CN103378226A - 发光二极管的制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种发光二极管制造方法，包括：提供基板，该基板包括第一电极及与第一电极绝缘的第二电极；在基板上固定发光二极管芯片，使发光二极管芯片与第一电极及第二电极电连接；固定该发光二极管芯片后，在基板上设置一阻挡层，该阻挡层具有遮挡部和沟槽，该遮挡部覆盖该发光二极管芯片，该沟槽设于基板位于发光二极管芯片周边位置的上方，往沟槽注入胶质流体材料，该流体材料固化后移除该阻挡层，形成反射层；以及在发光二极管芯片上覆盖封装材料。由于该反射层是在固定发光二极管芯片之后再制作，则可以避免制作反射层时由于流体材料容易渗入至第一电极与第二电极上而影响打线过程的情况出现。
Description
技术领域
本发明设计一种发光装置的制造方法，特别是一种发光二极管的制造方法。
背景技术
发光二极管（Light-Emitting Diode, LED）产业是近几年最受瞩目的产业之一，发展至今，LED产品已具有节能、省电、高效率、反应时间快、寿命周期时间长、且不含汞、具有环保效益等优点，因此被认为是新世代绿色节能照明的最佳光源。传统的LED封装制程是先将基板的金属电极结构制作完成后，再将电极放入模具当中，利用射入成型等方式在电极上制作出反射层的杯壳以及电极之间的绝缘层。模具的一部分是贴合在电极表面用于供后续打线的区域上，以防止成型材料流到该部分区域而影响到打线过程。然而，在射入成型制程中，由于模具或金属电极并非完全光滑，二者贴合不够紧密，因此仍然会有成型材料从模具的该部分区域与电极之间的缝隙渗入而覆盖住电极表面用于供后续打线的区域，导致后续的芯片打线过程出现问题。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种更为可靠的发光二极管的制造方法。
一种发光二极管制造方法，包括：提供基板，该基板包括第一电极及与第一电极绝缘的第二电极；在基板上固定发光二极管芯片，使发光二极管芯片与第一电极及第二电极电连接；固定该发光二极管芯片后，在基板上设置一阻挡层，该阻挡层具有遮挡部和沟槽，该遮挡部覆盖该发光二极管芯片，该沟槽设于基板位于发光二极管芯片周边位置的上方，往沟槽注入胶质流体材料，该流体材料固化后移除该阻挡层，形成反射层；以及在发光二极管芯片上覆盖封装材料。
由于该反射层是在固定发光二极管芯片之后再制作，则可以避免制作反射层时由于流体材料容易渗入至第一电极与第二电极上而影响打线过程的情况出现。
附图说明
图1是本发明发光二极管制造方法的第一步骤。
图2是本发明发光二极管制造方法的第二步骤。
图3是本发明发光二极管制造方法的第三步骤。
图4是本发明发光二极管制造方法的第四步骤。
图5是本发明发光二极管制造方法的第五步骤。
图6是本发明发光二极管制造方法的第六步骤。
图7是本发明发光二极管制造方法的第七步骤。
图8是本发明制造完成的发光二极管的示意图。
主要元件符号说明
| 10 | 基板 |
| 11 | 绝缘层 |
| 12 | 第一电极 |
| 13 | 第二电极 |
| 14 | 固晶区域 |
| 20 | 蓝膜 |
| 30 | 压合模具 |
| 40 | 发光二极管芯片 |
| 50 | 阻挡层 |
| 51 | 遮挡部 |
| 52 | 沟槽 |
| 60 | 反射层 |
| 61 | 凹杯 |
| 70 | 封装层 |
| 80 | 荧光粉 |
| 100 | 发光二极管 |
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步的详细说明。
请参阅图1-7，示出了本发明发光二极管芯片制造方法，其主要包括如下各个步骤：
步骤一：请参阅图1，提供一基板10，该基板10包括绝缘层11、第一电极12以及第二电极13。该第一电极12与第二电极13优选为金属电极结构。该绝缘层11、第一电极12以及第二电极13间隔设置，形成多个用于承载发光二极管芯片40(如图2)的固晶区域14。每一固晶区域14为一凹陷，由一第一电极12、一第二电极13夹置绝缘层11围设形成，该第一电极12与第二电极13之间由该绝缘层11隔开形成彼此绝缘。优选在固晶区域14内涂布有固晶胶，以提高后续贴装发光二极管芯片40步骤中其与基板10的贴合度。每一固晶区域14由绝缘层11隔开，也即是每一对的第一电极12与第二电极13位于该固晶区域14的外侧部分与相邻一对第一电极12及第二电极13由绝缘层11隔开。位于固晶区域14内的绝缘层11的高度小于位于与固晶区域14外的绝缘层11的高度，位于固晶区域14外的绝缘层11与该第一电极12与该第二电极13的外侧部分等高。优选地，每一固晶区域14大小相等，以简化后续的各个工序以及各种模具的制作。
步骤二：请参阅图2，提供一蓝膜20，该蓝膜20上具有多个发光二极管芯片40。该多个发光二极管芯片40通过蓝膜20的粘性设置在蓝膜20的同一表面上。每一发光二极管芯片40相隔的距离与基板10上每一固晶区域14内的绝缘层11的距离相对应。将该蓝膜20设置于该基板10上，并且蓝膜20具有多个发光二极管芯片40的一面朝向该基板10。此时，每一固晶区域14对应一发光二极管芯片40。利用紫外光照射该蓝膜20，去除该蓝膜20的粘性，使得附在该蓝膜20上的发光二极管芯片40掉入至该固晶区域14内，并贴装在固晶区域14内。提供一压合模具30，通过热压合的方式将该发光二极管芯片40固定于固晶区域14内的第一电极12与第二电极13上。该第一电极12及第二电极13表面优选在压合发光二极管芯片40之前涂好固晶胶，从而使发光二极管芯片30在压合时粘接于导电胶上。之后，移开蓝膜20。该压合模具30的压合过程可以是利用一个压合模具30逐一热压合每一个发光二极管芯片40，也可以是多个压合模具30对应并同时压合该多个发光二极管芯片40。由于贴合发光二极管芯片40的过程是通过蓝膜20被紫外线照射一次贴装多个的方法，若采用模具30同时压合该多个发光二极管芯片40，从而简化了贴装多个发光二极管芯片40的步骤，提高了制作速度。
步骤三：请参阅图3，提供一阻挡层50，该阻挡层50由弹性材质制成，其中优选为四氟乙烯（铁弗龙）。该阻挡层50具有多个遮挡部51以及多个沟槽52。该多个遮挡部51与该多个沟槽52间隔设置。该多个沟槽52为上下贯通型沟槽52。每一遮挡部51的底面积大于每一固晶区域14的面积，并小于每一对第一电极12及第二电极13的最外侧边缘所定义的面积。每一沟槽52的面积大于相邻两对第一电极12及第二电极13之间的绝缘层11的面积。
步骤四：请参阅图4，将该阻挡层50设置于该基板10上。该阻挡层50的每一遮挡部51覆盖对应的发光二极管芯片40，该阻挡层50的每一沟槽52设于基板10位于发光二极管芯片40周边位置的上方。在本实施例中，每一遮挡部51对应每一固晶区域14，每一沟槽52对应每一固晶区域14之间的绝缘层11。每一遮挡部51抵接相应的一对第一电极12及第二电极13的顶面，并覆盖住固晶区域14。
步骤五：请参阅图5，往该多个沟槽52内注入环氧树脂、硅树脂等高分子流体材料，通过注塑成型的工艺形成反射层60。由于该阻挡层50是由弹性材质制成，因此遮挡部51与相应的第一电极12及第二电极13之间的接触较为紧密，可克服因阻挡层50或第一电极12及第二电极12表面不光滑而导致接触存在细微缝隙的情况。因此在注入流体材料时，不易出现流体材料渗入固晶区域14的情况。
步骤六：请参阅图6，固化该流体材料后，移除该阻挡层50，反射层60成型。该反射层60设置于相邻固晶区域14之间的绝缘层11上，并且覆盖部分该第一电极12与该第二电极13的位于固晶区域14的外侧部分。该反射层60围设一空腔并且连通该固晶区域14形成一凹杯61。由于该反射层60是在固定发光二极管芯片40之后再制作，则可以避免由于制作反射层60导致的流体材料容易渗入至固晶区域14内表面的第一电极12与第二电极13上。
步骤七：请参阅图7，设置封装层70覆盖该发光二极管芯片40并填充该凹杯61。该封装层70可包括荧光粉80。分割该基板10及反射层60，使其形成多个发光二极管100。通过往阻挡层50的沟槽52灌注流体材料形成的反射层60可根据实际需求改变该沟槽52的深度形成高度不同的反射层60，有利于发光二极管100的薄形化设计。
请再参阅图8，示出了制造完成的本发明的发光二极管100，即为上述步骤切割后得到的发光二极管100。每个发光二极管100为一独立的发光模组，均包括第一电极12、第二电极13、绝缘层11，反射层60、搭载于该第一电极12与第二电极13上的发光二极管芯片40，以及覆盖该发光二极管芯片40的封装层70。
可以理解地，该发光二极管芯片40不一定要安装于凹陷的固晶区域14内。例如，该基板10为一同一高度的基板10，也即是该发光二极管芯片40安装于基板10上之后比从基板10表面凸起。此种情况下，阻挡层50的形状也相应变化。也即是，阻挡层50的阻挡部51较沟槽52上凸，或者阻挡部51呈一盖体状以将该发光二极管芯片40遮盖。也即是说，无论该基板10是否存在凹陷的固晶区域14，只要提供的阻挡层50的阻挡部51能覆盖安装于基板10上的发光二极管芯片40，阻挡层50的沟槽52对应相邻二发光二极管40之间的绝缘层11或者说是发光二极管40周边的绝缘层。例如，该阻挡部51呈盖体状，包括覆盖该发光二极管芯片40上表面的上盖以及由该上盖向下延伸的包围该发光二极管芯片40侧面的侧盖，该沟槽52设置在每一阻挡部51之间，使得可以通过往沟槽52灌入流体材料生成围设该发光二极管芯片40的反射层60均属于本发明保护的范围。
Claims (10)
1.一种发光二极管制造方法，包括：
提供基板，该基板包括第一电极及与第一电极绝缘的第二电极；
在基板上固定发光二极管芯片，使发光二极管芯片与第一电极及第二电极电连接；
固定该发光二极管芯片后，在基板上设置一阻挡层，该阻挡层具有遮挡部和沟槽，该遮挡部覆盖该发光二极管芯片，该沟槽设于基板位于发光二极管芯片周边位置的上方，往沟槽注入胶质流体材料，该流体材料固化后移除该阻挡层，形成反射层；以及
在发光二极管芯片上覆盖封装材料。
2.如权利要求1所述的发光二极管制造方法，其特征在于：该第一电极及第二电极之间设有绝缘层，该基板在该第一电极、第二电极及绝缘层上形成固晶区域，该发光二极管芯片设置于该固晶区域内。
3.如权利要求2所述的发光二极管制造方法，其特征在于：该基板包括多个固晶区域，该发光二极管芯片的数量为多个，第一电极及第二电极的数量为多对，每一发光二极管芯片及每一对第一电极及第二电极固定于各固晶区域内，相邻固晶区域由绝缘层隔开。
4.如权利要求3所述的发光二极管制造方法，其特征在于：具有多个遮挡部和多个沟槽，该多个遮挡部与该多个沟槽相间设置，每一遮挡部的底面积大于每一固晶区域的面积，并小于每一对第一电极及第二电极的最外侧边缘所定义的面积，每一沟槽的面积大于相邻固晶区域之间的绝缘层的面积。
5.如权利要求2所述的发光二极管制造方法，其特征在于：具有多个遮挡部和多个沟槽，该多个遮挡部与该多个沟槽相间设置，该阻挡层呈盖体状，包括覆盖该发光二极管芯片上表面的上盖以及由该上盖向下延伸的包围该发光二极管芯片侧面的侧盖，该沟槽设置在每一阻挡部之间。
6.如权利要求3或5其中一项所述的发光二极管制造方法，其特征在于：在基板上固定发光二极管芯片的步骤包括先将这些发光二极管芯片预先粘贴于蓝膜上，覆盖该蓝膜于该基板上，使发光二极管芯片对应各固晶区域，再去除该蓝膜的粘性使该发光二极管芯片贴设于各固晶区域内。
7.如权利要求6所述的发光二极管制造方法，其特征在于：每一固晶区域为形成于相应一对第一电极、第二电极及位于该对第一电极及第二电极之间的凹陷。
8.如权利要求6所述的发光二极管制造方法，其特征在于：去除蓝膜粘性的步骤包括使用紫外光线照射蓝膜，使发光二极管芯片从蓝膜上脱落。
9.如权利要求6所述的发光二极管制造方法，其特征在于：在发光二极管芯片从蓝膜上脱落之后还包括使用压合模具将发光二极管芯片热压合于固晶区域的第一电极及第二电极的步骤。
10.如权利要求1所述的发光二极管制造方法，其特征在于：该阻挡层由弹性材料制造。
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