CN103311152B - 处理室内零件的冷却方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种不使基板处理装置的结构复杂化就能够快速冷却处理室内零件的处理室内零件的冷却方法。在用于对基板（G）实施干蚀刻处理的基板处理装置（10）中，对配置于由能够互相分离的基部（11a）和盖部（11b）构成的腔室（11）内的载置台（12）进行冷却时，将腔室（11）内的压力调整至大气压，使盖部（11b）与基部（11a）分开而在腔室（11）的侧壁部的整周上形成开放部（11d），从而使腔室（11）内和大气相连通，使用排气***（14）在腔室（11）内形成气流，在判断载置台（12）的温度为60℃以下的情况下，停止排气***（14）的工作而使腔室（11）内的气流停止。

Description

处理室内零件的冷却方法
技术领域
本发明涉及一种处理室内零件的冷却方法。
背景技术
在对基板实施所期望的等离子处理、例如干蚀刻处理的基板处理装置中，将基板载置在被配置于减压后的腔室（处理室）内的载置台（stage）上并将基板暴露在由处理气体在腔室内产生的等离子体中。因此，在等离子处理过程中，基板自等离子体受热而温度上升，用于载置基板的载置台也由于直接被输入来自等离子体的热量或被传递来自基板的热量而温度上升。
另外，近年来，开发了将基板设为高温而实施等离子处理的方法，与此相对应，有时在载置台中内置加热器且利用该加热器将载置台加热至260℃。
此外，通常在反复进行等离子处理时，因处理气体、基板上的处理对象物（例如，氧化膜）的成分而产生的反应生成物会堆积在腔室内零件、例如载置台、簇射头处，因此，为了将堆积的反应生成物去除，需要对腔室内零件进行定期的清洗。另外，由于等离子体中的阳离子的溅射等而消耗腔室内零件，因此需要对腔室内零件进行定期的更换。
为了对基板处理装置的腔室内零件进行清洗、更换、即维护，作业者需要从腔室内取出腔室内零件，但由于腔室内零件处于如上所述那样成为高温，因此，出于作业者的安全考虑，需要在维护前冷却腔室内零件。
例如，在专利文献1所示的载置台构造中，在载置台的内部形成有供制冷剂流动的制冷剂通路，在冷却载置台时，能够通过使制冷剂在制冷剂通路中流动来较快地冷却载置台。
此外，近年来，对于将上述基板设为高温而实施等离子处理，由于通过对处理基板时的序列进行研究而仅靠加热器等加热部件就能够控制温度，因此包括在内部不具有制冷剂通路的载置台的基板处理装置不断增加。在这样的基板处理装置中，在冷却载置台时，在向腔室内导入大气之后，放置规定时间。在该情况下，因载置台的热量向所导入的大气传递而使载置台的温度降低。
专利文献1：日本特开2010－219354号公报
然而，在将载置台的热量传递到所导入的大气的方法中，由于随着时间的经过，所导入的大气因热量的传递而温度上升，因此载置台的热量的传递效率降低而载置台的冷却需要长时间。
为了促进载置台的冷却，也想到了在载置台的内部形成制冷剂通路，但会使基板处理装置的结构变复杂并使成本上升。特别是，由于维护的频率并不那么高，因此若仅为了维护前的冷却而形成制冷剂通路，则投资回报率较差。
发明内容
本发明的目的在于提供一种不使基板处理装置的结构复杂化就能够快速冷却处理室内零件的处理室内零件的冷却方法。
为了实现上述目的，技术方案1提供一种处理室内零件的冷却方法，其是用于对配置在对基板实施规定的处理的基板处理装置的处理室内的处理室内零件进行冷却的冷却方法，其特征在于，该冷却方法包括以下步骤：压力调整步骤，将上述处理室内的压力调整至大气压；处理室内开放步骤，开放上述处理室的侧壁部的至少一部分而使上述处理室内和大气相连通；气流形成步骤，使用用于对上述处理室内进行排气的排气装置而在上述处理室内形成上述大气的流动；温度判断步骤，判断上述处理室内零件的温度是否为规定的温度以下；以及气流停止步骤，在上述温度判断步骤中判断为上述处理室内零件的温度为规定的温度以下的情况下，停止上述排气装置的工作而使上述大气的流动停止。
根据技术方案1所述的处理室内零件的冷却方法，技术方案2所述的处理室内零件的冷却方法的特征在于，在上述处理室内开放步骤中，使上述处理室的侧壁部在整周上连续地开放。
根据技术方案2所述的处理室内零件的冷却方法，技术方案3所述的处理室内零件的冷却方法的特征在于，上述处理室由盖部和基部构成，该盖部和基部之间能够被分割，在上述处理室内开放步骤中，上述盖部与上述基部分开，上述盖部与上述基部的分开距离是40mm～100mm。
根据技术方案3所述的处理室内零件的冷却方法，技术方案4所述的处理室内零件的冷却方法的特征在于，上述盖部与上述基部的分开能够仅通过上述盖部的移动或仅通过上述基部的移动或通过上述盖部的移动和上述基部的移动而实现。
根据技术方案1至技术方案4中任一项所述的处理室内零件的冷却方法，技术方案5所述的处理室内零件的冷却方法的特征在于，上述处理室内零件是用于载置上述基板且具有加热机构的高温载置台。
为了实现上述目的，技术方案6提供一种处理室内零件冷却程序，其用于使计算机执行处理室内零件的冷却方法，该处理室内零件的冷却方法是用于对配置在对基板实施规定的处理的基板处理装置的处理室内的处理室内零件进行冷却的冷却方法，该冷却方法包括以下步骤：压力调整步骤，将上述处理室内的压力调整至大气压；处理室内开放步骤，开放上述处理室的侧壁部的至少一部分而使上述处理室内和大气相连通；气流形成步骤，使用用于对上述处理室内进行排气的排气装置而在上述处理室内形成上述大气的流动；温度判断步骤，判断上述处理室内零件的温度是否为规定的温度以下；以及气流停止步骤，在上述温度判断步骤中判断为上述处理室内零件的温度为规定的温度以下的情况下，停止上述排气装置的工作而使上述大气的流动停止，该程序的特征在于，该程序至少包括以下模块：处理室内开放模块，其用于执行上述处理室内开放步骤；气流形成模块，其用于执行上述气流形成步骤；温度判断模块，其用于执行上述温度判断步骤；以及气流停止模块，其用于执行上述气流停止步骤。
根据技术方案6所述的处理室内零件冷却程序，技术方案7所述的处理室内零件冷却程序的特征在于，在上述处理室内开放模块执行上述处理室内开放步骤的期间或上述处理室内开放模块执行了上述处理室内开放步骤之后，上述气流形成模块被上述处理室内开放模块调用而执行上述气流形成步骤。
为了实现上述目的，技术方案8提供一种计算机可读取的存储介质，其特征在于，该存储介质用于容纳技术方案6或技术方案7所述的处理室内零件冷却程序。
采用本发明，在处理室内的压力被调整至大气压之后，开放处理室的侧壁部的至少一部分而使处理室内和大气相连通，在处理室内形成大气的流动而交换被传递有处理室内零件的热量的大气，因此，能够抑制处理室内零件周围的大气温度的上升，从而能够抑制处理室内零件的热量的传递效率的降低。结果，能够快速冷却处理室内零件。另外，由于不必为了促进处理室内零件的冷却而在处理室内零件的内部形成制冷剂通路，因此不会使基板处理装置的结构复杂化。
附图说明
图1是概略地对用于执行本发明的实施方式的处理室内零件的冷却方法的基板处理装置的结构进行表示的剖视图。
图2是用于说明图1中的腔室的分割情形的图，图2的（A）是表示腔室被分割后的情况的剖视图，图2的（B）是表示腔室被分割后的情况的立体图。
图3是图1的基板处理装置执行的作为处理室内零件的冷却方法的载置台的冷却处理的流程图。
图4是概略地对用于执行本实施方式的处理室内零件的冷却方法的基板处理装置的第1变形例的结构进行表示的剖视图。
图5是表示图4中的连通孔被开放后的情况的剖视图。
图6是概略地对用于执行本实施方式的处理室内零件的冷却方法的基板处理装置的第2变形例的结构进行表示的立体图。
图7是概略地对用于执行本实施方式的处理室内零件的冷却方法的基板处理装置的第3变形例的结构进行表示的立体图。
图8是概略地对用于执行本实施方式的处理室内零件的冷却方法的基板处理装置的第4变形例的结构进行表示的立体图。
具体实施方式
下面，参照附图说明本发明的实施方式。
图1是概略地对用于执行本实施方式的处理室内零件的冷却方法的基板处理装置的结构进行表示的剖视图。该基板处理装置10配置在例如等级1000～10000的无尘室内，并且，用于对例如第4代、第5代以后的FPD（平板显示器：Flat Panel Display）用的玻璃基板（以下，简称作“基板”。）G实施所期望的等离子处理、例如干蚀刻处理。
在图1中，基板处理装置10包括：方形的腔室（处理室）11；载置台12（处理室内零件、高温载置台），其配置于腔室11内的下部；簇射头13，其与载置台12相对地配置于腔室11内的上部；以及排气***14（排气装置），其用于对腔室11内进行排气。
腔室11构成为能够被上下分割，其具有用于构成下部的基部11a和用于构成上部的盖部11b。盖部11b构成为能够利用升降机（未图示）与基部11a分开。另外，腔室11具有即使对于例如第4代、第5代以后的基板也能够保有余量地进行收纳的大小，例如，长度是1.5m，宽度是1.5m，高度是1.2m，优选的是，长度是1.4m，宽度是1.3m，高度是1.0m。
载置台12由被支柱部15支承的平板状构件构成，在载置台12的内部具有加热器16（加热机构），其用于载置基板G。加热器16经由供电路径17连接于加热器单元18，加热器单元18通过控制向加热器16供给的供电量来调整由加热器16加热的载置台12的温度。另外，载置台12具有用于测量该载置台12的温度的温度传感器19，温度传感器19与温度传感器单元20相连接。温度传感器单元20根据来自温度传感器19的信号来测量载置台12的温度。并且，载置台12经由匹配器21连接于高频电源22，高频电源22用于向载置台12供给高频电力。载置台12将借助未图示的接地线而接地的簇射头13作为相对电极而向载置台12和簇射头13之间的处理空间S施加高频电力以产生电场。利用该电场使自簇射头13供给的处理气体等离子体化而产生电容耦合等离子体。
簇射头13由与载置台12大致相同大小的板状构件构成，在簇射头13的内部具有缓冲室23和用于将该缓冲室23和处理空间S连通的多个气体孔24。缓冲室23与来自外部的处理气体供给管25相连接，该处理气体供给管25向缓冲室23供给的处理气体经由各气体孔24而被导入到处理空间S中。
排气***14由涡轮分子泵（Turbo Molecular Pump）（以下，称为“TMP”。）26和干式泵（Dry Pump）（以下，称为“DP”。）27直列连接而构成，排气***14包括：排气流路28a，其用于将处理室内和TMP26连接起来；排气流路28b，其用于将TMP26和DP27连接起来；以及排气流路28c，其绕开TMP26而直接将处理室内和DP27连接起来。排气流路28a、28b、28c具有能够分别将排气流路28a、28b、28c断开的阀V1、V2、V3。
图2是用于说明图1中的腔室的分割情形的图，图2的（A）是表示腔室被分割后的情况的剖视图，图2的（B）是表示腔室被分割后的情况的立体图。
在图2的（A）和图2的（B）中，基部11a和盖部11b的接缝11c形成在腔室11的侧壁部的整周上，在利用升降机使盖部11b与基部11a分开时，在腔室11的侧壁部的整周上形成开放部11d。此时，腔室11内和无尘室的大气经由开放部11d相连通。基部11a的到侧壁上的接缝11c为止的高度在整周上相同，自开放部11d的内壁侧端部起到载置台12为止的距离在整周上大致相同、例如是200mm左右。
升降机能够自由设定盖部11b与基部11a分开的分开距离，能够将开放部11d的开口量L设定为任意值。另外，升降机也能够将盖部11b从基部11a的上方完全去掉。
在基板处理装置10中，自簇射头13导入到处理空间S中的处理气体被在处理空间S中产生的电场激励而成为等离子体。等离子体中的阳离子被朝向基板G吸引而对基板G实施物理性的蚀刻处理，另外，等离子体中的自由基到达基板G而对基板G实施化学性的蚀刻处理。另外，在干蚀刻处理中，为了尤其促进化学性蚀刻，加热器16将载置台12加热至例如260℃。
基板处理装置10的各构成部件、例如升降机、加热器单元18、温度传感器单元20、TMP26、DP27、阀V1、V2、V3连接于基板处理装置10所具有的控制部（未图示），控制部的CPU根据与规定的处理相对应的程序来控制各构成部件的动作。
图3是图1的基板处理装置所执行的作为处理室内零件的冷却方法的载置台的冷却处理的流程图。本处理是在执行载置台12的清洗、更换等维护之前由基板处理装置10的控制部的CPU根据载置台冷却程序（处理室内零件冷却程序）执行的。
在图3中，首先，加热器单元18停止对加热器16供电而中止加热器16对载置台12进行的加热（步骤S31），通过关闭阀V1、V2、V3而断开各排气流路28a、28b、28c，从而中断由排气***14对腔室11内进行的排气（步骤S32），并且，自吹扫气体供给管（未图示）或自处理气体供给管25等将来自无尘室的大气导入到腔室11内而将腔室11内的压力调整至大气压（步骤S33）（压力调整步骤）。热量自高温的载置台12向所导入的大气传递，使载置台12附近的大气（在图2的（A）中用虚线表示。）的温度上升。
接着，利用升降机使盖部11b与基部11a分开而在腔室11的侧壁部的整周上形成开放部11d，而且将开放部11d的开口量L调整为例如40mm～100mm，优选调整为60mm～80mm（步骤S34）（处理室内开放步骤），打开阀V3而使DP27经由排气流路28c开始对腔室11内进行排气（步骤S35）（气流形成步骤）。此时，在腔室11内形成气流（在图2的（A）中用箭头表示。）而利用DP27将自高温的载置台12被传递有热量的大气从腔室11内排出，新的大气自无尘室经由开放部11d流入到腔室11内，热量自载置台12向该新的大气传递。在利用DP27持续将腔室11内的大气排出的期间，反复进行新的大气的流入、来自载置台12的热量向该流入后的大气的传递以及被传递有热量的大气的排出。即，由于使被传递有载置台12的热量的大气交换而持续带走载置台12的热量，因此载置台12的温度迅速地降低。
接着，温度传感器单元20对由温度传感器19测量的载置台12的温度是否达到了例如60℃以下进行判断（步骤S36）（温度判断步骤）。将判断基准设为60℃的原因在于：若为60℃以下，则即使作业者接触载置台12也不会被烫伤。
在步骤S36的判断的结果为载置台12的温度没有达到60℃以下的情况下（在步骤S36中为“否”），返回到步骤S35，持续进行被传递有载置台12的热量的大气的交换。另一方面，在载置台12的温度达到60℃以下的情况下（在步骤S36中为“是”），关闭阀V3而使腔室11内的气流停止，停止被传递有载置台12的热量的大气的交换（步骤S37）（气流停止步骤）。
接着，升降机将盖部11b从基部11a的上方完全去掉，使包含载置台12在内的腔室11内的零件开放于无尘室的大气中（步骤S38），完成本处理。
另外，用于执行上述载置台的冷却处理的载置台冷却程序具有：压力调整模块，其用于将腔室11内的压力调整至大气压；处理室内开放模块，其用于使盖部11b与基部11a分开；气流形成模块，其用于打开阀V3而在腔室11内形成气流；温度判断模块，其用于判断载置台12的温度是否变成60℃以下；以及气流停止模块，其用于关闭阀V3而使腔室11内的气流停止，原则上，按该顺序使各模块执行相应的处理，但是，例如也可以如下这样：在处理室内开放模块使盖部11b与基部11a分开的期间，处理室内开放模块调用气流形成模块，打开阀V3而在腔室11内形成气流。
采用图3的载置台的冷却处理，在将腔室11内的压力调整至大气压后，使盖部11b与基部11a分开，形成开放部11d而使腔室11内和无尘室的大气相连通，在腔室11内形成气流而交换被传递有载置台12的热量的大气，因此，能够抑制载置台12的周围的大气的温度的上升，从而能够抑制载置台12的热量的传递效率的降低。结果，能够快速冷却载置台12。另外，由于不必为了促进载置台12的冷却而在载置台12的内部形成制冷剂通路，因此不会使基板处理装置10的结构复杂化。
在图3的载置台的冷却处理中，由于在腔室11的侧壁部的整周上形成开放部11d、即连续地开放腔室11的侧壁部，因此大气自腔室11的侧壁部的整周流入，能够防止腔室11内的气流不均匀，由此能够防止不均匀地冷却载置台12。
另外，在图3的载置台的冷却处理中，由于在形成开放部11d时的开口量L为40mm～100mm，因此能够确保所流入的大气的流量，能够促进大气的交换，由此，能够可靠地防止载置台12的热量的传递效率的降低。另外，能够防止流入到腔室11内的大气的流速的降低，由此，能够可靠地在腔室11内形成气流。而且，若开口量L为100mm以下，则作业者的臂部不易进入，因此能够降低作业者接触高温的载置台12而被烫伤的危险性，并且，由于开口量L并不那么大，因此来自载置台12的辐射热难以到达腔室11的外部的零件、装置，从而能够防止腔室11的外部的零件、装置因热量而产生故障、劣化。
另外，在图3的载置台的冷却处理中，由于在腔室11的侧壁部的整周上形成开放部11d之前，将腔室11内的压力调整至大气压，因此，在形成了开放部11d时，外部的无尘室与腔室11内不产生压力差，大气不会急剧地流入腔室11内。结果，不会将堆积在腔室11内的底部等的微粒等卷起，由此，能够防止微粒大量地附着于载置台12。
另外，在为了冷却载置台12而进行大气交换时，无尘室的大气中的微粒等也有可能多少进入到腔室11内并附着于载置台12，但在执行了为了冷却载置台12而进行的大气交换后，在维护时对载置台12进行清洗或更换，因此能够去除已附着于载置台12的微粒。因此，在维护后的干蚀刻处理中，不必担心微粒自载置台12转印于基板G。另外，例如，即使微粒自载置台12转印于基板G，由于形成于基板G的布线的宽度例如最小也为3μm左右，因此，即使附着有大小为1μm以下的微粒，也不会成为成为由基板G制造的FPD产生问题的原因。
用于执行上述图3的载置台的冷却处理的基板处理装置并不限于图1所示那样的用于对大型的FPD用的基板G实施所期望的等离子处理的基板处理装置10，也可以是用于对半导体器件用的晶圆W实施所期望的等离子处理的基板处理装置。
图4是概略地表示用于执行本实施方式的处理室内零件的冷却方法的基板处理装置的第1变形例的结构的剖视图。本基板处理装置30配置于例如等级1000～10000的无尘室内，并且用于对例如半径为300mm～450mm的晶圆W实施干蚀刻处理。另外，由于基板处理装置30的结构基本上与基板处理装置10的结构相同，仅是各部分的大小、名称等不同，因此，下面省略对具有相同功能、名称的构成部件的说明。
在图4中，基板处理装置30包括：圆筒形状的腔室31（处理室）；基座32（处理室内零件、高温载置台），其配置于腔室31内的下部；簇射头13，其与基座32相对地配置于腔室31内的上部；以及排气***14（排气装置），其用于对腔室31内进行排气。
腔室31具有：闸阀33，其能够沿着侧壁部滑动；以及连通孔34，其用于将腔室31内和无尘室的大气连通，闸阀33通过滑动来开闭连通孔34。
基座32由圆柱状的导电性构件构成，其表面全部被绝缘体覆盖并且经由供电路径17连接于加热器单元18，在基座32的内部具有加热器16（加热机构）。加热器单元18用于调整由加热器16加热的基座32的温度。另外，基座32具有温度传感器19，温度传感器单元20根据来自温度传感器19的信号来测量基座32的温度。并且，基座32经由匹配器21连接于高频电源22，供给到基座32的高频电力在基座32和簇射头13之间的处理空间S中产生电场。在基座32的上部形成有用于静电吸附晶圆W的静电吸盘（未图示），并以包围被静电吸附的晶圆W的周围的方式配置有环状的聚焦环（focus ring）35。
图5是表示图4中的连通孔被开放后的情况的剖视图。
在图5中，连通孔34设于侧壁部的局部，在开放连通孔34的情况下，腔室31内和无尘室的大气相连通。闸阀33的滑动量能够自由设定，能够将连通孔34的开放量L1设定为任意值。
在基板处理装置30中，在干蚀刻处理中，尤其为了促进化学性蚀刻，加热器16将基座32加热至例如260℃。
另外，基板处理装置30也执行本实施方式的处理室内零件的冷却方法。具体而言，中断由排气***14对腔室31内进行的的排气，并且将腔室31内的压力调整至大气压时，高温的基座32附近的大气（在图5中用虚线表示。）的温度上升，但在闸阀33开放连通孔34而将该连通孔34的开放量L1调整至例如40mm～100mm、优选60mm～80mm并对开始腔室31内进行排气时，在腔室31内形成气流（在图5中用箭头表示。）而交换被传递有基座32的热量的大气。并且，在基座32的温度达到60℃以下的情况下，使腔室31内的气流停止，停止被传递有基座32的热量的大气的交换。
即，在基板处理装置30执行本实施方式的处理室内零件的冷却方法时，也在腔室31内形成气流而持续带走基座32的热量，因此基座32的温度会迅速地降低。因此，在执行本实施方式的处理室内零件的冷却方法时，不必使腔室31的侧壁部在整周上连续地开放，而只要开放至少一部分、例如连通孔34即可。
但是，在不在整周上连续地开放腔室的侧壁的情况下，若如图6所示那样为方形的腔室36，则优选的是：在各侧面设置能够由闸阀37进行开闭的连通孔38，使由自各连通孔38流入到腔室36内的大气形成的气流各向相同地到达载置台，另外，若如图7所示那样为圆筒形的腔室39，则优选的是：在侧面沿周向以等间隔设置能够由闸阀40进行开闭的连通孔41，使由自各连通孔41流入到腔室39内的大气形成的气流各向相同地到达基座。由此，能够防止不均匀地冷却载置台、基座。
另外，在图6的腔室36、图7的腔室39中，在气流没有自各连通孔38、各连通孔41各向相同地到达载置台、基座的情况下，优选通过单独调整各连通孔38、各连通孔41的开放量来调整自各连通孔38、各连通孔41流入的大气的量。
并且，也可以如图8所示那样，由上部开放的壳体43和载置于该壳体43的上部的盖44构成腔室42，并使该盖44与壳体43分开例如40mm～100mm左右而在腔室42内形成气流。
以上，使用上述实施方式说明了本发明，但本发明并不限于上述实施方式。例如，在上述实施方式的处理室内零件的冷却方法中，冷却了载置台12、基座32，但被冷却的腔室内零件并不限于此，也可以为例如簇射头，另外，在电感耦合等离子体装置中，要冷却的腔室内零件也可以为将用于电感耦合的线圈天线和处理室之间隔绝的电介质窗，此外，在利用微波的等离子体装置中，要冷却的腔室内零件也可以为用于导入微波的电介质窗。
另外，在上述基板处理装置10中，在腔室11中，仅使其盖部11b移动而与基部11a分开，但也可以仅使基部11a移动而与盖部11b分开，或者，也可以使基部11a和盖部11b均移动而互相分开。
并且，能够实现上述实施方式的处理室内零件的冷却方法的基板处理装置所执行的等离子处理也并不限于干蚀刻处理，例如也可以为成膜处理，该基板处理装置也可以是用于执行退火处理等高温处理的装置，而不是用于执行等离子处理的装置。
本发明的目的也可以通过如下方式实现：将存储有用于实现上述实施方式的功能的软件的程序的存储介质供给到计算机等中，由计算机的CPU读取并执行被存储于存储介质中的程序、例如上述载置台冷却程序。
在该情况下，从存储介质读取的程序本身实现上述实施方式的功能，程序和存储有该程序的存储介质构成了本发明。
另外，作为用于供给程序的存储介质，只要能够存储上述程序即可，例如RAM、NV－RAM、フロッピー（注册商标）盘（即软盘）、硬盘、光磁盘、CD－ROM、CD－R、CD－RW、DVD（DVD－ROM、DVD－RAM、DVD－RW、DVD+RW）等光盘、磁带、非易失性的存储卡以及其他的ROM等。或者，也可以通过从与因特网、商用网络或者局域网等相连接的未图示的其他计算机、数据库等下载上述程序而供给至计算机。
另外，通过执行由计算机的CPU读取的程序，不仅能够实现上述实施方式的功能，而且还包括以下情况：根据该程序的指示，由利用CPU运转的OS（操作***）等进行实际的处理的一部分或全部，通过该处理来实现上述实施方式的功能。
并且，还包括以下情况：在从存储介质读取的程序被写入到***于计算机的功能扩展板、与计算机相连接的功能扩展单元所具有的存储器中后，根据该程序的指示，由该功能扩展板、功能扩展单元所具有CPU等进行实际的处理的一部分或全部，通过该处理来实现上述实施方式的功能。
上述程序的形态也可以由利用目的码（object code）、解释程序（interpreter）执行的程序、供给到OS的脚本数据（script data）等形态构成。
实施例
首先，在基板处理装置10中执行干蚀刻处理时，利用加热器16将载置台12加热至260℃，之后，执行图3的载置台的冷却处理，测量了载置台12冷却到60℃的时间，结果发现只需要16小时（实施例）。另外，在实施例中，将开放部11d的开口量L设定为45mm。
另一方面，与实施例同样，在基板处理装置10中利用加热器16将载置台12加热至260℃，之后，在将大气导入到腔室11内之后，在不进行腔室11内的排气并且不使盖部11b与基部11a分开地放置腔室11，测量了载置台12冷却到60℃的时间，结果发现竟需要48小时（比较例）。
因此，可知：与放置腔室11的情况相比，通过执行图3的载置台的冷却处理，能够以3倍的速度冷却载置台12。
附图标记说明
G、基板；L、开口量；L1、开放量；S、处理空间；V3、阀；W、晶圆；10、30、基板处理装置；11、31、36、39、42、腔室；11a、基部；11b、盖部；11d、开放部；12、载置台；14、排气***；16、加热器；19、温度传感器；27、DP；32、基座；33、37、40、闸阀；34、38、41、连通孔。

Claims (5)

1.一种处理室内零件的冷却方法，其是用于对配置在对基板实施规定的处理的基板处理装置的处理室内的、作为上述基板处理装置的构成的处理室内零件进行冷却的冷却方法，其特征在于，该冷却方法包括以下步骤：
压力调整步骤，将上述处理室内的压力调整至大气压；
处理室内开放步骤，使上述处理室的侧壁部在整周上连续地开放而使上述处理室内和大气相连通；
气流形成步骤，使用用于对上述处理室内进行排气的排气装置而在上述处理室内形成上述大气的流动；
温度判断步骤，判断上述处理室内零件的温度是否为规定的温度以下；以及
气流停止步骤，在上述温度判断步骤中判断为上述处理室内零件的温度为规定的温度以下的情况下，停止上述排气装置的工作而使上述大气的流动停止。
2.根据权利要求1所述的处理室内零件的冷却方法，其特征在于，
上述处理室由盖部和基部构成，该盖部和基部之间能够被分割，
在上述处理室内开放步骤中，上述盖部与上述基部分开，
上述盖部与上述基部的分开距离是40mm～100mm。
3.根据权利要求2所述的处理室内零件的冷却方法，其特征在于，
上述盖部与上述基部的分开能够仅通过上述盖部的移动或仅通过上述基部的移动或通过上述盖部的移动和上述基部的移动而实现。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的处理室内零件的冷却方法，其特征在于，
上述处理室内零件是用于载置上述基板且具有加热机构的高温载置台。
5.一种计算机可读取的存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，该程序被处理器执行时实现权利要求1-4所述冷却方法的步骤。
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