CN103293742A - 一种显示面板的切割方法及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种显示面板的切割方法及显示装置，涉及显示面板制造领域，能够避免现有技术由于采用应力切割或热切割的方式切割显示面板而导致的显示装置漏光以及暗态时均一性不良等问题，提高的显示装置的显示效果。该方法包括：在显示面板的上表面及下表面形成保护层，所述保护层包括阵列的保护区域及多个待切割区域，其中，所述待切割区域设置于相邻的保护区域之间；采用湿法刻蚀或干法刻蚀工艺，刻蚀所述待切割区域所对应的显示面板。

Description

一种显示面板的切割方法及显示装置
技术领域
本发明涉及显示面板制造领域，尤其涉及一种显示面板的切割方法及显示装置。
背景技术
现有的薄膜场效应晶体管液晶显示器(TFT-LCD，Thin FilmTransistor-Liquid Crystal Display)基板是由一块完整的显示面板按照预先的切割线，采用应力切割或热切割的方式切割为多块基板所得的。如图1所示，为传统的显示面板的切割布局，其中，采用应力切割或热切割的方式，沿切割线10切割基板1，以获得多块面板11。
然而，采用传统的应力切割或热切割的方式切割显示面板会导致显示面板的切割边产生裂缝，进而发生应变，从而导致显示装置漏光以及暗态时均一性不良等问题，降低了TFT-LCD的显示效果。
发明内容
本发明的实施例提供一种显示面板的切割方法及显示装置，能够避免现有技术由于采用应力切割或热切割的方式切割显示面板而导致的显示装置产生裂缝，漏光以及暗态时均一性不良等问题，提高的显示装置的显示效果。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
一方面，提供一种显示面板的切割方法，包括：
在显示面板的上表面及下表面形成保护层，所述保护层包括阵列的保护区域及多个待切割区域，其中，所述待切割区域设置于相邻的保护区域之间；
采用湿法刻蚀或干法刻蚀工艺，刻蚀所述待切割区域所对应的显示面板。
所述在显示面板的上表面及下表面形成保护层的方法包括：
采用喷墨或印刷或层压的方式，在所述显示面板的上表面及下表面形成所述保护层。
所述保护层的材料为石蜡或树脂。
所述保护层厚度在10微米至100微米的范围内。
所述显示面板的上表面的保护区域与所述显示面板的下表面的保护区域一一对应，所述显示面板的上表面的待切割区域与所述显示面板的下表面的待切割区域一一对应。
采用湿法刻蚀工艺，刻蚀所述待切割区域所对应的显示面板的方法包括：
采用氢氟酸和磷酸的混合溶液，刻蚀所述待切割区域所对应的显示面板。
所述氢氟酸的重量百分比在0.5％至10％的范围内，所述磷酸的重量百分比在85％至60％的范围内。
采用干法刻蚀工艺，刻蚀所述待切割区域所对应的显示面板的方法包括：
利用等离子体刻蚀法或反应离子刻蚀法，采用三氟甲烷和氩的混合气体，或者四氟化碳和氩的混合气体，或者六氟化硫气体，刻蚀所述待切割区域所对应的显示面板。
所述显示面板为液晶显示面板或有机发光二极管显示面板。
另一方面，提供一种显示装置，所述显示装置为如上述任意所述的显示面板的切割方法切割所得。
本发明实施例提供了显示面板的切割方法及显示装置，在进行显示面板的切割时，可以通过在显示面板的上表面及下表面形成保护层，该保护层包括阵列的保护区域及多个待切割区域，其中，待切割区域设置于相邻的保护区域之间，进而采用湿法刻蚀或干法刻蚀工艺，刻蚀待切割区域所对应的显示面板。通过该方案，首先在显示面板对应区域形成保护区域和待切割区域，再采用湿法刻蚀或干法刻蚀对待切割区域对应的显示面板进行切割，进而能够避免现有技术由于采用应力切割或热切割的方式切割显示面板而导致的显示装置漏光以及暗态时均一性不良等问题，提高的显示装置的显示效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术的显示面板的切割布局示意图；
图2为本发明实施例的显示面板的切割方法流程示意图；
图3为本发明实施例的显示面板的切割布局示意图；
图4为图3的a-a向截面图；
图5为本发明实施例的显示面板结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种显示面板的切割方法，包括：
在显示面板的上表面及下表面形成保护层，所述保护层包括阵列的保护区域及多个待切割区域，其中，所述待切割区域设置于相邻的保护区域之间；
采用湿法刻蚀或干法刻蚀工艺，刻蚀所述待切割区域所对应的显示面板。
如图2所示，本发明实施例提供的显示面板1的切割方法，该方法包括：
S101、采用喷墨或印刷或层压的方式，在显示面板的上表面及下表面形成保护层。
需要说明的是，由于显示面板是由阵列基板与彩膜基板对盒形成的，因此，本发明实施例的显示面板的上表面，可以为显示面板的彩膜基板的外侧，显示面板的下表面，可以为阵列基板的外侧，但本发明的“上”“下”“内”“外”均是针对说明书附图而言的，此处不做限定语。
如图3所示，在显示面板1的上表面及下表面形成保护层2，其中，保护层2包括阵列的保护区域20，以及多个待切割区域21，待切割区域21设置于相邻的保护区域20之间。
示例性的，保护层2的材料可以为石蜡或树脂，优选地，石蜡为较适合的保护层材料，因为石蜡可以抵抗氟酸及磷酸的刻蚀。
具体地，可以采用喷墨方式，在显示面板1的上表面及下表面涂覆石蜡或石蜡系列的高分子材料，其中，可以仅涂覆在阵列的保护区域20所对应的区域；或者，可以采用印刷方式，在显示面板1的上表面及下表面涂覆树脂或树脂类的高分子材料，同样的，可以仅涂覆在阵列的保护区域20所对应的区域。
本领域技术人员可以理解的是，在显示面板的上表面及下表面形成保护层的方法有多种，除了上述实施例提出的喷墨或印刷方式以外，还可以采用层压的方式，在显示面板的上表面及下表面形成保护层。
优选地，保护层2的厚度在10微米至100微米的范围内，这是由于，将保护层2的厚度设置在10微米至100微米的范围内，既可以保护显示面板1对应的区域不被刻蚀，又可以达到尽可能节约成本的目的。
具体地，如图4所示，为图3的a-a向截面图，显示面板1的上表面的保护区域20与显示面板1的下表面的保护区域20一一对应，显示面板1的上表面的待切割区域21与显示面板1的下表面的待切割区域21一一对应。
S102、采用湿法刻蚀或干法刻蚀工艺，刻蚀待切割区域所对应的显示面板。
仍如图3所示，具体地，采用湿法刻蚀工艺，刻蚀待切割区域所对应的显示面板的方法包括：
采用氢氟酸(HF)和磷酸(H3PO4)的混合溶液，刻蚀待切割区域21所对应的显示面板。
其中，氢氟酸和磷酸的混合溶液能够与玻璃(SiO2)基板发生反应，且刻蚀时显示面板内部无应力产生，可以防止现有技术中由于显示面板内部的应力产生裂缝而使得显示面板漏光及暗态时均一性差的情况发生。
优选地，氢氟酸的重量百分比在0.5％至10％的范围内，磷酸的重量百分比在85％至60％的范围内。
其中，某物质的重量百分比是指：某物质的重量占包含某物质的总溶液重量的百分比例，即某物质的重量为A，包含某物质的总溶液重量为B，那么，某物质的重量百分比为A/B*100％。例如，重量百分比在0.5％至10％的范围内的氢氟酸是指氢氟酸在混合溶液中所占的百分比例在0.5％至10％的范围内，且包含边界值(0.5％、10％)。
或者，采用干法刻蚀工艺，刻蚀待切割区域所对应的显示面板的方法包括：
利用等离子体刻蚀法或反应离子刻蚀法，采用三氟甲烷(CHF3)和氩(Ar)的混合气体，或者四氟化碳(CF4)和氩的混合气体，或者六氟化硫(SF6)气体，或者CF4和氧(O2)的混合气体，刻蚀待切割区域所对应的显示面板。
其中，等离子体刻蚀法的原理为：等离子体刻蚀时采用高频辉光放点反应，使反应气体激活成活性粒子，如原子或游离基，这些活性粒子扩散到需要刻蚀的部位，在那里与被刻蚀材料进行反应，形成挥发性生成物而被去除。它的优势在于快速刻蚀速率同时可获得良好的物理形貌。这种刻蚀方法也叫做干法刻蚀。
反应离子刻蚀(RIE，Reactive Ion Etching)法的原理为：当在平板电极之间施加10MHZ-100MHZ的高频电压(RF，RadioFrequency)时会产生数百微米厚的离子层(ion sheath)，在其中放入待刻蚀物体，离子高速撞击待刻蚀物体而完成化学反应蚀刻。
如图5所示，采用湿法刻蚀或干法刻蚀工艺，刻蚀待切割区域所对应的显示面板后，显示面板1包括已刻蚀区域12。
需要补充的是，本发明实施例中使用湿法刻蚀或干法刻蚀工艺进行刻蚀时，并非完全切割，可以留下0.05mm至0.15mm余量，即显示面板的上表面的已刻蚀区域与显示面板的下表面的已刻蚀区域之间的距离在0.05mm至0.15mm的范围内，这是为了防止外部的刻蚀损坏显示面板内部。
进一步地，显示面板可以为液晶显示面板或有机发光二极管显示面板，本发明不做限制。
本发明实施例提供了显示面板的切割方法，在进行显示面板的切割时，可以通过在显示面板的上表面及下表面形成保护层，该保护层包括阵列的保护区域及多个待切割区域，其中，待切割区域设置于相邻的保护区域之间，进而采用湿法刻蚀或干法刻蚀工艺，刻蚀待切割区域所对应的显示面板。通过该方案，首先在显示面板对应区域形成保护区域和待切割区域，再采用湿法刻蚀或干法刻蚀对待切割区域对应的显示面板进行切割，进而能够避免现有技术由于采用应力切割或热切割的方式切割显示面板而导致的显示装置漏光以及暗态时均一性不良等问题，提高的显示装置的显示效果。
本发明实施例还提供一种显示装置，包括上述的显示面板的切割方法切割所得。
本发明实施例提供的显示装置可以为液晶显示装置，所述液晶显示装置可以为液晶显示器、液晶电视、数码相框、手机、平板电脑等具有显示功能的产品或者部件；本发明实施例提供的显示装置还可以为有机发光二极管(OLED，Organic Light-Emitting Diode)显示装置，包括阵列基板，以及蒸镀于该基板之上的有机发光材料及封装盖板。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种显示面板的切割方法，其特征在于，包括：
在显示面板的上表面及下表面形成保护层，所述保护层包括阵列的保护区域及多个待切割区域，其中，所述待切割区域设置于相邻的保护区域之间；
采用湿法刻蚀或干法刻蚀工艺，刻蚀所述待切割区域所对应的显示面板。
2.根据权利要求1所述的显示面板的切割方法，其特征在于，所述在显示面板的上表面及下表面形成保护层的方法包括：
采用喷墨或印刷或层压的方式，在所述显示面板的上表面及下表面形成所述保护层。
3.根据权利要求1所述的显示面板的切割方法，其特征在于，所述保护层的材料为石蜡或树脂。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的显示面板的切割方法，其特征在于，所述保护层厚度在10微米至100微米的范围内。
5.根据权利要求1所述的显示面板的切割方法，其特征在于，所述显示面板的上表面的保护区域与所述显示面板的下表面的保护区域一一对应，所述显示面板的上表面的待切割区域与所述显示面板的下表面的待切割区域一一对应。
6.根据权利要求1所述的显示面板的切割方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺，刻蚀所述待切割区域所对应的显示面板的方法包括：
采用氢氟酸和磷酸的混合溶液，刻蚀所述待切割区域所对应的显示面板。
7.根据权利要求6所述的显示面板的切割方法，其特征在于，所述氢氟酸的重量百分比在0.5％至10％的范围内，所述磷酸的重量百分比在85％至60％的范围内。
8.根据权利要求1所述的显示面板的切割方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺，刻蚀所述待切割区域所对应的显示面板的方法包括：
利用等离子体刻蚀法或反应离子刻蚀法，采用三氟甲烷和氩的混合气体，或者四氟化碳和氩的混合气体，或者六氟化硫气体，刻蚀所述待切割区域所对应的显示面板。
9.根据权利要求1所述的显示面板的切割方法，其特征在于，所述显示面板为液晶显示面板或有机发光二极管显示面板。
10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置为如包括权利要求1～9中任意一项所述的显示面板的切割方法切割所得。
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