130121929A; JP2015092752A; KR101526235B1; US9065506B2

Abstract

本发明的目的在于提供一种高频开关模块，在该高频开关模块中，连接在开关元件（11）的独立端口（ＰＩＣ11）和高频开关模块（10）之间的低通滤波器（12）能使输入到第1发送信号输入端子（ＰｔｘＬ）的发送信号的二次谐波和三次谐波衰减。适当地设定构成低通滤波器（12）的电感器（ＧＬｔ1，ＧＬｔ2）、电容器（ＧＣｃ1，ＧＣｃ2，ＧＣｕ1，ＧＣｕ2，ＧＣｕ3）的元器件值，使得在第1发送信号输入端子（ＰｔｘＬ）侧端部（Ｅ12Ｐ），因功率放大器而产生的高次谐波信号Ｓｈ（ＰＡ）的相位、与因开关元件（11）的失真而产生的高次谐波信号Ｓ（ｓｗ）经低通滤波器（12）发生相位反转后得到的高次谐波信号Ｓ（ｓｗ180）的相位相差180°。

Description

高频开关模块

技术领域

本发明涉及利用共用天线来接收/发送多个通信信号的高频开关模块。

背景技术

以往，已设计出了使用共用天线对利用了各不相同的频带的多个通信信号来进行发送/接收的各种高频开关模块。上述高频开关模块利用由FET等半导体构成的开关元件来切换各通信信号，或切换一种通信信号的发送信号和接收信号。

在使用上述开关元件的情况下，若向开关元件输入诸如发送信号那样的高功率的信号，则开关元件可能会发生失真，而产生频率为发送信号的基频的2倍的二次谐波和频率为发送信号的基频的3倍的三次谐波等高次谐波。由上述开关元件所产生的高次谐波会通过开关元件的所有端子被输出到外部。对于向发送信号的输入电路侧输出的高次谐波，可能会被与开关元件的发送信号输入电路侧相连接的滤波器反射，而再次传输到开关元件，从而从天线发射。

因此，在专利文献1中，在开关元件与发送信号输入电路的低通滤波器之间连接有移相器。利用该结构，使得从开关元件直接输出到天线的高次谐波信号、与经低通滤波器反射而通过开关ＩＣ后再向天线侧输出的高次谐波信号的相位相差180°，由此来抵消上述高次谐波信号。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2004－173243号公报

发明内容

发明所要解决的问题

然而，在专利文献1所示的结构中，必须在开关元件与低通滤波器之间设置移相器的，因而，高频开关模块的结构要素增多，会导致大型化。另外，移相器是根据构成该移相器的电极长度来决定所能改变的相位量，因此，必须高精度地形成电极图案。与此相反地，若电极图案的形成精度较低，则会使高次谐波信号衰减的效果会大幅下降。

因而，本发明的目的在于实现一种高频模块，该高频模块中不采用用于使高次谐波信号衰减的追加构成要素，就能够更为可靠地使从天线发射出的高次谐波信号衰减。

解决技术问题所采用的技术方案

本发明涉及高频开关模块。该高频开关模块包括开关元件、发送信号用的滤波电路。开关元件对与高频开关模块的发送信号输入端子相连接的第1独立端口、以及与高频开关模块的接收输出端子相连接的第2独立端口进行切换，以使其中的任意一个端口与共用端口相连接，上述共用端口是与高频开关模块的天线连接端子相连接的端口。滤波电路包括串联连接在发送信号输入端子和第1独立端口之间的电感器，使发送信号的高次谐波信号衰减。而且，滤波电路采用以下电路结构：即，使得在滤波电路的发送信号输入端子侧的端部，因开关元件的失真而产生的失真高次谐波信号的相位与发送信号的高次谐波信号的相位相差180°。

在上述结构中，从发送信号输入端子的前级即ＰＡ（功率放大器）输入的发送信号的高次谐波信号、与因发送信号而产生的开关元件的失真高次谐波信号具有相同的频率，因此，上述高次谐波信号在滤波电路的发送信号输入端子侧的端部，因具有180°的相位关系而会相互抵消。此外，即使此时失真高次谐波信号与发送信号的高次谐波信号并未完全抵消，由于滤波电路具有能使高次谐波信号衰减的特性，因此，能够可靠地使从滤波电路的发送信号输入端子侧的端部向开关元件侧传输的高次谐波信号发生衰减。

另外，本发明的高频开关模块中，优选滤波器中，从第1独立端口侧的端部到发送信号输入端子侧的端部的电长度为高次谐波信号及失真高次谐波信号的波长的1／2。

在该结构中，通过将滤波电路的电长度设为高次谐波信号及失真高次谐波信号的波长的1／2，从而能够实现上述相位关系。

此外，优选本发明的高频开关模块具有以下结构。电感器由串联连接在发送信号输入端子和第1独立端口之间的第1电感器和第2电感器来构成。滤波电路由具备第1电感器的第1低通滤波器、以及具备第2电感器的第2低通滤波器来构成。在采用上述结构的基础上，从第1独立端口侧的端部到发送信号输入端子侧的端部的电长度为高次谐波信号及失真高次谐波信号中的两次谐波信号的波长的1／2。滤波电路形成为以下电路结构：即，在第1低通滤波器和第2低通滤波器的连接点上，高次谐波信号中的三次谐波信号的相位与失真高次谐波信号中的三次谐波信号的相位相差180°。

在该结构中，在滤波电路的发送信号输入端子侧的端部，两次谐波信号相互抵消，在滤波器内的规定位置上，三次谐波信号相互抵消。由此，在多种高次谐波信号中，不仅能使级数最高的两次谐波信号发生衰减，还能使级数次高的三次谐波信号发生衰减。

另外，在本发明的高频开关模块中，优选滤波电路包括电容器，该电容器的一端与电感器的至少一端相连接，电容器的另一端接地。

在该结构中，无需改变电感器的电感，就能增加相位的旋转量。即，该结构能够缩短线状电极的电极长度（沿信号传输路径的实际的电极长度），上述线状电极构成与用于使高次谐波信号的相位旋转180°的信号线串联连接的电感器。由此，能够减小电感器的损耗，能够改善滤波器的Ｑ值。通过追加该电容器，还能调整并改善滤波电路的衰减特征。

此外，本发明的高频开关模块优选采用以下结构。具备：安装型的ＦＥＴ开关，该安装型的ＦＥＴ开关用于实现开关元件；以及层叠体，该层叠体通过层叠多层介质层来构成，且具有形成电感器的内层电极图案，并安装有ＦＥＴ开关。对形成电感器的内层电极图案进行配置，从而沿着层叠方向，将其夹持在分别形成于不同的介质层上的两层内层接地电极之间。

在该结构中，能够减小由外部对电感器所产生的电磁干扰。

在本发明的高频开关模块中，优选将电感器形成为螺旋形状或回旋现状。

在本结构中，构成电感器的线状电极之间会发生磁场耦合，能够以更短的电极长度来实现180°的相位旋转。由此，能够减小电感器的损耗，能够改善滤波器的Ｑ值。

发明效果

根据本发明，无需设置如现有技术的移相器那样的追加电路，就能够使因开关元件而产生并向发送电路侧传输的失真高次谐波信号发生衰减，能够防止该高次谐波信号返回开关元件并从天线射出。

附图说明

图1是本发明的实施方式所涉及的高频开关模块10的电路图。

图2用于说明利用本发明的结构来使失真高次谐波信号衰减的概念，即是用于说明利用本发明的结构所起到的作用的图。

图3是高频开关模块10的外观立体图。

图4是高频开关模块10的层叠图。

具体实施方式

参照附图来说明本发明的实施方式所涉及的高频开关模块10。图1是本实施方式所涉及的高频开关模块10的电路图。

高频开关模块10包括开关元件11，低通滤波器12、13，ＳＡＷ双工器14、15，及天线侧匹配电路20。

开关元件11由ＦＥＴ等半导体开关形成。开关元件11包括单一的共用端口ＰＩＣ0，9个独立端口ＰＩＣ11－ＰＩＣ19，1个电源输入端口ＰＩＣｖ0，4个控制***信号输入端口ＰＩＣｖ1－ＰＩＣｖ4，以及接地端口ＰＩＣｇ。

接地端口ＰＩＣｇ接地。对电源输入端口ＰＩＣｖ0施加用于使开关元件11工作的直流的驱动电压，分别向控制***信号输入端口ＰＩＣｖ1－ＰＩＣｖ4输入由高电平或低电平构成的控制信号。

开关元件11在直流的驱动电压下工作，根据由四种控制信号的高电平和低电平所构成的组合，来对独立端口ＰＩＣ11－ＰＩＣ19进行切换，使其中的任一个独立端口与共用端口ＰＩＣ0相连接。

共用端口ＰＩＣ0通过天线侧匹配电路20来与作为高频开关模块10的天线连接端子Ｐａｎ相连接。该天线连接端子Ｐａｎ与天线ＡＮＴ相连接。

天线侧匹配电路20包括串联连接在天线连接端子Pan与共用端口PIC0之间的电感器L2。电感器L2的天线连接端子Pan侧的端部经由电容器C1接地。电感器L2的共用端口ＰＩＣ0侧的端部经由电感器Ｌ1接地。天线侧匹配电路20对开关元件11和天线ＡＮＴ之间进行阻抗匹配，并起到作为ＥＳＤ电路的作用，上述ＥＳＤ电路用于当有静电从天线ＡＮＴ输入时，保护开关元件11和与其独立端口侧相连接的电路。

独立端口ＰＩＣ11通过相当于本发明的滤波电路的低通滤波器12来与高频开关模块10的第1发送信号输入端子ＰｔｘＬ相连接。该第1发送信号输入端子ＰｔｘＬ在发送信号的传输***中与前级的功率放大器ＰＡ相连接。

低通滤波器12包括串联连接在独立端口ＰＩＣ11和第1发送信号输入端子ＰｔｘＬ之间的电感器ＧＬｔ1和电感器ＧＬｔ2。电感器GLt1与电容器GCc1并联连接。电感器ＧＬt1的独立端口ＰＩＣ11侧的端部经由电容器ＧＣｕ1接地。

电感器ＧＬｔ1与电感器ＧＬｔ2的连接点通过电容器ＧＣｕ2接地。电感器GLt2与电容器GCc2并联连接。电感器ＧＬt2的第1发送信号输入端子ＰｔｘＬ侧的端部经由电容器ＧＣｕ3接地。

低通滤波器12是将从第1发送信号输入端子ＰｔｘＬ输入的发送信号（例如ＧＳＭ850发送信号、ＧＳＭ900发送信号）的二次谐波的频率和三次谐波的频率设为衰减频带、且将发送信号的基频设为通过频带的滤波器。更具体而言，第1低通滤波器采用以下结构：即，通过适当地设定电感器ＧＬｔ1、电容器ＧＣｃ1、ＧＣｕ1、ＧＣｕ2的各元器件值，来将发送信号的二次谐波信号的频率设为衰减极，将发送信号的基频设为通过频带。第2低通滤波器采用以下结构：即，通过适当地设定电感器ＧＬｔ2、电容器ＧＣｃ2、ＧＣｕ3、ＧＣｕ2的各元器件值，来将发送信号的三次谐波信号的频率设为衰减极，将发送信号的基频设为通过频带。

另外，尽管后文中将阐述具体概念及作用，但是低通滤波器12对各元器件值进行设定，使得在第1发送信号输入端子ＰｔｘＬ侧的端部，与从独立端口ＰＩＣ11侧输入的发送信号的二次谐波具有相同频率的失真高次谐波信号的相位成为与从第1发送信号输入端子ＰｔｘL输入的二次谐波信号的相位相差180°的状态。由此，在低通滤波器12的第1发送信号输入端子ＰｔｘＬ侧的端部，发送信号的二次谐波信号会与失真高次谐波信号相抵消。

低通滤波器13包括串联连接在独立端口ＰＩＣ12和第2发送信号输入端子ＰｔｘＨ之间的电感器ＤＬｔ1和电感器ＤＬｔ2。电感器DLt1与电容器DCc1并联连接。

电感器ＤＬｔ1与电感器ＤＬｔ2的连接点通过电容器ＤＣｕ2接地。电感器ＤＬt2的第2发送信号输入端子ＰｔｘＨ侧的端部经由电容器ＤＣｕ3接地。

低通滤波器13是将从第2发送信号输入端子ＰｔｘＨ输入的发送信号（例如ＧＳＭ800发送信号、ＧＳＭ1900发送信号）的二次谐波的频率设为衰减频带、且将发送信号的基频设为通过频带的滤波器。更具体而言，第3低通滤波器采用以下结构：即，通过适当地设定电感器ＤＬｔ1、电容器ＤＣｃ1、ＤＣｕ2的各元器件值，来将发送信号的二次谐波信号的频率设为衰减极，将发送信号的基频设为通过频带。第4低通滤波器采用以下结构：即，通过适当地设定电感器ＤＬｔ2、电容器ＤＣｕ3、ＤＣｕ2的各元器件值，来将发送信号的三次谐波信号的频率设为衰减频带。此外，在本实施方式中，第1低通滤波器和第3低通滤波器相当于本发明所示的第1低通滤波器，第2低通滤波器和第4低通滤波器相当于本发明所示的第2低通滤波器。

独立端口ＰＩＣ13与ＳＡＷ双工器14的ＳＡＷ滤波器ＳＡＷ1的不平衡端子相连接。ＳＡＷ滤波器ＳＡＷ1具有不平衡－平衡转换功能，平衡端子与高频开关模块10的第1接收信号输出端子ＰｒｘＬ1相连接。ＳＡＷ滤波器ＳＡＷ1是将第1接收信号（例如ＧＳＭ850接收信号）的频带设为通过频带的滤波器。

独立端口ＰＩＣ14与ＳＡＷ双工器14的ＳＡＷ滤波器ＳＡＷ2的不平衡端子相连接。ＳＡＷ滤波器ＳＡＷ2具有不平衡－平衡转换功能，其平衡端子与高频开关模块10的第2接收信号输出端子ＰｒｘＬ2相连接。ＳＡＷ滤波器ＳＡＷ2是将第2接收信号（例如ＧＳＭ900接收信号）的频带设为通过频带的滤波器。

独立端口ＰＩＣ15与ＳＡＷ双工器15的ＳＡＷ滤波器ＳＡＷ3的不平衡端子相连接。ＳＡＷ滤波器ＳＡＷ3具有不平衡－平衡转换功能，其平衡端子与高频开关模块10的第3接收信号输出端子ＰｒｘＨ1相连接。ＳＡＷ滤波器ＳＡＷ3是将第3接收信号（例如ＧＳＭ1800接收信号）的频带设为通过频带的滤波器。

独立端口ＰＩＣ16与ＳＡＷ双工器15的ＳＡＷ滤波器ＳＡＷ4的不平衡端子相连接。ＳＡＷ滤波器ＳＡＷ4具有不平衡－平衡转换功能，其平衡端子与高频开关模块10的第4接收信号输出端子ＰｒｘＨ2相连接。ＳＡＷ滤波器ＳＡＷ4是将第4接收信号（例如ＧＳＭ1900接收信号）的频带设为通过频带的滤波器。

独立端口ＰＩＣ17与高频开关模块10的第1接收发送兼用端子Ｐｕ1相连接，独立端口ＰＩＣ18与高频开关模块10的第2接收发送兼用端子Ｐｕ2相连接，独立端口ＰＩＣ19与高频开关模块10的第3接收发送兼用端子Ｐｕ3相连接。此外，也能省略上述接收发送兼用端子Ｐｕ1、Ｐｕ2、Ｐｕ3，以及独立端口ＰＩＣ17、ＰＩＣ18、ＰＩＣ19。此外，也能省略独立端口ＰＩＣ12、ＰＩＣ15、ＰＩＣ16，以及与该端口相连接的各电路。

若从第1发送信号输入端子ＰｔｘＬ向采用上述结构的高频开关模块10输入高功率的发送信号，则根据该发送信号的基频分量的不同，开关元件11会发生失真，会产生基频的正整数倍的高次谐波信号，并从开关元件11的各端口输出。特别是由频率为基频的两倍的频率所构成的两次谐波信号的功率较高。因而，下文中示出了使两次谐波信号衰减的结构。此外，对于任何高次谐波信号，都能利用该结构来使失真高次谐波信号发生衰减。

此处，在输入发送信号时，共用端口ＰＩＣ0与输入发送信号的独立端口ＰＩＣ11相连接，因此，若在开关元件11中产生、且从独立端口ＰＩＣ11输出的失真高次谐波信号在低通滤波器12的开关端子11侧的端部被反射，而返回开关元件11，则该失真高次谐波信号也会被传输到天线ＡＮＴ。然而，通过使用本申请的结构，则能够使返回开关元件11的上述失真高次谐波信号衰减。

图2用于说明利用本发明的结构来使失真高次谐波信号衰减的概念，即是用于说明利用本发明的结构所起到的作用的图。图2（Ａ）是表示低通滤波器12附近的传输线路中各高次谐波信号的相位状态等的图。图2（Ｂ）是表示低通滤波器12的第1发送信号输入端子ＰｔｘＬ侧端部中发送信号的高次谐波信号Ｓｈ（ＰＡ）的时间波形的图，图2（Ｃ）是表示低通滤波器12的第1发送信号输入端子ＰｔｘＬ侧端部中失真高次谐波信号Ｓｈ（ｓｗ180）的时间波形的图。图2（Ｄ）是表示由低通滤波器12的第1发送信号输入端子ＰｔｘＬ侧端部中发送信号的高次谐波信号Ｓｈ（ＰＡ）和失真高次谐波信号Ｓｈ（ｓｗ180）合成后得到的合成波信号的时间波形的图。

从第1发送信号输入端子ＰｔｘＬ侧端部Ｅ12Ｐ向低通滤波器12输入发送信号。此时，从第1发送信号输入端子ＰｔｘＬ侧端部Ｅ12Ｐ向低通滤波器12输入伴随着功率放大器（ＰＡ）的放大处理而生成的高次谐波信号Ｓｈ（ＰＡ），并输入基频信号。

另一方面，如上所述，从开关元件11的独立端口ＰＩＣ11侧的端部Ｅ12Ｓ向低通滤波器12输入与发送信号的两次谐波具有相同频率的失真高次谐波信号Ｓｈ（ｓｗ）。

此处，以如下方式构成高频开关模块10：即，相对于发送信号的基频信号，低通滤波器12的电长度、及连接低通滤波器12的开关元件侧端部Ｅ12Ｓ和开关元件11的独立端口ＰＩＣ11的传输线路的电长度都远小于基频信号的波长。此处，所谓电长度是指以高频信号的相位偏移量为基准来表示从高频电路的特定点（第1点）起到其它特定点（第2点）为止的传输路径的长度，而并非以物理上的长度进行表示。

通过采用上述结构，从独立端口ＰＩＣ11输出的失真高次谐波信号Ｓｈ（ｓｗ）的相位，与从输入到低通滤波器12的第1发送信号输入端子ＰｔｘＬ侧的端部Ｅ12Ｐ的高次谐波信号Ｓｈ（ＰＡ）大致为相同相位。

然后，若将高频开关模块10构成为使连接低通滤波器12的开关元件侧端部Ｅ12Ｓ和开关元件11的独立端口ＰＩＣ11的传输线路的电长度远小于二次谐波信号的波长，则从独立端口ＰＩＣ11输出的失真高次谐波信号Ｓｈ（ｓｗ）会几乎不发生相位偏移，而输入到低通滤波器12的开关元件侧端部Ｅ12Ｓ。

此处，调整低通滤波器12的电感器ＧＬｔ1，ＧＬｔ2、及电容器ＧＣｕ1，ＧＣｕ2，ＧＣｕ3，以使失真高次谐波Ｓｈ（ｗｅ）的相位旋转180°。该调整能如后文所述那样地实现：即，例如利用层叠体来形成高频开关模块10，并适当地进行调整来形成内层的线状电极和平板电极的形状、位置关系，从而能实现上述相位调整。

由此，开关元件侧端部Ｅ12Ｓ中失真高次谐波信号Ｓｈ（ｓｗ）的相位会经低通滤波器12而旋转180°，并在第1发送信号输入端子ＰｔｘＬ侧端部Ｅ12Ｐ成为相位反转失真高次谐波信号Ｓｈ（ｓｗ180）。

由此，若在低通滤波器12的第1发送信号输入端子ＰｔｘＬ侧端部Ｅ12Ｐ，来自ＰＡ的高次谐波信号Ｓｈ（ＰＡ）成为图2（Ｂ）所示的时间波形，则相位反转失真高次谐波信号Ｓｈ（ｓｗ180）会如图2（Ｃ）所示那样，成为与高次谐波信号Ｓｈ（ＰＡ）具有相反相位的时间波形。因而，上述高次谐波信号Ｓｈ（ＰＡ）与相位反转失真高次谐波信号Ｓｈ（sw180）会相互抵消，如图2（Ｄ）所示那样，会成为几乎不存在高次谐波信号的状态。

如上所述，若采用本实施方式的结构，则能使从开关元件11向发送电路侧输出的失真高次谐波信号衰减。由此，能够使返回到开关元件11并向天线ＡＮＴ传输的失真高次谐波信号衰减。此时，不再需要用于使失真高次谐波信号衰减的追加电路，因此，相比于现有技术，能够实现小型化、且由所需的最低限度的构成要素所构成的高频开关模块。

另外，上述说明中，示出了在第1发送信号输入端子ＰｔｘＬ侧端部Ｅ12Ｐ、高次谐波信号Ｓｈ（ＰＡ）和相位反转失真高次谐波信号Ｓｈ（ｓｗ180）以完全相反的相位来相互抵消的情况。然而，由于在第1发送信号输入端子ＰｔｘＬ侧端部Ｅ12Ｐ的开关元件11侧（天线ＡＮＴ侧），使高次谐波信号衰减的低通滤波器12接地，因此，即使上述高次谐波信号的相位会稍许偏离180°，也能获得足够的衰减效果。

另外，在上述说明中，尽管对连接低通滤波器12的开关元件侧端部Ｅ12Ｓ和开关元件11的独立端口ＰＩＣ11的传输线路的电长度进行设定，使其远小于二次谐波信号的波长，但是，在考虑该传输线路的电长度的基础上，还能设定低通滤波器12的各电路元器件值，以使得在开关元件11的独立端口ＰＩＣ11和低通滤波器12的第1发送信号输入端子ＰｔｘＬ侧端部Ｅ12Ｐ之间，高次谐波信号的相位旋转180°。

另外，在上述说明中，示出了使用所谓的并联连接的电容器来将电感器ＧＬｔ1，ＧＬｔ2的端部接地的情况，但也能省略上述电容器。在这种情况下，只要通过调整电感器，例如调整形成电感器ＧＬｔ1，ＧＬｔ2的电极的电长度等，由此使高次谐波信号的相位旋转180°即可。但是，通过使用上述并联的电容器，从而能使该电容器具有相位旋转效果，因此，能将电感器ＧＬｔ1，ＧＬｔ2形成得较短。由此，能减小低通滤波器12的传输损耗，还能改善滤波器的Ｑ值。而且，通过使用并联的电容器，由此还能调整衰减极，更易于实现所希望的衰减特性的低通滤波器。

由上述电路结构构成的高频开关模块10能如下所示那样地使用层叠体来实现。图3是高频开关模块10的外观立体图。图4是高频开关模块10的层叠图。

高频开关模块10包括层叠有多层介质层而得到的层叠体101。如图4所示那样，构成层叠体101的各介质层上分别形成有规定的电极图案，不同的介质层上的电极图案之间是通过图4的圆形图标所示的导电性通孔来导通的。

层叠体101的外形为矩形形状，在其顶面上的规定位置安装有用于实现上述开关元件11的安装型ＦＥＴ开关、以及分别实现ＳＡＷ双工器14、15的安装型元件。此外，层叠体101的顶面上，安装有实现电感器L1、L3的贴片电感器元件。

在层叠体101的顶面上，以覆盖上述安装型元件的方式而形成有由绝缘性树脂构成的保护层102。

从层叠体101的最上层起，按照介质层ＰＬ1、ＰＬ2的顺序进行层叠，其最下层是介质层ＰＬ14。在介质层ＰＬ1的上表面上形成有用于安装上述各安装型元件的连接盘电极图案。在介质层ＰＬ2、ＰＬ3、ＰＬ4上形成有走线用的线状电极。

介质层PL5的大致整个面上形成有内层接地电极GNDi。介质层ＰＬ6上形成有构成电容器ＧＣｕ1、ＧＣｕ3的平板电极。

在介质层PL7、PL8、ＰＬ9、ＰＬ10上形成有构成电感器GLt1、GLt2、DLt1、DLt2、L2、L4、L5的线状电极。

电感器GLt1、GLt2、L2、L4、L5是连续形成于介质层PL7、PL8、ＰＬ9、ＰＬ10上、且以层叠方向作为轴方向的螺旋形的线圈。电感器DLt1、DLt2是连续形成在介质层PL7、PL8、ＰＬ9上、且以层叠方向作为轴方向的螺旋形的线圈。通过以上述螺旋形状来形成电感器，从而使得在各电感器中，构成该电感器的各介质层上的线状电极相互会发生磁场耦合，因而，与采用不发生磁场耦合的形状相比，能以较短的电长度来获得相同的相位旋转量。由此，能使电感器小型化，并进一步使层叠体101小型化。此外，在本实施方式中示出了螺旋形状的示例，但是也能将电感器形成为回旋形状（涡状）。

介质层ＰＬ11上形成有构成电容器ＧＣｃ1、ＧＣｃ2、ＤＣｃ1的平板电极。介质层PL11上形成有内层接地电极GNDi。介质层ＰＬ12上形成有构成电容器ＧＣｕ2、ＤＣｕ1、ＤＣｕ3、Ｃ1的平板电极。

介质层PL13的大致整个面上形成有内层接地电极GNDi。介质层ＰＬ14是对应于层叠体101底部的层，在底面侧排列形成有用于将高频开关模块10（层叠体101）与外部电路相连接的外部连接用电极。

通过形成如上所述的层叠体101，从而能在大致整个面上形成有内层接地电极GNDi的介质层之间，夹持有形成了构成电感器ＧＬｔ1，ＧＬｔ2，ＤＬｔ1，ＤＬｔ2，Ｌ2，Ｌ4，Ｌ5的线状电极的介质层。由此，能够抑制构成电感器ＧＬｔ1，ＧＬｔ2，ＤＬｔ1，ＤＬｔ2，Ｌ2，Ｌ4，Ｌ5的线状电极受到外部电磁场的影响。由此，能够实现更为正确的相位旋转作用。

此外，如上所述，通过在大致整个面上形成有内层接地电极GNDi的介质层之间，按照形成有电容器的介质层、形成有电感器的介质层、形成有电感器的介质层的顺序，来形成各介质层，从而能够利用电容器电极来抑制因电感器而产生的电磁场的扩散，能够进一步地减小上述外部电磁场对电感器所产生的影响。而且，通过在相邻的介质层上形成有电路上连接点较多的电容器和电感器，从而能够缩短走线长度，并抑制寄生分量的产生，能够提高特性并使电极图案的设计变得容易。

此外，在上述说明中，举例示出了在低通滤波器12的第1发送信号输入端子ＰｔｘＬ侧端部Ｅ12Ｐ来抵消二次谐波信号的示例，但是还能够通过调整构成低通滤波器12的电感器ＧＬｔ1，ＧＬｔ2的电感、以及电容器ＧＣｕ1，ＧＣｕ2，ＧＣｕ3的电容，从而使得在例如低通滤波器12的电感器ＧＬｔ1、ＧＬｔ2的连接点上，因功率放大器而产生的三次谐波信号的相位与因开关元件11的失真而产生的三次谐波信号的相位相差180°。由此，能够实现同时抵消因开关元件11而产生的两种高次谐波信号（二次谐波信号和三次谐波信号）的高频开关模块。此时，对于三次谐波信号，利用低通滤波器12的第1发送信号输入端子ＰｔｘＬ侧的低通滤波器，来使因功率放大器而产生的三次谐波信号发生一定程度的衰减，因此，只要因功率放大器而产生的三次谐波信号与因失真产生的三次谐波信号的相位不是相同的相位，则即使因功率放大器而产生的三次谐波信号与因功率放大器而产生的三次谐波信号之间的相位差在一定程度上偏离180°，但仍然能够获得充分的抵消三次谐波信号的效果。

附图标记

10：10：高频开关模块

11：开关元件

12、13：低通滤波器

14、15：ＳＡＷ双工器

20：天线侧匹配电路

101：层叠体

102：保护层

Claims

1.一种高频开关模块，其特征在于，包括：

开关元件，该开关元件对与所述高频开关模块的发送信号输入端子相连接的第1独立端口、以及与所述高频开关模块的接收输出端子相连接的第2独立端口进行切换，以使其中的任意一个端口与共用端口相连接，所述共用端口是与所述高频开关模块的天线连接端子相连接的端口；以及

滤波电路，该滤波电路包括串联连接在所述发送信号输入端子和所述第1独立端口之间的电感器，且使发送信号的高次谐波信号衰减，

当利用所述开关元件将所述共用端口和所述第1独立端口相连接时，所述滤波电路采用以下电路结构：即，使得在所述滤波电路的所述发送信号输入端子侧的端部，因所述开关元件的失真而产生的失真高次谐波信号的相位与所述发送信号的高次谐波信号的相位相差180°，由此在所述滤波电路的所述发送信号输入端子侧的端部使得输入至所述开关元件的所述发送信号的高次谐波信号衰减。

2.如权利要求1所述的高频开关模块，其特征在于，

所述滤波电路的从所述第1独立端口侧的端部到所述发送信号输入端子侧的端部的电长度是所述高次谐波信号及所述失真高次谐波信号的波长的1/2。

3.如权利要求2所述的高频开关模块，其特征在于，

所述电感器由串联连接在所述发送信号输入端子和所述第1独立端口之间的第1电感器和第2电感器来构成，

所述滤波电路由具备所述第1电感器的第1低通滤波器、以及具备所述第2电感器的第2低通滤波器来构成，

从所述第1独立端口侧的端部到所述发送信号输入端子侧的端部的电长度是所述高次谐波信号及所述失真高次谐波信号中的二次谐波信号的波长的1/2，

将所述滤波电路形成为以下结构：即，在所述第1低通滤波器和所述第2低通滤波器的连接点上，所述高次谐波信号中的三次谐波信号的相位与所述失真高次谐波信号中的三次谐波信号的相位相差180°。

4.如权利要求1至权利要求3中的任一项所述的高频开关模块，其特征在于，

所述滤波电路具备电容器，该电容器的一端与所述电感器的至少一端相连接，该电容器的另一端接地。

5.如权利要求1至权利要求3中的任一项所述的高频开关模块，其特征在于，包括：

安装型的FET开关，该安装型的FET开关用于实现所述开关元件；以及

层叠体，该层叠体通过层叠多层介质层来构成，具有形成所述电感器的内层电极图案，并安装有所述FET开关，

对形成所述电感器的内层电极图案进行配置，从而沿着层叠方向，将其夹持在分别形成于不同的介质层上的两层内层接地电极之间。

6.如权利要求5所述的高频开关模块，其特征在于，

将所述电感器形成为盘旋形状或回旋形状。