CN103346159A - 一种阵列基板及其制造方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种阵列基板及其制造方法、显示装置，涉及显示技术领域，用以避免显示面板的漏光现象，从而提高显示面板的质量，提升显示效果。该阵列基板包括：透明基板以及位于透明基板上的薄膜晶体管TFT，第一钝化层覆盖TFT，第一透明电极位于第一钝化层的表面，第一透明电极通过过孔与TFT的漏极相连接，过孔处具有用于防止光线透射的光阻结构。

Description

一种阵列基板及其制造方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法、显示装置。
背景技术
随着显示技术的飞速发展，TFT-LCD(Thin Film Transistor LiquidCrystal Display，薄膜晶体管液晶显示器)作为一种平板显示装置，因其具有体积小、功耗低、无辐射以及制作成本相对较低等特点，而越来越多地被应用于高性能显示领域当中。
TFT-LCD显示面板的制造工艺包括：制造阵列(Array)基板和彩膜(Color Filter)基板，然后再将阵列基板和彩膜基板进行对位、成盒(Cell)。如图1所示，典型的TFT阵列基板包括透明基板11以及依次位于透明基板表面上TFT的栅极120、栅极绝缘层13、有源层14、位于有源层14两侧的TFT的漏极121和TFT的源级122、位于有源层14、TFT漏极121和TFT源级122表面上的第一钝化层15、位于第一钝化层表面的面状的第一透明电极16以及依次形成于第一透明电极16表面上的第二钝化层17和狭缝结构的第二透明电极18。
为了将第一透明电极16与薄膜晶体管的漏极121导通，通常会在第一钝化层15的表面设置有过孔，并且考虑到像素开口率的因素，可将该过孔设置为如图1所示的半搭接过孔30。该半搭接过孔30表面的第一透明电极16的一部分搭接在TFT的漏极121的表面上，另一部分搭接在过孔30底部栅极绝缘层13的表面，采用这样一种过孔可以增大像素开口率。然而，因为第一透明电极16透光，所以在半搭接过孔21处，当背光源发出的光线照射到TFT的漏极121未覆盖的部分时，将产生漏光现象。此外，还由于制造误差的原因会导致该过孔的口径偏大于设计值，或者在阵列基板和彩膜基板进行对位成盒时，由于对位精度的限制，很容易出现偏移，造成过孔未完全覆盖，从而发生漏光的现象，这种漏光现象严重制约了液晶面板的质量，并降低了液晶显示器件的显示效果。
发明内容
本发明的实施例提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置，用以避免显示面板的漏光现象，从而提高显示面板的质量，提升显示效果。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
本发明实施例的一方面，提供一种阵列基板，包括：透明基板以及位于所述透明基板上的薄膜晶体管TFT，第一钝化层覆盖所述TFT，第一透明电极位于所述第一钝化层的表面，所述第一透明电极通过过孔与所述TFT的漏极相连接，所述过孔处具有用于防止光线透射的光阻结构。
本发明实施例的另一方面，提供一种显示装置，包括如上所诉的阵列基板。
本发明实施例的又一方面，提供一种阵列基板的制造方法，包括：
在形成有薄膜晶体管TFT的基板表面形成第一钝化层的图案；
在形成有上述图案的基板表面通过构图工艺形成过孔的图案，第一透明电极通过所述过孔与所述TFT的漏极相连接；
在所述过孔位置处形成用于防止光线透射的光阻结构。
本发明实施例提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置，该阵列基板包括：透明基板以及位于透明基板上的薄膜晶体管TFT，第一钝化层覆盖TFT，第一透明电极位于第一钝化层的表面，该第一透明电极通过过孔与TFT的漏极相连接，该过孔处具有用于防止光线透射的光阻结构。这样一来，通过该光阻结构可以避免显示面板的漏光现象，从而提高显示面板的质量，提升显示效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中的阵列基板结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种阵列基板结构示意图；
图3为本发明实施例提供的另一种阵列基板结构示意图；
图4为本发明实施例提供的另一种阵列基板结构示意图；
图5为本发明实施例提供的又一种阵列基板结构示意图。
图6为本发明实施例提供的又一种阵列基板结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
一种阵列基板，如图2所示，可以包括：透明基板11以及位于透明基板11上的薄膜晶体管TFT12，第一钝化层15覆盖该TFT12，第一透明电极16位于第一钝化层15的表面，第一透明电极16通过过孔20与TFT的漏极121相连接，过孔20处具有用于防止光线透射的光阻结构21。
本发明实施例提供一种阵列基板，通过在过孔位置处制作用于防止光线透射的光阻结构，从而可以有效避免现有技术中过孔由于未完全覆盖而产生的漏光现象。这样一来，显著提高了显示面板的质量，提升了显示装置的显示效果。
进一步地，如图2所示，光阻结构21具体可以为连续的多个斜面或者曲面的微结构。
需要说明的是，上述连续的多个斜面或者曲面的微结构，具体可以为锯齿状或者凹凸不平的不规则形状等。其中，本发明实施例均是以锯齿状的不规则形状为例进行的说明。
这样一来，当背光源发出的光线照射到该过孔20处TFT的漏极121未覆盖的部分时，通过表面具有锯齿状的不规则形状的光阻结构21将入射光线散射开，减少了透过该过孔20处的光线，从而避免了显示器件的漏光现象，提高了显示器件的显示效果。
进一步地，如图2所示，位于过孔20处的第一钝化层15具有该微结构，第一钝化层15的表面形成具有该微结构的第一透明电极16。具体的，位于过孔20处的第一钝化层15的表面通过构图工艺形成的锯齿状的不规则形状。例如，采用掩膜曝光工艺，再对过孔20处的第一钝化层15的表面进行刻蚀，控制刻蚀深度，保留一部分的第一钝化层，然后在形成以上结构的基板上制作第一透明电极16，形成表面具有锯齿状的不规则形状的光阻结构21。这样一来该光阻结构21可以起到防止光线投射的作用，避免显示面板的漏光现象，从而提高显示面板的质量，提升显示效果。
进一步地，如图3所示，位于过孔20处的TFT的漏极121具有该微结构，TFT的漏极121的表面形成具有该微结构的第一透明电极16。具体的，位于过孔20处的TFT的漏极121的表面通过构图工艺形成的锯齿状的不规则形状。例如，采用掩膜曝光工艺，再对过孔20处的TFT的漏极121的表面进行刻蚀，控制刻蚀深度，保留一部分TFT的漏极121，然后在形成以上结构的基板上制作第一透明电极16，形成表面具有锯齿状的不规则形状的光阻结构21。这样一来该光阻结构21可以起到防止光线投射的作用，避免显示面板的漏光现象，从而提高显示面板的质量，提升显示效果。
进一步地，如图4所示，位于过孔20处的第一钝化层15与透明基板11之间的栅极绝缘层13具有该微结构，栅极绝缘层13的表面形成具有该微结构的第一透明电极16。具体的，位于过孔20处的栅极绝缘层13的表面通过构图工艺形成的锯齿状的不规则形状。例如，采用掩膜曝光工艺，再对过孔20处的栅极绝缘层13的表面进行刻蚀，控制刻蚀深度，保留一部分栅极绝缘层13，然后在形成以上结构的基板上制作第一透明电极16，形成表面具有锯齿状的不规则形状的光阻结构21。这样一来该光阻结构21可以起到防止光线投射的作用，避免显示面板的漏光现象，从而提高显示面板的质量，提升显示效果。
当然，上述仅仅是以图2、图3、图4为例对光阻结构的图案进行描述，其他在过孔20位置处形成用于防止光线透射的光阻结构21的图案在这里不再一一赘述，但都应当属于本发明的保护范围。
需要说明的是，形成于第一透明电极16表面的第二钝化层17。
第二钝化层17的表面形成有第二透明电极18。
具体的，第一透明电极16可以为面状结构，第二透明电极18可以为相互间隔的狭缝结构；或，第一透明电极16可以为相互间隔的狭缝结构，第二透明电极18可以为面状结构；或第一透明电极16和第二透明电极18均可以为狭缝结构。
例如，本发明实施例提供的阵列基板可以适用于FFS(FringeField Switching，边缘场开关)型或AD-SDS(Advanced-SuperDimensional Switching，简称为ADS，高级超维场开关)型等类型的液晶显示装置的生产。以第一透明电极16和第二透明电极18均为间隔设置的狭缝结构的电极为例，这样一种结构的阵列基板通常被用作ADS型液晶显示装置的生产，ADS技术通过同一平面内像素电极边缘所产生的平行电场以及像素电极层与公共电极层间产生的纵向电场形成多维电场，使液晶盒内像素电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转转换，与其他类型的显示装置相比，ADS型液晶显示装置进一步提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光效率。
需要说明的是，在本发明实施例中，第一透明电极16可以为像素电极，第二透明电极18可以为公共电极；或者第一透明电极16可以为公共电极，第二透明电极18可以为像素电极。本发明对此并不作限制。
需要说明的是，在本发明中，构图工艺，可只包括光刻工艺，或，包括光刻工艺以及刻蚀步骤，同时还可以包括打印、喷墨等其他用于形成预定图形的工艺；光刻工艺，是指包括成膜、曝光、显影等工艺过程的利用光刻胶、掩模板、曝光机等形成图形的工艺。可根据本发明中所形成的结构选择相应的构图工艺。例如，可以对形成有过孔20的基板进行离子轰击刻蚀，再进行灰化光刻胶和离子轰击刻蚀，可得到过孔20处表面具有不规则形状的光阻结构21，或可以将其表面粗糙化。
采用上述的这样一种阵列基板，光阻结构21具体是由第一钝化层15和第一透明电极16形成的光反射结构，这样一来，通过改变现有层级结构位于过孔20处的形状即可实现光阻结构的设计，从而无需额外设置新的层级，有效保证了显示装置的厚度。
进一步地，光阻结构21包括遮光层22：
如图5所示，遮光层22位于第一透明电极16与第二钝化层17之间。
进一步地，如图6所示，过孔20处既具有表面为不规则形状的光阻结构21又具有位于第一透明电极与第一钝化层之间的遮光层22，这样一来可以更好的起到防止光线透过该过孔的作用，从而更有效的避免了显示面板的漏光现象，提高了显示器件的显示效果。需要说明的是，这里仅仅是以图6为例对过孔20处同时具有锯齿状的光阻结构和遮光层的结构进行的说明，其它在过孔20处同时具有锯齿状的光阻结构和遮光层的结构在这里不再一一赘述，但都应当属于本发明实施例的保护范围之内。
本发明的实施例提供一种显示装置，包括如上所述的任意一种阵列基板。该显示装置具体可以为液晶显示器、液晶电视、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的液晶显示产品或者部件。
本发明实施例提供一种显示装置，该显示装置包括阵列基板，该阵列基板包括：透明基板以及位于透明基板上的薄膜晶体管TFT，第一钝化层覆盖TFT，第一透明电极位于第一钝化层的表面，该第一透明电极通过过孔与TFT的漏极相连接，该过孔处具有用于防止光线透射的光阻结构。这样一来，通过该光阻结构可以避免显示面板的漏光现象，从而提高显示面板的质量，提升显示效果。
本发明实施例提供一种阵列基板的制造方法，如图2所示，包括：
S101、在形成有薄膜晶体管TFT12的基板表面形成第一钝化层15的图案。
S102、在形成有上述图案的基板表面通过构图工艺形成过孔20的图案，第一透明电极16通过该过孔20与TFT的漏极121相连接。
S103、在过孔20位置处形成用于防止光线透射的光阻结构21。
本发明实施例提供一种阵列基板的制造方法，该阵列基板包括：透明基板以及位于透明基板上的薄膜晶体管TFT，第一钝化层覆盖TFT，第一透明电极位于第一钝化层的表面，该第一透明电极通过过孔与TFT的漏极相连接，该过孔处具有用于防止光线透射的光阻结构。这样一来，通过该光阻结构可以避免显示面板的漏光现象，从而提高显示面板的质量，提升显示效果。
进一步地，如图2所示，光阻结构21的制造方法包括：
S201、在形成有过孔20的基板上依次形成第一钝化层15和第一透明电极16。
其中，该过孔处通过构图工艺形成表面具有连续的多个斜面或者曲面的微结构的光阻结构21。
需要说明的是，上述连续的多个斜面或者曲面的微结构，具体可以为锯齿状或者凹凸不平的不规则形状等。其中，本发明实施例均是以锯齿状的不规则形状为例进行的说明。
这样一来，当背光源发出的光线照射到该过孔20处TFT的漏极121未覆盖的部分时，通过表面具有该微结构的光阻结构21将入射光线散射开，减少了透过该过孔20处的光线，从而避免了显示器件的漏光现象，提高了显示器件的显示效果。
进一步地，如图2所示，位于过孔20处的第一钝化层15具有该微结构，第一钝化层15的表面形成具有该微结构的第一透明电极16。具体的，位于过孔20处的第一钝化层15的表面通过构图工艺形成的锯齿状的不规则形状。例如，采用掩膜曝光工艺，再对过孔20处的第一钝化层15的表面进行刻蚀，控制刻蚀深度，保留一部分的第一钝化层，然后在形成以上结构的基板上制作第一透明电极16，形成表面具有锯齿状的不规则形状的光阻结构21。这样一来该光阻结构21可以起到防止光线投射的作用，避免显示面板的漏光现象，从而提高显示面板的质量，提升显示效果。
进一步地，如图3所示，位于过孔20处的TFT的漏极121具有该微结构，TFT的漏极121的表面形成具有该微结构的第一透明电极16。具体的，位于过孔20处的TFT的漏极121的表面通过构图工艺形成的锯齿状的不规则形状。例如，采用掩膜曝光工艺，再对过孔20处的TFT的漏极121的表面进行刻蚀，控制刻蚀深度，保留一部分TFT的漏极121，然后在形成以上结构的基板上制作第一透明电极16，形成表面具有锯齿状的不规则形状的光阻结构21。这样一来该光阻结构21可以起到防止光线投射的作用，避免显示面板的漏光现象，从而提高显示面板的质量，提升显示效果。
进一步地，如图4所示，位于过孔20处的第一钝化层15与透明基板11之间的栅极绝缘层13具有该微结构，栅极绝缘层13的表面形成具有该微结构的第一透明电极16。具体的，位于过孔20处的栅极绝缘层13的表面通过构图工艺形成的锯齿状的不规则形状。例如，采用掩膜曝光工艺，再对过孔20处的栅极绝缘层13的表面进行刻蚀，控制刻蚀深度，保留一部分栅极绝缘层13，然后在形成以上结构的基板上制作第一透明电极16，形成表面具有锯齿状的不规则形状的光阻结构21。这样一来该光阻结构21可以起到防止光线投射的作用，避免显示面板的漏光现象，从而提高显示面板的质量，提升显示效果。
当然，上述仅仅是以图2、图3、图4为例对光阻结构的制作方法进行描述，其他在过孔20位置处形成用于防止光线透射的光阻结构21的制作方法在这里不再一一赘述，但都应当属于本发明的保护范围。
进一步地，所述光阻结构21可以包括：
如图5所示，在形成有第一透明电极16的基板上形成遮光层22。
进一步地，如图6所示，过孔20处既形成有表面为不规则形状的光阻结构21又形成有位于第一透明电极与第一钝化层之间的遮光层22，这样一来可以更好的起到防止光线透过该过孔的作用，从而更有效的避免了显示面板的漏光现象，提高了显示器件的显示效果。需要说明的是，这里仅仅是以图6为例对过孔20处同时具有锯齿状的光阻结构和遮光层的结构进行的说明，其它在过孔20处同时具有锯齿状的光阻结构和遮光层的结构在这里不再一一赘述，但都应当属于本发明实施例的保护范围之内。
具体的，以图2为例，对具有光阻结构21的阵列基板的制作过程进行详细的描述：
S301、在透明基板11的表面通过构图工艺形成TFT的栅极120的图案。
S302、在TFT的栅极120的表面覆盖栅极绝缘层13。
S303、在栅极绝缘层13的表面对应TFT12的沟道位置处采用隔离技术(lift-out)形成半导体有源层14，该半导体有源层为金属氧化物(IGZO)。
S304、在半导体有源层14的表面形成TFT的源极122和漏极121，该步骤结束后，完成了对薄膜晶体管TFT12的制作。
S305、在形成有TFT12的基板表面形成第一钝化层15的图案。
S306、在形成有上述图案的基板表面利用特殊设计的掩模板，通过一次构图工艺得到不同曝光量对应的光刻胶下锯齿状的过孔20。
S307、对完成上述步骤形成的过孔20进行离子轰击刻蚀，再进行灰化光刻胶和离子轰击刻蚀，可使得过孔20处基底形成锯齿状的不规则形状，或将其表面粗糙化。
S308、在形成有上述图案的基板表面形成第一透明电极16，这样就在过孔20位置处形成用于防止光线透射的光阻结构21，该第一透明电极16通过该过孔20与TFT的漏极121相连接。
S309、在形成有第一透明电极16的基板表面形成第二钝化层17。
S310、在形成有第二钝化层17的基板表面形成第二透明电极18。
采用上述的这样一种阵列基板，光阻结构21具体是由第一钝化层15和第一透明电极16形成的光反射结构，这样一来，通过改变现有层级结构位于过孔20处的形状即可实现光阻结构的设计，从而无需额外设置新的层级，有效保证了显示装置的厚度。
或者，以图5为例，对具有光阻结构(遮光层22)的阵列基板的制作过程进行详细的描述：
S401、在透明基板11的表面通过构图工艺形成TFT的栅极120的图案。
S402、在TFT的栅极120的表面覆盖栅极绝缘层13。
S403、在栅极绝缘层13的表面对应TFT12的沟道位置处采用隔离技术(lift-out)形成半导体有源层14，该半导体有源层为金属氧化物(IGZO)。
S404、在半导体有源层14的表面形成TFT的源极122和漏极121，该步骤结束后，完成了对薄膜晶体管TFT12的制作。
S405、在形成有TFT12的基板表面形成第一钝化层15的图案。
S406、在形成有上述图案的基板表面通过构图工艺形成过孔20的图案。
S407、在形成有上述图案的基板表面形成第一透明电极16，第一透明电极16通过该过孔20与TFT的漏极121相连接。
S408、在形成有上述过孔20的相应位置通过一次构图工艺制作遮光层22。
S409、在形成有上述结构的基板表面形成第二钝化层17。
S410、在形成有第二钝化层17的基板表面形成第二透明电极18。
需要说明的是，以上仅仅是对图2和图5所示的阵列基板的制作过程进行举例说明，其他具有光阻结构21的阵列基板的制作过程在这里不再一一赘述，但都应当属于本发明的保护范围。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (13)

1.一种阵列基板，包括：透明基板以及位于所述透明基板上的薄膜晶体管TFT，第一钝化层覆盖所述TFT，第一透明电极位于所述第一钝化层的表面，所述第一透明电极通过过孔与所述TFT的漏极相连接，其特征在于，所述过孔处具有用于防止光线透射的光阻结构。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述光阻结构包括连续的多个斜面或者曲面的微结构。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，位于所述过孔处的所述第一钝化层具有所述微结构，所述第一钝化层的表面形成具有所述微结构的所述第一透明电极。
4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，位于所述过孔处的所述TFT的漏极具有所述微结构，所述TFT的漏极的表面形成具有所述微结构的所述第一透明电极。
5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，位于所述过孔处的所述第一钝化层与所述透明基板之间的栅极绝缘层具有所述微结构，所述栅极绝缘层的表面形成具有所述微结构的第一透明电极。
6.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述光阻结构包括遮光层：
所述遮光层位于所述第一透明电极与所述第二钝化层之间。
7.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-6任一所述的阵列基板。
8.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：
在形成有薄膜晶体管TFT的基板表面形成第一钝化层的图案；
在形成有上述图案的基板表面通过构图工艺形成过孔的图案，第一透明电极通过所述过孔与所述TFT的漏极相连接；
在所述过孔位置处形成用于防止光线透射的光阻结构。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述光阻结构的制造方法包括：
在形成有所述过孔的基板上依次形成所述第一钝化层和所述第一透明电极；
其中，所述过孔处通过构图工艺形成表面具有连续的多个斜面或者曲面的微结构的光阻结构。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，位于所述过孔处的所述第一钝化层具有所述微结构，所述第一钝化层的表面形成具有所述微结构的所述第一透明电极。
11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，位于所述过孔处的所述TFT的漏极具有所述微结构，所述TFT的漏极的表面形成具有所述微结构的所述第一透明电极。
12.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，位于所述过孔处的所述第一钝化层与所述透明基板之间的栅极绝缘层具有所述微结构，所述栅极绝缘层的表面形成具有所述微结构的第一透明电极。
13.根据权利要求8或9所述的方法，其特征在于，所述光阻结构包括：
在形成有所述第一透明电极的基板上形成所述遮光层。
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