CN103369744B - 用于集成电路制造的蜂巢状锥形加热器 - Google Patents

用于集成电路制造的蜂巢状锥形加热器 Download PDF

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Abstract

蜂巢状锥形加热器包括灯罩，其中灯罩具有形成部分圆的外边缘。灯罩具有从灯罩顶面延伸至底面的开口。开口进一步从外边缘延伸至灯罩的中心区域。多个灯被排布为遍及所述灯罩，并被配置为将光发出至灯罩的顶面之外。本发明还公开了用于集成电路制造的蜂巢状锥形加热器。

Description

用于集成电路制造的蜂巢状锥形加热器
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，更具体地，涉及用于集成电路制造的蜂巢状锥形加热器。
背景技术
蜂巢状锥形加热器用于集成电路制造工艺中。在一些集成电路制造工艺中，蜂巢状锥形加热器用于加热晶圆背面。通过蜂巢状锥形加热器加热的晶圆由基座支撑，而基座又通过一根设置在中心的轴或设置在边缘的空心圆柱体支撑。基座、基座支撑件与晶圆在集成电路制造工艺中发生旋转。
蜂巢状锥形加热器位于基座下方且与之对齐。如果轴需要穿过蜂巢状锥形加热器，则蜂巢状锥形加热器中心区域不能布置灯。这样便会导致中心温度低这一问题，其中，晶圆中心区域比晶圆其他一些区域的温度低。
发明内容
为了解决现有技术中所存在的问题，根据本发明的一个方面，提供了一种装置，包括：
蜂巢状锥形加热器，包括：
具有外边缘的灯罩，其中所述外边缘形成部分圆，所述灯罩包括从所述灯罩的顶面延伸至底面的开口，并且所述开口从所述外边缘延伸至所述灯罩的中心区域；以及
遍及所述灯罩分布的多个灯，所述多个灯被配置为将光发出至所述灯罩的所述顶面之外。
在可选实施例中，所述装置进一步包括：穿过所述灯罩的所述中心区域的轴；以及，位于所述轴上方且与所述轴相连的基座，其中所述轴和所述基座被配置为旋转。
在可选实施例中，所述装置进一步包括：设置在所述开口中的聚光灯，其中所述聚光灯被配置为为所述基座上放置的晶圆的一个区域提供的热量比为所述晶圆的其余区域提供的热量多。
在可选实施例中，所述灯罩包括：面向所述开口的第一边缘和第二边缘；通过所述第一边缘连接到所述多个灯之间的空间的第一管道；以及通过所述第二边缘连接到所述空间的第二管道，其中，所述第一管道和所述第二管道被配置为引导冷却剂流过所述空间。
在可选实施例中，所述灯罩包括面向所述开口的第一边缘和第二边缘，其中所述第一边缘和所述第二边缘形成大约45度与大约135度之间的角。
在可选实施例中，所述灯罩的所述顶面不共面。
在可选实施例中，所述灯罩的所述顶面的第一部分比所述顶面的第二部分高，并且所述顶面的所述第一部分比所述第二部分更接近所述灯罩的所述外边缘。
在可选实施例中，所述第一部分共面而所述第二部分弯曲。
根据本发明的另一个方面，提供了一种装置，包括：
蜂巢状锥形加热器，包括：
具有外边缘的灯罩，其中，所述外边缘形成部分圆，所述灯罩包括从所述灯罩的顶面延伸至底面的开口，所述开口进一步从所述外边缘延伸至所述灯罩的中心区域；
面向所述开口的第一边缘和第二边缘，其中，所述第一边缘和所述第二边缘中的每一个都从所述灯罩的所述顶面延伸至所述底面以及从该圆的所述外边缘延伸至所述中心区域；和
遍及所述灯罩分布的多个灯；
穿过所述灯罩的所述中心区域的轴；以及
位于所述轴上方且与所述轴相连的基座，其中，所述轴和所述基座被配置为沿着所述轴的轴线旋转。
在可选实施例中，所述第一边缘和所述第二边缘基本为直线，并且形成大约45度和大约135度之间的角。
在可选实施例中，所述开口占据了由所述外边缘限定的完整圆面积的八分之一到八分之三。
在可选实施例中，所述灯罩被配置为能够在与所述轴的纵长方向垂直的方向上滑动，并且所述轴被配置为在所述灯罩滑动时穿过所述开口。
在可选实施例中，所述装置进一步包括设置在所述开口中的聚光灯，其中，所述聚光灯被配置为为所述基座上放置的晶圆的中心区域提供的热量比为所述晶圆的其余区域提供的热量多。
在可选实施例中，所述灯罩的所述顶面不共面，并且所述灯罩的外部部分比所述灯罩内部部分高。
根据本发明的又一个方面，还提供了一种装置，包括：
蜂巢状锥形加热器，包括：
包括顶面和底面的灯罩，其中，所述顶面的第一部分比所述顶面的第二部分距所述灯罩的中心区域远，其中，所述第一部分和所述第二部分均不共面；和
遍及所述灯罩分布的多个灯；
穿过所述灯罩的所述中心区域的轴；以及
位于所述轴和所述灯罩上方的基座，其中，所述轴和所述基座互相连接。
在可选实施例中，所述灯罩的顶面的第二部分比所述灯罩的顶面的第一部分高。
在可选实施例中，所述灯罩的顶面的第一部分和第二部分中的每一个均共面，并且所述第一部分和所述第二部分形成阶梯。
在可选实施例中，所述第一部分沿着从所述灯罩的所述中心区域到外边缘的方向逐渐升高，以及所述第二部分共面。
在可选实施例中，所述灯罩包括：形成部分圆的外边缘，其中，所述灯罩包括从所述灯罩的顶面延伸至底面的开口，所述开口进一步从所述灯罩的所述外边缘延伸至所述中心区域；以及面向开口的第一边缘和第二边缘，其中，所述第一边缘和所述第二边缘中的每一个都从所述灯罩的所述顶面延伸至所述底面以及从所述灯罩的所述外边缘延伸至所述中心区域。
在可选实施例中，所述灯罩被配置为能够在与所述轴的纵长方向垂直的方向上滑动，并且所述轴被配置为在所述灯罩滑动时穿过所述开口。
附图说明
为更完整的理解实施例及其优点，现将结合附图所进行的以下描述作为参考，其中：
图1为根据一些例示性实施例的装置的透视图，其中，装置包括一个带开口的蜂巢状锥形加热器；
图2和图3为根据不同例示性实施例的装置的俯视图；而
图4A至图7为根据一些例示性实施例的不同蜂巢状锥形加热器的透视图和横截面视图。
具体实施方式
下面，详细讨论本发明各实施例的制造和使用。然而，应该理解，本发明提供了许多可以在各种具体环境中实现的可应用的概念。所讨论的具体实施例仅仅起示例作用，而不用于限制本发明的范围。
根据不同例示性实施例提供了包括蜂巢状锥形加热器的从晶圆背面加热的加热装置。其中讨论了实施例的变化和操作。在所有的视图和示例性实施例中，使用相似参考编号来指代相似元件。
图1示出了根据一些例示性实施例的用于从晶圆背面加热晶圆的装置20的透视图。装置20包括轴22以及位于轴22上方并且与轴22连接的基座24。轴22与基座24的中心部分相连。晶圆26放置在基座24上。晶圆26可以是诸如硅晶圆的半导体晶圆，其上可形成诸如晶体管的集成电路器件。在一些实施例中，基座24的尺寸比晶圆26的尺寸大。在一些例示性实施例中，基座24可包含碳化硅。轴22配置为沿着其轴线旋转。因此，基座24和晶圆26随着轴22一起旋转。
蜂巢状锥形加热器28放置在基座24下方。蜂巢状锥形加热器28包括灯罩27以及设置在灯罩27中的灯30。轴22穿过灯罩27的中心区域。可遍及灯罩27排布灯30。灯30朝向基座24和晶圆26，因此在集成电路制造工艺中，灯30可朝上发光以加热晶圆26。在对晶圆实施制造工艺期间，蜂巢状锥形加热器28保持静止，而晶圆26旋转。
灯罩27可能为圆形的俯视图(也指图2和图3)，但移除了相应圆的部分128。因而蜂巢状锥形加热器28的俯视图可能为部分圆形的俯视图，且灯罩27的外边缘28B形成部分圆。在本说明书中，部分128要占据的区域称为开口29。因此开口29中不会设置任何灯。在一些实施例中，由于移除了部分128，所以蜂巢状锥形加热器28的边缘28A从灯罩27的中心区域延伸至外边缘28B。灯罩27的中心区域也被移除，以便轴22从其中穿过。在一些实施例中，开口29从灯罩27的外边缘28B延伸至灯罩27的中心区域，以及从灯罩27的顶面延伸至底面。
图2示出了根据一些例示性实施例的蜂巢状锥形加热器28的俯视图。尽管灯罩27的边缘28A(朝向开口29)可能为大致的笔直状，然而也可能为弯曲状。在一些例示性实施例中，边缘28A之间的角α可能介于大约10度和大约135度之间，或者介于大约45度和大约135度之间。在可选实施例中，如图3所示(该图也是蜂巢状锥形加热器28的俯视图)，边缘28A之间可大致相互平行。无论开口29的俯视图形状为何，开口29都可能占据灯罩27的整个圆的1/8至3/8，其中整个圆由外边缘28B限定。
在一些实施例中，图1中所示的装置20用于外延工艺，其中，在晶圆26上外延生长半导体材料(如硅、硅锗或类似材料)。在其他实施例中，在可从背面对晶圆26加热的期间，也可以使用装置20实施其他包括沉积和表面处理步骤的集成电路制造工艺。装置20可以放置在腔室(未示出)中，该腔室可以是真空的。在集成电路制造工艺期间，由于晶圆26随着轴22和基座24一起旋转，所以移除蜂巢状锥形加热器28的部分128不会导致晶圆26加热不均匀。
重新参考图1，一个或多个聚光灯34放置在蜂巢状锥形加热器28附近。在一些实施例中，聚光灯34放置在开口29中。每个聚光灯34都配置成聚焦在晶圆26的中心区域，因此晶圆26的中心区域从聚光灯34得到的热量比晶圆26中间和边缘部分得到的热量多。由于轴22需要穿过蜂巢状锥形加热器28，因此灯30不能排布在灯罩27的中心区域。这会导致晶圆26的中心区域的温度比晶圆26的一些其他部分的温度低。然而，根据实施例，由聚光灯34提供的热量至少可以对提供给晶圆26中心的热量的减少进行部分补偿。因而使整个晶圆26的温度更加均匀。
聚光灯34可连接到电源36并通过该电源供电。灯30可连接到电源37并通过该电源供电。在一些实施例中，电源36和电源37为独立的电源。因而为聚光灯34提供的电源与为灯30提供的电源可以单独调节，以便可以准确调节为晶圆26中心提供的热量补偿。
参考图1，开口29连接到灯罩27的中心区域，轴22穿过灯罩27的中心区域，无需事先移除轴22和基座24，蜂巢状锥形加热器28便可滑出。蜂巢状锥形加热器28的滑动方向如图1至图3中的箭头44所示。因而使蜂巢状锥形加热器28更易于维护(如更换发生故障的灯30)。
在灯30的工作过程中，可能需要对灯30进行冷却，以防止灯30和蜂巢状锥形加热器28过热。参考图2和图3，由于存在开口29，管道40和42可以连接到灯罩27的边缘28A。管道40和42连接到具有圆柱形形状的灯30之间的空间。管道40和42可用作冷却剂38的入口和出口，冷却剂可以是油、水、冷空气或类似物质。如图2和图3所示，冷却剂38可从管道40(或42)流入，然后从管道42(或40)流出。在灯罩27内部，冷却剂38按顺时针或逆时针方向流过灯30之间的空间，流向取决于管道40和42中哪根管道用作入口或出口。曲线45示出了例示性流向，该曲线穿过灯30之间的空间。冷却剂38将蜂巢状锥形加热器28中的热量引出，以便使蜂巢状锥形加热器28冷却。冷却剂38朝顺时针或逆时针方向流动可提高冷却效率。
图4A至图7示出了根据可选例示性实施例的蜂巢状锥形加热器28。除非另有说明，这些实施例中的元件的材料和设计基本与类似元件相同，类似元件用图1至图3所示的实施例中的类似参考编号表示。因而，图4至图7中所示的实施例的细节可在图1至图3中所示的类似实施例讨论中找到。
参考图4A，蜂巢状锥形加热器28具有一个非共面的顶面27C，这也是灯罩27的顶面。灯30沿着顶面27C的轮廓设置。因此，灯30的顶面也不共面。图4B示出了图4A中所示蜂巢状锥形加热器28的横截面视图。由于顶面27C不共面，因此灯30的顶端30A也不共面，其中，光线/热量从顶端30A发出。顶面27C从中心到边缘可能逐渐增高。顶面27C从中心到边缘的高度增加可以是梯度的且基本连续。如图4B中所示，由于蜂巢状锥形加热器28的边缘部分比中心部分高，其边缘部分距上方晶圆26的距离可能比具有平坦顶面的蜂巢状锥形加热器距上方晶圆26的距离更近。因此灯30对晶圆26的加热更加均匀。例如，在一些例示性实施例中，高度差ΔH1(即顶面27C的边缘部分与中心部分之间的高度差)大于约20mm。图5示出了与图4A和图4B基本相同的实施例，除了开口29形成在蜂巢状锥形加热器28中之外。开口29的细节与图1至图3中所示实施例中讨论的基本相同，因而在此不作讨论。
图6示出了根据可选例示性实施例的蜂巢状锥形加热器28。蜂巢状锥形加热器28的顶面27C包括弯曲的顶面部分27C1和平坦的顶面部分27C2。在一些实施例中，顶面部分27C2可以平行于上方的基座24和晶圆26(图6中未示出，请参考图4B)。在一些实施例中，顶面部分27C2可能形成一个包围曲面顶面部分27C1的环形。顶面部分27C2可用于补偿上方晶圆26边缘热量的减少。在一些实施例中，可以移除蜂巢状锥形加热器28的部分128来形成一个开口，这与图1中的开口29类似。在可选实施例中，不移除部分128，蜂巢状锥形加热器28的外边缘28可形成一个完整的在其中没有断开的圆。
图7示出了根据另一些可选例示性实施例的蜂巢状锥形加热器28。蜂巢状锥形加热器28的顶面27C可以包括多个平坦的顶面部分，例如27C1、27C2和/或类似平面。顶面部分27C1、27C2和类似平面形成阶梯。在一些例示性实施例中，阶梯高度ΔH2大于约50mm。在一些实施例中，可以移除蜂巢状锥形加热器28的部分128来形成开口。在另一些实施例中，不移除部分128，这样蜂巢状锥形加热器28的边缘28B可形成一个完整的在其中没有断开的圆。
意识到，图4A至图7中所示的实施例可包括图1至图3中所示的其他元件，例如聚光灯34、管道40和42、电源36和37、轴22、基座24、晶圆26及类似部件。这些部件的细节也可以与图1至图3中所示实施例中的部件基本相同。
在实施例中，通过形成在其中具有开口的蜂巢状锥形加热器，可以使蜂巢状锥形加热器更易于维护。此外，通过形成具有非共面顶面的蜂巢状锥形加热器和/或添加聚光灯，可以使晶圆加热的不均匀降低。
根据一些实施例，蜂巢状锥形加热器包括灯罩，该灯罩具有形成部分圆的外边缘。灯罩具有从灯罩顶面延伸至底面的开口。该开口进一步从外边缘延伸至灯罩的中心区域。多个灯被排布为遍及灯罩，并且被配置成将光发出至灯罩顶面之外。
根据其他实施例，装置中包括蜂巢状锥形加热器。蜂巢状锥形加热器包括具有外边缘的灯罩，其中外边缘形成部分圆。灯罩具有从灯罩顶面延伸至底面的开口，其中，该开口进一步从灯罩外边缘延伸至中心区域。灯罩具有朝向开口的第一边缘和第二边缘，其中，第一边缘和第二边缘的每一个都从灯罩的顶面延伸至底面，以及从圆的外边缘延伸至中心区域。遍及灯罩排布多个灯。轴穿过灯罩的中心区域。基座位于轴上方且与之相连，其中，轴和基座配置为沿着轴的轴线旋转。
根据又一些其他实施例，装置中包括蜂巢状锥形加热器。蜂巢状锥形加热器具有灯罩，灯罩具有顶面和底面，其中顶面的第一部分比顶面的第二部分距灯罩中心区域更远，以及第一部分和第二部分不共面。多个灯被排布为遍及灯罩。轴穿过灯罩的中心区域。基座位于轴和灯罩上方，其中，轴和基座互相连接。
尽管已经详细地描述了实施例及其优势，但应该理解，在不背离所附权利要求限定的实施例精神和范围的情况下，可以进行多种变化、替换以及改变。而且，本申请的范围并不仅限于本说明书中描述的工艺、机器、制造、材料组分、装置、方法和步骤的特定实施例。作为本领域普通技术人员应理解，通过本发明，现有的或今后开发的用于执行与根据本发明所采用的所述相应实施例基本相同的功能或获得基本相同结果的工艺、机器、制造，材料组分、装置、方法或步骤根据本发明可以被使用。因此，所附权利要求应该包括在这样的工艺、机器、制造、材料组分、装置、方法或步骤的范围内。此外，每项权利要求构成单独的实施例，并且多个权利要求和实施例的组合在本发明的范围内。

Claims (16)

1.一种晶圆加热装置，包括：
蜂巢状锥形加热器，包括：
具有外边缘的灯罩，其中所述外边缘形成部分圆，所述灯罩包括从所述灯罩的顶面延伸至底面的开口，并且所述开口从所述外边缘延伸至所述灯罩的中心区域；
遍及所述灯罩分布的多个灯，所述多个灯被配置为将光发出至所述灯罩的所述顶面之外；
穿过所述灯罩的所述中心区域的轴；以及
位于所述轴上方且与所述轴相连的基座，其中所述轴和所述基座被配置为旋转，
其中，所述灯罩被配置为能够在与所述轴的纵长方向垂直的方向上滑动，并且所述轴被配置为在所述灯罩滑动时穿过所述开口。
2.如权利要求1所述的晶圆加热装置，进一步包括设置在所述开口中的聚光灯，其中所述聚光灯被配置为为所述基座上放置的晶圆的一个区域提供的热量比为所述晶圆的其余区域提供的热量多。
3.如权利要求1所述的晶圆加热装置，其中，所述灯罩包括：
面向所述开口的第一边缘和第二边缘；
通过所述第一边缘连接到所述多个灯之间的空间的第一管道；以及
通过所述第二边缘连接到所述空间的第二管道，其中，所述第一管道和所述第二管道被配置为引导冷却剂流过所述空间。
4.如权利要求1所述的晶圆加热装置，其中，所述灯罩包括面向所述开口的第一边缘和第二边缘，其中所述第一边缘和所述第二边缘形成45度与135度之间的角。
5.如权利要求1所述的晶圆加热装置，其中，所述灯罩的所述顶面不共面。
6.如权利要求5所述的晶圆加热装置，其中，所述灯罩的所述顶面的第一部分比所述顶面的第二部分高，并且所述顶面的所述第一部分比所述第二部分更接近所述灯罩的所述外边缘。
7.如权利要求6所述的晶圆加热装置，其中，所述第一部分共面而所述第二部分弯曲。
8.一种晶圆加热装置，包括：
蜂巢状锥形加热器，包括：
具有外边缘的灯罩，其中，所述外边缘形成部分圆，所述灯罩包括从所述灯罩的顶面延伸至底面的开口，所述开口进一步从所述外边缘延伸至所述灯罩的中心区域；
面向所述开口的第一边缘和第二边缘，其中，所述第一边缘和所述第二边缘中的每一个都从所述灯罩的所述顶面延伸至所述底面以及从该圆的所述外边缘延伸至所述中心区域；和
遍及所述灯罩分布的多个灯；
穿过所述灯罩的所述中心区域的轴；以及
位于所述轴上方且与所述轴相连的基座，其中，所述轴和所述基座被配置为沿着所述轴的轴线旋转，
其中，所述灯罩被配置为能够在与所述轴的纵长方向垂直的方向上滑动，并且所述轴被配置为在所述灯罩滑动时穿过所述开口。
9.如权利要求8所述的晶圆加热装置，其中，所述第一边缘和所述第二边缘基本为直线，并且形成45度和135度之间的角。
10.如权利要求8所述的晶圆加热装置，其中，所述开口占据了由所述外边缘限定的完整圆面积的八分之一到八分之三。
11.如权利要求8所述的晶圆加热装置，进一步包括设置在所述开口中的聚光灯，其中，所述聚光灯被配置为为所述基座上放置的晶圆的中心区域提供的热量比为所述晶圆的其余区域提供的热量多。
12.如权利要求8所述的晶圆加热装置，其中，所述灯罩的所述顶面不共面，并且所述灯罩的外部部分比所述灯罩内部部分高。
13.一种晶圆加热装置，包括：
蜂巢状锥形加热器，包括：
包括顶面和底面的灯罩，其中，所述顶面的第一部分比所述顶面的第二部分距所述灯罩的中心区域远，其中，所述第一部分和所述第二部分均不共面；和
遍及所述灯罩分布的多个灯；
穿过所述灯罩的所述中心区域的轴；以及
位于所述轴和所述灯罩上方的基座，其中，所述轴和所述基座互相连接，
所述灯罩包括：
形成部分圆的外边缘，其中，所述灯罩包括从所述灯罩的顶面延伸至底面的开口，所述开口进一步从所述灯罩的所述外边缘延伸至所述中心区域；以及
面向开口的第一边缘和第二边缘，其中，所述第一边缘和所述第二边缘中的每一个都从所述灯罩的所述顶面延伸至所述底面以及从所述灯罩的所述外边缘延伸至所述中心区域，
其中，所述灯罩被配置为能够在与所述轴的纵长方向垂直的方向上滑动，并且所述轴被配置为在所述灯罩滑动时穿过所述开口。
14.如权利要求13所述的晶圆加热装置，其中，所述灯罩的顶面的第一部分比所述灯罩的顶面的第二部分高。
15.如权利要求13所述的晶圆加热装置，其中，所述灯罩的顶面的第一部分和第二部分中的每一个均是平坦表面，并且所述第一部分和所述第二部分形成阶梯。
16.如权利要求13所述的晶圆加热装置，其中，所述第二部分沿着从所述灯罩的所述中心区域到外边缘的方向逐渐升高，以及所述第一部分是平坦表面。
CN201210418561.4A 2012-03-30 2012-10-26 用于集成电路制造的蜂巢状锥形加热器 Active CN103369744B (zh)

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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9517539B2 (en) 2014-08-28 2016-12-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wafer susceptor with improved thermal characteristics

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3761678A (en) * 1971-05-03 1973-09-25 Aerojet General Co High density spherical modules
US4836138A (en) * 1987-06-18 1989-06-06 Epsilon Technology, Inc. Heating system for reaction chamber of chemical vapor deposition equipment
CN102217048A (zh) * 2008-08-29 2011-10-12 应用材料股份有限公司 用于扩大温度高温测定的方法与设备

Family Cites Families (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3854443A (en) * 1973-12-19 1974-12-17 Intel Corp Gas reactor for depositing thin films
US4374516A (en) * 1979-11-26 1983-02-22 Harrison William H Planar disc magnetic electrode
US4828224A (en) * 1987-10-15 1989-05-09 Epsilon Technology, Inc. Chemical vapor deposition system
US5155336A (en) * 1990-01-19 1992-10-13 Applied Materials, Inc. Rapid thermal heating apparatus and method
US5830277A (en) * 1995-05-26 1998-11-03 Mattson Technology, Inc. Thermal processing system with supplemental resistive heater and shielded optical pyrometry
US5551985A (en) * 1995-08-18 1996-09-03 Torrex Equipment Corporation Method and apparatus for cold wall chemical vapor deposition
US5937142A (en) * 1996-07-11 1999-08-10 Cvc Products, Inc. Multi-zone illuminator for rapid thermal processing
US6108490A (en) * 1996-07-11 2000-08-22 Cvc, Inc. Multizone illuminator for rapid thermal processing with improved spatial resolution
US6090210A (en) * 1996-07-24 2000-07-18 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas flow control in a process chamber
US5781693A (en) * 1996-07-24 1998-07-14 Applied Materials, Inc. Gas introduction showerhead for an RTP chamber with upper and lower transparent plates and gas flow therebetween
US5802099A (en) * 1996-08-26 1998-09-01 Moore Epitaxial, Inc. Method for measuring substrate temperature in radiant heated reactors
US5889258A (en) * 1996-12-12 1999-03-30 Lubomirski; Dimitri High temperature heating apparatus
US6114662A (en) * 1997-06-05 2000-09-05 International Business Machines Corporation Continual flow rapid thermal processing apparatus and method
KR100660416B1 (ko) * 1997-11-03 2006-12-22 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 개량된 저질량 웨이퍼 지지 시스템
US6086677A (en) * 1998-06-16 2000-07-11 Applied Materials, Inc. Dual gas faceplate for a showerhead in a semiconductor wafer processing system
US6156079A (en) * 1998-10-21 2000-12-05 Ho; Henry Window support member for a semiconductor processing system
JP3733811B2 (ja) * 1999-02-16 2006-01-11 ウシオ電機株式会社 光照射式加熱処理装置
JP2000286200A (ja) * 1999-03-31 2000-10-13 Kokusai Electric Co Ltd 熱処理方法および熱処理装置
JP3659863B2 (ja) * 2000-04-06 2005-06-15 大日本スクリーン製造株式会社 熱処理装置
JP5049443B2 (ja) * 2000-04-20 2012-10-17 東京エレクトロン株式会社 熱処理システム
JP4605853B2 (ja) * 2000-04-20 2011-01-05 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置、熱処理システム及び熱処理方法
US6376804B1 (en) * 2000-06-16 2002-04-23 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system with lamp cooling
JP2002075901A (ja) 2000-08-31 2002-03-15 Tokyo Electron Ltd アニール装置、メッキ処理システム、および半導体デバイスの製造方法
US6350964B1 (en) * 2000-11-09 2002-02-26 Applied Materials, Inc. Power distribution printed circuit board for a semiconductor processing system
US7015422B2 (en) * 2000-12-21 2006-03-21 Mattson Technology, Inc. System and process for heating semiconductor wafers by optimizing absorption of electromagnetic energy
EP1391140B1 (en) * 2001-04-30 2012-10-10 Lam Research Corporation Method and apparatus for controlling the spatial temperature distribution across the surface of a workpiece support
US7056389B2 (en) * 2001-05-23 2006-06-06 Mattson Thermal Products Method and device for thermal treatment of substrates
JP2003022982A (ja) 2001-07-09 2003-01-24 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置
US6800833B2 (en) * 2002-03-29 2004-10-05 Mariusch Gregor Electromagnetically levitated substrate support
US6818864B2 (en) * 2002-08-09 2004-11-16 Asm America, Inc. LED heat lamp arrays for CVD heating
US6835914B2 (en) * 2002-11-05 2004-12-28 Mattson Technology, Inc. Apparatus and method for reducing stray light in substrate processing chambers
US7401951B2 (en) * 2003-07-14 2008-07-22 Burton Jr Hubert Carl Light shield
US7509035B2 (en) * 2004-09-27 2009-03-24 Applied Materials, Inc. Lamp array for thermal processing exhibiting improved radial uniformity
US7112763B2 (en) * 2004-10-26 2006-09-26 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for low temperature pyrometry useful for thermally processing silicon wafers
US7972441B2 (en) * 2005-04-05 2011-07-05 Applied Materials, Inc. Thermal oxidation of silicon using ozone
US7262390B2 (en) * 2005-05-23 2007-08-28 Chung Shan Institute Of Science And Technology, Armaments Bureau, M.N.D. Apparatus and adjusting technology for uniform thermal processing
KR20060133808A (ko) 2005-06-21 2006-12-27 삼성전자주식회사 급속 열처리 설비용 램프교체 툴
JP5055756B2 (ja) * 2005-09-21 2012-10-24 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び記憶媒体
JP4940635B2 (ja) * 2005-11-14 2012-05-30 東京エレクトロン株式会社 加熱装置、熱処理装置及び記憶媒体
JP4805741B2 (ja) * 2006-07-14 2011-11-02 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
US7378618B1 (en) * 2006-12-14 2008-05-27 Applied Materials, Inc. Rapid conductive cooling using a secondary process plane
US8222574B2 (en) * 2007-01-15 2012-07-17 Applied Materials, Inc. Temperature measurement and control of wafer support in thermal processing chamber
US8610033B1 (en) * 2007-03-29 2013-12-17 Moore Epitaxial, Inc. Rapid thermal process reactor utilizing a low profile dome
JP4616873B2 (ja) * 2007-09-28 2011-01-19 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置、基板保持方法及びプログラム
US7828456B2 (en) * 2007-10-17 2010-11-09 Lsi Industries, Inc. Roadway luminaire and methods of use
US20110042119A1 (en) * 2008-02-05 2011-02-24 Laser Energetics, Inc. Pump chamber integrated lamps
EP3573092B1 (en) * 2008-05-02 2021-12-22 Applied Materials, Inc. System for non radial temperature control for rotating substrates
KR101447163B1 (ko) 2008-06-10 2014-10-06 주성엔지니어링(주) 기판처리장치
US20100084744A1 (en) * 2008-10-06 2010-04-08 Zafiropoulo Arthur W Thermal processing of substrates with pre- and post-spike temperature control
US8314371B2 (en) * 2008-11-06 2012-11-20 Applied Materials, Inc. Rapid thermal processing chamber with micro-positioning system
US8663389B2 (en) * 2011-05-21 2014-03-04 Andrew Peter Clarke Method and apparatus for crystal growth using a membrane-assisted semi-closed reactor
JP5786487B2 (ja) * 2011-06-22 2015-09-30 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び熱処理方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3761678A (en) * 1971-05-03 1973-09-25 Aerojet General Co High density spherical modules
US4836138A (en) * 1987-06-18 1989-06-06 Epsilon Technology, Inc. Heating system for reaction chamber of chemical vapor deposition equipment
CN102217048A (zh) * 2008-08-29 2011-10-12 应用材料股份有限公司 用于扩大温度高温测定的方法与设备

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Publication number Publication date
US9960059B2 (en) 2018-05-01
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