CN103403911A - 用于有机发光二极管的光提取基材 - Google Patents

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Abstract

光提取基材包括具有第一表面和第二表面的玻璃基材。第一光提取区域可以限定在该第一表面上和/或与其相邻。第一光提取区域包含纳米颗粒。第二光提取区域可以限定该第二表面的至少一部分上。该第二光提取区域的表面粗糙度为至少10nm。

Description

用于有机发光二极管的光提取基材
相关申请的交叉引用
本申请要求2011年2月8日提交的美国临时申请第61/440,588号的优先权，该文献的全部内容在此通过引用纳入。
发明背景
发明领域
本发明总体涉及有机发光二极管、太阳能或光伏(PV)电池、采光窗，更具体来说，涉及具有提高的光散射性基材以用于改进的光应用。
技术考量
有机发光二极管(OLED)一种具有含有有机化合物的发光性电致发光层的发光器件。有机化合物响应于电流而发光。典型地，有机半导体材料的发光性层位于两个电极(阳极和阴极)之间。当电流在阳极和阴极之间通过时，有机材料发光。OLED用于各种应用，例如电视屏幕、计算机监视器、移动电话、PDA、手表、照明、和各种其它电子器件。
OLED提供优于常规无机器件例如液晶显示器的许多优点。例如，OLED无需背光就能运行。在低环境光例如暗室中，OLED屏幕可以达到比常规液晶显示器高的对比度。OLED也比液晶显示器和其他发光器件更薄、更轻、并且更具柔性。OLED运行所需的能量也更低。
然而，OLED器件的一个缺点是，与基于固体的无机点光源相比，它们典型地在每单位面积发射较少的光。在典型的OLED发光器件中，从有机材料发出的光的约80%由于光波导效应而被捕获在器件中，在光波导效应中，从有机发光层发出的光在有机发光层/导电层(阴极)的界面、导电层(阴极)/基材的界面、和基材的外表面被反射回。只有约20%的从有机材料发出的光逃脱光波导效应并由器件发出。因此，有利的是提供一种器件和/或方法以比常规方法能够实现的相比从OLED器件提取更多的光。
光伏太阳能电池原则上是发光二极管的对应物。这里，半导体器件吸收光能(光子)并将该光能转换成电能。与OLED类似，光伏器件的效率也相对较低。在模型级别，例如，仅至多20%的入射光被典型地转换成电能。在一类光伏器件中，即薄膜PV电池，该效应可以低至6-7%，这取决于半导体材料和连接设计。提高光伏器件效率的一种方式是提高在光伏半导体接头附近吸收的阳光的比例。因此，本发明在太阳能电池领域也有可用之处。
发明概述
光提取基材包含具有第一表面和第二表面的玻璃基材。该光提取基材包含第一光提取区域和/或第二光提取区域。该第一光提取区域，如存在，限定在该第一表面上和/或与其相邻。该第一光提取区域可以包含结合到所述基材中的距该第一表面一定距离的纳米颗粒。该第二光提取区域，如存在，可以限定在所述第二表面的至少一部分上。该第二光提取区域的粗糙度可以为至少10nm。
光提取基材包含具有第一表面和第二表面的玻璃基材。第一光提取区域限定在该第一表面上和/或与其相邻。该第一光提取区域包含结合到所述基材中的距该第一表面一定距离的纳米颗粒。第二光提取区域限定在该第二表面的至少一分部上。该第二光提取区域的表面粗糙度为至少10nm。
制造光提取基材例如具有第一表面和第二表面的玻璃基材的方法，包括形成在该第一表面上和/或与其相邻的第一光提取区域。该第一光提取区域通过以下方式形成：加热基材至足以软化第一表面的温度，然后引导或推进纳米颗粒至第一表面使得至少一部分的纳米颗粒穿透该第一表面。第二光提取区域形成在该第二表面的至少一分部上。第二光提取区域可以为例如涂层或纹理化图案。第二光提取区域的表面粗糙度为至少10nm。
附图简述
图1是含有本发明的基材的OLED器件的侧截面图(未按比例)。
优选实施方式的说明
本文使用的空间或方向术语，例如“左”、“右”、“内”、“外”、“上”、“下”等以其附图中所示而与本发明相关。然而，应理解，本发明可以具有任何另外的定向，因此，此类术语不应视作限制。此外，本文使用的表达尺寸、物理特性、加工参数、成分含量、反应条件等的在说明书和权利要求书中的所有数值应理解为在所有情况下均被术语“约”修饰。因此，除非有相反说明，以下说明书和权利要求书中给出的数值可根据本发明寻求的期望性质改变。最起码，并且不试图限制将等同原则应用到权利要求的范围，每个数值至少应根据所报的有效数字的数量和应用普通的舍入技术分析。此外，本文所公开的所有范围应理解为包括开始和结束的端值，以及纳入其中的任何及所有的子范围。例如，所说的范围“1到10”应视为包括任何和所有的在最小值1和最大值10之间(以及包括)的子范围；即，所有以最小值1或更大值开始，并且以最大值10或更小值结束的子范围，例如，1到3.3、4.7到7.5、5.5到10等。此外，本文引用的所有文件，例如但不限于，颁布的专利和专利申请，应视为以其全部内容纳入本文。对量的任何说明，除非另有说明，均以“重量百分比”计。
为了以下讨论的目的，本发明将参考常规OLED器件进行讨论。然而，应理解的是，本发明不限于用于OLED器件，还可能在其它领域实施，例如，但不限于，光伏薄膜太阳能电池。对于其他用途，例如薄膜太阳能电池，在本申请中稍后描述的玻璃构造可能需要调整。
含有本发明特征的OLED器件10示于图1。OLED器件10包括阴极12、发光性层14、和阳极18。然而，不同于常规OLED器件，OLED器件10包括含有本发明特征的基材20。
常规OLED器件的结构和操作是本领域技术人员熟知的，因此不再详细说明。示例的OLED器件描述于美国专利No.7,663,300。阴极12可以是任何常规OLED阴极。合适的阴极的实例包括金属，例如但不限于，钡和钙。阴极典型地具有低的功函数。发光性层14可以是本领域已知的常规有机电致发光层。此类材料的实例包括，但不限于，小分子，例如有机金属螯合物(例如，Alq3)，荧光和磷光染料，以及共轭树枝状分子。合适的材料的实例包括三苯胺、二萘嵌苯、红荧烯、和喹吖啶酮。或者，电致发光聚合物材料也是已知的。此类导电聚合物的实例包括聚(对亚苯基亚乙烯基)和聚芴。还可使用磷光材料。此类材料的实例包括这样的聚合物，例如聚(N-乙烯基咔唑)，其中有机金属络合物例如铱络合物作为掺杂剂加入。阳极18可以是导电的透明材料，例如金属氧化物材料，例如，但不限于，氧化铟锡(ITO)或铝掺杂的氧化锌(AZO)。阳极典型地具有高功函数。
不同于常规OLED器件，OLED器件10承载在含有本发明的特征的基材20。基材20是具有第一表面24和第二表面26的透明基材。用于基材20的合适材料的实例包括，但不限于，玻璃，例如常规苏打石灰硅酸盐玻璃，例如，浮法玻璃。基材20在参考波长550纳米(nm)和参考厚度3.2mm下的高可见光透过率。“高可见光透过率”是指，在550nm下在3.2mm参考厚度的可见光透过率大于或等于85%，例如大于或等于87%，例如大于或等于90%，例如大于或等于91%，例如大于或等于92%，例如大于或等于93%，例如大于或等于95%。可以用于本发明的实践的玻璃的非限制性实例包括，但不限于，
Figure BDA00003635760300041
Figure BDA00003635760300042
PV，and CLEARTM玻璃，都可购自宾夕法尼亚州匹茨堡的PPG Industries，Inc.。基材20可以具有任何期望的厚度，例如范围在0.5mm-10mm，例如1mm-10mm，例如1mm-4mm，例如2mm-3.2mm。
基材20具有以下至少之一：(1)第一(例如，内部)光提取层或区域30；和/或(2)第二(例如，外部)光提取层或区域32。在基材中加入光提取区域降低了上述波导效应，使得较少的光从各种界面反射回，并且较少的光被器件捕获。这使得更多的光从器件发出。第一提取区域30通过结合在基材20的第一表面24上的纳米颗粒形成，或通过嵌入或结合到与第一表面24相邻的玻璃区域中的纳米颗粒形成。合适的纳米颗粒的实例包括，但不限于，氧化物纳米颗粒，例如但不限于氧化铝、二氧化钛、氧化铈、氧化锌、氧化锡、二氧化硅、和氧化锆。这些氧化物纳米颗粒可以以范围在0微米-50微米，例如0微米-10微米，例如0微米-5微米，例如0微米-3微米的深度结合到基材20中。含有第一提取区域30的第一表面24可以比第二表面26更光滑。例如，第一表面24的平均表面粗糙度(Ra)可以为至多100nm，例如至多50nm，例如至多20nm，例如至多10nm，例如至多5nm，例如范围在1nm-100nm，例如范围在1nm-50nm，例如1nm-20nm，例如1nm-10nm，例如1nm-5nm。
外部提取区域32可以通过涂层形成，例如具有粗糙化外部表面的金属氧化物涂层。可用于外部提取层32的氧化物的实例包括，但不限于，二氧化硅、氧化铝、氧化锌、二氧化钛、氧化锆、氧化锡、和它们的混合物。外部提取层32的平均表面粗糙度(Ra)范围在5nm-500nm，例如5nm-500nm，例如50nm-500nm，例如50nm-200nm，例如100nm-200nm和/或，其均方根平均表面粗糙度(Rq)范围在100nm-250nm，例如150nm-200nm。该涂层的厚度可以范围在10nm-500nm，例如50nm-500nm，例如100nm-500nm。外部提取层32可以是单一层或任选为多层涂层。
或者，外部提取区域32可以通过纹理化玻璃的第二表面26来形成，而不是施加单独的涂层。例如，第二表面26可以被划线或切割以形成纹理化表面。
第一提取区域30和第二提取区域32可以使基材20具有范围在1%-100%，例如1%-90%，例如1%-80%，例如1%-60%，例如1%-50%，例如10%-80%，例如10%-40%的雾度，通过常规Haze-Gard Plus雾度计测量，其可购自BYK-Gardner。
现将具体参考图1来描述OLED器件10的运行。
运行期间，将电压施加到阳极18和阴极12之间。电子流从阴极12通过发光性层14流到阳极18。该电流引起发光性层14发光。本发明的基材20与没有基材20的OLED器件相比提供提高的光提取。由发光性层14发出的光波形式的电磁辐射行进通过阳极18进入基材20。这些光波遇到内部提取层30并散射更强，使得光波更随机地行进通过基材20。当光波在第二表面26处离开基材20时，外部提取层32的粗糙化表面导致光波的进一步散射。内部提取层30散射和外部提取层32散射的组合通过降低波导效应而提高了OLED器件10的总体光提取。虽然上述实施方式考虑了同时存在内部提取层30和外部提取层32，但在其它实施方式中，只需要存在这些层中的一个或另一个。
限将描述形成本发明基材的示例方法。
在浮法玻璃工艺中，玻璃坯料在炉中熔融以形成玻璃熔体。将该玻璃熔体倒入具有熔融金属浴例如熔融锡浴的浮箱中。熔融玻璃在熔融金属表面上铺展以形成玻璃带。在本发明的一种实践中，火焰喷射装置或燃烧沉积装置安装在玻璃带上的浮箱中。合适的火焰喷射装置可购自Beneq-Oy Vantaa，芬兰。另一种火焰喷射装置描述于WO01/28941。在该火焰喷射装置，涂层材料雾化，燃烧，然后直接喷射到漂浮的玻璃带上。颗粒形成在带的表面上和/或扩散进入带的表面上，或渗透表面，并且结合到漂浮玻璃带的上部。这些颗粒，例如金属氧化纳米颗粒，存在于玻璃的表面上或扩散到玻璃中，并与玻璃基体反应。该过程可以在浮箱中任何合适的位置实施，但据信在漂浮玻璃带的温度范围在400℃-1,000℃，例如500℃-900℃，例如500℃-800℃，例如600℃-800℃，例如700℃-800℃的位置是更合适的。当漂浮带离开浮箱时，玻璃具有嵌入玻璃片材表面中的或结合到玻璃上表面相邻的玻璃区域中的纳米颗粒。这些纳米颗粒限定了第一提取区域30。在纳米颗粒在升高的温度下在玻璃表面中的结合过程期间，玻璃表面通过在温下软化而变光滑。玻璃可以以常规方式热处理或退火。
在非浮法工艺中，可以在例如炉子中通过火焰火通过其它热源来加热基材，直到玻璃表面软化。然后可以通过例如载气将纳米颗粒导向或推进到软化的表面。如能够理解的，基材的温度是确定纳米颗粒能够多远地渗透进入基材的一个因素。如能够理解的，基材粘度越低，纳米颗粒应渗透得越远。合适的沉积方法描述于美国专利No.7,851,016。
在内部提取层30形成后(例如，在浮法玻璃工艺中，玻璃离开浮箱后)，可以提供外部提取层32。例如，外部提取层32可以通过以下方式形成：将涂层，例如金属氧化物涂层，施涂到玻璃的与具有结合到其中的纳米颗粒表面相对的表面上。这可以以任何常规方式实现，例如通过常规溶胶-凝胶或喷雾热解方法，在退火窑，或在退火窑的出口处，那里的温度范围在50℃-600℃，例如100℃-400℃，例如150℃-350℃，例如200℃-300℃。所得基材由此结合有第一(即，内部)提取层30和第二(即，外部)提取层32。然而，在本发明的广泛实践中，仅需要这些提取区域中之一存在。
作为额外的步骤(在线或线下)，形成阳极18的导电金属氧化物层可以以任何常规方式施加到玻璃基材20的第一表面24上。例如，氧化铟锡或铝掺杂的氧化锌层可以通过磁控管溅射器气体沉积、化学气相沉积、或任何其它形成阳极的合适方法而施涂。阳极18可以通过在线工艺在第一提取区域30之前或之后沉积，或在沉积第一提取区域30和第二提取层32之后沉积。此外，任选的底层涂层堆叠体(例如美国公布2010/0285290、2010/0124642、或2010/0124643中所述的)可以加入阳极18下(即在阳极18和基材12之间)以提高具有底层涂层堆叠体和阳极18以及内部提取区域30或外部提取区域32至少之一的基材20的透光率。然后可以将具有导电阳极18以及内部提取区域30或外部提取区域32至少之一的基材20供应到OLED制造商，然后制造商可以施加发光性层14和阴极12以形成含有光提取基材20的OLED。
现将描述本发明的实施例。然而，应理解的是，本发明不限于这些具体实施例。
实施例
在以下实施例中，基材(除非有相反说明)为
Figure BDA00003635760300081
玻璃，其购自PPG Industries Ohio，Inc.，具有2毫米(mm)厚度。雾度和透光率值为百分比值并采用购自BYK-Gardner USA的Haze-Gard Plus雾度计测量。温度值以华氏(°F)表示，压力值以磅每平方英寸(psi)表示。
实施例1
本实施例展示了在一侧具有外部提取层的基材。TEOS表示正硅酸四乙酯；TPT表示异丙醇钛；DI水表示去离子水；和IPA表示异丙醇。
制备第一溶液(如表1中所示)和第二溶液(如表2中所示)。添加TPT以调节涂层的折射率。
表1(溶液1)
原料 AMT.(g) 百分比(%)
TPT 50 24
IPA 50 24
HNO3 10 5
DI水 100 48
总计 210 100
表2(溶液2)
原料 AMT.(g) 百分比(%)
TEOS 80 21
乙醇 280 72
DI水 28 7
总计 388 100
将这些溶液以表3和表4中所示的比例混合以形成涂料组合物1(表3)和涂料组合物2(表4)。
表3(涂料1)
原料 AMT.(g) 百分比(%)
溶液1 10 5
溶液2 190 95
总计 200 100
表4(涂料2)
原料 AMT.(g) 百分比(%)
溶液1 20 10
溶液2 180 90
总计 200 100
利用常规喷涂设备将涂料组合物喷涂到炉子加热的玻璃基材的表面上以形成外部提取层。如表中所示5，所得涂层为基材提供了大于10的雾度同时仍保持透光率大于90%。
表5
Figure BDA00003635760300091
实施例2
本实施例展示了在一个表面上具有外部提取层并在相对表面上具有氧化铟锡涂层的经涂覆的基材。利用常规磁控溅射蒸气沉积(MSVD)器件由铟/锡阴极将氧化铟锡(ITO)的涂层溅射沉积到玻璃基材的第一主表面上。ITO涂层的厚度为300nm。采用上述涂料组合物通过常规喷雾热解将外部提取层施加到玻璃基材第二主表面(与第一主表面相对)上。喷射参数和光学结果示于表6。
表6
Figure BDA00003635760300101
实施例3
(A)本实施例展示了具有基于硅烷的外部提取层的基材。利用常规喷涂设备将
Figure BDA00003635760300102
HC108涂料组合物(可购自PPG IndustriesOhio，Inc.)喷涂到炉子加热的玻璃基材的表面上以形成外部提取层。喷射参数和光学测量结果示于表7。经涂覆的基材的雾度大于50%同时仍然保持透光率大于87%。
表7
Figure BDA00003635760300103
Figure BDA00003635760300111
(B)将
Figure BDA00003635760300112
HC1080涂料喷涂到如上所述玻璃基材的一侧利用常规MSVD涂覆器将300nm的氧化铟锡涂层溅射沉积到该基材的相对侧。喷涂沉积参数和测得的光学数据在表8中给出。经涂覆的基材的雾度大于50%同时仍保持透光率大于81%。
表8
Figure BDA00003635760300113
实施例4
本实施例展示了具有内部提取层(区域)的基材。该内部提取层利用常规火焰喷射装置，例如nHalo火焰喷射涂层器件(可购自Beneq Oy)形成。选择涂料组合物以形成氧化铝或二氧化钛纳米颗粒。以下样品28-31含有氧化铝纳米颗粒。样品32-39含有二氧化钛纳米颗粒。纳米颗粒存在于自玻璃表面范围在0nm-10nm的深度。总的来说，随着纳米颗粒浓度提高，雾度增加而透光率降低。对这些样品测量雾度和透光率值并列于表9中。
表9
样品号 雾度 透光率
28 5.22 93.0
29 14.9 91.7
30 30.2 89.5
31 35.8 89.9
32 82.7 69.4
33 63.3 69.9
34 44.0 78.0
35 68.6 71.0
36 55.5 74.6
37 73.6 74.1
38 78.0 69.5
39 62.9 74.1
实施例5
本实施例涉及具有内部提取层和外部提取层的经涂覆的基材。内部提取区域通过以下方式形成，通过加热使第一表面软化，然后将二氧化钛纳米颗粒引导至第一表面使得至少一部分的纳米颗粒渗透到第一表面下。这利用例如上述火焰喷射装置完成。具有内部提取层的所得基材的雾度值(百分比)为55.6且透光率为74.4%。外部提取层通过以下方式形成在基材的第二表面上：在炉子中在450°F下加热基材8分钟，然后利用上述常规喷涂设备将
Figure BDA00003635760300131
HC1080涂料组合物(可购自PPG Industries Ohio，Inc.)喷涂到第二表面上(40psi10秒)以在第二表面上形成外部提取层。具有内部提取层和外部提取层的基材的雾度为94.4%且透光率为74.6%。
本领域技术人员将容易地领会，在不出离前述说明所披露的理念的情况下可对本发明做出改型。因此，本文详细描述的特定实施方式只是说明性的并且不限制本发明的范围，本发明的范围由所附权利要求和其全部等同方式给出其完整范围。

Claims (18)

1.光提取基材，包含：
具有第一表面和第二表面的玻璃基材；
在该第一表面上和/或与该第一表面相邻的第一光提取区域，该第一光提取区域包含纳米颗粒；和
在该第二表面的至少一分部上的第二光提取区域，该第二光提取区域的表面粗糙度为至少10nm。
2.权利要求1的基材，其中所述纳米颗粒选自氧化银、氧化铝、二氧化钛、氧化铈、氧化锌、氧化锡、二氧化硅、氧化锆、和它们的组合。
3.权利要求1的基材，其中所述第一表面的平均表面粗糙度为低于100nm。
4.权利要求1的基材，其中所述纳米颗粒以相对于所述第一表面0微米至10微米范围的深度沉积。
5.权利要求1的基材，其中所述第二提取区域包含涂层。
6.权利要求5的基材，其中所述涂层选自二氧化硅、氧化铝、氧化锌、二氧化钛、氧化锆、氧化锡、硅酸盐涂层、和它们的混合物。
7.权利要求1的基材，其中所述第二提取区域的平均表面粗糙度在50纳米-500纳米的范围。
8.权利要求1的基材，其中所述第二提取区域通过纹理化所述第二表面形成。
9.权利要求1的基材，其中所述基材的雾度范围在10%-90%。
10.权利要求1的基材，其中阳极层沉积在所述第一表面上。
11.权利要求10的基材，其中底层涂层堆叠体在所述阳极层之前沉积以增加具有所述阳极层以及具有所述第一和/或第二提取区域的基材的透光率。
12.光提取基材，包含：
具有第一表面和第二表面的玻璃基材；和
以下至少之一：
在该第一表面上和/或与该第一表面相邻的第一光提取区域，该第一光提取区域包含纳米颗粒；和
在该第二表面的至少一分部上的第二光提取区域，该第二光提取区域的表面粗糙度为至少10nm。
13.制造光提取基材的方法，包括以下步骤：
在具有第一表面和第二表面的玻璃基材上，进行以下至少之一：
通过将纳米颗粒沉积在所述第一表面上或到其中而提供在该第一表面上和/或与该第一表面相邻的第一光提取区域；和
在该第二表面的至少一分部上提供第二光提取区域，该第二光提取区域的表面粗糙度为至少10nm。
14.权利要求13的方法，其中所述第一提取区域通过以下方式形成：
加热所述第一表面以降低所述第一表面的粘度；和
引导纳米颗粒至所述第一表面使得所述纳米颗粒结合到所述第一表面中。
15.权利要求13的方法，其中所述纳米颗粒选自氧化银、氧化铝、二氧化钛、氧化铈、氧化锌、氧化锡、二氧化硅、氧化锆、和它们的组合。
16.权利要求13的方法，其中所述第二提取区域通过在所述第二表面的至少一部分上溶胶-凝胶或喷雾热解来施涂涂层而形成。
17.权利要求13的方法，其中所述第二提取区域是选自二氧化硅、氧化铝、氧化锌、二氧化钛、氧化锆、氧化锡、硅酸盐涂层、和它们的混合物的涂层。
18.权利要求13的方法，其中所述第二提取区域通过纹理化所述第二表面形成。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105655499A (zh) * 2014-12-02 2016-06-08 固安翌光科技有限公司 一种有机电致发光器件
CN106233488A (zh) * 2014-04-24 2016-12-14 Ppg工业俄亥俄公司 具有表面改性层的有机发光二极管
CN106537625A (zh) * 2014-07-17 2017-03-22 法国圣戈班玻璃厂 用于oled的导电载体，包括所述载体的oled及其制造
CN106537626A (zh) * 2014-08-01 2017-03-22 杜邦帝人薄膜美国有限公司 包含聚酯膜的有机发光二极管光源和改善从所述光源的光提取的方法
CN108367309A (zh) * 2015-12-11 2018-08-03 Vitro可变资本股份有限公司 涂覆***和由此制造的制品
CN113711379A (zh) * 2019-03-07 2021-11-26 维特罗平板玻璃有限责任公司 硼硅酸盐光提取区域
CN113711379B (zh) * 2019-03-07 2024-08-27 维特罗平板玻璃有限责任公司 硼硅酸盐光提取区域

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI515276B (zh) * 2010-05-25 2016-01-01 ３Ｍ新設資產公司 抗微生物塗料
EP2782417A4 (en) * 2011-11-14 2015-08-05 Konica Minolta Inc ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT AND PLANAR LIGHT-EMITTING BODY
KR101654360B1 (ko) * 2012-06-22 2016-09-05 코닝정밀소재 주식회사 유기 발광소자용 기판 및 그 제조방법
KR101421024B1 (ko) * 2012-10-11 2014-07-22 코닝정밀소재 주식회사 유기발광소자용 금속산화물 박막 기판 및 그 제조방법
TWI495175B (zh) * 2012-11-16 2015-08-01 Au Optronics Corp 有機電致發光元件
US8921839B2 (en) 2013-03-12 2014-12-30 Sharp Laboratories Of America, Inc. Light emitting device with spherical back mirror
US9366787B2 (en) * 2013-03-12 2016-06-14 Ppg Industries Ohio, Inc. Organic light emitting diode with light extracting layer
US20160064695A1 (en) * 2013-05-09 2016-03-03 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Organic electroluminescence element and method of manufacturing the same
TWI656022B (zh) * 2013-11-13 2019-04-11 美商康寧公司 疊層玻璃物件及其製造方法
CN103996797A (zh) * 2014-06-11 2014-08-20 广州新视界光电科技有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
US9707592B2 (en) 2014-08-08 2017-07-18 Ppg Industries Ohio, Inc. Method of forming an anti-glare coating on a substrate
KR101983925B1 (ko) 2014-11-25 2019-05-29 피피지 인더스트리즈 오하이오 인코포레이티드 눈부심 방지 터치 스크린 디스플레이 및 다른 코팅 제품 및 그들의 형성 방법
US10680123B2 (en) * 2015-03-12 2020-06-09 Vitro Flat Glass Llc Article with transparent conductive oxide coating

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005038681A (ja) * 2003-07-18 2005-02-10 Toyota Industries Corp ボトムエミッション型発光素子形成用の透明基板及び当該透明基板を用いた発光デバイス
CN1668545A (zh) * 2002-07-19 2005-09-14 Ppg工业俄亥俄公司 具有纳米级结构的制品及其制造方法
CN1735970A (zh) * 2000-11-02 2006-02-15 3M创新有限公司 直观式发射显示器亮度和对比度的提高
CN101091269A (zh) * 2005-11-15 2007-12-19 康宁股份有限公司 用来消除oled器件中的干涉条纹的方法和设备
EP1906462A2 (de) * 2006-09-29 2008-04-02 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Optoelektronisches Bauelement mit einer Lumineszenzkonversionsschicht
WO2009120330A2 (en) * 2008-03-25 2009-10-01 Corning Incorporated Substrates for photovoltaics

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4190321A (en) * 1977-02-18 1980-02-26 Minnesota Mining And Manufacturing Company Microstructured transmission and reflectance modifying coating
JP3430772B2 (ja) 1996-02-06 2003-07-28 松下電器産業株式会社 有機薄膜ｅｌ素子
FI114548B (fi) 1999-10-19 2004-11-15 Liekki Oy Menetelmä materiaalin värjäämiseksi
US7663300B2 (en) 2002-08-16 2010-02-16 Universal Display Corporation Organic light emitting devices for illumination
EP1535657B1 (en) 2002-08-21 2018-09-26 Toray Industries, Inc. Process for producing modified substrate
EP1860919B1 (en) 2005-03-11 2012-02-15 Mitsubishi Chemical Corporation Electroluminescence element and lighting apparatus
TW200730886A (en) 2005-12-21 2007-08-16 Nippon Catalytic Chem Ind Light diffusing sheet and light diffusing plate, and backlight unit and liquid crystal display device employing the same
JP2007273506A (ja) 2006-03-30 2007-10-18 Sumitomo Chemical Co Ltd 化合物半導体発光素子
JP2008243669A (ja) 2007-03-28 2008-10-09 Toyota Central R&D Labs Inc 有機電界発光素子
WO2009017035A1 (ja) * 2007-07-27 2009-02-05 Asahi Glass Co., Ltd. 透光性基板、その製造方法、有機ｌｅｄ素子及びその製造方法
JP2010027429A (ja) * 2008-07-22 2010-02-04 Fujifilm Corp 有機電界発光パネル及びその製造方法
JP5028366B2 (ja) 2008-09-11 2012-09-19 株式会社ジャパンディスプレイイースト 有機発光素子
US7998586B2 (en) 2008-11-19 2011-08-16 Ppg Industries Ohio, Inc. Undercoating layers providing improved topcoat functionality
US8133599B2 (en) 2008-11-19 2012-03-13 Ppg Industries Ohio, Inc Undercoating layers providing improved photoactive topcoat functionality
US20100124642A1 (en) 2008-11-19 2010-05-20 Ppg Industries Ohio, Inc. Undercoating layers providing improved conductive topcoat functionality
FR2939241B1 (fr) * 2008-11-28 2011-03-25 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'un substrat nanostructure pour oled et procede de fabrication d'une oled
WO2010084924A1 (ja) 2009-01-26 2010-07-29 旭硝子株式会社 電子デバイス用基板の製造方法、電子デバイスの製造方法、電子デバイス用基板、および電子デバイス
JP5559704B2 (ja) 2009-02-03 2014-07-23 株式会社カネカ 透明導電膜付き基板の製造方法ならびに多接合型薄膜光電変換装置および発光素子の製造方法
FR2944145B1 (fr) * 2009-04-02 2011-08-26 Saint Gobain Procede de fabrication d'une structure a surface texturee pour dispositif a diode electroluminescente organique et structure a surface texturee
FR2944147B1 (fr) 2009-04-02 2011-09-23 Saint Gobain Procede de fabrication d'une structure a surface externe texturee pour dispositif a diode electroluminescente organique et struture a surface externe texturee
FI20090319A0 (fi) * 2009-09-03 2009-09-03 Beneq Oy Prosessinsäätömenetelmä
US8834964B2 (en) * 2009-12-11 2014-09-16 Ngimat, Co. Process for forming high surface area embedded coating with high abrasion resistance
CN103221875B (zh) * 2010-11-10 2015-07-29 Lg化学株式会社 光学元件

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1735970A (zh) * 2000-11-02 2006-02-15 3M创新有限公司 直观式发射显示器亮度和对比度的提高
CN1668545A (zh) * 2002-07-19 2005-09-14 Ppg工业俄亥俄公司 具有纳米级结构的制品及其制造方法
JP2005038681A (ja) * 2003-07-18 2005-02-10 Toyota Industries Corp ボトムエミッション型発光素子形成用の透明基板及び当該透明基板を用いた発光デバイス
CN101091269A (zh) * 2005-11-15 2007-12-19 康宁股份有限公司 用来消除oled器件中的干涉条纹的方法和设备
EP1906462A2 (de) * 2006-09-29 2008-04-02 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Optoelektronisches Bauelement mit einer Lumineszenzkonversionsschicht
WO2009120330A2 (en) * 2008-03-25 2009-10-01 Corning Incorporated Substrates for photovoltaics

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106233488A (zh) * 2014-04-24 2016-12-14 Ppg工业俄亥俄公司 具有表面改性层的有机发光二极管
CN106537625A (zh) * 2014-07-17 2017-03-22 法国圣戈班玻璃厂 用于oled的导电载体，包括所述载体的oled及其制造
CN106537625B (zh) * 2014-07-17 2019-08-13 法国圣戈班玻璃厂 用于oled的导电载体，包括所述载体的oled及其制造
CN106537626A (zh) * 2014-08-01 2017-03-22 杜邦帝人薄膜美国有限公司 包含聚酯膜的有机发光二极管光源和改善从所述光源的光提取的方法
CN105655499A (zh) * 2014-12-02 2016-06-08 固安翌光科技有限公司 一种有机电致发光器件
CN108367309A (zh) * 2015-12-11 2018-08-03 Vitro可变资本股份有限公司 涂覆***和由此制造的制品
CN108823528A (zh) * 2015-12-11 2018-11-16 Vitro可变资本股份有限公司 涂覆***和由此制造的制品
CN113711379A (zh) * 2019-03-07 2021-11-26 维特罗平板玻璃有限责任公司 硼硅酸盐光提取区域
CN113711379B (zh) * 2019-03-07 2024-08-27 维特罗平板玻璃有限责任公司 硼硅酸盐光提取区域

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