CN103354954B - 制作具有正面纹理和平滑背面表面的硅太阳能电池的方法 - Google Patents
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Abstract
制作一面被平滑化蚀刻的硅太阳能电池的方法，其中一个硅基底的正面和背面被蚀刻（10）以形成平滑的纹理，一个介电覆层被形成在所述硅基底的背面上（14，16），且所述硅基底的所述正面随后借助一种纹理蚀刻介质被纹理化（20），形成在所述硅基底的背面上的所述介电覆层被用作对所述纹理蚀刻介质的蚀刻掩膜。
Description
技术领域
本发明涉及一侧被平坦蚀刻的硅太阳能电池的一种制作方法。
背景技术
在光伏领域，为了减小电流产生的成本进行了各种努力。实现这个目的的第一种方式是提高所制成的硅太阳能电池的效率，或者，其第二种方式是减小制作硅太阳能电池所需的成本。效率的提高要求所吸收的光子中的更大部分产生出电子/空穴对和/或使所产生的电子/空穴对中的更大部分在它们复合之前被传导走。这改善了所谓的量子产量或量子效率。
为此，可在硅太阳能电池或用于制作硅太阳能电池的硅基底的表面用现有技术中已知的方法形成一种纹理。这样的纹理可包括例如在表面上随机取向的金字塔部分。这些金字塔部分的作用是在金字塔部分的表面上形成某些入射光的多重反射，使硅太阳能电池上的入射光比平坦表面上的更多，从而改善量子产量。进一步地，折射效应造成硅太阳能电池上的入射光的近表面光路的加大。沿着这样的光路的光分量可在更接近硅太阳能电池中形成的p-n结的电场处被吸收，从而更可能对产生的电流有贡献。
另外，以一个角度进入硅太阳能电池体内的光在它行进到硅太阳能电池的边界之前可行进更长的距离。由于入射光的长波长的红光分量的吸收长度较大，这在红光谱范围内是特别有利的。由于在太阳能电池工业化生产中采用了更薄的太阳能电池基底，红光谱范围的重要性加大了。因此，为了改善量子产量，在硅基底的背面加上了一个金属层，从而在硅基底背向入射光的一侧加上了一个光学反射器。结果，照到硅基底的正面的长波长的光在硅基底的背面上被反射。这加大了长波长的光在硅基底体内被吸收的概率，从而加大了产生电子-空穴对的概率。然而，如果没有硅基底背面上的光反射器，更多的光将会穿过硅基底而不被吸收。
然而，已经证实的是，金属光反射器与金属与硅基底的边界处的更高的电荷载流子复合率有关。如果在硅基底的背面上提供一个介电反射层而不是一个金属背面反射层，就可以避免上述问题。为此，在硅基底的背面上形成了一个介电覆层。它可包括一或多个介电层。该介电覆层是这样形成的，即：使得照射到介电覆层的光子尽可能多地通过全反射效应而被反射。这种效应取代了在金属背面反射器的情况下出现的光子从光密介质的反射。
借助这种类型的、作为介电背面反射器的介电覆层，电荷载流子在硅太阳能电池的背面的复合率可被显著地减小。能够实现小于500cm/s的复合率。而目前作为标准的带有背面区的全区域背面铝背触头（经常被称为背表面区）则只能够实现1000cm/s量级的复合率。被用作背面反射器的没有背面区的欧姆金属背触头甚至有超过106cm/s的复合率。
如已经解释的，介电覆层的反射效果依赖于光对介电覆层的全反射。然而，全反射只有当光以满足全反射条件的角度照射到硅基底与介电层之间的边界上时才会发生。光在硅基底上的倾斜入射会改善这种条件的满足。如上所解释的，对一部分入射光，光的倾斜入射可借助硅基底的正面上的纹理来实现。为了使入射到硅太阳能电池中的光的更大部分满足背面上的全反射条件，最适合的是硅基底的背面表面尽可能地平滑。因而，硅基底的正面上的纹理与硅基底的尽可能平滑的背面表面的结合，能够实现高的量子产量。
在工业化太阳能电池生产中，纹理通常是利用适当的纹理蚀刻溶液以湿化学的方式形成的。另外，工业规模的硅基底的表面平滑化或抛光是以湿化学方式进行的。一般地，这涉及把硅基底浸泡在适当的蚀刻溶液中。结果，通常在正面和背面上都形成了纹理。因此，通常在正面和背面上都进行表面的平滑化。然而，以往的硅基底表面的单侧抛光或单侧平滑化总是伴随着显著的附加生产成本，这即使不完全消除量子产量的改善所带来的好处，也严重抵消了这种好处。
发明内容
在这样的背景下，本发明的一个目的，是提供一种经济的方法，用于生产带有正面纹理和平滑的背面表面的硅太阳能电池。
该目的在根据本发明的一个主要方面的方法中得到了实现。根据本发明的其他方面，则提供了更多的实施例。
在根据本发明的用于产生一侧平滑的硅太阳能电池的方法中，硅基底的正面和背面被蚀刻平滑，然后在硅基底的背面上形成一个介电覆层，且硅基底的正面随后借助一种纹理蚀刻介质被形成纹理，形成在硅基底的背面上的介电覆层被作为对所述纹理蚀刻介质的蚀刻掩膜。
在此情况下，硅基底的正面指的是，硅基底与由它制作的太阳能电池对着入射光的一面相对应的一面。相应地，硅基底的背面指的是，在完成的太阳能电池背向入射光的一面。在本申请中，平滑蚀刻指的是这样的蚀刻，即，该蚀刻使硅基底的表面被平滑化到使得波长在400nm与1000nm之间的入射光的至少15％被反射。在本申请中，抛光蚀刻表示一种特殊的平滑蚀刻，其中硅基底的表面以这样的方式被平滑化，即波长在400nm至1000nm之间的入射光的至少25％被反射。
在本申请中，当介电覆层在正面的纹理化所需的蚀刻时间内没有被纹理蚀刻介质蚀刻至严重的程度时，介电覆层被用作蚀刻掩膜。理想地，蚀刻掩膜即介电覆层对于纹理蚀刻介质是惰性的。然而，这不是绝对必需的。原则上，只要适当选择介电覆层的厚度及其密度，使该介电覆层不被除去到严重的程度，从而使硅基底的背面得到介电覆层的保护而不受纹理蚀刻介质的蚀刻，且留在硅基底的介电覆层具有所希望的厚度，就足够了。
由于被用作蚀刻掩膜的介电覆层在完成的太阳能电池中被用作背面光反射器，它可被留在硅基底上。与其他蚀刻掩膜相比，这提供了这样的优点，即该蚀刻掩膜不用在正面被纹理化之后被除去且硅基底可被完全浸泡在纹理蚀刻介质中。这使得能够以经济的方式对硅基底的正面进行单面纹理化。由于硅基底的正面和背面被蚀刻平滑，与背面被纹理化且背面上提供有作为背面光反射器的介电覆层的太阳能电池相比，这提供了这样的优点，即：由于硅基底的背面表面更加平滑，所述介电覆层具有更一致的厚度，这对介电覆层的光和电性质都是有利的。进一步地，用相同量的介电覆层材料可形成更厚的介电覆层，或者，对于相当的厚度介电覆层材料的用量可得到减小。这是由于纹理化的背面具有比平滑的背面更大的表面面积（加大了约1.7的因子），且用于纹理化的背面的介电覆层材料的量因而需要被分配到更大的表面面积上。一个附加的效果是，因为其平滑的背面表面，硅基底可实现更大的断裂强度。
硅基底的正面和背面的平滑蚀刻能够在一个共同的蚀刻步骤中同时进行。
有利地，硅基底的锯齿损伤或其他表面缺陷可作为平滑蚀刻的一部分而得到蚀刻，从而被除去。
单晶硅基底可被用作硅基底，且本发明已经被证明对这些硅基底是特别成功的。
优选地，硅基底的背面借助所述介电覆层而被电钝化。这减小了硅基底的背面上的电荷载流子的表面复合率。硅基底的平滑的背面表面，与具有结构的或纹理化的背面表面相比，实现了改善的钝化效果，因为没有了发生在纹理或结构的尖端处的不一致性。
优选地，形成了包括多个介电覆层的叠层，作为介电覆层。对此，已经被证明有利的是，首先在硅基底的背面上形成一个氧化硅层，且然后在所述氧化硅层上形成一个氮化硅层。在此情况下，所形成的所述氧化硅层优选地具有小于100nm的厚度且所形成的所述氮化硅层优选地具有小于200nm的厚度。所述氧化硅层可借助硅基底的热氧化形成，或者利用等离子体加强的化学汽相淀积施加到硅基底上。所述氮化硅层优选地借助等离子体加强的化学汽相淀积（PECVD）形成。
如果采用包括形成在硅基底的背面上的一个氧化硅层和随后形成在该氧化硅层上的一个氮化硅层的介电层的叠层，在实际中已经被证明成功的是，形成的氧化硅层的厚度在5nm与100nm之间，优选地在10nm与50nm之间。在此方面，还已经被证明成功的是形成的氮化硅层的厚度在50nm与200nm之间，优选地在70nm与150nm之间。
有利地，在把一种金属介质施加到所述介电覆层之前，所述介电覆层在至少700℃的温度下被保持至少5分钟的时间。以此方式，介电覆层被致密化且其对蚀刻介质的抵抗力或对金属糊对介电覆层的烧穿的抵抗力得到提高。
优选地，硅基底的正面和背面在一种碱性蚀刻溶液中被平滑蚀刻。在此方面，NaOH或KOH浓度为10至50重量百分比且特别优选地是15至30重量百分比的NaOH或KOH水溶液已经被证明是成功的。使用这样的蚀刻溶液是经济的。另外，它们能够对大量的硅基底进行平滑蚀刻，因而可以被用于工业规模的生产中。进一步地，通过采用具有上述NaOH或KOH浓度的蚀刻溶液，能够实现在400nm与1000nm之间的波长范围中超过35％的反射，因而它们能够进行抛光蚀刻。
优选地是采用一种碱性纹理蚀刻介质作为纹理蚀刻溶液，优选地是含NaOH或KOH的纹理蚀刻介质。如之上已经描述的，这样的纹理蚀刻溶液使得该处理能够以经济且适合于工业规模生产的方式进行。
有利地，在形成所述介电覆层之前，硅基底的一个表面被清洁，至少是其背面上的一个表面被清洁。这能够改善介电覆层的电钝化效果。优选地，这是通过利用其中注入臭氧气体的一种含HF的溶液进行的。或者，也可采用已知的清洁工艺，例如“IMEC清洁”或被称为“RCA清洁”的清洁工艺。然而，这些已知的清洁工艺都涉及到附加的成本。这些清洁工艺的一种更廉价的替代方案包括采用含HCL和HF的一种溶液。实际中，已经被证明成功的是，把硅基底浸渍到所采用的溶液中以对背面进行清洗。
在形成了所述介电覆层之后，优选的是利用一种HF溶液至少对硅基底的正面进行过蚀刻，以除去在形成介电覆层时淀积在硅基底的正面上的介电材料。这种方法能够防止或至少减少由于在硅基底的正面上的寄生介电材料而对纹理的损坏。在一种经济的变形实施例中，该硅基底被浸渍到HF溶液中。在此情况下，该HF溶液也与形成在硅基底的背面上的介电覆层相接触。在此情况下，该HF溶液的HF浓度和蚀刻时间被有利地选择，以使所述介电覆层只被略微地蚀刻。实际中，HF浓度小于5重量百分比且优选地小于2重量百分比且特别优选地小于1重量百分比的HF水溶液，已经被证明是用于对硅基底的正面进行过蚀刻的成功的HF溶液。
优选地，在硅基底的正面的纹理化之后，在硅基底的正面上，通过把掺杂物扩散到硅基底的正面中，形成了发射极。在此扩散步骤中，由于已经在硅基底的背面上形成了介电覆层，它可在该扩散过程中被用作一个扩散阻挡层。这使得能够经济地实现单面发射极扩散，而不论所采用的扩散技术的类型如何。所以，例如，该扩散能够在借助一种POCl3扩散的叠层操作中实现，或者在采用施加到硅基底的正面的扩散源（称为先驱体扩散）的一种连续扩散炉中实现。因而，能够省略边缘绝缘。
优选地，在扩散掺杂物之前，硅基底借助一种蚀刻溶液被清洗。在此方面，借助含HF和HCl的一种蚀刻溶液的清洗已经被证明是成功的。蚀刻溶液和诸如蚀刻时间的蚀刻参数的组合应该被适当选择，以使硅基底背面上的介电覆层不被显著蚀刻。在实际中，HF浓度小于5重量百分比且优选地小于2重量百分比且特别优选地小于1重量百分比的含HF和HCl的蚀刻溶液，已经被证明是成功的。
如上所述，含NaOH或KOH的纹理蚀刻溶液可被用作纹理蚀刻介质。然而，如已经发现的，通常含有异丙醇的这样的纹理蚀刻溶液并不局部地攻击平滑或抛光蚀刻的硅表面，或者有一个延迟。这会导致纹理的不一致。因而，本发明的一个方面，是采用一种纹理蚀刻溶液作为纹理蚀刻介质，该纹理蚀刻溶液含有NaOH和KOH以及一种产物，该产物可这样获得，即：把至少一种聚乙二醇与一种碱相混合以形成一种单一相混合物，把该单一相混合物加热至80℃的温度并把所述单一相混合物搁置在周围空气中直到该单一相混合物改变颜色。在此情况下，碱原则上指的是能够在水溶液中形成氢氧离子的任何化合物或元素。优选的是采用氢氧化碱或氢氧化氨作为碱，特别优选的是氢氧化钾或氢氧化钠。所用的氢氧化碱与混合形成单一相混合物的成分（例如四甘醇与氢氧化钾）的质量比，是1至10质量百分比，优选地是约7质量百分比。
在此，单一相混合物指的是这样的混合物，它即使被放置若干小时，也不会分离成密度不同的若干个相。周围空气在此指的是，在地球上人类所在的区域中通常存在的气体混合物。“搁置”不一定是混合物的绝对静止。原则上该混合物可被移动。当单一相混合物的颜色与其原始颜色相比发生改变时，该单一相混合物的颜色改变发生。特别地，当之前透明的单一相混合物呈现出一种颜色时，就发生了颜色改变。至颜色改变的搁置时间取决于多种参数，特别是所混合的物质。在多数情况下，需要搁置15分钟至16小时的时间。
上述的方面使得可以在硅基底的平滑蚀刻的正面表面上形成完整且均匀的纹理。
上述方面的一种变形是，包含在纹理蚀刻溶液中的产物可如下获得：把至少一种聚乙二醇与一种碱和水混合以形成一种单一相混合物，把该单一相混合物加热至80℃并把该单一相混合物搁置在周围空气中直到该单一相混合物改变颜色。优选地，在此情况下，在该产物的制作中，一种氢氧化碱水溶液被与至少一种聚乙二醇相混合。
在上述方面的一个进一步的变形中，作为纹理蚀刻溶液中含有的产物，采用了一种产物，该产物是这样获得的：把至少一种聚乙二醇与一种碱混合以形成一种单一相混合物，把该单一相混合物加热至80℃的温度，把该单一相混合物搁置在周围空气中直到该单一相混合物改变颜色，并在该单一相混合物改变颜色之后把一种非氧化性酸混合到该单一相混合物中。这种非氧化性酸优选地是盐酸或醋酸。已经被证明有利的是，以这样的方式把非氧化性酸混合到单一相混合物中，即产生小于7且优选地小于3的pH值。采用这样的产物能够抵消纹理蚀刻溶液的蚀刻效果的过早退化。
在上述方面的所述变形中，优选地是总是采用一种产物，它能够被搁置直到所述单一相混合物呈现出在彩色光谱上处于橙色与红褐色之间的一种颜色，特别优选地是直到它呈现出一种红褐色。
根据本发明的方法使得能够采用经济的碱性蚀刻和纹理蚀刻溶液。它还使得从硅基底上被蚀刻下来的硅的量能够被最小化，从而减小了蚀刻介质的消耗，而这两者在太阳能电池的制造成本上都是有利的。
根据本发明的方法还与现代太阳能电池制造工艺兼容。所以，例如用于形成选择性发射极结构的激光扩散步骤或用于借助激光或蚀刻糊在硅基底的背面上形成介电覆层的局部开口的步骤，都能够方便地被整合。已经证明的制造步骤，诸如抗反射覆层的形成和通过施加氮化硅层而借助氢进行的硅基底体的同时钝化，都能够方便地与本发明结合。
下表显示了两种硅太阳能电池的太阳能电池参数：
这些的不同，在于按照根据本发明的方法生产了硅太阳能电池，且该硅太阳能电池具有形成在平滑的背面上的介电覆层。然而，在第二种硅太阳能电池中，介电覆层被形成在纹理化的背面上。如从短路电流和无负载电压的值可见，在带有平滑背面的太阳能电池的情况下，太阳能电池背面的改善的光反射和背面的介电钝化可有利地得到利用，而带有纹理化的背面的太阳能电池则呈现只与没有背面介电钝化的太阳能电池的值略微不同的值。
附图说明
以下结合附图描述对本发明进行更为详细的描述。在附图中：
图1是根据本发明的方法的一个实施例的示意图。
具体实施方式
图1显示了根据本发明的方法的一个实施例。在此实施例中，一个单晶硅基底的两面即正面和背面被抛光蚀刻10。在本实施例中，这是在KOH浓度为25重量百分比的KOH溶液中进行的。如上所述，抛光蚀刻代表了一种专门的平滑化蚀刻。在实际的意义上，硅基底上的所有锯齿损伤都因此被蚀刻和除去10。
该硅基底随后在注入有臭氧的一种HF溶液中被清洗12。如已经说明的，这代表了一种经济的清洗。但原则上，也可采用现有技术中的其他清洗工艺。如上所述，这种清洗步骤12能够改善然后形成的介电覆层的电钝化效果。
为了形成介电覆层，随后在硅基底的背面上形成14一个氧化硅层。这可借助硅基底的背面表面的热氧化或通过在硅基底的背面上淀积氧化硅而进行。在后一种情况下，优选的是采用等离子体加强的化学汽相淀积（PECVD）。PECVD随后被用来在该氧化硅层上淀积16一个氮化硅层。该氮化硅层与已经形成的氧化硅层一起形成了所述介电覆层。
在本实施例中，所述硅基底随后在一种HF溶液中被过蚀刻18，以除去淀积在硅基底的正面上的任何寄生介电材料。该过蚀刻18在此是借助硅基底在该HF溶液中的短暂浸泡而实现的，其有时被称为“HF浸渍”。该HF溶液的HF浓度和蚀刻时间被适当选择，以使形成在硅基底背面上的介电覆层只被略微蚀刻，从而使其功能不受影响。
随后用一种纹理蚀刻溶液把硅基底的正面纹理化20。在本实施例中，这涉及把硅基底浸渍到该纹理蚀刻溶液中。在硅基底的背面形成14、16的介电覆层现在被用作对纹理蚀刻溶液的蚀刻掩膜，从而不在硅基底的背面上形成纹理。
为了使硅基底的正面能够在纹理蚀刻溶液中被纹理化20，所需的纹理蚀刻溶液被预先制备48。在本实施例中，这是通过制备48一种含有NaOH的纹理蚀刻溶液而实现的；该纹理蚀刻溶液含有一种产物，而该产物可由如图1所示意表示的方式获得，即通过：把四甘醇与一种NaOH水溶液混合40以形成一种单一相混合物，把该单一相混合物加热42至温度80℃，把该单一相混合物搁置在周围空气中，即等待44至该单一相混合物的颜色改变至红褐色，并随后把盐酸混合46到该单一相混合物中。
在把硅基底的正面在纹理蚀刻溶液中纹理化20之后，该硅基底在含有HCl和HF的溶液中被清洗。为此，蚀刻参数被这样选择，即使得在硅基底的背面上的介电覆层不被蚀刻至显著的程度。这之后进行磷扩散24以在硅基底的正面上形成发射极。在该磷扩散24期间，在硅基底的背面上的所述介电覆层被用作一个扩散阻挡层，从而没有磷能够扩散到硅基底的背面中。
在此之后，可在硅基底的正面上进行一种可选的局部激光扩散26。在此情况下，例如，该硅基底可以以这样的方式被局部加热，即使得从在磷扩散期间形成24的一个磷玻璃至硅基底中的磷扩散被局部加强。特别地，能够以此方式形成选择性发射极结构。
随后，利用激光器或其激光辐射在硅基底的背面上的介电覆层上形成开口28。硅基底的背面随后经过这些本地开口并借助施加到介电覆层上的金属化层而获得触头。
之后，对磷玻璃进行蚀刻30。随后一个含有氢的氮化硅层被淀积32在硅基底的正面上；该氮化硅层被用作太阳能电池的抗反射层，且其氢含量在硅基底的体内造成了缺陷钝化。
在该工艺的进一步的过程中，硅基底的正面和背面以现有技术中已知的一种方式被金属化34，例如借助已知的诸如屏网印刷的印刷方法，且正面和背面上的金属化层被共烧制36，以产生太阳能电池的正面和背面的电触头。
Claims (20)
1.制作硅太阳能电池的方法，所述硅太阳能电池的一面被平滑化蚀刻，其中
-一个硅基底的正面和背面被平滑化蚀刻，
-随后一个介电覆层被形成在所述硅基底的背面上，为了形成介电覆层，首先在所述硅基底的背面上形成一个氧化硅层并随后在所述氧化硅层上形成一个氮化硅层，
-所述硅基底的所述正面随后借助一种纹理蚀刻介质被纹理化，形成在所述硅基底的背面上的所述介电覆层被用作对所述纹理蚀刻介质的蚀刻掩膜，
-在对所述硅基底的正面进行纹理化之后，借助掺杂物向所述硅基底的正面中的扩散而形成一个发射极。
2.根据权利要求1的方法，其特征在于所述硅基底的所述背面借助所述介电覆层被电钝化。
3.根据权利要求1的方法，其特征在于形成了其厚度在100nm与200nm之间的介电覆层。
4.根据权利要求1的方法，其特征在于
所述硅基底的正面和背面在一种碱性蚀刻溶液中被蚀刻平滑。
5.根据权利要求1的方法，其特征在于
一种碱性纹理蚀刻溶液被用作纹理蚀刻介质。
6.根据权利要求1的方法，其特征在于
在形成所述介电覆层之前，所述硅基底的至少在其背面上的一个表面被清洗。
7.根据权利要求1的方法，其特征在于
在形成所述介电覆层之后，至少所述硅基底的正面借助一种含有HF的溶液被过蚀刻，以除去当形成所述介电覆层时淀积在所述硅基底的正面上的介电材料。
8.根据权利要求1的方法，其特征在于
在被扩散了所述掺杂物之前，利用一种蚀刻溶液对所述硅基底进行了清洗。
9.根据权利要求1的方法，其特征在于
采用一种纹理蚀刻溶液作为纹理蚀刻介质，该纹理蚀刻溶液含有从NaOH和KOH组成的组中选出的一种成分以及一种产物，该产物可由以下方式获得：
-把至少一种聚乙二醇与一种碱相混合以形成一种单一相混合物，
-把该单一相混合物加热至80℃的温度，以及
-把所述单一相混合物搁置在周围空气中直到该单一相混合物改变颜色。
10.根据权利要求1的方法，其特征在于
采用一种纹理蚀刻溶液作为纹理蚀刻介质，该纹理蚀刻溶液含有从NaOH和KOH组成的组中选出的一种成分以及一种产物，该产物可由以下方式获得：
-把至少一种聚乙二醇与一种碱和水相混合以形成一种单一相混合物，
-把该单一相混合物加热至80℃的温度，以及
-把所述单一相混合物搁置在周围空气中直到该单一相混合物改变颜色。
11.根据权利要求1的方法，其特征在于
采用一种纹理蚀刻溶液作为纹理蚀刻介质，该纹理蚀刻溶液含有从NaOH和KOH组成的组中选出的一种成分以及一种产物，该产物可由以下方式获得：
-把至少一种聚乙二醇与从NaOH和KOH组成的组中选出的一种成分相混合以形成一种单一相混合物，
-把该单一相混合物加热至80℃的温度，以及
-把所述单一相混合物搁置在周围空气中直到该单一相混合物改变颜色。
12.根据权利要求1的方法，其特征在于
采用一种纹理蚀刻溶液作为纹理蚀刻介质，该纹理蚀刻溶液含有从NaOH和KOH组成的组中选出的一种成分以及一种产物，该产物可由以下方式获得：
-把至少一种聚乙二醇与一种碱相混合以形成一种单一相混合物，
-把该单一相混合物加热至80℃的温度，
-把所述单一相混合物搁置在周围空气中直到该单一相混合物改变颜色，以及
-在所述单一相混合物改变颜色之后，把一种非氧化性酸混合到该单一相混合物中。
13.根据权利要求1的方法，其特征在于所述氧化硅层具有小于100nm的厚度。
14.根据权利要求1的方法，其特征在于所述氮化硅层具有小于200nm的厚度。
15.根据权利要求4的方法，其特征在于所述碱性蚀刻溶液是其NaOH或KOH浓度为10至50重量百分比的NaOH或KOH水溶液。
16.根据权利要求4的方法，其特征在于所述碱性蚀刻溶液是其NaOH或KOH浓度为15至30重量百分比的NaOH或KOH水溶液。
17.根据权利要求5的方法，其特征在于所述碱性纹理蚀刻溶液是含有NaOH或KOH的纹理蚀刻溶液。
18.根据权利要求6的方法，其特征在于所述清洗借助其中引入了气体臭氧的HF溶液进行。
19.根据权利要求8的方法，其特征在于所述清洗是利用含有HF和HCl的一种蚀刻溶液进行的清洗。
20.根据权利要求12的方法，其特征在于所述非氧化性酸是从盐酸或醋酸中选出的一种。
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