CN103304385B - 含双酚a骨架结构的分子玻璃光刻胶及其制备方法和应用 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一系列基于双酚A为主体结构的分子玻璃光刻胶（I和II）及其制备。将该分子玻璃光刻胶与光酸产生剂、交联剂、光刻胶溶剂和其他添加剂复配成正性或负性光刻胶，在硅片上通过旋涂法可制得厚度均匀的光刻胶涂层。该光刻胶配方可用于248nm光刻、193nm光刻、极紫外光刻、纳米压印光刻及电子束光刻等现代光刻技术中，尤其适合使用于极紫外（EUV）光刻工艺中。

Description

含双酚A骨架结构的分子玻璃光刻胶及其制备方法和应用
技术领域
本发明涉及一系列含双酚A骨架结构的分子玻璃光刻胶以及该类化合物的制备方法及其在光刻技术中的应用，尤其是在极紫外光刻技术中的应用。
背景技术
现代半导体工业要求集成电路的尺寸越来越小，集成度越来越高，并按照摩尔定律向前发展，其内在驱动力即是光刻技术的不断深入发展。自20世纪80年代开始，光刻技术经历了从I线（365nm）到深紫外（DUV,248nm和193nm），以及下一代最引人注目的极紫外（EUV，13.5nm）光刻技术的发展，而相应的光刻胶体系也将发生变化。
193nm光刻所使用的光刻胶主要是聚合物体系，而随着光刻技术对分辨率、灵敏度和线边缘粗糙度等要求不断提高，193nm光刻已很难满足。与此同时，极紫外光刻技术由于使用只有13.5nm的光源，能够达到32nm和22nm节点，甚至可以更低的技术节点，这就使得EUV光刻在未来的光刻领域中将会扮演十分重要的角色。由于EUV光刻具有不同于其他光刻技术的特点，与之对应的光刻胶材料也将具备更加严格的要求。EUV光刻胶需要有低吸光率，高透明度，高抗蚀刻性，高分辨率（小于22nm），高灵敏度，低曝光剂量（小于10mJ/cm2），高环境稳定性，低产气作用和低的线边缘粗糙度（小于1.5nm）等。所以原有的聚合物体系因分子量大且不均一已不能满足EUV光刻的要求，这样新型光刻胶的研发就显得非常重要。
分子玻璃是一种具有较高玻璃化转变温度（Tg）的小分子有机化合物，集聚合物与小分子的优点于一身，分子量小且单分散，又呈现无定形态，有很高的热稳定性，且具有高分子化合物所特有的玻璃化转变过程，是一类理想的光刻胶材料。由于分子玻璃光刻胶所具备的优良性能，不仅可以用在传统的248nm和193nm光刻技术中，更将可能成为下一代光刻技术（如EUV光刻，纳米压印光刻以及电子束光刻等）的首选主体化合物材料。
比较常见的分子玻璃光刻胶有苯多酚型光刻胶和杯芳烃类光刻胶，并通过对其活性羟基基团的不同程度的保护（如特丁氧羰基或金刚烷基保护），并与光酸产生剂、交联剂、光刻胶溶剂及其他添加剂复配可以获得不同性质的正性或负性光刻胶。
发明内容
本发明的目的在于提供一系列含双酚A骨架结构的分子玻璃。
本发明的另一目的在于提供上述分子玻璃的制备方法。
本发明的又一目的在于提供上述分子玻璃在极紫外光刻工艺中的应用。
本发明提供的含双酚A骨架结构的分子玻璃有苯多酚型和杯芳烃型两类，其结构通式分别如（I）和（II）：
其中X独立的选自H、C1-8烷基、-COOC1-8烷基（优选R独立的选自H、-OH、-OC1-8烷基、-OCOOC1-8烷基（优选
所述的烷基代表碳原子数为1-8的直链或支链烷基，例如，甲基、乙基、丙基、丁基、异丁基、叔丁基等。
本发明的苯多酚型和杯芳烃型分子玻璃（I）和（II）的制备方法是利用Suzuki偶联反应对双酚A骨架结构进行修饰，在所制备化合物结构上引入多羟基基团，并通过保护基团进行不同程度的保护。
分子玻璃（I）和（II）的合成途径分别如下：
其中X独立的选自H、C1-8烷基、-COOC1-8烷基、R独立的选自H、-OH、-OC1-8烷基、-OCOOC1-8烷基、R1独立的选自H、-OC1-8烷基；Y独立的选自C1-8烷基；
本发明通式（I）的合成方法如下：
（i）将通式（III）四溴双酚A与Z-Y或SO2(O-Y)2反应，其中Y为C1-8烷基（例如甲基），Z为卤素（例如碘），生成化合物（I-A）；
（ii）化合物（I-A）与反应生成化合物（I-B）；其中R1独立的选自H或-OC1-8烷基；
（iii）化合物（I-B）发生去烷基化反应生成通式（I）化合物，其中，R独立的选自H或-OH，X为H；
（iv）上述步骤（iii）中得到的通式（I）化合物分别与(COOR3)2O或者R4Z反应，其中R3任选为C1-8烷基，R4任选为C1-8烷基、Z为卤素（优选氯），生成不同程度保护的苯酚型分子玻璃，即通式（I）化合物。
本发明通式（II）的合成方法如下：
（1）将通式（IV）二溴双酚A或其衍生物与Z-Y或SO2(O-Y)2反应，其中Y为C1-8烷基（例如甲基），Z为卤素（例如碘），生成化合物（II-A）；
（2）化合物（II-A）与反应生成化合物（II-B），其中R1独立的选自H或-OC1-8烷基；
（3）化合物（II-B）发生去烷基化反应生成通式（II）化合物，其中，R独立的选自H或-OH，X为H；
（4）上述步骤（3）中得到的通式（II）化合物分别与(COOR3)2O或者R4Z反应，其中R3任选为C1-8烷基，R4任选为C1-8烷基、Z为卤素（优选氯），得到不同程度保护的杯芳烃型分子玻璃，即通式（II）化合物。
上述所述步骤（i）或步骤（1）优选在碳酸钾存在下反应，优选用丙酮作溶剂，反应温度优选为50～60℃，时间优选为10～15h，其中通式（III）四溴双酚A（或通式（IV））与卤烷或硫酸二酯（Z-Y或SO2(O-Y)2）的投料比优选摩尔比1∶3。
上述所述步骤（ii）或步骤（2）优选在四（三苯基膦）钯催化条件下反应，优选在碱的存在下，如碳酸钾溶液，溶剂优选为二氧六环-水，反应温度优选为90～110℃，时间优选为12～36h，其中化合物（I-A）（或化合物（II-A））与苯硼酸衍生物的投料摩尔比优选为1∶6（或1∶1.5）。
上述所述步骤（iii）或步骤（3）中，优选使用三溴化硼或溴化氢进行去烷基化反应，反应所使用的溶剂优选为二氯甲烷或醋酸，反应优选在室温下进行，反应时间优选为6～24h。
上述所述步骤（iv）或步骤（4）优选在碳酸钾或4-二甲氨基吡啶（DMAP）催化下室温进行，反应时间优选为2-12h，反应溶剂优选为四氢呋喃或丙酮，产物优选经乙酸乙酯/石油醚过硅胶柱色谱进行纯化。
本发明中的分子玻璃（I）或（II），其中羟基（即结构中的酚羟基）未保护的分子玻璃可作为负性光刻胶使用，羟基全保护的分子玻璃可作为正性光刻胶使用，羟基部分保护的分子玻璃可作为正性或负性光刻胶使用。
本发明进一步提供一种负性光刻胶组合物，包括可作为负性光刻胶使用的羟基未保护或部分保护的分子玻璃（I）或（II），以及光酸产生剂、交联剂、光刻胶溶剂。上述可作为负性光刻胶使用的羟基未保护或部分保护的分子玻璃（I）或（I I），是指通式（I）或（II）中-O-X和R中至少一个为-OH。所述负性光刻胶组合物，优选含有0.1%～10%（质量比）的通式（I）或（II），0.01%～1%（质量比）的交联剂，0.01%～1%（质量比）的光酸产生剂。
本发明进一步提供一种正性光刻胶组合物，包括可作为正性光刻胶使用的羟基全保护或部分保护的分子玻璃（I）或（II），以及光酸产生剂、光刻胶溶剂。上述可作为正性光刻胶使用的羟基全保护或部分保护的分子玻璃（I）或（II），是指通式（I）或（II）中-O-X和R中至少一个为-OC1-8烷基、-OCOOC1-8烷基、所述正性光刻胶组合物，优选含有1%～10%（质量比）的通式（I）或（II），0.01%～1%（质量比）的光酸产生剂。
所述光酸产生剂包括离子型或非离子型，如三苯基锍三氟甲磺酸盐、二（4-叔丁基苯基）碘鎓对甲苯磺酸盐、N-羟基萘酰亚胺三氟甲磺酸盐等；所述交联剂包括四甲氧基甲基甘脲、2,4-二羟甲基-6-甲基苯酚（2,4-DMMP）等；所述光刻胶溶剂包括丙二醇甲醚醋酸酯（PGMEA）、乳酸乙酯、乙二醇单甲醚、环己酮等。
上述正性或负性光刻胶组合物还可以包括其他添加剂，如增感剂、表面活性剂、染料、稳定剂等。
将本发明中的正性或负性光刻胶组合物通过匀胶机在疏水处理后的硅片上进行旋涂，即得到光刻胶涂层。
本发明的分子玻璃是立体不对称的无定形小分子化合物，可以在光刻胶常用的有机溶剂中溶解。其具有较高的熔点和玻璃化转变温度（熔点均高于100℃），能够满足光刻技术要求，在高温烘烤中薄膜结构无变化。本发明的光刻胶组合物可以制备得到均匀的薄膜，在制膜过程中，作为基体成分的分子玻璃不析出。由本发明的光刻胶组合物制备得到的薄膜具有良好的分辨率、光敏性、粘附性，且易于保存，本发明的光刻胶可以得到50nm以下的光刻图案。
本发明制备的光刻胶可以用于248nm光刻、193nm光刻、极紫外（EUV）光刻、纳米压印光刻（NIL）和电子束光刻（EBL）等现代光刻工艺中。尤其适合使用于极紫外（EUV）光刻工艺中。
附图说明
图1为实施例4制备的分子玻璃（I-1）的热重分析图。
图2为实施例7制备的分子玻璃（I-2）的热重分析图。
图3-4为实施例12采用双光栅干涉得到的光刻图案的电镜照片。
图5为实施例12采用四光栅干涉得到的光刻图案的电镜照片。
具体实施方式
为了进一步说明本发明的指导思想，给出下列系列具体实施例，但本发明并不受这些具体实施例的限制，任何了解该领域的技术人员对本发明的些许改动将可以达到类似的结果，这些改动也包含在本发明之中。
实施例1
制备双甲基化四溴双酚A（I-1A）
将5.44g四溴双酚A（10mmol）和2.76g碳酸钾（20mmol）加入到150mL三口瓶中，再加入50mL丙酮溶剂和4.26g碘甲烷（30mmol），氩气保护下50～60℃回流反应10～15h。反应结束后旋蒸出丙酮溶剂，并用50mL水洗涤，再用50mL二氯甲烷萃取三次，合并有机层，用无水硫酸镁干燥后过滤旋蒸得粗产物，并用乙酸乙酯/石油醚过硅胶柱色谱，得到白色固体粉末5.56g，产率为96.2%。EI-MS(C17H16O2Br4)，m/z:572.1H-NMR(400MHz，CDCl3)δ7.30(s,4H),3.89(s,6H),1.60(s,6H)。
实施例2
制备2,2-二(4-甲氧基-3,5-二(对甲氧基苯基)苯基)丙烷（I-1B）
将5.78g双甲基化四溴双酚A（10mmol），9.12g 4-甲氧基苯硼酸（60mmol）和0.58g四（三苯基膦）钯加入到250mL三口瓶中，再加入75mL 2M碳酸钾溶液和75mL二氧六环溶剂，氩气保护下在90～100℃下反应48h。反应结束后分层，有机层旋蒸出二氧六环溶剂，用100mL蒸馏水洗涤，并用100mL二氯甲烷萃取三次；水层用50mL二氯甲烷萃取三次。合并所有的有机层，用无水硫酸镁干燥后过滤旋蒸得粗产物，用二氯甲烷做洗脱剂过硅胶柱色谱，得到白色固体粉末4.68g，产率为68.7%。MALDI-TOF(C45H44O6),m/z:680.5。1H-NMR(400MHz,CDCl3)δ7.51(d,J=5.40Hz,8H),7.20(s,4H),6.95(d,J=5.39Hz,8H),3.85(s,12H),3.16(s,6H),1.76(s,6H)。
实施例3
制备2,2-二(4-羟基-3,5-二(对羟基苯基)苯基)丙烷（I-1C）
将6.81g 2,2-二(4-甲氧基-3,5-二(对甲氧基苯基)苯基)丙烷（10mmol）和100mL二氯甲烷加入到250mL三口瓶中，在-78℃氩气保护下加入25.0g三溴化硼（100mmol），恢复至室温反应12h。反应结束后，将反应体系加入到100mL 2N NaOH溶液中，分出水层，用5N盐酸酸化，再用100mL乙酸乙酯萃取三次，合并有机层用无水硫酸镁干燥后过滤旋蒸得白色晶体5.36g，产率为89.8%。MALDI-TOF(C39H32O6),m/z:596.5。1H-NMR(400MHz,DMSO)δ9.39(s,4H),7.71(s,2H),7.28(d,J=5.25Hz,8H),6.97(s,4H),6.78(d,J=5.25Hz,8H),1.65(s,6H)。
实施例4
制备Boc全保护的2,2-二(4-羟基-3,5-二(对羟基苯基)苯基)丙烷（I-1）
将5.97g 2,2-二(4-羟基-3,5-二(对羟基苯基)苯基)丙烷（10mmol），21.8g二碳酸二叔丁酯（100mmol）和0.30g 4-二甲氨基吡啶（DMAP）加入到250mL三口瓶中，再加入100mL四氢呋喃溶剂，氩气保护下室温反应12h。反应结束后旋蒸出四氢呋喃溶剂，剩余的混合物用100mL饱和食盐水洗涤，并用100mL二氯甲烷萃取三次，合并有机层用无水硫酸镁干燥，过滤，旋蒸得粗产物。再用乙酸乙酯/石油醚做洗脱剂过硅胶柱色谱，得到白色固体5.23g，产率为43.7%。MALDI-TOF(C69H80O18),[M+Na]+:1219.6。1H-NMR(400MHz,CDCl3)δ7.44(d,J=5.35Hz,8H),7.25(s,4H),7.19(d,J=5.35Hz,8H),1.74(s,6H),1.56(s,36H),1.13(s,18H)。元素分析：C，69.21%；H，6.73%，实测:C，68.57%；H，6.72%。I-1的热失重分析图如附图1，其分解温度为170～175℃。
实施例5
制备2,2-二(4-甲氧基-3,5-二(3,4-二甲氧基苯基)苯基)丙烷（I-2B）
将5.72g双甲基化四溴双酚A（10mmol），10.92g 3,4-二甲氧基苯硼酸（60mmol）和0.58g四（三苯基膦）钯加入到250mL三口瓶中，再加入75mL 2M碳酸钾溶液和75mL二氧六环溶剂，氩气保护下在90～100℃下反应48h。反应结束后分层，有机层旋蒸出二氧六环溶剂，用100mL蒸馏水洗涤，并用100mL氯仿萃取三次；水层用50mL氯仿萃取三次。合并所有的有机层，用无水硫酸镁干燥后过滤旋蒸得粗产物，用乙酸乙酯/石油醚做洗脱剂过硅胶柱色谱，得到白色固体粉末5.94g，产率为74.2%。MALDI-TOF(C49H52O10),m/z:800.1。1H-NMR(400MHz,CDCl3)δ7.23(s,4H),7.15(d,J=1.13Hz,4H),7.08(m,4H),6.93(d,J=5.2Hz,4H),3.92(s,12H),3.89(s,12H),3.22(s,6H),1.78(s,6H)。
实施例6
制备2,2-二(4-羟基-3,5-二(3,4-二羟基苯基)苯基)丙烷（I-2C）
将8.01g 2,2-二(4-甲氧基-3,5-二(3,4-二甲氧基苯基)苯基)丙烷（10mmol）和100mL二氯甲烷加入到250mL三口瓶中，在-78℃氩气保护下加入37.5g三溴化硼（150mmol），恢复至室温反应12h。反应结束后，将反应体系加入到100mL 4N NaOH溶液中，分出水层，用5N盐酸酸化，再用100mL乙酸乙酯萃取三次，合并有机层用无水硫酸镁干燥后过滤旋蒸得白色晶体6.24g，产率为94.4%。MALDI-TOF(C39H32O10),m/z:660.2。1H-NMR(400MHz,acetone)δ7.91(s,4H),7.86(s,4H),7.12(s,4H),7.02(s,4H),6.84(m,8H),6.70(s,2H),1.73(s,6H)。
实施例7
制备Boc全保护的2,2-二(4-羟基-3,5-二(3,4-二羟基苯基)苯基)丙烷（I-2）
将6.61g 2,2-二(4-羟基-3,5-二(3,4-二羟基苯基)苯基)丙烷（10mmol），32.7g二碳酸二叔丁酯（150mmol）和0.45g 4-二甲氨基吡啶（DMAP）加入到250mL三口瓶中，再加入100mL四氢呋喃溶剂，氩气保护下室温反应12h。反应结束后旋蒸出四氢呋喃溶剂，剩余的混合物用100mL饱和食盐水洗涤，并用100mL二氯甲烷萃取三次，合并有机层用无水硫酸镁干燥，过滤，旋蒸得粗产物。再用乙酸乙酯/石油醚做洗脱剂过硅胶柱色谱，得到白色固体7.83g，产率为47.1%。1H-NMR(400MHz,DMSO)δ7.43(s,4H),7.41(s,4H),7.39(d,J=1.12Hz,4H),7.35(m,4H),1.85(s,6H),1.48(s,36H),1.47(s,36H),1.11(s,18H)。元素分析（C89H112O30）：C，64.32%；H，6.79%，实测：C，64.42%；H，6.91%。I-2的热失重分析图如附图2所示，其分解温度为160～165℃。
实施例8
制备2,2-二（4-甲氧基-3-溴苯基）丙烷（II-1A）
将3.86g 2,2-二（4-羟基-3-溴苯基）丙烷（10mmol，由文献Tetrahedron Letters,1997,38(27),4865-4868.合成得到）和2.76g碳酸钾（20mmol）加入到150mL三口瓶中，再加入50mL丙酮溶剂和4.26g碘甲烷（30mmol），氩气保护下50～60℃回流反应15h。反应结束后旋蒸出丙酮溶剂，并用50mL水洗涤，再用50mL二氯甲烷萃取三次，合并有机层，用无水硫酸镁干燥后过滤旋蒸得粗产物，并用乙酸乙酯/石油醚过硅胶柱色谱，得到白色固体粉末3.75g，产率为90.6%。EI-MS(C17H18O2Br2)，m/z:414。
实施例9
制备（II-1B）
将4.14g实施例8中合成的（II-1A）（10mmol），2.94g 5-甲氧基-1,3-苯二硼酸（15mmol）和0.20g四（三苯基膦）钯加入到250mL三口瓶中，再加入50mL 2M碳酸钾溶液和100mL二氧六环溶剂，氩气保护下在80～100℃下反应48～72h。反应结束后分层，有机层旋蒸出二氧六环溶剂，用100mL蒸馏水洗涤，并用100mL氯仿萃取三次；水层用50mL氯仿萃取三次。合并所有的有机层，用无水硫酸镁干燥后过滤旋蒸得粗产物，用乙酸乙酯/石油醚做洗脱剂过硅胶柱色谱，得到白色固体粉末1.80g，产率为49.4%。MALDI-TOF(C48H48O6),m/z:720.8。
实施例10
制备（II-1C）
将7.21g实施例9中合成的（II-1B）（10mmol）和100mL二氯甲烷加入到250mL三口瓶中，在-78℃氩气保护下加入25.0g三溴化硼（100mmol），恢复至室温反应12h。反应结束后，将反应体系加入到100mL 4N NaOH溶液中，分出水层，用5N盐酸酸化，再用100mL乙酸乙酯萃取三次，合并有机层用无水硫酸镁干燥后过滤旋蒸得白色晶体5.64g，产率为88.5%。MALDI-TOF(C42H36O6),m/z:636.5。
实施例11
制备（II-1）
将6.37g实施例10中合成的（II-1C）(10mmol)，21.8g二碳酸二叔丁酯（100mmol）和0.30g 4-二甲氨基吡啶（DMAP）加入到250mL三口瓶中，再加入100mL四氢呋喃溶剂，氩气保护下室温反应12h。反应结束后旋蒸出四氢呋喃溶剂，剩余的混合物用100mL饱和食盐水洗涤，并用100mL二氯甲烷萃取三次，合并有机层用无水硫酸镁干燥，过滤，旋蒸得粗产物。再用乙酸乙酯/石油醚做洗脱剂过硅胶柱色谱，得到白色固体5.48g，产率为44.3%。MALDI-TOF(C72H84O12),m/z:1237.4。
实施例12
正性光刻胶配方的设计：将20mg分子玻璃I-2，1mg三苯基锍三氟甲磺酸盐溶于1mL PGMEA中复配成正性光刻胶，在处理后硅片上旋涂（500～1000rpm,0～30s;1000～2000rpm,0～30s;2000～3000rpm,0～30s）30～100nm的薄膜，成膜性能良好，所得薄膜厚度均匀，在EUV光刻实验中可以得到很好的光刻图案。如图3-5所示，其中，图3-4为采用双光栅干涉得到的光刻图案的电镜照片，其曝光周期为140nm，可以得到约30nm的光刻胶沟槽，图5为采用四光栅干涉得到的光刻图案的电镜照片。从上述电子显微镜照片显示的光刻图案中可以看出，本发明的光刻胶具有很好的分辨率和对比度，同时具有很低的线边缘粗糙度。
实施例13
负性光刻胶配方的设计：将20mg分子玻璃I-2C，5mg四甲氧基甲基甘脲交联剂，1mg三苯基锍三氟甲磺酸盐溶于1mL PGMEA中复配成负性光刻胶，在经亲水疏水处理后的硅片上旋涂（500～1000rpm,0～30s;1000～2000rpm,0～30s;2000～3000rpm,0～30s）30～100nm的薄膜，成膜性能良好，所得薄膜厚度均匀。

Claims (14)

1.通式(I)或(II)的化合物，
其中X独立的选自H、C1-8烷基、-COOC1-8烷基、R独立的选自H、-OH、-OC1-8烷基、-OCOOC1-8烷基、其中所述通式(I)化合物不为如下化合物：2,2-双(3,5-二苯基-4-羟基苯基)丙烷。
2.一种制备如权利要求1所述的通式(I)化合物的方法，其步骤如下：
其中X、R如权利要求1中所定义；R1独立的选自H、-OC1-8烷基；Y独立的选自C1-8烷基；
(i)将通式(III)四溴双酚A与Z-Y或SO2(O-Y)2反应，其中Y为C1-8烷基，Z为卤素，生成化合物(I-A)；
(ii)化合物(I-A)与反应生成化合物(I-B)；其中R1独立的选自H或-OC1-8烷基；
(iii)化合物(I-B)发生去烷基化反应生成通式(I)化合物，其中，R独立的选自H或-OH，X为H；
(iv)上述步骤(iii)中得到的通式(I)化合物分别与(COOR3)2O或者R4Z反应，其中R3任选为C1-8烷基，R4任选为C1-8烷基、Z为卤素，生成不同程度保护的苯酚型分子玻璃，即通式(I)化合物。
3.一种制备如权利要求1所述的通式(II)化合物的方法，其步骤如下：
其中X、R如权利要求1中所定义；R1独立的选自H、-OC1-8烷基；Y独立的选自C1-8烷基；
(1)将通式(IV)二溴双酚A或其衍生物与Z-Y或SO2(O-Y)2反应，其中Y为C1-8烷基，Z为卤素，生成化合物(II-A)；
(2)化合物(II-A)与反应生成化合物(II-B)，其中R1独立的选自H或-OC1-8烷基；
(3)化合物(II-B)发生去烷基化反应生成通式(II)化合物，其中，R独立的选自H或-OH，X为H；
(4)上述步骤(3)中得到的通式(II)化合物分别与(COOR3)2O或者R4Z反应，其中R3任选为C1-8烷基，R4任选为C1-8烷基、Z为卤素，得到不同程度保护的杯芳烃型分子玻璃，即通式(II)化合物。
4.权利要求1所述的化合物的用途，其中酚羟基未保护的化合物可用于负性光刻胶；酚羟基全保护的化合物可用于正性光刻胶；酚羟基部分保护的化合物可用于正性或负性光刻胶。
5.一种负性光刻胶组合物，包括权利要求1中的酚羟基未保护或部分保护的通式(I)或(II)化合物，以及光酸产生剂、交联剂、光刻胶溶剂。
6.如权利要求5所述的负性光刻胶组合物，其特征为：所述光刻胶组合物含有0.1％～10％(质量比)的通式(I)或(II)，0.01％～1％(质量比)的交联剂，0.01％～1％(质量比)的光酸产生剂。
7.一种正性光刻胶组合物，包括权利要求1中的酚羟基全保护或部分保护的通式(I)或(II)化合物，以及光酸产生剂、光刻胶溶剂。
8.如权利要求7所述的正性光刻胶组合物，其特征为：所述光刻胶组合物含有1％～10％(质量比)的通式(I)或(II)，含有0.01％～1％(质量比)的光酸产生剂。
9.如权利要求5-8中任一项所述的光刻胶组合物，其特征为，光酸产生剂包括离子型或非离子型；交联剂包括四甲氧基甲基甘脲、2,4-二羟甲基-6-甲基苯酚(2,4-DMMP)；光刻胶溶剂包括丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)、乳酸乙酯、乙二醇单甲醚、环己酮。
10.如权利要求9所述的光刻胶组合物，所述光酸产生剂为三苯基锍三氟甲磺酸盐、二(4-叔丁基苯基)碘鎓对甲苯磺酸盐、N-羟基萘酰亚胺三氟甲磺酸盐。
11.一种光刻胶涂层，其特征为，将权利要求5-10中任一项所述的正性或负性光刻胶组合物通过匀胶机在疏水处理后的硅片上进行旋涂。
12.权利要求1所述的化合物或权利要求5-10中任一项所述的光刻胶组合物的用途，其特征在于：用于现代光刻技术中。
13.如权利要求12所述的用途，其特征在于，所述光刻胶组合物用于248nm光刻、193nm光刻、极紫外光刻、纳米压印光刻或电子束光刻中。
14.如权利要求12所述的用途，其特征在于，所述光刻胶组合物用于极紫外(EUV)光刻工艺中。
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